以下においては、上述の実施の形態に対� ��する透明導電酸化物層および前記透明導電� ��化物層を含む薄膜光電変換装置の実施例を� ��げ、比較例と比較しつつ詳細に説明する。� ��発明は以下の実施例に限定されるものでは� ��い。

 (実施例1)
 図1を参照して説明された第一の実施の形態 に対応して、実施例1としての透明導電酸化� �層が作成された。透光性基板1にはガラスを� ��い、該基板上にスパッタ法により酸化亜鉛� ��らなる透明導電酸化物層2を形成するために スパッタ装置の製膜室に投入した。スパッタ ターゲットとして酸化亜鉛中に2wt%のAlを添加 したものを用い、スパッタガスとしてArガス� ��導入し、基板150℃、圧力0.27Paの条件で、DC� �パッタ法により酸化亜鉛を膜厚40nmで形成し� ��。

 透明導電酸化物層製膜後にサンプルをプ� ��ズマCVD装置へ投入して高導電処理層3を形成 した。基板温度180℃、放電電力200W、メタン30 sccm、(メタン濃度100体積%)、水素310sccm、ジボ� ��ン0.05sccmを原料にして、プラズマCVD装置を� �いて高導電処理を20分実施した。

 図3に本実施例にて作製した透明導電酸化 物層の相対透過率(実線)を、高導電処理を実� ��していない比較例1による透明導電酸化物層 の相対透過率(点線)と共に示す。図より高導� ��処理を実施する事により特に短波長領域の� ��過率が向上している事がわかる。

 さらに、図4に本実施例により作製した透 明導電酸化物層の元素プロファイルをSIMS法� �より測定した結果を示す。SIMS法は一次イオ� ��の照射により、スパッタリングされた二次� ��オンの質量分析をおこなう方法であり、今� ��のSIMS測定では、加速イオンとしてセシウム を使用した。図より、試料の表面側10nmの範� �においてアルミニウムおよびホウ素が不純� �として含有量が多くなっており、さらに、� �面側の不純物濃度が多い領域には炭素が含� �されていることがわかる。

 本実施例により作製した透明酸化物層の� ��ート抵抗を4端針測定により測定すると、高 導電処理を実施していない比較例1の0.73倍で� ��った。

 (比較例1)
本比較例では透明導電酸化物層の高導電処理 を実施しなかった以外は実施例1と同様にし� �透明導電酸化物層を作成した。透明導電酸� �物層の相対透過率を図3に示す(点線)。

 (実施例2)
 高導電処理層3の形成時に基板温度を30度と� ��た以外は実施例1と同様にして透明導電酸化 物層を作成した。

 図5に本実施例により作製した透明導電酸 化物層の元素プロファイルをSIMS法により測� �した結果を示す。図より、試料の表面側5nm� �範囲において含有されているアルミニウム� �よびホウ素が不純物として含有量が多くな� �ており、さらに、表面側の不純物濃度が多� �領域には炭素が含有されていることがわか� �。

 実施例1の結果(図4)と比較すると高導電処 理層作成時の基板温度が低いため、不純物の 透明導電酸化物層内部への拡散が促進されず に高導電処理層部分が薄くなっていることが 確認できた。しかし、本実施例により作製し た透明酸化物層のシート抵抗を4端針測定に� �り測定すると、高導電処理を実施していな� �比較例1の0.90倍であった。高導電処理層部分 が薄い状況でも本発明による効果が発現して いる事がわかる。

 (比較例2)
 酸化亜鉛層の厚さを50nmとしたこと、高導電 処理層作成の際、基板温度を150℃としさらに ジボランを用いなかった以外は実施例1と同� �にして透明導電酸化物層を作成した。

 図6に本比較例にて作製した透明導電酸化 物層の相対透過率(実線)を、高導電処理を実� ��していない比較例1(点線)による透明導電酸� ��物層の相対透過率と共に示す。図より高導� ��処理により特に短波長領域の透過率が向上� ��ている事がわかる。2種類目の不純物を導入 しない処理を実施しても透明導電酸化物層の 透過率は向上する事がわかる。

