従来から、ダイヤモンドライクカーボン膜 を代表とするカーボン膜は、表面の摩擦低減 を目的としてコーティングされている。近年 では、カーボン膜は、太陽電池や化合物半導 体高速電子デバイスなどに用いられる低誘電 率膜などへの応用が期待されている(非特許� �献2)。また、特許文献1~3においては、カーボ ン膜を被覆層として含む透明導電膜の開示が ある。

 通常では、これらのカーボン膜はアルゴ� ��ガスを用いてターゲットのカーボン材料を� ��パッタリングすることによって成膜され、� ��積されるカーボン膜は水素を含まないアモ� ��ファスカーボン膜である。このようなカー� ��ン膜の製法では硬い膜を形成することが可� ��であるが、そのような硬質カーボン膜は水� ��や熱に対する安定な保護効果を生じ得ない� ��本発明者らは、構造中に水素を含有するカ� ��ボン層(以下、「水素含有カーボン層」と称 す)を被覆層として使用することによって、� �化亜鉛を含む透明導電性酸化物層が水分や� �に対して安定に特性を維持し得ることを見� �した。

 また、上記のようにスパッタリングで成� ��されたカーボン膜はその組成がグラファイ� ��構造であり、少なくとも可視光領域におい� ��透明なカーボン膜は作製し難かった。本発� ��者らは、水素含有カーボン層の堆積条件を� ��整することによって、水素含有カーボン層� ��被覆された透明導電性酸化物層の光線透過� ��を容易に高め得ることをも見出した。

 以下、本発明に係る透明導電膜の代表的な� ��様を説明する。
図1~図5は、本発明に係る透明導電膜の断面説 明図である。透明導電酸化物層2の片面
(図1、2)または両面(図3)カーボン層3が形成さ� ��ている。図4、5ではカーボン層が2層(3と4)が 形成されている。図5ではさらに付加的透明� �極5が設けられている。

 透明基板1は、少なくとも可視光領域にお いて透明であればよく、硬質材料と軟質材料 のいずれであってもよい。そのような硬質材 料としては、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラ ス、無アルカリガラスなどのガラス材料がそ の代表例であるが、サファイヤ基板などもも ちろん使用し得る。ガラス基板を使用する場 合、その厚みは使用目的に応じて任意に選択 することができるが、取り扱いの容易性と重 量とのバランスに鑑みて0.5mm~4.5mm範囲内の厚� ��が好ましい。

 すなわち、薄過ぎるガラス基板は、その� ��度が不足するので、衝撃によって割れやす� ��。逆に、厚過ぎるガラス基板は、その重量� ��大きくなることとから好ましくなく、また� ��明導電膜が適用される機器の厚みに影響を� ��ぼしてポータブル機器への適用が困難とな� ��観点からも好ましくない。さらに、厚いガ� ��ス基板は、透明性とコストの面からも好ま� ��くない。

 他方、軟質の基板材料としては、アクリ� ��、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ� ��レフィン樹脂などの熱可塑性樹脂やポリウ� ��タンなどの熱硬化性樹脂からなるフィルム� ��代表例であるが、特に透湿性が低く、カー� ��ン膜層を基板上に形成により水分に対する� ��リア性が向上し、表面抵抗の安定化に対し� ��より大きな効果が期待されるので、ポリオ� ��フィン樹脂が好ましく中でも優れた光学等� ��性と水蒸気遮断性に優れるポリシクロオレ� ��ィンを主成分とするフィルムが好ましく使� ��され得る。ポリシクロオレフィンフィルム� ��、ノルボルネンの重合体、ノルボルネンと� ��レフィンとの共重合体、シクロペンタジエ� ��などの不飽和脂環式炭化水素の重合体など� ��して形成され得る。 

 水蒸気遮断性の観点からは、フィルム構� ��分子の主鎖および側鎖には大きな極性を示� ��官能基、例えばカルボニル基やヒドロキシ� ��基を含まないことが好ましい。これらの軟� ��基板の厚みも使用目的に応じて任意に選択� ��ることができるが、0.03mm~3.0mm程度の範囲内� ��厚さであれば基板の取り扱いが容易である� ��すなわち、薄過ぎるフィルムは、ハンドリ� ��グが困難であることと強度が不足すること� ��ら好ましくない。逆に、厚過ぎるフィルム� ��、透明性とコストの観点から好ましくなく� ��また透明導電膜が適用される機器の厚みに� ��響を及ぼしてポータブル機器への適用が困� ��となる観点からも好ましくない。

