Die Erfindung betrifft neue Polymere mit Einheiten aus Estern von α, -ungesättigten Carbonsäuren sowie ein strahlungsempfindliches Gemisch, das diese Polymere als Bindemittel enthält und in Wasser und in wäßrig-alkali¬ schen Lösungen unlöslich oder zumindest schwer löslich ist. Das Gemisch enthält weiterhin eine photoaktive Ver- bindung, die bei Bestrahlung eine starke Säure freisetzt, die ihrerseits in dem Bindemittel vorhandene Schutzgrup¬ pen abspaltet und dadurch bewirkt, da3 die Löslichkeit des Bindemittels und somit auch des Gemisches in wäßrig¬ alkalischer Lösung stark ansteigt. Das Gemisch ist beson- ders sensitiv gegenüber UV(220-400 nm)-, Elektronen- und Röntgenstrahlen und eignet sich besonders als Resist- material, doch auch zur Herstellung von Druckplatten. Die Erfindung betrifft daneben neue Ester von α, -un- gesättigten Carbonsäuren, mit denen die Polymere auf- gebaut sind.

Strahlungsempfindliche Gemische sind an sich bekannt. Kommerziell werden besonders positiv arbeitende Gemische als Resistmaterial verwendet, die neben o-Chinondiazid ein in wäßrig-alkalischer Lösung lösliches Bindemittel, wie Poly(4-hydroxy-styrol) oder ein Novolak, enthalten. Die Empfindlichkeit dieser Systeme gegenüber Strahlung, besonders kurzwelliger Strahlung, ist jedoch teilweise unbefriedigend. Durch die hohe intrinsische Absorption im UV-2-Bereich (220-300 nm) sind Novolake als Bindemittel in einem Einlagen-Resistmaterial für die Deep-UV-Litho- graphie (220-330 nm) ungeeignet. Poly(hydroxystyrol) weist demgegenüber günstigere Absorptionseigenschaften im UV-Bereich auf und zeichnet sich auch durch einen höheren Wärmestand aus. Jedoch ist dieses Polymer nur durch auf¬ wendige mehrstufige Synthesen zugänglich, und seine

lithographischen Eigenschaften sind wegen seiner unausge¬ wogenen Hydrophilie/Hydrophobie-Bilanz sowohl in 3- Komponenten- als auch in 2-Komponenten-Systemen nicht unproblematisch. Daher besteht ein Bedarf an Bindemitteln für hochauflösende, hochempfindliche Resistmaterialien mit guter Ätzresistenz, guter Transparenz und hohem Wär¬ mestand für die UV-2-Lithographie, die wäßrig-alkalisch entwickelbar sind.

Bekannt ist es auch, die Strahlungsempfindlichkeit von strahlungsempfindlichen Gemischen durch den. Zusatz einer Verbindung zu erhöhen, die unter Einwirkung von Strahlung eine Säure freisetzt, die dann Sekundärreaktionen kataly¬ siert. Solche unter Einwirkung von Strahlung eine starke Säure bildende Verbindungen sind z. B. Diazonium-, Phosphonium-, Sulfonium- und Iodoniumsalze, Nitroben- zylester, phenolische Methansulfonate, Diazo- und Halo¬ genverbindungen. Die Verwendung der Oniumsalze als photo¬ chemische Säurebildner in Resistmaterialien ist z.B. aus der US-A 4 491 628 bekannt. Einen Überblick über die Anwendungen von Oniumsalzen in Resistmaterialien gibt Crivello in Org. Coatings and Appl.Polym.Sci. , 48, p. 65- 69 (1985) .

Strahlungsempfindliche Gemische von Polymeren mit säure¬ labilen Seitengruppen und photochemischen Säurebildnern sind aus den US-A 4 491 628, 4 689 288 und 4 770 977 be¬ kannt. Konkret offenbart sind in den genannten Schriften allein Polymere aus para-substituiertem Styrol oder α- Alkyl-styrol. Als säurelabile para-Substituenten sind u.a. tert.-Butoxycarbonyloxy- und Trialkylsilanyloxy- Gruppen aufgeführt. Diese polymeren Bindemittel sind hydrophob und werden erst nach der Belichtung alkalilös- lich.

