| WO/2004/109738 | ELECTRON EMITTER AND PROCESS OF FABRICATION |
| JP2008015144 | PHOTOSENSITIVE PASTE |
| JP11176336 | BASE BOARD FOR PLASMA DISPLAY, PLASMA DISPLAY AND ITS MANUFACTURE |
Bettinelli, Armand (3 rue Marie Tromel Thorigne-Fouillard, F-35235, FR)
Baret, Guy (49 avenue Alsace Lorraine Grenoble, F-38000, FR)
Bettinelli, Armand (3 rue Marie Tromel Thorigne-Fouillard, F-35235, FR)
| 1. | Procédé de fabrication d'une dalle de panneau à plasma, comprenant les étapes suivantes : dépôt d'électrodes sur un substrat, selon un motif déterminé, à partir d'une pâte comprenant une poudre métallique, un liant minéral et des composés organiques, cuisson dudit dépôt dans des conditions aptes à éliminer lesdits composés organiques et à obtenir le frittage de ladite poudre, caractérisé en ce que la composition dudit liant minéral et les conditions de la cuisson sont adaptées de manière à ce que ledit liant mineral soit, après la cuisson, à !'état recristallisé. |
| 2. | Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit substrat est à base de verre sodocalcique. |
| 3. | Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que la température de la cuisson du dépôt d'électrodes ne dépasse pas 470°C. |
| 4. | Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes : après le dépôt d'électrodes, dépôt d'une couche diélectrique, après la cuisson du dépôt d'électrodes, cuisson de l'ensemble à une température supérieure à la température maximum atteinte pendant la cuisson du dépôt d'électrodes. |
| 5. | Procédé selon la revendication 4 caractérisé ce que la température maximum atteinte pendant ladite cuisson de l'ensemble est supérieure à 500°C. |
| 6. | Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 5 caractérisé en ce que le dépôt de la couche diélectrique est réalisé après la cuisson du dépôt d'électrodes. |
| 7. | Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 5 caractérisé en ce que le dépôt de la couche diélectrique est réalisé avant la cuisson du dépôt d'électrodes. |
| 8. | Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le liant mineral est constitué par un verre recristallisable. |
| 9. | Procédé selon la revendication 8 caractérisé en ce que ledit verre comprend au moins un élément de recristallisation choisi dans le groupe comprenant le chrome, I'oxyde de chrome, le zirconium, l'oxyde de zirconium, le titane et l'oxyde de titane. |
| 10. | Procédé selon la revendication 9 caractérisé en ce que la teneur pondérale de cet élément de recristallisation dans le dit verre est supérieure à 1 %. |
| 11. | Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la poudre métallique est en métal choisi dans le groupe comprenant l'argent, le cuivre, I'aluminium et leurs alliages. |
Afin de simplifier la description et de mieux comprendre le problème posé, la présente invention sera décrite en se référant à la fabrication de panneaux à plasma. Toutefois, il est évident pour l'homme de fart que la présente invention ne se limite pas au procédé de fabrication de panneaux à plasma mais peut tre utilisée dans tous types de procédé nécessitant des matériaux de mme nature dans des conditions analogues.
Comme connu par !'état de la technique, les panneaux à plasma généralement appelés PAP sont des écrans de visualisation du type plat qui fonctionnent sur le principe d'une décharge électrique dans un gaz accompagnée d'une émission de lumière. Généralement, les PAP sont constitués de deux dalles isolantes en verre, classiquement de type sodocalcique, supportant chacune au moins un réseau d'électrodes conductrices et délimitant entre elles un espace gazeux. Les dalles sont assemblées l'une à !'autre de manière à ce que les réseaux d'électrodes soient orthogonaux. Chaque intersection d'électrodes définit une cellule lumineuse élémentaire remplie de gaz de décharge.
Les électrodes d'un panneau à plasma doivent présenter un certain nombre de caractéristiques, notamment lorsqu'elles sont utilisées sur la dalle avant. Ainsi, elles doivent tre de section fine, à savoir de l'ordre de quelques centaines de um2, pour ne pas gner la visualisation. Elles doivent tre réalisées en un matériau bon conducteur donnant des électrodes présentant une résistance inférieure à 100 ohms. De plus, le matériau utilisé doit pouvoir faire l'objet d'une fabrication en série à moindre coût.
Deux techniques sont actuellement utilisées pour réaliser les électrodes d'un panneau à plasma.