 基板1としてフィルムを用いる場合、基板 フィルムは延伸されることによって位相差値 を有し得る。基板フィルムが位相差値を有す れば、偏光板との組み合わせによって低反射 パネルを作製することが可能であり、画像の 視認性が大幅に向上することを期待し得る。

 基板フィルムに位相差値を持たせるため� ��は、周知の方法を利用することができる。� ��えば、一軸延伸や二軸延伸などの延伸処理� ��配向処理が利用され得る。この際に、フィ� ��ムをガラス転移温度近くに維持することに� ��って、ポリマー骨格の配向を促進させるこ� ��が可能となる。レタデーション値の好まし� ��範囲は、透明導電膜の目的とする機能によ� ��て異なるが、反射防止機能を目的とする場� ��には50~300nmの範囲内であることが好ましく� �人間が最も強く認識する光の約550nmの波長に 対して1/4となる137nm程度であることがより好� ��しい。

 本発明における透明導電性酸化物層2には 、透明性の高さの観点と水素含有カーボン層 の堆積時に存在する水素プラズマに対して還 元反応を生じ難い観点から、TCO中でも酸化亜 鉛が用いられる。その透明導電性酸化物層に は、抵抗率制御や安定性を目的としてドーピ ング剤を添加することができる。ドーピング 剤としては、例えばアルミニウム、ガリウム 、インジウム、錫、ホウ素などを含む化合物 や、リン、窒素などを含む化合物が挙げられ る。

 透明導電性酸化物層2の堆積方法としては 、均一な薄膜が形成され得る限りにおいて種 々の方法を利用することができる。例えば、 スパッタリング、蒸着などのPVD法や各種CVD法 のような気相堆積法、さらには透明導電性酸 化物層の原料を含む溶液をスピンコート、ロ ールコート、スプレー、ディッピングなどに よって塗布した後に加熱処理で透明導電性酸 化物層を形成する方法を利用することができ る。しかし、ナノメートルレベルの厚さの薄 膜を形成しやすいという観点から、気相堆積 法が好ましい。

 気相堆積法で透明導電性酸化物層2を形成 する場合、好ましい基板の温度は基板の軟化 温度にも依存するが、室温~500℃が好ましく� �さらに好ましくは室温~300℃が好ましい。ま� ��、室温から基板のガラス転移温度以下の温� ��が好ましく、基板のガラス転移温度より30� �程度低い温度がより好ましい。すなわち、� �板温度が低過ぎれば、透明導電性酸化物層� �結晶性が悪くなって、望まれる透明性や導� �性を達成できない可能性がある。逆に、基� �温度が高過ぎれば、酸化亜鉛透明導電酸化� �層の熱酸化やフィルム基板が有する位相差� �が変化または消失する可能性がある。

 透明導電性酸化物層2の気相堆積には、プラ ズマ放電を利用することができる。プラズマ を生じさせるパワーには特に制限はないが、 透明導電性酸化物層の生産性や結晶性の観点 から0.1~15W/cm ² 好ましくは1~13W/cm ² の範囲内であることが好ましい。電力が小さ 過ぎる場合には、透明電極層が堆積されない 可能性がある。逆に、印加電力が大き過ぎる 場合には、プラズマによる基板へのダメージ や成膜装置へのダメージが懸念される。透明 導電性酸化物層の堆積時に使用するキャリア ガスとしては、一般的な気相堆積法に使用さ れるガスを使用することができ、例えばアル ゴン、水素、酸素、窒素などを使用すること ができる。

 上記透明導電酸化物層1の膜厚は50Å~5000� �が好ましい。透明導電酸化物層の膜厚が薄� �場合は、透明導電酸化物層の導電性が極め� �低く、有効な透明導電膜が得られない。ま� �透明導電酸化物層の膜厚が厚い場合は、透� �性が悪くなり、生産コストも高くなる可能� �がある。 カーボン層3は炭素原子が主成分� �なる化合物により形成される。窒素やリン� �ホウ素などのドーピングによって導電性を� �上させることが可能であるが、ドーピング� �施さなくても十分な導電性が期待される。

