以下、本発明について詳述する。

 本発明の透明電極は、互いに隣接する導� ��性繊維を含む導電性層(A層)と、導電性高分� ��を含む導電性層(B層)を有し、且つA層が支持 体に近い側に配置されていることを特徴とす る。この特徴は、前記構成1~3に係る発明に共 通する技術的特徴である。

 以下、本発明の透明電極の各構成要素、� ��び本発明を実施するための最良の形態等に� ��いて詳細な説明をする。

 〔導電性繊維を含む導電性層(A層)〕
 本発明で用いられる導電性繊維として、カ� ��ボンナノチューブやカーボンナノファイバ� ��、カーボンナノワイヤなどのカーボン系繊� ��状材料、金属ナノワイヤや金属ナノチュー� ��、金属ナノロッドなどの金属系繊維状材料� ��金属酸化物ナノワイヤや金属酸化物ナノワ� ��ヤ、金属酸化物ナノロッドなどの金属酸化� ��系繊維状材料、あるいは有機物繊維表面を� ��属や金属酸化物でコーティングした複合系� ��維状材料などが挙げられる。

 これらの導電性繊維の中でも、導電性の� ��点から、カーボンナノチューブや金属ナノ� ��イヤを好ましく用いることができ、更には� ��スト(原材料費、製造費)と性能(導電性、透� ��性、可撓性)の観点から、Agナノワイヤを最� ��好ましく用いることができる。カーボンナ� ��チューブは、炭素によって作られる六員環� ��ットワーク(グラフェンシート)が、単層あ� �いは多層の同軸管状に構造化した物質で、� �の構造によって電気伝導率が変化すること� �知られている。

 本発明においては、導電性に優れた単層� ��ーボンナノチューブを用いることが好まし� ��、更には金属性(いわゆるアームチェア型)� �単層カーボンナノチューブを用いることが� �ましい。

 単層カーボンナノチューブは、炭素ター� ��ットのレーザーアブレーションや炭化水素� ��分解、2つのグラファイト電極間でのアーク 放電など色々な方法で作製でき、例えば、気 体炭素原料と非担持触媒を使用する単層カー ボンナノチューブの合成法が開示されている (例えば、米国特許第6,221,330号明細書参照)。� ��た、金属性単層カーボンナノチューブの単� ��技術が報告されている。

 金属ナノワイヤとしては、バルク状態での� ��電率が1×10 ⁶ S/m以上の金属元素を用いることが好ましい。 本発明で好ましく用いることができる金属ナ ノワイヤの金属元素の具体例としては、Ag、C u、Au、Al、Rh、Ir、Co、Zn、Ni、In、Fe、Pd、Pt、S n、Ti等、及びそれらの合金を挙げることがで きる。本発明においては2種類以上の金属ナ� �ワイヤを組み合わせて用いることもできる� �、導電性の観点から、Ag、Cu、Au、Al、Coより� ��択される元素を用いることが好ましい。

 金属ナノワイヤは、液相法や気相法など� ��色々な方法で作製できる。例えば、Agナノ� �イヤの製造方法としては、Adv.Mater.2002,14,833-8 37、及びChem.Mater.2002,14,4736-4745に、Auナノワイ� ��の製造方法としては、特開2006-233252号公報� �Cuナノワイヤの製造方法としては、特開2002-2 66007号公報、Coナノワイヤの製造方法として� �、特開2004-149871号公報を参考にできる。

 特に、Adv.Mater.2002,14,833-837、及びChem.Mater.2 002,14,4736-4745に報告されたAgナノワイヤの製造 方法は、水系で簡便に、且つ大量にAgナノワ� ��ヤを製造することができ、また銀の導電率� ��金属中で最大であることから、本発明に係� ��金属ナノワイヤの製造方法として好ましく� ��用することができる。

 本発明においては、水系にて製造した金� ��ナノワイヤを、必要に応じて疎水化処理す� ��ことができる。例えば、金属ナノワイヤを� ��水化処理する方法としては、特開2007-500606� �公報などに記載の方法を参考にできる。