Copoly ere mit säurelabilen Gruppen, die über ein pheno¬ lisches Sauerstoffatom gebunden sind, beispielsweise Co¬ polymere aus p-Hydroxystyrol und tert.-butoxycarbo- nyloxystyrol , sind aus J.Poly. Sei., Part A, Polym. Che . Ed., Vol. 24, 2971-2980 (1986) bekannt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues, im kurzwelligen UV-Bereich hoch strahlungse pfindliches Ge¬ misch für die Herstellung von ReliefStrukturen bereit- zustellen, das sich mit wäßrig-alkalischen Lösungen ent¬ wickeln läßt.

Gelöst wird die Aufgabe durch ein strahlungsempfindliches Gemisch, das ein polymeres Bindemittel mit säurespaltba- ren Seitengruppen und eine bei Bestrahlung eine starke Säure bildende Verbindung enthält. Das strah¬ lungsempfindliche Gemisch ist gekennzeichnet durch einen Gehalt an

neuen Polymeren mit Einheiten der allgemeinen Formel (I)

worin

R ¹ eine durch Säure abspaltbare Gruppe, R ² (C ₁ -C ₄ )Alkyl, Halogen(^-^)alkyl oder

Wasserstoff bedeutet, und

_R ³ , ⁴ , ⁵ , ⁶ voneinander unabhängig einen gegebenen¬ falls halogen-substituierten alipha- tischen, araliphatischen oder aromatischen

Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, ein Halogenatom oder Wasserstoff darstellen.

Es enthält daneben eine bei Bestrahlung eine starke Säure bildende Verbindung.

Das erfindungsgemäße Gemisch zeigt im Vergleich zu den bekannten Gemischen mit Poly-(Vinyl-Phenol) oder Novola- ken als Bindemittel folgende Vorteile:

a) gute UV-2-Transparenz, b) leichte Zugänglichkeit der ungeschützten Monomere, c) leichte Zugänglichkeit der geschützten Monomere, d) • Stabilität der ungeschützten Monomere, e) Homo- und Copolymerisierbarkeit zu hohen Moleku¬ largewichten der geschützten sowie der ungeschützten Monomere, f) hoher Wärmestand, g) ^* gute Ätzresistenz, h) ausgewogene Hydrophilie/Hydrophobie-Bilanz und i) gute Haftungseigenschaften.

Polymere mit Einheiten der allgemeinen Formel I sind prinzipiell herstellbar auf zwei verschiedenen Wegen. Zum einen können sogenannte "geschützte" Monomere der allge¬ meinen Formel II

worin R ¹ bis R die oben angegebene Bedeutung haben,

allein oder mit anderen Monomeren polymerisiert werden. Solche Monomere sind neu und Teil der vorliegenden Erfin¬ dung. Beispiele für Monomere der allgemeinen Formel II sind mit säurelabilen Gruppen R ¹ gebildete Derivate des Brenzkatechin-mono(meth)acrylats, Resorcin-mono(meth)- acrylats und Hydrochinon-mono(meth)acrylats. Als säure¬ spaltbare Gruppe R ist besonders Benzyl, Trialkylsilyl, tert.-Butoxycarbonyl, Isopropoxycarbonyl, Benzyloxycar- bonyl, Pentyloxycarbonyl, Tetrahydropyranyl oder Tetra- hydrofuranyl geeignet. Besonders bevorzugt sind Monomere mit R ² = H oder Methyl und R ³ = R ⁴ = R ⁵ = .R ⁶ = H. Bei¬ spiele besonders bevorzugter Monomeren sind (Meth)acryl- säure-(4-tert.-butoxycarbonyloxy-phenyl)-ester und (Meth)acrylsäure-(2-tert.-butoxycarbonyloxy-phenyl) - ester. Die Monomethacrylate von Dihydroxybenzolen sind auch in monomerer Form stabil und können zu Polymeren mit hohen Molekulargewichten polymerisiert werden. Diese Polymere können dann in einem Folgeschritt derivatisiert werden, um die Gruppen R ¹ einzuführen. Diese Verfah- rensweise ist jedoch nicht bevorzugt, da sich die pheno¬ lischen Hydroxygruppen in den Polymeren nicht immer in reproduzierbarer Weise derivatisieren lassen. Zugleich ist es bei dem zweistufigen Verfahren unvermeidlich, daß Reste der bei der Derivatisierungsreaktion verwendeten Base im Produkt verbleiben.