 このようなカーボン層3の作製方法は、高周 波プラズマCVD法本発明に必要なカーボン層を 形成することができる。高周波プラズマCVD法 における原料ガスはメタン・二酸化炭素・水 素から1種類以上選択されたガスが使用され� �その体積比を制御することでカーボン膜の� �性を制御することが可能となるが、本発明� �重要な特性を有するためにはそれぞれのガ� �の体積をV(メタン)、V(二酸化炭素)、V(水素)� �した時に、
0.7≦V(メタン)/(V(メタン)+V(水素))≦1.0  式(1)
0.6≦V(メタン)/(V(メタン)+V(二酸化炭素))≦1.0  式(2)
0.04≦V(二酸化炭素)/(V(水素)+V(二酸化炭素))≦0 .10 式(3)
の範囲で原料ガスを制御すると本発明に有効 なカーボン層を形成できる。

 体積比の制御は製膜装置にマスフローコ� ��トローラーを設置することで、良い精度で� ��御可能である。これらのガス体積比は、主� ��水接触角に影響を与え、ガス体積比が上記� ��囲から逸脱すると、本発明に必要な水接触� ��を得ることができず、結果として高温高湿� ��境下での耐久性の低下へとつながる。さら� ��、水素量が多くなると、発生した水素原子� ��メタンや二酸化炭素の反応により炭素原子� ��高密度に堆積しやすくなり、結果として高� ��折率のカーボン層となり、本発明のような� ��線透過率の向上にはつながらない。

 電源のパワーについては0.05~15W/cm ² さらには0.1~13W/cm ² が好ましい。低パワーでは製膜速度が遅くな り生産性に大きな影響を与える可能性がある 。逆に高すぎるパワーでは、イオン化したガ スにより基材の透明導電酸化物層をエッチン グしてしまう可能性があるため好ましくない 。電源については、直流電源や高周波電源な どがあり、何れの電源も使用できるが、高周 波電源の方が製膜速度が高く、生産性の観点 から好ましい。 また本発明のカーボン層3は 、マグネトロンスパッタ法においても形成可 能である。

 マグネトロンスパッタ法によりカーボン層� ��形成する場合、ターゲット材料には一般的� ��カーボンを使用することができる。キャリ� ��ガスとしては、二酸化炭素・水素・アルゴ� ��の中から2種類以上のガスを選択し、且つそ れぞれのガスの体積をV(二酸化炭素)・V(水素) ・V(アルゴン)とした時に
0.10≦V(二酸化炭素)/(V(二酸化炭素)+V(水素))≦0 .30 式(4)
0.10≦V(二酸化炭素)/(V(二酸化炭素)+V(アルゴン ))≦0.30 式(5)
の範囲でキャリアガスを制御することで本発 明に必要なカーボン層を形成可能である。

 体積比の制御は製膜装置にマスフローコ� ��トローラーを設置することで、良い精度で� ��御可能である。これらのガス体積比は、主� ��水接触角に影響を与え、ガス体積比が上記� ��囲から逸脱すると、本発明に必要な水接触� ��を得ることができず、結果として高温高湿� ��境下での耐久性の低下へとつながる。さら� ��、水素量が多くなると、発生した水素原子� ��メタンや二酸化炭素の反応により炭素原子� ��高密度に堆積しやすくなり、結果として高� ��折率のカーボン層となり、本発明のような� ��線透過率の向上にはつながらない。アルゴ� ��量が多くなると、カーボン層はよりグラフ� ��イト的なものとなり、カーボン層の色が黒� ��ぽくなり、透明導電膜には適さない。

 電源のパワーについては0.05~15W/cm ² さらには0.1~13W/cm ² が好ましい。低パワーでは製膜速度が遅くな り生産性に大きな影響を与える可能性がある 。逆に高すぎるパワーでは、イオン化したガ スにより基材の透明導電酸化物層をエッチン グしてしまう可能性があるため好ましくない 。電源については、直流電源や高周波電源な どがあり、何れの電源も使用できるが、高周 波電源の方が製膜速度が高く、ターゲット付 近に堆積する絶縁炭素物質の影響が小さいな ど、生産性の観点から好ましい。

 カーボン層3の膜厚は、透明導電酸化物層2� �膜厚やカーボン層3の屈折率により任意の膜� ��を設定することができる。例えば、一次元� ��光学計算を実施することで、カーボン層3の 屈折率と膜厚の最適値を近似的に得ることが できる(非特許文献3)。
J.Krc et al.,Progress in Photovoltaics 11(2003)15 . カーボン膜3の屈折率は1.25~1.85の間である� �とが好ましい。特に1.25~1.70の範囲で制御可� �であることがさらに好ましい、また1.30~1.70� �範囲が特に好ましい。