 本発明においては、平均直径が0.3~200nmの� ��電性繊維が好ましく使用される。特にカー� ��ンナノチューブの場合には、平均直径が0.3~ 100nm、金属ナノワイヤの場合には平均直径が3 0~200nmであるものが好ましく用いられる。平� �直径が200nmより小さい場合には、光散乱の影 響を軽減でき透明性を高められるため好まし い。一方で、導電性を高めるためには平均直 径が大きい方が好ましく、金属ナノワイヤの 場合には、使用する金属における電子の平均 自由行程以上の直径を有していることが好ま しい。

 本発明に係る導電性繊維を含む導電性層� ��、導電性繊維が互いに接触し合うことによ� ��、三次元的な導電ネットワークが形成され� ��導電性を発現する。従って、導電性繊維が� ��い方が導電ネットワーク形成に有利であり� ��ましい。一方で、導電性繊維が長くなると� ��導電性繊維が絡み合って凝集体を生じ、光� ��乱を劣化させる場合がある。導電ネットワ� ��ク形成や凝集体生成には、導電性繊維の剛� ��や直径等も影響するため、使用する導電性� ��維に応じて最適な平均アスペクト比(長さ/� �径)のものを使用することが好ましい。大凡� ��目安として、平均アスペクト比は、10~10,000� ��あるものが好ましい。

 本発明において、上記導電性繊維の平均� ��径及び平均アスペクト比は、十分な数のナ� ��ワイヤについて電子顕微鏡写真を撮影し、� ��々の導電性繊維像の計測値の算術平均から� ��めることができる。導電性繊維の長さは、� ��来は直線状に伸ばした状態で求めるべきで� ��るが、現実には屈曲している場合が多いた� ��、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用い� ��ナノワイヤの投影径及び投影面積を算出し� ��円柱体を仮定して算出する(長さ=投影面積/� ��影径)ものとする。計測対象のナノワイヤ数 は、少なくとも100個以上が好ましく、300個以 上のナノワイヤを計測するのが更に好ましい 。

 本発明に係る導電性繊維を含む導電性層� ��、導電性繊維の他に透明なバインダー材料� ��添加剤を含んでいてもよい。透明なバイン� ��ー材料としては、天然高分子樹脂または合� ��高分子樹脂から広く選択して使用すること� ��できる。例えば、透明な熱可塑性樹脂(例え ば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル-酢酸ビニ� �共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニ� �ロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素� �ポリプロピレン、弗化ビニリデン)や、熱、� ��、電子線、放射線等で硬化する透明硬化性� ��脂(例えば、メラミンアクリレート、ウレタ ンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド 樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコー ン樹脂)を使用することができる。

 導電性繊維を含む導電性層の厚さは、使� ��する導電性繊維の平均直径や含有量によっ� ��異なるが、大凡の目安として、導電性繊維� ��平均直径以上500nm以下が好ましい。本発明� �係る導電性繊維を含む導電性層の厚さは、� �くすることにより厚さ方向の導電性繊維の� �ットワーク形成を密にすることができるた� �好ましい。

 〔導電性高分子を含む導電性層(B層)〕
 本発明で用いられる導電性高分子としては� ��例えば、ポリピロール、ポリアニリン、ポ� ��チオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポ� ��アズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカ� ��バゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレ� ��、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、� ��リフェニルアセチレン、ポリジアセチレン� ��びポリナフタレンの各誘導体からなる群よ� ��選ばれる化合物を挙げられる。

 本発明に係る導電性高分子を含む導電性� ��は、1種類の導電性高分子を単独で含有して もよいし、2種類以上の導電性高分子を組み� �わせて含有してもよいが、導電性及び透明� �の観点から、下記一般式(I)または(II)で示さ� ��る繰り返し単位を有するポリアニリンまた� ��その誘導体や、下記一般式(III)で示される� �り返し単位を有するポリピロール誘導体、� �たは下記一般式(IV)で示される繰り返し単位� ��有するポリチオフェン誘導体からなる群よ� ��選ばれる少なくとも1種の化合物を含むこと がより好ましい。