4-Hydroxystyrol ist dagegen in freier Form nicht be¬ ständig. Es läßt sich zudem nur in einer 4-Stufen-Syn¬ these mit schlechten Ausbeuten herstellen. Deshalb kann als Ausgangsmaterial für die Polymerisation nur ein ge¬ schütztes 4-Hydroxystyrol, wie 4-(tert.-Butoxy-carbonyl- oxy)-styrol, verwendet werden. Letzteres wird über eine Wittig-Reaktion aus 4-Hydroxy-benzald ^' ehyd hergestellt (US-A 4,491,628). Alternativ dazu ist Poly(4-hydroxy-sty- rol) mit geeigneten Schutzgruppen umgesetzt worden. Die¬ ses Herstellungsverfahren hat jedoch den gravierenden

Nachteil, daß dadurch das Bindemittel mit Metallionen und mit Base kontaminiert wird. Das Vorhandensein von Basen ist für photochemisch verstärkt arbeitende Systeme nach¬ teilig. Eine hohe Metallionenkontamination ist für die Herstellung von Halbleitern sogar inakzeptabel. Nach die¬ sem Verfahren hergestellte Bindemittel zeigen häufig nicht reproduzierbare lithographische Eigenschaften.

Diese Nachteile sind mit den erfindungsgemäßen Polymeren und dem damit hergestellten erfindungsgemäßen strahlungs¬ empfindlichen Gemisch nicht mehr verbunden. •

Die erfindungsgemäßen polymeren Bindemittel können sowohl Homopolymere, die ausschließlich Einheiten der allgemei- nen Formel I enthalten, als auch Co- und Terpolymere sein. In den Co- und Terpolymeren sind neben den Einhei¬ ten der allgemeinen Formel I bevorzugt Einheiten, abge¬ leitet von "ungeschützten" und/oder säurestabil geschütz¬ ten ^* Monomeren, der allgemeinen Formel II vorhanden (R ¹ ist in diesen Monomeren Wasserstoff bzw. ein durch Säure nicht abspaltbarer Rest) . In den Co- und Terpolymeren können jedoch auch Einheiten vorkommen, die von anderen üblichen Vinyl onomeren abgeleitet sind. Als solche wei¬ teren Monomere können besonders Ester oder Amide der (Meth)acrylsäure, wie Hydroxyethylmethacrylat (HEMA) , aber auch Methacrylsäure selber, Hydroxypropyl- methacrylat, Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Meth- acrylamid und Hydroxyethylmethacrylamid, fungieren. Die Haftungseigenschaften des Bindemittels lassen sich da- durch modifizieren.

Gemische mit erhöhter Plasmabeständigkeit werden dann er¬ halten, wenn zur Herstellung von Co- oder Terpolymeren Silicium enthaltende Monomere verwendet werden.

Schließlich sind darüber hinaus auch Copoly ere mit Maleinimid verwendbar, die in wäßrig alkalischen Lösungen eine erhöhte Löslichkeit zeigen und eine höhere Transpa¬ renz im deep UV-Bereich aufweisen. Den gleichen Effekt zeigen auch Copolymere mit Styrol, substituiertem Styrol, mit Vinylethern, Vinylestern, Vinylsilanverbindungen oder (Meth)arcylsäureestern. Die erfindungsgemäßen Polymeren enthalten mindestens 10 mol-% an Einheiten der allgemei¬ nen Formel I. Ihr mittleres Molekulargewicht M _n liegt zwischen 2.000 und 100.000, vorzugsweise zwischen 5.000 und 40.000 g/mol.