 屈折率は単波長または分光エリプソメー� ��ーによって容易に且つ精度良く測定可能で� ��る。上記のように二酸化炭素と水素の混合� ��を調整すること、また電源方式をDC方式とRF 方式と選択することで、幅広い屈折率の制御 が可能であることを見出した。屈折率が1.25� �り小さいカーボン層では、カーボン層が有� �化合物または高分子化合物となり導電性を� �さないので、透明導電膜としては使用でき� �い。

 さらに、そのような材料は多孔質構造と� ��り易く、物理的強度に問題が生じる可能性� ��ある。また、1.85より大きな屈折率では、通 常透明導電酸化物層と同等以上屈折率になり 反射防止効果が期待できにくい。

 屈折率の波長分散性について説明する。� ��折率の波長分散性は、波長に依存した屈折� ��の変化を示すものであり、物質固有の性質� ��あることが非特許文献4に記載されている。 波長分散に関しては、平均分散・相対分散・ 比分散の量で定義されるのが一般的であり、 本発明においては平均分散の範囲が0.01~0.20の 範囲で制御可能であることが重要な技術であ る。平均分散は下式(6)で表される。

 (平均分散)=n _F -n _C     式(6)
 ここでn _F 、n _C はF線、C線での屈折率であり、F線、C線は水� �の486.1nm(H _β )、653.3nm(H _α )線である。式(6)の値が大きいほど波長分散� �が大きいとなり、逆に式(6)の値が小さいほ� �波長分散性が小さいとなる。さらに式(6)の� �が正であるものは正の波長分散、負である� �のは負の波長分散と称されるのが一般的で� �る。

 本発明では波長分散の値は0.01~0.20の範囲� ��あることが好ましい。波長分散がこの範囲� ��なることで、透明電極材料としては、カー� ��ン層側から入射した光は全波長の光が反射� ��スなく透過しやすくなる。

 このことは、タッチパネルやディスプレ� ��材料に用いられる透明電極では、画像の色� ��償の観点から重要な特性となる。同じ透明� ��極でも太陽電池の透明電極に使用すると、� ��ーボン層と光電変換層(通常屈折率3以上)と� ��屈折率差により、該層間で光の全反射が起� ��り、結果として光を効果的に閉じ込めやす� ��することができる。太陽電池の中間層とし� ��場合には、波長分散性を利用して選択的な� ��の反射と透過により最適な特性を得ること� ��できる。マルチユニット有機ELの透明導電� �間層などでは、有機発光層との屈折率差を� �用して反射ロスなく光を取り出すことがで� �る。

 波長分散性が正に大きすぎるものは、光� ��選択性が顕著となりやすく、透過光に色が� ��いて見えてしまうために好ましくない。ま� ��、反射光については、黄色~赤色が強く反射 されやすくなり、ディスプレイ材料としては 好ましくない。逆に波長分散が小さいもの、 負のものについても、波長選択性が顕著とな り、太陽電池などでは好ましくない。

 屈折率の波長分散性については、分光エリ� ��ソメーターにより精度よく測定可能である� ��
日本化学会編、化学便覧基礎編(改訂5版) 、II-557ページより(2004年) カーボン層3の密度 は0.3~1.3g/cm3であることが好ましい。これより 大きな密度では、結果として屈折率が大きく なりやすく、本発明に重要な光線透過率の向 上に対して効果が小さい。逆に密度が小さす ぎる場合は、構造として多孔質になりやすく 、物理的な耐久性が劣り損傷や劣化が起こり 易い為に好ましくない。

 カーボン層3は構造中に水素を含有してい ることが好ましい。水素の含有量については 、36.0atom%以下が好ましく、その場合本発明に 好ましいカーボン層が形成される。水素含有 量が多い場合には、引っかき硬度が低下し、 物理的な衝撃に弱くなる他、導電性が悪くな り絶縁化合物と同等の電気特性となるため好 ましくない。カーボン層中の水素含有量につ いては、ラザフォード後方散乱(RBS)装置を用� ��て水素前方散乱分光(HSF)法により精度よく� �めることができる。また、ラザフォード後� �散乱測定により膜密度についても求めるこ� �ができる。

 カーボン層3における、X線光電子分光スペ� �トルの解析から得られるカーボン結合中のSP ³ の割合は55%以上が好ましい。さらに好ましく は55~90%好ましい。SP ³ の割合が小さい場合は、グラファイト的な構 造に近くなり、光線透過率の低下の原因とな る。また、SP ² 結合が多い場合は吸水性が高くなり耐久性が 低下する可能性がある。またSP ³ の割合が大きい場合は、導電性が劣り透明導 電膜の機能を果たさなくなる可能性がある。

