本发明涉及谐振器， 具体涉及一种横磁（TM: Transver se Magnet i c ) 模介质谐振器、 横磁模介质滤波器与基站。

背景技术

随着无线通信技术的日益发展， 无线通信系统对高灵敏度发射、 高灵 敏度接收和高质量的通话的要求越来越高。 对于基站中的滤波器来说， 就 需要实现更低的插入损耗和更佳的抑制性能。 同时， 对于滤波器来说， 滤 波器小型化的需求也非常强烈。 而 TM模介质滤波器正好能满足上述需求， 能在同等体积的情况下，相较常用的金属同轴 滤波器， 能有 30%左右的品质 因素值（Q值）提升。 TM模介质滤波器可以由一定数量的 TM模介质谐振器 按照一定的方式级联组成。

其中， 典型的 TM模介质谐振器由介质谐振柱及金属谐振腔构� ��， 并且 介质谐振柱上下端面和金属谐振腔腔体上下端 面需要紧密贴好， 使电流能 够顺畅的流经介质谐振柱和金属谐振腔的接触 面， 从而形成一个良好的电 流环路。 同时， 由于 TM模谐振器的介质谐振柱与金属谐振腔上下表� ��接触 面存在较大电流， 因此这两处接触面的接触良好很必要并且很重 要。 因此 在 TM模介质谐振器设计过程中， 需要从结构上和 /或工艺上保证接触面的 良好接触， 以及结构的长期可靠性， 才能实现 TM模谐振器良好的 Q值和互 调 （PIM )值， 以及稳定的性能。

现有的介质谐振器或者不能实现接触面的良好 接触， 或者装配复杂， 或者需要釆用焊接工艺将使介质谐振柱的上下 端面与金属腔进行接触， 由 于焊接成本 4艮高， 并且焊接工艺的成熟度会严重影响产品的良品 率， 因此 需要严格控制焊接工艺， 同时由于焊接点的存在会导致介质谐振柱在振 动 时性能不稳定。 发明内容

本发明实施例提供了横磁模介质谐振器、 横磁模介质滤波器与基站， 可以实现接触面的良好接触和较方便的装配。

本发明一方面提供了一种横磁模介质谐振器， 包括具有一端开口的谐 振腔 (201), 以及位于所述谐振腔 (201)内的介质谐振柱 (202), 所述介质谐振 柱 (202)的下端面与所述谐振腔 (201)的内底面接触， 所述谐振腔 (201)的内表 面由导电材质覆盖， 所述横磁模介质谐振器还包括：

覆盖所述开口的薄盖板 (203) , 以及覆盖所述薄盖板 (203)的厚盖板 (204), 所述薄盖板 (203)和厚盖板 (204)的表面由导电材质覆盖；

所述厚盖板 (204)与所述薄盖板 (203)接触的一面设置有开槽， 所述开槽 填充有填充物 (205), 所述填充物 (205)用于所述厚盖板 (204)覆盖所述薄盖板 (203)时， 使所述薄盖板 (203)产生弹性形变。

本发明另一方面还提供了一种横磁模介质谐振 器， 包括具有一端开口 的谐振腔 (201), 以及位于所述谐振腔 (201)内的介质谐振柱 (202), 所述介质 谐振柱 (202)的下端面与所述谐振腔 (201)的内底面接触， 所述谐振腔 (201)的 内表面由导电材质覆盖， 所述介质谐振柱 (202)的高度大于所述谐振腔 (201 ) 的内底面至所述谐振腔 (201)的开口的一端的高度； 所述横磁模介质谐振器 还包括：

覆盖所述开口的薄盖板 (203) , 以及覆盖所述薄盖板 (203)的厚盖板 (204) , 所述薄盖板 (203)和厚盖板 (204)的表面由导电材质覆盖。

本发明另一方面还提供了一种横磁模介质谐振 器， 包括具有一端开口 的谐振腔 (201), 以及位于所述谐振腔 (201)内的介质谐振柱 (202), 所述介质 谐振柱 (202)的下端面与所述谐振腔 (201)的内底面接触， 所述谐振腔 (201)的 内表面由导电材质覆盖， 所述介质谐振柱 (202)的高度大于所述内底面至所 述开口的一端的高度； 所述横磁模介质谐振器还包括：

覆盖所述开口的厚盖板 (204), 所述厚盖板 (204)的下底面与所述介质谐 振柱 (202)的上端面接触， 所述厚盖板 (204)下底面和 /或上顶面上设置有开 槽， 所述厚盖板 (204)的表面由导电材质覆盖。