 なお、上記一般式(III)及び一般式(IV)にお� ��て、Rは主として線状有機置換基であり、ア ルキル基、アルコキシ基、アリル基またはこ れらの基の組み合わせが好ましいが、更にこ れらにスルホネート基、エステル基、アミド 基などが、可溶性導電性高分子としての性質 を損なわない範囲で結合、あるいは組み合わ されてもよい。また、nは整数である。

 本発明で用いられる導電性高分子には、� ��電性をより高めるためにドーピング処理を� ��すことができる。

 導電性高分子に対するドーパントとしては� ��例えば、炭素数が6~30の炭化水素基を有する スルホン酸(以下、長鎖スルホン酸ともいう)� ��るいはその重合体(例えば、ポリスチレンス ルホン酸等)、ハロゲン、ルイス酸、プロト� �酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合� �、アルカリ金属、アルカリ土類金属、MClO ₄ (M=Li ⁺ 、Na ⁺ )、R ₄ N ⁺ (R=CH ₃ 、C ₄ H ₉ 、C ₆ H ₅ )、またはR ₄ P ⁺ (R=CH ₃ 、C ₄ H ₉ 、C ₆ H ₅ )からなる群から選ばれる少なくとも1種が挙� ��られる。中でも、上記長鎖スルホン酸が好� ��しい。

 長鎖スルホン酸としては、例えば、ジノニ� ��ナフタレンジスルホン酸、ジノニルナフタ� ��ンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン� ��等が挙げられる。ハロゲンとしては、Cl ₂ 、Br ₂ 、I ₂ 、ICl ₃ 、IBr、IF ₅ 等が挙げられる。ルイス酸としては、PF ₅ 、AsF ₅ 、SbF ₅ 、BF ₃ 、BCl ₃ 、BBr ₃ 、SO ₃ 、GaCl ₃ 等が挙げられる。プロトン酸としては、HF、H Cl、HNO ₃ 、H ₂ SO ₄ 、HBF ₄ 、HClO ₄ 、FSO ₃ H、ClSO ₃ H、CF ₃ SO ₃ H等が挙げられる。

 遷移金属ハロゲン化物としては、例えば、N bF ₅ 、TaF ₅ 、MoF ₅ 、WF ₅ 、RuF ₅ 、BiF ₅ 、TiCl ₄ 、ZrCl ₄ 、MoCl ₅ 、MoCl ₃ 、WCl ₅ 、FeCl ₃ 、TeCl ₄ 、SnCl ₄ 、SeCl ₄ 、FeBr ₃ 、SnI ₅ 等が挙げられる。遷移金属化合物としては、 AgClO ₄ 、AgBF ₄ 、La(NO ₃ ) ₃ 、Sm(NO ₃ ) ₃ 等が挙げられる。アルカリ金属としては、Li� ��Na、K、Rb、Cs等が挙げられる。アルカリ土類 金属としては、Be、Mg、Ca、Sc、Ba等が挙げら� �る。

 また、導電性高分子に対するドーパント� ��、水素化フラーレン、水酸化フラーレン、� ��ルホン酸化フラーレンなどのフラーレン類� ��導入されていてもよい。

 本発明の透明電極において、上記ドーパ� ��トは、導電性高分子100質量部に対して0.001� �量部以上含まれていることが好ましい。更� �は0.5質量部以上含まれていることがより好� �しい。

 なお、本実施形態の透明導電性組成物は、� ��鎖スルホン酸、長鎖スルホン酸の重合体(例 えば、ポリスチレンスルホン酸)、ハロゲン� �ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン� �物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アル� �リ土類金属、MClO ₄ 、R ₄ N ⁺ 、及びR ₄ P ⁺ からなる群から選ばれる少なくとも1種のド� �パントと、フラーレン類との双方を含んで� �てもよい。