 透明導電膜の表面抵抗は、JISK7194に記載� �れている四探針圧接測定で測定した。表面� �抗の値は、使用するアイテムに必要とされ� �特性により異なるが、5~2000ω/□が好ましい� �これ以上大きい表面抵抗では、透明導電膜� �表面抵抗が安定にならず、特に高温高湿環� �下に放置すると表面抵抗が容易に上昇する� �逆にこれ以上小さい表面抵抗では、透明導� �性酸化物層の膜厚が大きくなり、その応力� �より透明導電性酸化物層が割れやすくなる� �とや、また透過率の低下やコスト面での課� �が発生する。

 全光線透過率は、JISK7105に記載されてい� �積分球式光線透過率測定装置を用いて測定� �た。

 屈折率および膜厚は分光エリプソメータ� ��で測定した。

 構造中のSP ³ 結合割合は、X線光電子分光(XPS)測定より得ら れる結合エネルギーのデータを解析すること で算出した。

 カーボン層の密度および層中の水素含有� ��は、ラザフォード後方散乱法/反跳散乱法に より求めた。

 具体的な測定装置について説明する。屈� ��率および平均分散の評価はエリプソメトリ� ��法から得られたδとψの値をcauchyモデルを用 いてフィッティングした。エリプソメトリー はジェイ・エー・ウーラム社製の分光エリプ ソメーターVASEを使用した。水素含有量およ� �密度はラザフォード後方散乱法から求めた� �ラザフォード後方散乱は縦置型高分解能RBS� �置HRBS500(神戸製鋼社製)を使用した。

 構造中のSP ³ 結合割合は、X線光電子分光(XPS)装置S-Probe ESC A Model2803(Surface Science Instruments社製)より得� �れる結合エネルギーのデータを解析するこ� �で算出した。表面抵抗測定は低抵抗率計ロ� �スタGP(MCP-T610)(三菱化学社製)を使用した。光 線透過率測定は分光光度計U-4100(日立ハイテ� �ノロジーズ社製)を使用した。

 図4は、本発明の一実施形態による透明導 電膜を模式的な断面図で示している。この図 において、厚さ0.05~1.5mmの透明基板1上に、酸� ��亜鉛を含む透明導電性酸化物層2が設けられ ている。透明導電性酸化物層2の表面または� �板と透明導電性酸化物層2の間には、第1種水 素含有カーボン層3と第2種水素含有カーボン� ��4が形成されている。第1種水素含有カーボ� �層3と第2種水素含有カーボン層4とは、それ� �の構造および/または組成が互いに異なるも� ��である。

 なお、第1種水素含有カーボン層3と第2種� ��素含有カーボン層4とは積層順を逆転しても よく、それらの積層を3層以上順次繰り返し� �もよい。また、第1種水素含有カーボン層3と 第2種水素含有カーボン層4の積層中に他の種� ��のカーボン層が含められてもよい。さらに� ��透明導電性酸化物層2は単一層である必要は なく、少なくとも1層の酸化亜鉛層を含む限� �において複数のTCO層で置き換えられてもよ� �ことは言うまでもない。

 水素含有カーボン層3、4は、空気や水分� �対する酸化亜鉛透明導電性酸化物層の保護� �目的とするとともに、透明導電性酸化物層� �おける物理的衝撃に対する耐久性の向上と� �線透過率の向上をも目的として堆積される� �これらの水素含有カーボン層としては、構� �中に水素を含むハイドロカーボンが好まし� �、物理的強度や透明性の観点からダイヤモ� �ドライクカーボンやアモルファスハイドロ� �ーボンやテトラヘドラルアモルファスハイ� �ロカーボンが好ましく使用され得る。

 また、カーボン層3が水素含有カーボン層 である場合、水素含有カーボン層3、4のうち� ��少なくとも1層は、波長550nmの光に関して1.4~ 1.7の範囲内の屈折率を有することが好ましい 。このような屈折率を有する水素含有カーボ ン層で被覆することによって、透明導電膜の 光線透過率の向上が可能となる。