La première technique consiste en un dépôt métallique en couches minces qui peut tre réalisé par pulvérisation cathodique ou évaporation sous-vide. Dans ce cas, le matériau utilisé est de l'aluminium ou du cuivre. II peut tre aussi constitué par une couche de cuivre ou d'aluminium placée entre deux couches de chrome. Ce dépôt métallique est gravé localement pour définir les électrodes. Le coût de cette technique est relativement élevé du fait du dépôt sous-vide et du traitement des effluents de la gravure.
La deuxième technique consiste à déposer une pâte ou encre à base d'argent. Une telle pâte contient une poudre d'argent ou un mélange de poudre métallique à 70 % d'argent au moins. Elle contient également un liant mineral. Elle contient aussi des composés organiques, notamment des résines, des solvants et éventuellement des additifs. Le dépôt est soit localisé par sérigraphie directe, soit pleine surface si une pâte photosensible est utilisée. La couche déposée sur la dalle est alors insolée à l'aide d'un masque. Le développement de la pâte insolée se fait en milieux aqueux alcalin puis l'ensemble est cuit à une température généralement comprise entre 500° et 600° C. Cette technique est particulièrement économique car elle ne nécessite pas d'installation de dépôt sous-vide.
Dans cette technique, le liant minéral utilisé avec la poudre d'argent est une fritte de verre adaptée pour obtenir le frittage en milieu liquide des grains d'argent de la pâte pendant la cuisson et à réaliser t'adhérence des électrodes sur le substrat en verre. Les documents SU 1 220 497, US 5 851 732, US 5 972 564 décrivent des compositions de liants minéraux utilisables à cette fin, et notamment des compositions qui permettent d'augmenter l'adhérence au substrat.
Le document US 5 851 732 enseigne que la température de ramollissement de ce liant minéral a une influence importante sur la température à laquelle il convient d'effectuer la cuisson ; ce document
divulgue des compositions dont la température de ramollissement est largement inférieure à 500°C.
Enfin, ce liant minéral doit pouvoir résister à la cuisson de la couche diélectrique déposée sur le substrat en verre muni d'électrodes, cuisson généralement effectuée à une température supérieure à la température de cuisson de la pâte d'électrodes ; les conditions de cuisson de la couche diélectrique sont adaptées pour obtenir des surfaces lisses et compactes à la surface des cellules, où auront lieu des décharges électriques ; la température maximum atteinte pendant la cuisson de la couche diélectrique dépasse généralement 500°C ; cette cuisson peut tre effectuée simultanément avec celle de la pâte d'électrode comme décrit dans le document JP11-329236.
Mais la cuisson de la couche diélectrique, notamment à une température supérieure à 500°C, peut entraîner les inconvénients suivants : -formation de bulles et/ou migration de l'argent dans la couche diélectrique, qui entraînent une coloration jaunâtre particulièrement gnante, -rupture de motifs d'électrodes et perte d'adhérence au substrat.
La présente invention a donc pour but de proposer une pâte pour réaliser les électrodes ainsi qu'un procédé de fabrication des dalles de panneau à plasma permettant d'éviter ces inconvénients de manière très économique.
Ainsi, la présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'une dalle de panneau à plasma, comprenant les étapes suivantes : -dépôt d'électrodes sur un substrat, selon un motif déterminé, à partir d'une pâte comprenant une poudre métallique, un liant minéral et des composés organiques, -cuisson dudit dépôt dans des conditions aptes à éliminer lesdits composés organiques et à obtenir le frittage de ladite poudre,
caractérisé en ce que la composition dudit liant minéral et les conditions de la cuisson sont adaptées de manière à ce que ledit liant minéral soit, après la cuisson, à l'état recristallisé.
Grâce à l'état recristallisé du liant minéral des électrodes, on évite ou, du moins on limite considérablement, la diffusion de métal, notamment d'argent, lors de traitements thermiques postérieurs, notamment lors de la cuisson de la couche diélectrique à une température supérieure à celle du dépôt d'électrodes, mme si cette température est supérieure à 500°C.
De préférence, le substrat est à base de verre sodocalcique ; dans ce cas, de préférence, la température de cuisson du dépôt d'électrodes ne dépasse pas 470°C de manière à éviter toute déformation de ce substrat ; comme liant minéral permettant des températures de cuisson aussi basses, on choisit alors de préférence un verre recristallisable comprenant au moins un oxyde choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de plomb (PbO), l'oxyde de bore (B203), I'oxyde de silicium (Si02), I'oxyde de bismuth (Bi203), I'oxyde d'aluminium (Al203), I'oxyde de zinc (ZnO) et l'oxyde de vanadium (V205).