本发明另一方面还提供了一种横磁模介质滤波 器， 包括上述横磁模介 质谐振器。 本发明实施例还提供了一种基站， 包括本发明实施例提供的横磁模介 质滤波器。

从本发明实施例提供的以上技术方案可以看出 ， 本发明实施例提供的 横磁模介质谐振器的结构稳定性好， 而且装配方便， 可实现性强， 有利于 量产， 并且量产一致性好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中 的技术方案， 下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作 简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例 ， 对于本领域普通技术人员 来讲， 在不付出创造性劳动性的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的 附图。

图 1为本发明一个实施例中 TM模介质谐振器的结构示意图；

图 2 为本发明一个实施例中薄盖板与介质谐振柱的 接触处的纵切面示 意图；

图 3 为本发明另一个实施例中薄盖板与介质谐振柱 的接触处的纵切面 示意图；

图 4 为本发明另一个实施例中薄盖板与介质谐振柱 的接触处的纵切面 示意图；

图 5为本发明另一个实施例中 TM模介质谐振器的结构示意图； 图 6a、 6b、 6c、 6d为本发明一个实施例中磁模介质谐振器的装� ��流程 的各个阶段中磁模介质谐振器的结构示意图；

图 7为本发明另一个实施例中 TM模介质谐振器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进 行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没 有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实 施例， 都属于本发明保护的 范围。

如下介绍本发明实施例提供的横磁模介质谐振 器， 图 1描述了本发明 一个实施例提供的横磁模介质谐振器的结构， 如图 1 所示， 该横磁模介质 谐振器包括：

具有一端开口的谐振腔 201 ,以及位于谐振腔 201内的介质谐振柱 202, 介质谐振柱 202的下端面与谐振腔 201的内底面接触， 谐振腔 201的内表 面由导电材质覆盖。 其中， 介质谐振柱 202的高度可以大于谐振腔 201 的 内底面至谐振腔 201的开口的一端的高度； 介质谐振柱 202的高度也可以 低于谐振腔 201的内底面至谐振腔 201的开口的一端的高度； 介质谐振柱 202的高度也可以等于谐振腔 201的内底面至谐振腔 201的开口的一端的高 度。

需要说明的是， 在本发明实施例中， 导电材质可以是能够导电的金属， 如金、 银、 铜等。 在本发明的另一个实施例中， 导电材质也可以是能够导 电的非金属。

本发明实施例中的谐振腔 201可以为金属谐振腔。

其中， 在本发明的另一个实施例中， 介质谐振柱 202的上端面和 /或下 端面可以由导电材质覆盖， 可以通过对介质谐振柱 202的上端面和 /或下端 面进行金属化表面处理来实现该覆盖。 其中， 为了保证装配的高效和确保 装配后横磁模介质谐振器的稳定， 在本发明的一个实施例中， 谐振腔 201 的内底面与介质谐振柱 202 的下端面接触时， 可以通过设置在谐振腔 201 内底面的限位柱 206限定与介质谐振柱 202的下端面接触的位置。 在介质 谐振柱 202位于谐振腔 201 内时， 限位柱 206可以位于介质谐振柱 202的 中空部位， 限位柱 206的水平横截面可以为圓形， 限位柱 206的直径小于 或等于介质谐振柱 202 的中空部位的直径。 在本发明的另一个实施例中， 谐振腔 201的内底面与介质谐振柱 202的下端面接触时， 可以通过设置在 谐振腔 201 内底面的限位槽限定与介质谐振柱 202的下端面接触的位置。 在介质谐振柱 202位于谐振腔 201 内时， 介质谐振柱 202直接位于该限位 槽内， 该限位槽的直径大于或等于所述介质谐振柱 202 的直径。 限位槽的 水平横截面可以为圓形， 也可以为同心圓环形。

覆盖谐振腔 201 的开口的薄盖板 203 , 以及覆盖薄盖板 203的厚盖板 204, 薄盖板 203和厚盖板 204的表面由导电材质覆盖。 在本发明的一个实 施例中， 厚盖板可以为金属厚盖板， 薄盖板可以为金属薄盖板。 其中， 厚 盖板 204与薄盖板 203接触的一面有开槽， 该开槽填充有填充物 205 , 填充 物 205用于厚盖板 204覆盖薄盖板 203时， 使薄盖板 203产生弹性形变， 使得薄盖板 203与介质谐振柱 202的上端面紧密接触，从而使得薄盖板 203 与介质谐振柱 202的接触部位导电性能良好；并且也可以使介 质谐振柱 202 的下端面与谐振腔 201 的内底面紧密接触， 从而使得谐振腔 201 的内底面 与介质谐振柱 202的接触部位导电性能良好。