 本発明に係る導電性高分子として、特表2 001-511581号、特開2004-99640号、特開2007-165199号� �各公報に開示される金属によって改質され� �導電性高分子を用いることもできる。

 本発明係る導電性高分子を含む導電性層( B層)には、水溶性有機化合物を含有してもよ� ��。水溶性有機化合物の中で、導電性高分子� ��添加することによって導電性を向上させる� ��果を有する化合物が知られており、2nd.ドー パント(あるいは増感剤)と称される場合があ� ��。本発明で用いることができる2nd.ドーパン トには特に制限はなく、公知のものの中から 適宜選択することができ、例えば、酸素含有 化合物が好適に挙げられる。

 前記酸素含有化合物としては、酸素を含� ��する限り特に制限はなく、例えば、水酸基� ��有化合物、カルボニル基含有化合物、エー� ��ル基含有化合物、スルホキシド基含有化合� ��などが挙げられる。

 前記水酸基含有化合物としては、例えば� ��エチレングリコール、ジエチレングリコー� ��、プロピレングリコール、トリメチレング� ��コール、1,4-ブタンジオール、グリセリンな どが挙げられ、これらの中でも、エチレング リコール、ジエチレングリコールが好ましい 。前記カルボニル基含有化合物としては、例 えば、イソホロン、プロピレンカーボネート 、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンなど が挙げられる。前記エーテル基含有化合物と しては、例えば、ジエチレングリコールモノ エチルエーテル、などが挙げられる。前記ス ルホキシド基含有化合物としては、例えば、 ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。こ れらは1種単独で使用してもよいし、2種以上� ��併用してもよいが、ジメチルスルホキシド� ��エチレングリコール、ジエチレングリコー� ��から選ばれる少なくとも1種を用いることが 特に好ましい。

 本発明に係る導電性高分子を含む導電性� ��(B層)において、導電性高分子100質量部に対� ��る上記2nd.ドーパントの含有量は0.001質量部� ��上が好ましく、0.01~50質量部がより好ましく 、0.01~10質量部が特に好ましい。

 本発明に係る導電性高分子を含む導電性� ��(B層)は、成膜性や膜強度を確保するために� ��電性高分子の他に透明な樹脂成分や添加剤� ��含んでいてもよい。透明な樹脂成分として� ��、導電性高分子と相溶または混合分散可能� ��あれば特に制限されず、硬化性樹脂であっ� ��もよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。

 例えば、硬化型樹脂として、熱硬化型樹� ��、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂な� ��が挙げられるが、これらの硬化型樹脂のう� ��では、樹脂硬化のための設備が簡易で作業� ��に優れることから、紫外線硬化型樹脂を用� ��ることが好ましい。紫外線硬化型樹脂とは� ��外線照射により架橋反応等を経て硬化する� ��脂で、エチレン性不飽和二重結合を有する� ��ノマーを含む成分が好ましく用いられる。� ��えば、アクリルウレタン系樹脂、ポリエス� ��ルアクリレート系樹脂、エポキシアクリレ� ��ト系樹脂、ポリオールアクリレート系樹脂� ��が挙げられる。本発明では、バインダーと� ��てアクリル系、アクリルウレタン系の紫外� ��硬化型樹脂を主成分とすることが好ましい� ��

 アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリ� ��ステルポリオールにイソシアネートモノマ� ��、またはプレポリマーを反応させて得られ� ��生成物にさらに2-ヒドロキシエチルアクリ� �ート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート(� �下、アクリレートにはメタクリレートを包� �するものとしてアクリレートのみを表示す� �)、2-ヒドロキシプロピルアクリレート等の� �酸基を有するアクリレート系のモノマーを� �応させることによって容易に得ることがで� �る。例えば、特開昭59-151110号に記載のもの� �用いることができる。例えば、ユニディッ� �17-806(大日本インキ(株)製)100部とコロネートL (日本ポリウレタン(株)製)1部との混合物等が� ��ましく用いられる。