Selon une variante, le procédé comprend en outre les étapes suivantes : après le dépôt d'électrodes, dépôt d'une couche diélectrique, * après la cuisson du dépôt d'électrodes, cuisson de l'ensemble à une température supérieure à la température maximum atteinte pendant la cuisson du dépôt d'électrodes.
Le dépôt de la couche diélectrique est réalisé soit après cuisson du dépôt d'électrodes, soit avant cuisson du dépôt d'électrodes.
Dans le premier cas, les étapes du procédé s'enchaînent comme suit : dépôt d'électrodes, cuisson du dépôt d'électrodes, dépôt d'une couche diélectrique, cuisson de l'ensemble.
Dans le second cas, les étapes du procédé s'enchaînent comme suit : dépôt d'électrodes, dépôt d'une couche diélectrique, « cuisson d'électrodes » puis « cuisson de l'ensemble » ; dans ce cas, les deux
cuissons s'enchaînent généralement en un traitement thermique comprenant un premier palier de température adapté pour obtenir le frittage de la poudre de la pâte d'électrodes et la cristallisation du liant minéral sans ramollir la couche diélectrique, puis un second palier à une température plus élevée adaptée pour obtenir la densification de la couche diélectrique.
Généralement, la température atteinte pendant la cuisson de l'ensemble ou la température du second palier dépasse 500°C.
De préférence, la pâte d'électrodes comporte de 3 à 25% de liant minéral, typiquement 10%. De préférence, le liant minéral est un verre recristallisable ; de préférence, afin de favoriser la recristallisation, notamment à une température inférieure ou égale à 470°C, ce verre comprend au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le chrome, I'oxyde de chrome, le zirconium, I'oxyde de zirconium, le titane et l'oxyde de titane ; pour tre suffisamment efficace en termes de cristallisation, la teneur pondérale en cet élément est de préférence au moins égale à 1% dans le verre. De préférence, la poudre métallique de la pâte d'électrode est en métal choisi dans le groupe comprenant I'argent, le cuivre, I'aluminium et leurs alliages ; de préférence, cette poudre se présente un diamètre moyen compris entre 0,4 et 4, um, de préférence compris 0,4 à 1, um. D'autre part, cette pâte comporte des composés organiques de type connu tels que des matériaux de type solvant, résine photosensible ou non, additifs.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description faite ci-après, cette description étant faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels : -les figures 1a et 1b illustrent un premier procédé de réalisation d'électrodes sur un substrat en verre, selon l'invention, -les figures 2a à 2d illustrent un second procédé de réalisation d'électrodes sur un substrat en verre selon l'invention, et
-la figure 3 représente une courbe donnant un exemple de cycle de cuisson utilisé dans l'exemple avec le procédé des figures 2, mais pouvant l'tre aussi avec le procédé illustré en figure 1.
On part d'un substrat en verre sodo-calcique classique ; on sait que la géométrie de ce type de susbtrat est inévitablement modifiée s'il doit subir des traitements à de températures supérieures ou égales à 580°C ; d'autres susbtrats peuvent tre également envisagés.
Pour réaliser des électrodes métalliques sur ce substrat en verre transparent, on utilise une composition d'une pâte contenant une poudre d'un métal ou d'un alliage conducteur, un liant minéral constitué, selon l'invention, par un verre recristallisable et des composés organiques tels qu'utilisés habituellement dans les pâtes de ce type.
De préférence, la poudre métallique ou poudre en matériau conducteur est une poudre d'argent ou de cuivre, ou une poudre comportant au moins 70 % d'argent ou de cuivre. Toutefois, d'autres types de poudre métallique pourraient tre utilisés en fonction de leur aptitude à conduire le courant électrique et de leur coût, notamment des poudres à base d'aluminium ou d'alliage d'aluminium.
De préférence, le verre recristallisable comprend au moins un oxyde choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de plomb (PbO), I'oxyde de bore (B203), t'oxyde de silicium (Si02), I'oxyde de bismuth (Bi203), I'oxyde d'aluminium (Al203), I'oxyde de zinc (ZnO) et l'oxyde de vanadium (V205).