其中， 填充物 205的厚度可以根据介质谐振柱 202的上端面与谐振腔 201的高低关系， 以及厚盖板 204上开槽的高度确定； 例如， 在厚盖板 204 上开槽的高度一定时， 如果介质谐振柱 202的上端面高出谐振腔 201 , 则填 充物 205的厚度可以低于、 或等于、 或大于厚盖板 204上开槽的高度； 如 果介质谐振柱 202的上端面低于谐振腔 201 ,则填充物 205的厚度必须比厚 盖板 204上开槽的高度高； 如果介质谐振柱 202的上端面与谐振腔 201上 顶面平齐， 则填充物 205的厚度可以大于厚盖板 204上开槽的高度。 本发 明实施例中填充物可以是任何可被压缩、 可以填充厚盖板 204上开槽的物 体， 其材质可以是塑料、 金属弹片等， 也可以是空气或真空， 比如充气的 填充物。

其中， 薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面可以为方形、 或圓弧形、 或倒梯形等， 当然， 本发明实施例也不排除薄盖板 203 与介质 谐振柱 202的接触处的纵切面为非规则图形的可能性。 图 2为本发明一个 实施例中薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面示意图， 如图 2 所示， 薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面为方形。 图 3为本 发明另一个实施例中薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面示意 图， 如图 3所示， 薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面为圓弧 形。 图 4为本发明另一个实施例中薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处 的纵切面示意图， 如图 4所示， 薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的 纵切面为倒梯形。

在本发明的一个实施例中， 薄盖板 203 可以通过螺钉固定覆盖在谐振 腔 201的开口； 厚盖板 204也可以通过螺钉固定覆盖在薄盖板 203上。 当 然， 本发明实施例并不排除釆用其他方式将薄盖板 203 固定覆盖在谐振腔 201的开口， 或者釆用其他方式将厚盖板 204固定覆盖在薄盖板 203上， 比 如通过螺钉将厚盖板、 薄盖板和谐振腔三者固定在一起。

从上可知， 本实施例可以使用薄盖板覆盖谐振腔， 再使用厚盖板覆盖 薄盖板， 并且在厚盖板与薄盖板接触的一面有开槽， 在该开槽填充填充物， 因此在使用厚盖板覆盖薄盖板时， 填充物可以使得薄盖板产生弹性形变， 从而使得薄盖板与介质谐振柱的上端面紧密接 触， 也使得介质谐振柱的下 端面与谐振腔的内底面紧密接触， 使横磁模介质谐振器在使用时可以获得 很好的 Q值和 PIM值。 同时， 本实施例中横磁模介质谐振器中各个部件之 间的连接可以均不釆用焊接的方式， 因此不仅横磁模介质谐振器的结构稳 定性好， 而且装配方便， 可实现性强， 有利于量产， 并且量产一致性好。

图 5描述了本发明一个实施例提供的横磁模介质� �振器的结构，如图 5 所示， 该横磁模介质谐振器包括：

具有一端开口的谐振腔 201 ,以及位于谐振腔 201内的介质谐振柱 202, 介质谐振柱 202的下端面与谐振腔 201的内底面接触， 谐振腔 201的内表 面由导电材质覆盖。 介质谐振柱 202的高度大于谐振腔 201的内底面至谐 振腔 201开口的一端的高度。

其中， 在本发明的另一个实施例中， 介质谐振柱 202的上端面和 /或下 端面由导电材质覆盖。 其中， 为了保证装配的高效和确保装配后横磁模介 质谐振器的稳定， 在本发明的一个实施例中， 谐振腔 201 的内底面与介质 谐振柱 202的下端面接触时， 可以通过设置在谐振腔 201 内底面的限位柱 206限定与介质谐振柱 202的下端面接触的位置。在介质谐振柱 202位于谐 振腔 201 内时， 限位柱可以位于介质谐振柱 202的中空部位， 限位柱的水 平横截面可以为圓形， 限位柱的直径小于或等于介质谐振柱 202 的中空部 位的直径。 在本发明的另一个实施例中， 谐振腔 201 的内底面与介质谐振 柱 202的下端面接触时， 可以通过设置在谐振腔 201 内底面的限位槽限定 与介质谐振柱 202的下端面接触的位置。在介质谐振柱 202位于谐振腔 201 内时， 介质谐振柱 202位于该限位槽内， 该限位槽的直径大于或等于所述 介质谐振柱 202 的直径。 限位槽的水平横截面可以为圓形， 也可以为同心 圓环形。