Das Bindemittel mit säurespaltbaren Gruppen ist im erfin¬ dungsgemäßen Gemisch im allgemeinen in Mengen von 45 bis 98, vorzugsweise 90 bis 98 Gew%, bezogen auf das Gesamt¬ gewicht der Feststoffe im strahlungsempfindlichen Gemisch enthalten.

Als 'Säurebildner kommen im Prinzip alle Verbindungen in Frage, die bei Bestrahlung eine starke Säure bilden. Bei¬ spiele besonders geeigneter Säurebildner sind Sulfoniu - salze der allgemeinen Formel [ (C _g H ₅ ) ₃ S] ⁺ X ^~ , wobei X be¬ sonders für Chlorid, Bromid, Perchlorat, Hexafluorphos- phat, Hexafluorarsenat, Hexafluorantimonat, Tetrafluor- borat oder ein Sulfonat, wie Methansulfonat, Trifluormethansulfonat, Tosylat, Hexafluorpropansulfonat, steht. Geeignet sind auch Nitrobenzylester, Bissulfonyl- diazomethane, Pyrogallol-sulfonsäureester und Halogenver¬ bindungen. Für die Bestrahlung mit kurzwelligen UV-Strah- len sind jedoch Jodonium- und besonders Sulfoniumsalze bevorzugt. Der Säurebildner ist in dem Gemisch in einer Menge von 1 bis 40 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis 10 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe in dem strahlungsempfindlichen Gemisch, vorhanden.

Das erfindungsgemaße strahlungsempfindliche Gemisch kann zusätzlich noch weitere übliche Hilfs- und Zusatzstoffe enthalten.

Um das erfindungsgemäße Gemisch auf ein Trägermaterial auftragen zu können, wird es bevorzugt in einem organi¬ schen Lösemittel gelöst, wobei der Feststoffgehalt im allgemeinen im Bereich zwischen 5 und 40 Gew.-% liegt. Als Lösemittel kommen bevorzugt aliphatische Ketone, Ether und Ester sowie beliebige Mischungen davon in Frage. Besonders bevorzugt sind Alkylenglykol-mono- alkylether, wie beispielsweise Ethylcellosolve, Ethylen- glykol-mono-butylether, Methylcellosolve und l-Methoxy-2- propanol, Alkylenglykolalkylether-ester, wie z. B. Methylcellosolve-acetat, Ethylcellosolve-acetat, Propy- lenglykol-methylether-acetat und Propylenglykol- ethylether-acetat, Ketone, wie beispielsweise Cyclohexa- non, Cyclopentanon und Butanon, sowie Acetate, wie Bu- tylacetat, und Aromaten, wie Toluol und Xylol. Die Aus- w hl der entsprechenden Lösemittel bzw. deren Mischungen richtet sich nach der Wahl des jeweiligen phenolischen Polymers und der photoempfindlichen Komponente.

Weiterhin können andere Zusätze wie Haftvermittler, Netz- mittel, Farbstoffe und Weichmacher zugesetzt werden.

Gegebenenfalls können auch Sensibilisatoren in geringen Mengen zugesetzt werden, um den Säurebildner für Strah¬ lung im längerwelligen UV- bis hin zum sichtbaren Bereich zu sensibilisieren. Polycyclische Aromaten wie Pyren und Perylen sind hierfür bevorzugt, jedoch können auch Farb¬ stoffe, die als Sensibilisatoren wirken, verwendet wer¬ den.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern wird eine strahlungsempfindliche Auf-

Zeichnungsschicht, die im wesentlichen aus dem er¬ findungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemisch besteht, bildmäßig in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der belichteten Bereiche in wäßrig-alkalischen Lösemit- teln zunimmt und diese bestrahlten Bereiche dann selektiv mit dem alkalischen Entwickler entfernt werden können. Man enthält auf diese Weise ein positives Bild.