De préférence, la composition de ce verre est choisie de manière à pouvoir effectuer la cuisson, notamment à obtenir l'effet de frittage de la poudre conductrice puis la cristallisation du liant minerai, à une température de cuisson inférieure ou égale à 470°C ; ainsi, on choisit de préférence un liant minéral dont la température de ramollissement est inférieure à 450°C ; comme il est généralement nécessaire de chauffer jusqu'à 350°C pour obtenir l'élimination complète des composés organiques de la pâte d'électrode, on choisit de préférence un liant minéral dont la température de ramollissement dépasse 350°C ;
Pour que ce verre puisse tre facilement recristallisable dans les conditions de la cuisson, c'est-à-dire qu'une cristallisation importante puisse se développer pendant la cuisson, le liant minéral de la pâte contient de préférence au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le chrome, le zirconium, ou le titane sous forme métallique ou oxydée. Avec une telle composition, il est alors particulièrement facile de déterminer des conditions de cuisson qui permettent d'obtenir à la fois un ramollissement suffisant de ce liant et sa recristallisation ; le ramollissement est classiquement destiné à faciliter le frittage des particules d'argent et à assurer la liaison et l'adhérence avec le substrat ; la recristallisation permet, selon l'invention, d'obtenir un liant dans lequel le métal de la poudre, notamment I'argent, diffusera beaucoup plus difficilement que dans fart antérieur, de manière à limiter sinon à éviter d'une manière très économique les problèmes de jaunissement.
La présence des éléments cités ci-dessus favorise la cristallisation qui débute dès que le verre est chauffé à sa température de ramollissement.
Par exemple, si l'on utilise un verre dont la température de ramollissement est de 380°C tel qu'un silicate de plomb à 15 % de silice (Si02) en masse et qu'on y ajoute 5 % de chrome, alors une cristallisation rapide est obtenue vers 450°C. En conséquence, un simple chauffage à 450°C pendant 15 minutes suffit à transformer une part importante de la phase vitreuse en une phase cristalline et le matériau devient alors presque inerte en température.
De ce fait, lors d'une seconde cuisson à plus haute température, notamment celle de la couche diélectrique, et mme en présence d'un verre fondu tel qu'un borosilicate de plomb utilisé notamment pour les couches diélectriques, aucun jaunissement n'apparaît, le motif des électrodes contenant le verre cristallisé est stable et le dépôt reste adhérent au substrat.
Ainsi, en utilisant un verre à basse température de ramollissement telle que décrit ci-dessus, on peut cuire le réseau d'électrodes à basse température tout en obtenant la recristallisation de ce verre ; la possibilité de
cuire à basse température permet avantageusement d'éviter tout risque de déformation du susbtrat en verre sodo-calcique, puisque la cuisson est effectuée à une température inférieure ou égale à 470°C. On obtient en outre un gain économique important, car une cuisson à 450°C coûte moins d'énergie qu'une cuisson à 580-590°C. De plus, le four nécessaire à l'opération de cuisson peut tre d'une uniformité moyenne, à savoir 5°C voire 10°C, et il est donc bien moins coûteux.
Comme mentionné ci-dessus, la composition de la pâte ou encre métallique utilisée pour réaliser les électrodes d'un panneau à plasma comporte des composés organiques classiques, notamment des résines, des solvants ou des additifs. Ces composés organiques seront différents suivant qu'il s'agit d'une pâte ou encre photosensible ou photo-imageable ou d'une pâte ou encre utilisée avec des technologies de sérigraphie classique.
Ainsi, pour les encres photoimageables, on utilise une résine photosensible qui peut tre de type positif ou négatif. Dans ce cas, le composé sensibilisateur peut tre, par exemple, du bichromate de potassium, de sodium ou d'ammonium ou un composé diazoté ou tout autre élément rendant la résine utilisée sensible à la lumière (visible ou UV). Le composé sensibilisateur est mélangé à la résine qui peut tre de type polyvinylique dans des proportions de 0,1 à 1 %. A cette résine photosensible, on peut ajouter des additifs qui fixent la rhéologie ou améliorent la qualité de la pâte. Ces additifs peuvent tre du type plastifiant, agent thixotropique, agent d'adhésion tensioactifs. Dans ce cas, ils modifient la solution de résine. Si les additifs sont du type dispersant, ils sont utilisés pour stabiliser la suspension des poudres minorâtes. Ainsi, une pâte ou encre photosensible comporte une résine photosensible telle que mentionnée ci-dessus, des additifs tels que mentionnés ci-dessus, une charge en matériau métallique ou en matériau comportant plus de 70 % de matériau métallique, de préférence de l'argent ou du cuivre, constituée d'une poudre dont le diamètre moyen est compris entre 0,4 et 4 um, de préférence
entre 0,4 et 1 um, et un liant minéral réalisant l'adhérence au substrat et le frittage des grains métalliques composés d'un verre minéral recristallisable tel que mentionné ci-dessus, qui, de préférence, n'induit pas la polymérisation spontanée de la résine. L'exemple est basé sur une résine polyvinylique, cependant l'invention est applicable aux diverses compositions commerciales basées sur des systèmes de résines différents.