覆盖谐振腔 201 的开口的薄盖板 203 , 以及覆盖薄盖板 203的厚盖板 204 , 薄盖板 203和厚盖板 204的表面由导电材质覆盖。 由于介质谐振柱 202的高度大于谐振腔 201的内底面至开口的一端的高度，因此使得介 质谐 振柱 202的上端面高出谐振腔 201 , 当使用厚盖板 204覆盖薄盖板 203时， 可以使得薄盖板 203与介质谐振柱 202的上端面紧密接触，使得薄盖板 203 与介质谐振柱 202的接触部位导电性能良好，并且也可以使介 质谐振柱 202 的下端面与谐振腔 201 的内底面紧密接触， 从而使得介质谐振柱 202的下 端面与谐振腔 201的内底面的接触部位导电性能良好。

其中， 薄盖板 203与介质谐振柱 202的接触处的纵切面可以为方形、 或圓弧形、 或倒梯形等。

在本发明的一个实施例中， 薄盖板 203 可以通过螺钉固定覆盖在谐振 腔 201的开口； 厚盖板 204也可以通过螺钉固定覆盖在薄盖板 203上。 当 然， 本发明实施例并不排除釆用其他方式将薄盖板 203 固定覆盖在谐振腔 201的开口， 或者釆用其他方式将厚盖板 204固定覆盖在薄盖板 203上， 比 如通过螺钉将厚盖板、 薄盖板和谐振腔三者固定在一起。

从上可知， 本实施例可以使用薄盖板覆盖谐振腔， 再使用厚盖板覆盖 薄盖板， 其中， 介质谐振柱的高度大于谐振腔的内底面至开口 的一端的高 度， 因此使得介质谐振柱的上端面高出谐振腔， 当使用厚盖板覆盖薄盖板 时， 可以使得薄盖板与介质谐振柱的上端面紧密接 触， 也使得介质谐振柱 的下端面与谐振腔的内底面紧密接触， 使横磁模介质谐振器在使用时可以 获得很好的 Q值和 PIM值。 同时， 本实施例中横磁模介质谐振器中各个部 件之间的连接可以均不釆用焊接的方式， 因此不仅横磁模介质谐振器的结 构稳定性好， 而且装配方便， 可实现性强， 有利于量产， 并且量产一致性 好。

由于本发明实施例提供的磁模介质谐振器， 不需要经过焊接， 在装配 时也非常简单， 图 6描述了本发明一个实施例提供的磁模介质谐� �器的装 配流程中各个阶段中磁模介质谐振器的结构。

如图 6a所示， 介质谐振柱 202位于谐振腔 202内， 介质谐振柱 202的 下端面与谐振腔的内底面接触， 并且介质谐振柱 202 的下端面与谐振腔的 内底面的接触部位由限位柱限定。

如图 6b所示， 介质谐振柱 202位于谐振腔 202内， 介质谐振柱 202的 下端面与谐振腔的内底面接触， 薄盖板 203覆盖谐振腔 201的开口， 具体 地， 可以通过螺钉将薄盖板 203 固定覆盖在谐振腔 201 的开口， 本图示出 的是介质谐振柱 202的上端面高出谐振腔 201的情况。

如图 6c所示， 介质谐振柱 202位于谐振腔 202内， 介质谐振柱 202的 下端面与谐振腔的内底面接触， 薄盖板 203覆盖谐振腔 201的开口， 厚盖 板 204覆盖薄盖板 203 ,厚盖板 204与薄盖板 203接触一面的开槽填充有填 充物 205 , 具体地， 可以通过螺钉将厚盖板 204固定覆盖于薄盖板 203。

图 6d描述的是组装好的磁模介质谐振器的结构。

从图 6 的描述过程可知， 本发明实施例提供的横磁模介质谐振器在装 配时不需要经过复杂的工序 （如焊接等）， 装配简单。

图 7描述了本发明一个实施例提供的横磁模介质� �振器的结构，如图 7 所示， 该横磁模介质谐振器包括：

具有一端开口的谐振腔 201 ,以及位于谐振腔 201内的介质谐振柱 202, 介质谐振柱 202的下端面与谐振腔 201的内底面接触。 介质谐振柱 202的 高度大于谐振腔 201的内底面至开口的一端的高度。