 紫外線硬化型ポリエステルアクリレート� ��樹脂としては、一般にポリエステルポリオ� ��ルに2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒ ドロキシアクリレート系のモノマーを反応さ せると容易に形成されるものを挙げることが でき、特開昭59-151112号に記載のものを用いる ことができる。

 紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹� ��の具体例としては、エポキシアクリレート� ��オリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光� ��応開始剤を添加し、反応させて生成するも� ��を挙げることができ、特開平1-105738号に記� �のものを用いることができる。

 紫外線硬化型ポリオールアクリレート系� ��脂の具体例としては、トリメチロールプロ� ��ントリアクリレート、ジトリメチロールプ� ��パンテトラアクリレート、ペンタエリスリ� ��ールトリアクリレート、ペンタエリスリト� ��ルテトラアクリレート、ジペンタエリスリ� ��ールヘキサアクリレート、アルキル変性ジ� ��ンタエリスリトールペンタアクリレート等� ��挙げることができる。

 樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和� ��重結合が一つのモノマーとして、メチルア� ��リレート、エチルアクリレート、ブチルア� ��リレート、ベンジルアクリレート、シクロ� ��キシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレ� ��等の一般的なモノマーを挙げることができ� ��。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノ� ��ーとして、エチレングリコールジアクリレ� ��ト、プロピレングリコールジアクリレート� ��ジビニルベンゼン、1,4-シクロヘキサンジア クリレート、1,4-シクロヘキシルジメチルア� �アクリレート、前出のトリメチロールプロ� �ントリアクリレート、ペンタエリスリトー� �テトラアクリルエステル等を挙げることが� �きる。

 これらの中で、バインダーの主成分とし� ��、1,4-シクロヘキサンジアクリレート、ペン タエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート� ��ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレ� �ト、トリメチロールプロパン(メタ)アクリレ ート、トリメチロールエタン(メタ)アクリレ� ��ト、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)� �クリレート、ジペンタエリスリトールペン� �(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトー ルヘキサ(メタ)アクリレート、1,2,3-シクロヘ� ��サンテトラメタクリレート、ポリウレタン� ��リアクリレート、ポリエステルポリアクリ� ��ートから選択されるアクリル系の活性線硬� ��樹脂が好ましい。

 これら紫外線硬化型樹脂の光反応開始剤� ��しては、具体的には、ベンゾイン及びその� ��導体、アセトフェノン、ベンゾフェノン、� ��ドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケト� ��、α-アミロキシムエステル、チオキサント� ��等及びこれらの誘導体を挙げることができ� ��。光増感剤と共に使用してもよい。上記光� ��応開始剤も光増感剤として使用できる。ま� ��、エポキシアクリレート系の光反応開始剤� ��使用の際、n-ブチルアミン、トリエチルア� �ン、トリ-n-ブチルホスフィン等の増感剤を� �いることができる。紫外線硬化型樹脂組成� �に用いられる光反応開始剤また光増感剤は� �組成物100質量部に対して0.1~15質量部であり� �好ましくは1~10質量部である。

 〔透明支持体〕
 本発明で用いられる透明支持体には特に制� ��はなく、その材料、形状、構造、厚み等に� ��いては公知のものの中から適宜選択するこ� ��ができる。例えば、基材としての硬度に優� ��、またその表面への導電性層の形成のし易� ��等の点で、ガラス基板、樹脂基板、樹脂フ� ��ルムなどが好適に挙げられるが、軽量性と� ��軟性の観点から樹脂フィルムを用いること� ��好ましい。