Pour les encres ou pâtes utilisées en sérigraphie classique, c'est- à-dire non-photosensibles, la pâte comporte donc une ou des résines organiques additionnées par exemple d'un ou de solvant (s) et d'un ou de liant (s) organique (s). Les solvants lourds et peu volatiles habituellement utilisés sont choisis parmi le terpinéol, le butylcarbitol, le dodecanol. Dans ces solvants est dissoute la résine proprement dite constituée, par exemple, par des éthylcelluloses ou des méthylméthacrylates. De manière connue, des additifs sont ajoutés d'une part pour modifier la solution de la résine, ces additifs sont alors du type plastifiant, agent thixotropique, agent d'adhésion, tensioactifs et pour stabiliser la suspension des poudres minérales. Dans ce cas, les additifs sont des dispersants. La pâte comporte de plus une partie minérale constituée par une charge métattique, telle que l'argent, le cuivre ou I'aluminium, ou un matériau riche en argent, en cuivre, ou en aluminium ou un alliage à base d'aluminium (par exemple Al-Cu) sous forme d'une poudre dont le diamètre moyen est compris entre 0,4 et 4 um, de préférence entre 0,4 et 1 um, et par un liant minéral tel qu'un verre recristallisable comme décrit ci-dessus, dont le rôle est d'assurer l'adhérence au substrat et le frittage des grains métalliques.
On décrira maintenant, en se référant aux figures 1a et 1b, un premier mode de réalisation d'un réseau d'électrodes sur une dalle en verre, notamment un verre de type sodocalcique, pour réaliser un PAP matriciel.
Conformément à la présente invention, on dispose d'une dalle 10 de verre nu, en général un verre de type sodocalcique. On prépare une pâte contenant :
-100 g d'une résine obtenue par dissolution de 5 g d'éthylcellulose dans 95 g de terpinéol.
-150 g d'une poudre d'argent de diamètre moyen de 0,8 um.
-20 g d'un verre minéral recristallisable obtenu par addition de 5 % de titane à un silicate de zinc et de bismuth.
-0, 5 g d'un surfactant tel que celui vendu sous la marque « OROTAN » 850 E par la société Brenntag Spéciales.
De manière connue, on dépose cette pâte par sérigraphie à travers un masque formé sur une toile de « 325 mesh » et représentant le motif du réseau à réaliser, typiquement des électrodes 11 présentant une largeur de 150 um et une épaisseur de 4 um. On sèche ensuite à 120°C pendant 10 minutes et on procède à une cuisson à 460°C pendant 20 minutes, de manière à obtenir lesdites électrodes 11 avec un liant minéral à !'état recristallisé.
Ensuite, comme représenté sur la figure 1 b, on dépose une couche diélectrique telle qu'une couche de verre en borosilicate de plomb.
Cette couche 12 est déposée par sérigraphie puis séchée à 120°C et cuite à 580°C pendant 30 minutes. On peut terminer le procédé de réalisation d'une dalle arrière de panneau à plasma matriciel en déposant des barrières et des luminophores de manière classique.
Malgré ces températures élevées de traitement, on n'observe plus aucun jaunissement de la couche diélectrique qui reste très transparente, grâce à l'état recristallisé du liant minéral du réseau d'électrodes dans lequel !'argent diffuse beaucoup moins facilement que dans I'art antérieur.
On décrira maintenant, avec référence aux figures 2a à 2d, un procédé de réalisation d'une dalle d'un panneau à plasma en utilisant une pâte photosensible. Dans ce cas, on dispose d'une dalle 20 de verre tel qu'un verre sodocalcique, sur laquelle on étend, par sérigraphie sur toute la surface de la dalle, une pâte ou encre 21. Cette pâte photosensible comporte :
-100 g d'une résine photosensible, constituée par exemple de 10 g d'alcool polyvinylique de grade 14/135 dissout dans 100 g d'eau.