 通常のカーボン層は、周知のCVD法、スパ� ��タ法、イオンプレーティング法、蒸着法な� ��の技術によって形成されるのが一般的であ� ��が、本発明における水素含有カーボン層は� ��高周波プラズマCVD法によってのみ形成可能� ��ある。この高周波プラズマCVD法に使用され� ��高周波電源の周波数帯にはRF、VHF、マイク� �波などの種類があるが、どの種類の高周波� �源を用いても所望の水素含有カーボン層を� �ることができる。

 また、原料ガスとしては炭素と水素を含む� ��般的ガスを使用することができ、所望する� ��素含有カーボン層の構造に応じて、例えば� ��タンガスあるいはメタンガスを水素で希釈� ��て使用することができる。プラズマを生じ� ��ための印加電力としては、特に制限はない� ��0.1~15W/cm ² さらには0.1~13W/cm ² の範囲内であることが好ましい。すなわち、 印加電力が小さ過ぎる場合には水素含有カー ボン層の堆積が達成されず、逆に大き過ぎる 場合は過剰なプラズマによって透明導電性酸 化物層2がエッチングされる可能性がある。

 透明導電膜が主にタッチパネル、エレク� ��ロルミネッセンス電極材料、太陽電池など� ��使用される場合には、電気的なコンタクト� ��を向上させる目的のために、図5の模式的断 面図に示されているように水素含有カーボン 層上に、付加的な酸化亜鉛の透明導電性酸化 物層5が20nm以下の厚さに堆積され得る。すな� ��ち、ここにおけるコンタクト性とは、透明� ��電膜と対向電極や電荷移動層との界面にお� ��る電気の流れやすさを意味する。このよう� ��薄い付加的な透明導電性酸化物層5を形成す ることによって、透明導電膜のコンタクト性 の改善が可能となる。

 付加的透明導電性酸化物層5においては、 透明性を優先してドーピングしなくてもよい が、ドーピングすることによってコンタクト 性改善への寄与を大きくすることが可能であ る。そのドーピング剤としては、例えばアル ミニウム、ガリウム、インジウム、錫、ホウ 素などを含む化合物やリン、窒素などを含む 化合物を利用することができる。

 付加的透明導電性酸化物層5は薄いほど好 ましく、20nm以下の厚さに形成されることが� �ましく、3~12nmであることがより好ましく、5~ 10nmの厚さであることが特に好ましい。付加� �透明導電性酸化物層5はコンタクト性の改善� ��目的としており、透明導電膜のシート抵抗� ��下層の透明導電性酸化物層2および水素含有 カーボン層3、4によって制御する必要がある� ��

 すなわち、付加的透明導電性酸化物層5の 厚さは、透明導電膜のシート抵抗に影響を与 えない20nm以下である。また、前述の酸化亜� �層の水分や熱に対する不安定さも、その厚� �を20nm以下に小さくすることによって回避す� ��ことができる。

 さらに付加的透明導電性酸化物層5は、図 5に示すように複数層からなるカーボン層の� �に挿入されるように形成されることで、透� �導電膜の引っかき強度などの物理的強度が� �上する。

 透明導電膜のシート抵抗は、JISK7194に規� �されている四探針圧接測定法によって測定� �れた。そのシート抵抗の値は、例えばタッ� �パネルなどに必要とされる特性に依存して� �なるが、200~2000ω/□の範囲内であることが好 ましい。すなわち、シート抵抗が大き過ぎる ことは透明導電性酸化物層が薄過ぎることを 意味し、透明導電膜のシート抵抗が安定にな らず、特に高温高湿環境下に放置すればシー ト抵抗が容易に上昇する。

 逆に、シート抵抗が小さ過ぎることは透� ��導電性酸化物層が厚過ぎることを意味し、� ��の内部応力によって透明導電性酸化物層が� ��れやすくなり、透明導電性酸化物層の透過� ��低下やコスト上昇の問題をも生じる。

 波長550nmの光に関する透明導電膜の光線透� �率は、JISK7105に規定されている積分球式光線 透過率測定装置を用いて測定された。本発明 による透明導電膜の光線透過率においては、 透明基板1上に透明導電性酸化物層2形成した� ��の透過率をT ₀ として、水素含有カーボン層3、4で被覆した� ��の透過率をT ₁ とした場合に、T ₁ /T ₀ ≧1.02の関係を満たすことが重要な特徴であ� �。ただし、これらの透過率T ₀ とT ₁ は、上述のように波長550nmの光に関するもの� ��ある。すなわち、本発明においては、水素� ��有カーボン層の組成や構造を制御すること� ��よって、一般的な低反射膜と同等以上の効� ��を示すことが見出された。