 該樹脂には特に制限はなく、公知のもの� ��中から適宜選択することができ、例えば、� ��リエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチ� ��ンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフ� ��レート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエ� ��テルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂� ��ポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ� ��ーテルイミド樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、� ��リ塩化ビニリデン樹脂、ポリフッ化ビニリ� ��ン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ� ��ニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラー� ��樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリ� ��クリロニトリル樹脂、ポリオレフィンポリ� ��チレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリブタジ� ��ン樹脂、酢酸セルロース、硝酸セルロース� ��アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共� �合樹脂などが挙げられる。これらは1種単独� ��使用してもよいし、2種以上を組み合わせて 用いてもよい。これらの中でも、透明性及び 可撓性に優れる点でポリエチレンテレフタレ ート樹脂が好ましい。

 本発明に係る透明支持体を形成する透明� ��脂には、目的に応じて可塑剤、酸化防止剤� ��どの安定剤、界面活性剤、溶解促進剤、重� ��禁止剤、染料や顔料などの着色剤などの添� ��物を含んでいてもよい。更に係る透明樹脂� ��は、塗布性などの作業性を高める観点から� ��溶媒(例えば、水、アルコール類、グリコー ル類、セロソルブ類、ケトン類、エステル類 、エーテル類、アミド類、炭化水素類等の有 機溶媒)を含んでいてもよい。

 〔離型性支持体〕
 本発明の透明電極の製造方法で用いられる� ��型性支持体としては、樹脂基板や樹脂フィ� ��ムなどが好適に挙げられる。該樹脂には特� ��制限はなく、公知のものの中から適宜選択� ��ることができ、例えば、ポリエチレンテレ� ��タレート樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリ� ��系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミ� ��樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン� ��脂などの合成樹脂の単層あるいは複数層か� ��なる基板やフィルムが好適に用いられる。� ��にガラス基板や紙類を用いることもできる� ��

 また、離型性支持体の表面(離型面)には� �必要に応じてシリコーン樹脂やフッ素樹脂� �ワックスなどの離型剤を塗布して表面処理� �施してもよい。

 〔透明電極〕
 本発明の透明電極は、透明支持体上に互い� ��隣接する導電性繊維を含む導電性層(A層)と� ��電性高分子を含む導電性層(B層)を有し、且� ��A層が支持体に近い側に配置されており、且 つA層に接するB層の第一表面の平滑性Ra(B)が30 nm以下であることを特徴とする。更には、A層 に接するB層の第一表面の平滑性Ra(B)が10nm以� �であることが好ましく、Ra(B)が5nm以下である ことが特に好ましい。

 また、本発明の透明電極においては、支� ��体から遠い側のB層の第二表面の平滑性Ra(S)� ��、5nm以下であることが好ましく、Ra(S)が3nm� �下であることより好ましく、Ra(S)が1nm以下で あることが更に好ましい。

 ここで、平滑性Ra(B)及びRa(S)は、算術平均 粗さ(平均線からの絶対値偏差の平均値)を意� ��し、値が小さいほど平滑性に優れる。Ra(B)� �びRa(S)は、直接測定できる場合には、市販の 表面粗さ計などを用いて測定して求めること ができる。あるいは、ミクロトームで透明電 極に垂直な断面切片を作製し、10切片以上の� ��子顕微鏡写真を撮影して画像処理装置など� ��用いて、Ra(B):B層がA層に接するB層表面(第一 表面)の粗さ曲線、Ra(S):B層の支持体から遠い� ��のB層表面(第二表面)の粗さ曲線を計測し、� ��術平均粗さを計算して求めることもできる� ��

 本発明の透明電極には、必要に応じて、� ��ードコート層やノングレアコート層、バリ� ��コート層、アンカーコート層、キャリア輸� ��層、キャリア蓄積層などの各種機能性層を� ��与することもできる。

 ハードコート層やノングレアコート層を� ��与する場合には、透明支持体を挟み本発明� ��係る導電性層とは反対側に配置させること� ��好ましく、バリアコート層を付与する場合� ��は、透明支持体と本発明に係る導電性層の� ��に配置させることが好ましく、アンカーコ� ��ト層やキャリア輸送層、キャリア蓄積層を� ��与する場合には、透明支持体に対して本発� ��に係る導電性層と同じ側に配置させること� ��好ましい。