Ebenso ist auch eine Entwicklung mit organischen Lösemit- teln wie Toluol oder Anisol möglich. Die unbelichteten Bereiche zeigen eine größere Lipophilie und werden daher abgetragen. Man erhält ein negatives Bild.

•Das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Gemisch ar- beitet je nach Wahl der Entwicklungsverfahren positiv oder negativ. Es eignet sich besonders als Photoresist zur Herstellung von ReliefStrukturen für Halbleiterbau- elemente.

Die das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Gemisch enthaltenden Photoresistlösungen werden im allgemeinen in Schichten von 0,1 bis 5 μm, vorzugsweise 0,5 bis 1,5 μm auf geeignete Substrate, beispielsweise oberflächlich oxidierte Silizium-Wafer durch Aufschleudern (spin coating) aufgetragen, getrocknet (z. B. bei Temperaturen zwischen 70 und 130 °C) und mit einer geeigneten Licht¬ quelle durch eine Photomaske bildmäßig belichtet. Als Lichtquellen eignen sich insbesondere kurzwellige UV- Strahlen (deep UV) mit Wellenlängen zwischen 200 und 300 nm. Besonders geeignete Lichtquellen sind Excimer- Laser von KrF (248 nm) . Nach dem bildmäßigen Belichten wird- gegebenenfalls nach kurzem Ausheizen (post-bake) bei Temperaturen bis zu 150 °C - mit üblichen wäßrig¬ alkalischen Entwicklerlösungen - im allgemeinen bei pH- Werten zwischen 12 und 14 - entwickelt, wobei die belichteten Stellen ausgewaschen werden. Die Auflösung

liegt im Subhalbmikron-Bereich. Die für das erfindungsge¬ mäße strahlungsempfindliche Gemisch benötigte Belich¬ tungsenergie liegt im allgemeinen zwischen 5 und 200 mJ/cm ² bei Schichtdicken von 1 μm.

Die entwickelten Resiststrukturen werden gegebenenfalls nachgehärtet. Dies geschieht im allgemeinen dadurch, daß man die Resiststruktur auf einer hot-plate bis zu einer Temperatur unter der Fließtemperatur erhitzt und an- schließend mit UV-Licht einer Xenon-Quecksilberdampflampe (Bereich 200 bis 250 nm) ganzflächig belichtet. Durch diese Nachhärtung werden die Resiststrukturen vernetzt, so daß die Strukturen eine Fließbeständigkeit im allge¬ meinen bis zu Temperaturen von über 200 °C aufweisen. Die Nachhärtung kann auch ohne Temperaturerhöhung unter Ein¬ strahlung von UV-Licht erfolgen. Dies gilt insbesondere dann, wenn energiereiche Strahlungverwendet wird.

Bevorzugte Anwendung findet das erfindungsgemäße strah- lungsempfindliche Gemisch in lithographischen Prozessen zur Herstellung integrierter Schaltungen oder von diskre¬ ten elektrischen Bausteinen. Das aus dem Gemisch herge¬ stellte Aufzeichnunsmaterial dient dabei als Maske für die folgenden Prozeßschritte. Hierunter zählen z.B. das Ätzen des Schichtträgers, die Implantation von Ionen in den Schichtträgern oder die Abscheidung von Metallen oder anderen Materialien auf den Schichtträger. Daneben ist das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Gemisch auch für die Herstellung von Druckplatten geeignet.

Die folgenden Beispiele erläutern die Herstellung der Monomeren, Homo- und Copolymeren, sowie deren physika¬ lische und lithographische Charakterisierung:

Die in den Beispielen angegebenen Teile und Prozente sind, soweit nicht anders angegeben, Gewichtsteile (Gt) bzw. Gewichtsprozente (Gew.-%).