 さらに、図7に本比較例により作製した透 明導電酸化物層の元素プロファイルをSIMS法� �より測定した結果を示す。図より、試料の� �面側20nmの範囲において炭素が含有されてい� ��事と、不純物としてのアルミニウムの濃度� ��は変化が無い事がわかる。

 実施例1の結果と比較すると処理層作成時 の基板温度が低いため、不純物の透明導電酸 化物層内部への拡散が促進されずに高導電処 理層部分が薄くなっていることが確認できた 。しかし、本実施例により作製した透明酸化 物層のシート抵抗を4端針測定により確認す� �と、高導電処理を実施していない比較例1の� ��果と比較すると抵抗は1.55倍になっており、 2種類目の不純物を導入しない処理では導電� �が改善されていない事が確認できた。上述� �結果から、本発明による高導電処理におい� �2種類目の不純物を導入しない高導電処理を� ��こなった場合には、透明導電酸化物層の透� ��率は向上するものの導電率の向上が達成で� ��ずに課題の解決が困難である事がわかった� ��

 (比較例3)
 実施例1と同様に透明導電酸化物層を作成し 、さらに基板温度を130℃、200Wの放電電力に� �り、水素を310sccm、ジボランガスを0.05sccmを� �料にして、プラズマCVD装置を用いて高導電� �理を20分実施した。本比較例における導電処 理を実施する事で、透明導電酸化物層のシー ト抵抗を高導電処理を行っていない試料(比� �例1)と比較すると抵抗は0.80倍に、膜の透過� �は変わりがなかった。

 (実施例3および比較例4)
 図1を参照して説明された第一の実施の形態 に対応して、実施例3としての透明導電酸化� �層が作成された。透光性基板1にはガラスを� ��い、透明導電酸化物層2としてSnO ₂ を膜厚800nm、シート抵抗10オーム/□、ヘイズ� ��15~20%の層を作成した。この上に、ボロンド� ��プのp型シリコンカーバイド(SiC)層を10nm、ノ ンドープの非晶質シリコン光電変換層を200nm� ��リンドープのn型μc-Si層を20nmの膜厚で、そ� �ぞれプラズマCVD法により製膜した。これに� �り、光電変換ユニットであるpin接合の非晶� �シリコン光電変換ユニット4を形成した。

  光電変換ユニット4を形成後、スパッタ� ��により酸化亜鉛からなる透明導電酸化物層2 を形成するためにスパッタ装置の製膜室に投 入した。スパッタターゲットとして酸化亜鉛 中に2wt%のAlを添加したものを用い、スパッタ ガスとしてArガスを導入し、基板を150℃、圧� ��を0.27Paの条件で、DCスパッタ法により酸化� �鉛を膜厚40nmで形成した。透明導電酸化物層� ��膜後に基板温度130℃、放電電力200W、メタン 30sccm、(メタン濃度100体積%)、水素310sccm、ジ� �ラン0.05sccmを原料にして、プラズマCVD装置を 用いて高導電処理を20分実施して高伝導処理� ��3を作成した。上記高導電処理層の形成を実 施しなかった例を比較例4とした。

 さらに裏面電極層5としてAg膜を300nmの膜� �でスパッタ法により形成した。以上のよう� �して得られた非晶質シリコン太陽電池から1c m角の受光面積を有する光電変換ユニットを� �離し、前方光電変換ユニットへの入射光量� �評価するために分光感度特性を測定した結� �を図8に示す。

 図中の実線が実施例3、点線が比較例4そ� �ぞれの光電変換装置の分光感度特性である� �図より、実施例3による光電変換装置の分光� ��度は 波長550nm以下の短波長領域で比較例4� �結果と比較して向上していることがわかる� �