 本発明の透明電極の厚みには特に制限は� ��く、目的に応じて適宜選択することができ� ��が、一般的に10μm以下であることが好まし� �、厚みが薄くなるほど支持体との密着性や� �明性が向上するためより好ましい。

 本発明の透明電極における全光線透過率� ��60%以上であることが好ましく、70%以上であ� ��ことがより好ましく、80%以上であることが� ��に好ましい。全光透過率は、分光光度計等� ��用いた従来公知の方法に従って測定するこ� ��ができる。

 また、本発明の透明電極における電気抵抗� ��としては、表面抵抗率として10 ⁴ ω/□以下であることが好ましく、10 ³ ω/□以下であることがより好ましく、10 ² ω/□以下であることが特に好ましい。10 ⁴ ω/□を越えると、液晶ディスプレイ、透明タ ッチパネル等の透明電極や電磁波シールド材 として用いたときに、電極として十分に機能 しないこと、あるいは十分な電磁波シールド 特性が得られない場合がある。前記表面抵抗 率は、例えば、JIS K7194、ASTM D257に準拠して� ��定することができ、また市販の表面抵抗率� ��を用いて簡便に測定することができる。

 〔製造方法〕
 本発明の透明電極の製造方法において、導� ��性層の形成方法としては特に制限はないが� ��生産性と生産コスト、平滑性や均一性など� ��電極品質、環境負荷軽減の観点から、塗布� ��や印刷法などの液相成膜法を用いることが� ��ましい。

 塗布法としては、例えば、ロールコート� ��、バーコート法、ディップコーティング法� ��スピンコーティング法、キャスティング法� ��ダイコート法、ブレードコート法、バーコ� ��ト法、グラビアコート法、カーテンコート� ��、スプレーコート法、ドクターコート法な� ��を用いることができる。印刷法としては、� ��版(活版)印刷法、孔版(スクリーン)印刷法、 平版(オフセット)印刷法、凹版(グラビア)印� �法、スプレー印刷法、インクジェット印刷� �などを用いることができる。

 また、本発明の特徴を有する透明電極を� ��明支持体上にパターン形成して、透明配線� ��透明回路を形成することもできる。なお、� ��要に応じて密着性・塗工性を向上させるた� ��の予備処理として、透明支持体表面にコロ� ��放電処理、プラズマ放電処理などの物理的� ��面処理を施すこともできる。

 透明支持体上に互いに隣接する導電性繊� ��を含む導電性層(A層)と導電性高分子を含む� ��電性層(B層)を有し、且つA層が支持体に近い 側に配置された構成を有する本発明の透明電 極は、以下のような本発明の透明電極の製造 方法の一例に従って製造する。

 (1)離型性支持体の離型面上に、導電性高� ��子を含む塗工液を塗布・乾燥してB層を形成 する。次いで、B層の上に導電性繊維を揮発� �の液に均一に分散した塗工液を塗布・乾燥� �てA層を形成する。更にアンカーコート層を� ��成する。これらの積層体を透明支持体に接� ��し、離型性支持体を剥離することによって� ��層体を透明支持体に転写する。

 (2)離型性支持体の離型面上に、導電性高� ��子を含む塗工液を塗布・乾燥してB層を形成 する。次いで、B層の上に導電性繊維を揮発� �の液に均一に分散した塗工液を塗布し乾燥� �る。続いて、前記透明なバインダー材料を� �有する溶液を塗布・乾燥して、導電性繊維� �バインダー材料を含むA層を形成する。更に� ��ンカーコート層を形成する。これらの積層� ��を透明支持体に接着し、離型性支持体を剥� ��することによって積層体を透明支持体に転� ��する。