Beispiel 1:

Synthese von Methacrylsäure-(2-tert.-butoxycarbonyloxy- phenyl)ester

Zu einer Lösung aus 53,4 g (0,30 mol) Brenzkatechin- monomethacrylat (BMM) in Tetrahydrofuran (THF) werden 60 g K ₂ C0 ₃ gegeben. Unter Rühren wird dann bei Raum¬ temperatur eine Lösung von 72 g (0,33 mol) Pyrokohlen- säure-di-tert.-butylester in THF zugetropft. Nach einigen Stunden ist die Umsetzung vollständig. Man gießt das Reaktionsgemisch auf Eis, extrahiert mit Essigester, trocknet die organische Phase und zieht das Lösemittel ab. Das erhaltene Öl ist genügend rein [95%, gaschromatographisch bestimmt (GC) ] für weitere Umsetzungen. Es kann jedoch destilliert werden, wenn zur Vermeidung säurekatalysierter Decarboxylierung eine ge¬ ringe Menge Soda in den Destillationssumpf gegeben wird.

Siedepunkt: 121 ^* C (0,1 torr) , Ausbeute: 97 %.

Beispiel 2:

Synthese von Methacrylsäure-(4-tert.-butoxycarbonyloxy- phenyl)ester

Zu einer Lösung aus 53,4 g ( 0,30 mol) Hydrochinon- monomethacrylat (HMM) in THF werden 60 g K ₂ C0 ₃ gegeben. Unter Rühren wird dann bei Raumtemperatur eine Lösung von 72 g (0,33 mol) Pyrokohlensäure-di-tert.-butylester in THF zugetropft. Nach einigen Stunden ist die Umsetzung vollständig. Man gießt das Reaktionsgemisch auf Eis, ex- trahiert mit Essigester, trocknet die organische Phase und zieht das Lösemittel ab. Das erhaltene Öl kristalli-

siert innerhalb einiger Stunden aus. Das Produkt wird mit Petrolether gewaschen. Es ist für weitere Umsetzungen genügend rein (95 %, GC) .

Schmelzpunkt: 49-50 °C, Ausbeute: 97 %.

Die folgenden Beispiele 3 bis 6 illustrieren Herstellung und Eigenschaften von Homo- und Copolymeren mit freien phenolischen Hydroxygruppen und ohne irgendwelche Schutz¬ gruppen. Die Beispiele 7 und 8 belegen die überraschend höhere Transparenz der Schutzgruppen tragenden Polymeren für UV-Strahlung von 248 nm.

Beispiel 3 Poly(brenzkatechinmonomethacrylat)

8,9 g (50 mmol) BMM werden mit 0,410 g (2,5 ol) Azobis- isobutyronitril (AIBN) in 50 ml destilliertem THF 8 h unter Stickstoffatmosphäre zum Rückfluß erhitzt. Das Polymer wird in Petrolether ausgefällt und im Vakuum- trockenschrank bei 50 °C getrocknet.

M _n : 5000 g/mol

*Tetramethylammoniumhydroxid

Beispiel 4 Poly(hydrochinonmonomethacrylat)

17,8 g (100 mmol) BMM werden mit 0,820 g (5,0 mmol) AIBN in 100 ml destilliertem THF 8 h unter Stickstoffatmo¬ sphäre unter Rückfluß erhitzt. Das Polymer wird in Petrolether ausgefällt und im Vakuumtrockenschrank bei 50 ^β C getrocknet.

Ausbeute: 18,9 g

M W 7500 g/mol M.n' 5000 g/mol

Beispiel 5

Copolymere aus Brenzkatechinmonomethacrylat und Malein¬ imid werden nach den unter Beispiel 3 und Beispiel 4 beschriebenen Bedingungen mit 10, 20, 30, 40, 50 Mol-% Maleinimid hergestellt. Die Glastemperatur des l:l-Copo- lymers beträgt 166 °C.

Es wird bestimmt, um wieviel die Dicke einer Schicht aus einem Copolymer mit dem angegebenen Anteil an Maleinimid unter der Einwirkung einer 0,27 n wäßrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) abnimmt (die Einwir¬ kungszeiten sind jeweils gleich lang) .