-2 g de bichromate de sodium utilisé comme photosensibilisateur de la résine.
-100 g d'une poudre d'argent de diamètre moyen 0,8 um.
-15 g d'un verre mineral recristallisable ne réagissant pas avec la résine photosensible constitué par exemple d'oxyde de vanadium et d'oxyde d'argent (température de ramollissement : 340°C) additionné de 5% d'oxyde de zinc.
-1 g d'un surfactant tel que celui vendu sous la marque « OROTAN » 850 E par la société Brenntag Spéciales.
Comme représenté sur la figure 2a, cette pâte est déposée par sérigraphie à travers un masque formé sur une toile de « 325 mesh », de manière à former une couche 21 couvrant toute la surface de la dalle 20. On sèche cette couche 21 à 80°C pendant 5 minutes.
Comme représenté sur la figure 2b, on expose la couche 21 aux rayons UV à travers un masque 22. Si la résine est négative, le motif à transférer est en clair sur le masque. Dans le mode de réalisation représenté, il s'agit d'électrodes 23 présentant une largeur de 70 um et une épaisseur de 4 um. On développe la couche insolée à l'eau de manière à éliminer les parties 24. Ensuite, on sèche ce qui révèle le motif final 23.
Comme représenté sur la figure 2d, on procède alors de manière classique au dépôt par sérigraphie d'une pâte contenant une fritte de verre telle que du borosilicate de plomb, cette pâte réalisant la couche diélectrique 25.
On cuit enfin l'ensemble constitué du réseau d'électrodes 23 et de la couche diélectrique 25 dans un mme cycle thermique tel que représenté sur la figure 3. Le cycle thermique comporte une première étape constituée d'une rampe de chauffe à 10°C/mn jusqu'à une première température de 420°C suivie d'un palier de 20 minutes dans le mode de réalisation
représenté. Cette première température peut tre comprise entre 380°C et 470°C, selon les propriétés du verre recristallisable utilisé. Cette première étape du cycle thermique est adaptée pour obtenir, outre le frittage, la recristallisation du liant minéral du réseau d'électrodes.
Cette première étape est suivie d'une seconde étape comportant une rampe de chauffe jusqu'à une température de 580°C, suivie d'un palier à 580°C pendant 30 minutes dans le mode de réalisation représenté. La seconde température est comprise entre 530°C et 600°C en fonction des propriétés de la couche diélectrique utilisée.
Maigre ces températures élevées de traitement, on n'observe plus aucun jaunissement de la couche diélectrique qui reste très transparente, grâce à l'état recristallisé du liant minéral du réseau d'électrodes dans lequel l'argent diffuse beaucoup moins facilement que dans fart antérieur.
Ce mode de réalisation peut tre utilisé pour la fabrication de la dalle arrière d'un PAP matriciel. II peut tre aussi utilisé pour la réalisation des électrodes d'entretien de la dalle avant d'un PAP coplanaire. Dans ce cas, des électrodes d'adressage transparentes en ITO (oxyde d'indium et d'étain) ou en oxyde d'étain peuvent tre réalisées au préalable sur la datte : Selon un autre mode de réalisation, la pâte ou encre utilisée pour réaliser les électrodes d'un panneau à plasma a été obtenue de la manière suivante : Préparation d'une solution de résine : Solution R1.
Solvant Terpinéol 73,5 g Résine Ethylcellulose Grade N7 7,0 g Plastifiant Santicizer S 160 6,5 g Dispersant Lécithine 4,0 g Ajout d'un additif dans R1 afin d'obtenir un liant thixotrope : Solution B1.
Solution Résine R1 91,0 g Agent thixotrope Thixatrol 9,0 g Préparation de l'encre d'argent par malaxage des composées suivants : Solution liant B1 20,0 g Poudre d'argent Ag DC100 72,0 g Verre mineral cristallisable 8,0 g (18, 5% Si02, 4, 5% B203, 72% PbO, 5% Cr203) II est évident pour I'homme de fart que les exemples données ci- dessus peuvent tre différents, notamment en ce qui concerne la composition du verre recristallisable, les résines, les solvants, etc... sans sortir du cadre des revendications.
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