其中， 在本发明的另一个实施例中， 介质谐振柱 202的上端面和 /或下 端面由导电材质覆盖。 其中， 为了保证装配的高效和确保装配后横磁模介 质谐振器的稳定， 在本发明的一个实施例中， 谐振腔 201 的内底面与介质 谐振柱 202的下端面接触时， 可以通过设置在谐振腔 201 内底面的限位柱 限定与介质谐振柱 202的下端面接触的位置。 在介质谐振柱 202位于谐振 腔 201 内时， 限位柱可以位于介质谐振柱 202的中空部位， 限位柱的水平 横截面可以为圓形， 限位柱的直径小于或等于介质谐振柱 202 的中空部位 的直径。 在本发明的另一个实施例中， 谐振腔 201 的内底面与介质谐振柱 202的下端面接触时，可以通过设置在谐振腔 201内底面的限位槽限定与介 质谐振柱 202的下端面接触的位置。 在介质谐振柱 202位于谐振腔 201 内 时， 介质谐振柱 202位于该限位槽内， 该限位槽的直径大于或等于所述介 质谐振柱 202 的直径。 限位槽的水平横截面可以为圓形， 也可以为同心圓 环形。

覆盖谐振腔 201的开口的厚盖板 204,厚盖板 204的表面由导电材质覆 盖。 厚盖板 204的下底面与介质谐振柱 202的上端面接触， 厚盖板 204下 底面和 /或上顶面上设置有开槽 207, 图 7示出的是厚盖板 204的下底面设 置有开槽的情况。 开槽 207 的水平横截面可以为圓环形。 其中， 开槽可以 使厚盖板 204在开槽部位的厚度小于与介质谐振柱 202接触部位的厚度， 从而使厚盖板 204 的开槽部位可以产生翘曲变形， 以产生足够的弹力使厚 盖板 204的下底面与介质谐振柱 202的上端面良好接触， 从而使得厚盖板 204与介质谐振柱 202 的接触部位导电性能良好； 并且也使得介质谐振柱 202的下端面与谐振腔 201的内底面良好接触，从而使得介质谐振柱 202的 下端面与谐振腔 201的内底面的接触部位导电性能良好。

其中， 在厚盖板 204 的下底面和上顶面上都设置有开槽时， 可以使开 槽部位的翘曲变形更明显， 产生的弹力更大， 进一步确保厚盖板 204 的下 底面与介质谐振柱 202 的上端面良好接触。 在本发明的一个实施例中， 上 底面设置的开槽可以与下底面上开槽对称分布 。

从上可知， 本实施例中由覆盖谐振腔的开口的厚盖板直接 与介质谐振 柱的上端面接触， 并且介质谐振柱的高度大于谐振腔的内底面至 开口的一 端的高度， 因此可以确保厚盖板的下底面与介质谐振柱的 上端面接触紧密 贴合， 同时， 在厚盖板下底面上设置有开槽， 从而使厚盖板在开槽部位的 厚度小于与介质谐振柱接触部位的厚度， 使厚盖板的开槽部位可以产生翘 曲变形， 以产生足够的弹力使厚盖板的下底面与介质谐 振柱的上端面良好 接触。 在本发明的另一个实施例中， 厚盖板上底面也设置有开槽， 从而使 开槽部位的翘曲变形更明显， 产生的弹力更大， 进一步确保厚盖板的下底 面与介质谐振柱的上端面良好接触， 同时也可以使横磁模介质谐振器的结 构稳定。 同时， 本实施例中横磁模介质谐振器中各个部件之间 的连接均不 釆用焊接的方式， 因此不仅横磁模介质谐振器的结构稳定性好， 而且装配 方便， 可实现性强， 有利于量产， 并且量产一致性好。

本发明一个实施例还提供了横磁模介质滤波器 ， 该横磁模介质滤波器 包括本发明实施例提供的横磁模介质谐振器。 根据所需要的横磁模介质滤 波器的性能不同， 可以选择不同数量的横磁模介质谐振器釆用不 同的方式 级联获得所需性能的横磁模介质滤波器 , 具体的获得方式可以参考现有技 术中的已有方式， 在本发明中可以不予限定。

本发明一个实施例还提供了基站， 该基站包括本发明实施例提供的横 磁模介质滤波器， 该横磁模介质滤波器具体可以位于基站的天馈 系统部分。 实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法 及其思想； 同时， 对于本领 域的一般技术人员， 依据本发明的思想， 在具体实施方式及应用范围上均 会有改变之处， 综上所述， 本说明书内容不应理解为对本发明的限制。