*nicht mehr eindeutig meßbar

Beispiel 6 Copolymere aus Brenzkatechinmonomethacrylat und Hydro- chinonmonomethacrylat werden nach den unter Beispiel 3 und Beispiel 4 beschriebenen Bedingungen copolymerisiert:

Beispiel 7

Copolymere aus Brenzkatechinmonomethacrylat und Meth¬ acrylsäure-(2-tert.-Butoxycarbonyloxy-phenyl)ester werden mit verschiedenen Mol-%-Gehalten an BMM nach den unter Beispiel 3 angegebenen Bedingungen copolymerisiert.

Die thermogravimetrische Analyse ergab Werte, die im Rah¬ men der Meßgenauigkeit mit den theoretischen Werten über¬ einstimmen. Die Abspaltung der Schutzgruppe beginnt beim reinen Homopolymer bei 150 °C, beim 1:1-Copolymer bei 125 ^β C. Differentialthermoanalysen der Copolymeren erga¬ ben bis 120 ° C keine Glasübergangstemperaturen.

Beispiel 8

Poly[methacrylsäure(4-tert.-butoxycarbonyloxyphenyl)- ester] wird durch Polymerisation von Methacrylsäure(4- tert.-butoxycarbonyloxyphenyl)ester unter den im Beispiel 3 genannten Bedingungen erhalten.

UV _{248 nm} : 0,26 μm ^"1 Thermogravimetrie: gef. : 36,4 %, theor. : 36 % Zersetzungstemperatur: 162 °C Glasübergangstemperatur: > 120 "C

Beispiel 9 Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge¬ misches hergestellt, enthaltend

2,5 Gt eines Copoly ers aus 30 % Brenzkatechinmono¬ methacrylat und 70 % Methacrylsäure-(2-tert.- butoxycarbonyloxy-phenyl)ester,

0,075 Gt Triphenylsulfonium-1,1,2,3,3,3-hexafluorpro- pansulfonat und

7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

1,5 ml dieser Lösung werden durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Siliciumwafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftver¬ mittler überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 sec. wird eine ca. 1 μm dicke homogene Schicht erzeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 ^* C 60 s lang getrocknet, anschließend mit einer bild-

mäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und unter Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und einem zwischengeschalteten Interferenzfilter mit Strah¬ lung von 248 nm bestrahlt (70 mJ/cm ² ) . Danach wird der 5 Wafer 1 Minute bei 80 °C gehalten und mit einer 0,405 n wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung 180 s ent¬ wickelt. Strukturen von 0,55 μm (line/space) werden auf¬ gelöst.

10 Beispiel 10

Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge¬ misches hergestellt aus

2,5 Gt Terpolymer aus 30% Brenzkatechinmonomethacrylat 15 und 50 % Methacrylsäure-(2-tert.-butoxycarbo¬ nyloxy-phenyl)ester und 20% Methacrylsäure-(4- tert.-butoxycarbonyloxy-phenyl)ester , 0,075 Gt Triphenylsulfonium-1,1,2,3,3,3-hexafluor- propylsulfonat und 20 7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

1,5 ml dieser Lösung werden durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Sili- ciumwafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftvermittler

2.5 überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 s wird eine ca. l μm dicke homogene Schicht er¬ zeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 ^β C 60 s lang getrocknet, anschließend mir einer bildmäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und unter

30 Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und eines zwischengeschalteten Interferenzfilters mit Strahlung von 248 nm bestrahlt (70 mJ/cm ² ) . Danach wird der Wafer 1 Minute bei 80 ^β C gehalten und mit einer 0,27 n wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung 180 s entwickelt. 5 Strukturen von 0,45 μm (line/space) werden aufgelöst.