 (3)離型性支持体の離型面上に、導電性高� ��子を含む塗工液を塗布・乾燥してB層を形成 する。次いで、B層の上に前記透明なバイン� �ー材料を含有する溶液に導電性繊維を均一� �分散した塗工液を塗布・乾燥してA層を形成� ��る。更にアンカーコート層を形成する。こ� ��らの積層体を透明支持体に接着し、離型性� ��持体を剥離することによって積層体を透明� ��持体に転写する。

 (4)離型性支持体の離型面上に、導電性繊� ��を揮発性の液に均一に分散した塗工液を塗� ��・乾燥してA層を形成する。透明支持体上に 、透明なエネルギー線(紫外光や電子線)硬化� ��樹脂や熱硬化性樹脂を含有する溶液を塗布� ��乾燥し、バインダー層を形成する。離型性� ��持体状に形成したA層をバインダー層に圧着 し、エネルギー線や熱を付与してバインダー を硬化させた後、離型性支持体を剥離するこ とにより、透明支持体上のバインダー層表面 部分にA層が固定化された導電性層を形成す� �。更に、該導電性層上に導電性高分子を含� �塗工液を塗布・乾燥してB層を形成する。

 上記(1)~(2)及び(4)の方法においては、導電 性繊維を揮発性の液に均一に分散した塗工液 を塗布・乾燥した後、カレンダー処理を施し 導電性繊維間の密着性を高めることは、A層� �導電性を向上させる方法として有効である� �

 また、(1)~(3)の方法においては、A層の上� �形成した機能性層(上記製造方法例では、ア� ��カーコート層)の一部が導電性繊維を含有し てA層の一部を形成する場合がある。

 上記いずれの方法においても、B層を形成 する離型性支持体の離型面は、予めコロナ放 電(プラズマ)などにより親水化処理していて� ��よいし、B層を形成する塗工液には前記透明 な樹脂成分を含んでいてもよい。また、アン カーコート層は透明支持体側に形成されてい てもよい。また、積層体を転写する側の透明 支持体上にはバリアコート層が予め形成され ていてもよいし、積層体を転写する反対側の 透明支持体上にはハードコート層が予め形成 されていてもよい。また、B層の上にキャリ� �輸送層やキャリア蓄積層等の機能性層を形� �する場合には、透明電極製造後に形成して� �よいし、B層形成前に離型性支持体の離型面� ��に予め形成しておいてもよい。

 (4)の方法においては、A層を形成する離型 性支持体の離型面は、予めコロナ放電(プラ� �マ)などにより親水化処理していてもよいし� ��A層を形成する塗液には前記透明な樹脂成分 を含んでいてもよい。また、バインダー層を 形成する側の透明支持体上にはバリアコート 層が予め形成されていてもよいし、バインダ ー層を形成する反対側の透明支持体上にはハ ードコード層が予め形成されていてもよい。 また、B層の上にキャリア輸送層やキャリア� �積層等の機能性層を形成する場合には、透� �電極製造後に形成してもよい。

 上記のように、B層を塗布形成した後にA� �を積層する製造方法によれば、塗液のレベ� �ングによってB層の表面を容易に平滑化でき� ��ため、B層がA層に接する界面に優れた平滑� �を付与することが可能となる。また、B層を� ��成する基板の表面(上記製造方法例では離型 性支持体の離型面)を平滑に保つことによっ� �、B層の支持体から遠い側の表面の平滑性を� ��御することが可能であり、本発明において� ��、B層を形成する基板の表面の算術平均粗さ が5nm以下であることが好ましく、3nm以下であ ることがより好ましく、1nm以下であることが 更に好ましい。

 (4)の方法のように、離型性支持体上にA層 を塗布形成した後にバインダー層に転写し表 面部分に固定化する方法によれば、A層を含� �バインダー層表面を平滑化できるため、B層� ��A層に接する界面に優れた平滑性を付与する ことが可能となる。また、B層の表面は塗液� �レベリングによって平滑化できるため、B層� ��支持体から遠い側の表面の平滑性を容易に� ��御することが可能である。