Beispiel 11

Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge¬ misches hergestellt aus

2,5 Gt eines Terpolymers aus 10% Brenzkatechinmono¬ methacrylat, 70 % Methacrylsäure-(2-tert.-but¬ oxycarbonyloxy-phenyl)ester und 20 % Malein¬ imid, 0,075 Gt Triphenylsulfonium-l,l,2,3,3,3-hexafluorpro- pansulfonat und

7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

1,5 ml dieser Lösung werden durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Siliciu wafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftver¬ mittler überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 s wird eine ca. 1 μm dicke homogene Schicht erzeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 "C 60 s lang getrocknet, anschließend mir einer bild- mäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und unter Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und eines Interferenzfilters mit Strahlung von 248 nm be¬ strahlt (60 mJ/cm ² ) . Danach wird der Wafer 1 Minute bei 80 °C gehalten und mit einer 0,27 n wäßrigen Tetra ethyl- ammoniumhydroxid-Lösung 60 s entwickelt. Strukturen von 0,50 μm (line/space) werden aufgelöst.

Beispiel 12

Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge- misches hergestellt aus

2,5 Gt Copolymer aus 30 % Brenzkatechinmonomethacrylat und 70 % Methacrylsäure-(2-tert.-butoxycarbo¬ nyloxy-phenyl)ester, 0,075 Gt Triphenylsulfonium-1,1,2,3,3,3-hexafluorpropan- sulfonat und

7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

1,5 ml dieser Lösung werden durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Sili- ciumwafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftvermittler überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 s wird eine ca. 1 μm dicke homogene Schicht er¬ zeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 °C 60 s lang getrocknet, anschließend mit einer bildmäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und unter Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und eines Interferenzfilters mit Strahlung von 248 nm bestrahlt (70 mJ/cm ² ) . Danach wird der Wafer 1 Minute bei 80 °C gehal¬ ten und mit einer wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxid- Lösung 120 s entwickelt. Strukturen von 0,55 μm (line/space) werden aufgelöst.

Beispiel 13

Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge- misches hergestellt aus

2,5 Gt Copolymer aus 85 % Methacrylsäure-(2-tert.- butoxycarbonyloxy-phenyl)ester und 15 % Malein¬ imid, 0,075 Gt Triphenylsulfonium-i,l,2,3,3,3-hexafluor- propansulfonat und 7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

Von dieser Lösung werden 1,5 ml durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Siliciumwafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftver¬ mittler überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 s wird eine ca. 1 μm dicke homogene Schicht erzeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 ^β C 60 s lang getrocknet, anschließend mit einer bild¬ mäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und

unter Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und eines Interferenzfilters mit Strahlung von 248 nm be¬ strahlt (70 mJ/cm ² ) . Danach wird der Wafer 1 Minute bei 80 "C gehalten und mit einer wäßrigen 0,18 n Tetramethyl- ammoniumhydroxid-Lösung 30 s entwickelt. Strukturen von 0,35 μm (line/space) werden aufgelöst.

Beispiel 14

Es wird eine Lösung eines strahlungsempfindlichen Ge- misches hergestellt aus

2,5 Gt Copolymer aus 30 % Brenzkatechinmonomethacrylat und 70 % Methacrylsäure-(2-tert.-butoxycarbo¬ nyloxy-phenyl)ester, 0,075 Gt Triphenylsulfonium-l,l,2,3,3,3-hexafluor- propansulfonat und 7,5 Gt Propylenglykol-monomethylether-acetat.

Von dieser Lösung werden 1,5 ml durch einen Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 μm filtriert und auf einen Siliciumwafer, der mit Hexamethyldisilazan als Haftver¬ mittler überzogen ist, aufgetragen. Durch Rotation bei 4500 Upm für 45 s wird eine ca. 1 μm dicke homogene Schicht erzeugt. Der Wafer wird auf einer Heizplatte bei 100 °C 60 s lang getrocknet, anschließend mit einer bild¬ mäßig strukturierten Testmaske in Kontakt gebracht und unter Verwendung einer Xenon-Quecksilberdampflampe und eines Interferenzfilters mit Strahlung von 248 nm be¬ strahlt (70 mJ/cm ² ) . Danach wird der Wafer 1 Minute bei 80 "C gehalten und mit Anisol 120 s entwickelt. Struktu¬ ren von 0,55 μm (line/space) werden aufgelöst.