刘箭飞 (中国北京市海淀区上地三街9号D座1111, Beijing 5, 100085, CN)
WEI, Jie (Room 1111, Building D Jiahua Plaza, No. 9 Shangdi 3rd Street, Haidian District, Beijing 5, 100085, CN)
魏杰 (中国北京市海淀区上地三街9号D座1111, Beijing 5, 100085, CN)
YANG, Dongmei (Room 1111, Building D Jiahua Plaza, No. 9 Shangdi 3rd Street, Haidian District, Beijing 5, 100085, CN)
北京双杰电气股份有限公司 (中国北京市海淀区上地3街9号D座1111, Beijing 5, 100085, CN)
XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY (Xianning west 28, Xi'an, Shaanxi 9, 710049, CN)
西安交通大学 (中国陕西省西安市咸宁西路28号, Shaanxi 9, 710049, CN)
LIU, Jianfei (Room 1111, Building D Jiahua Plaza, No. 9 Shangdi 3rd Street, Haidian District, Beijing 5, 100085, CN)
刘箭飞 (中国北京市海淀区上地三街9号D座1111, Beijing 5, 100085, CN)
WEI, Jie (Room 1111, Building D Jiahua Plaza, No. 9 Shangdi 3rd Street, Haidian District, Beijing 5, 100085, CN)
| 权 利 要 求 1、 一种双断口真空灭弧室， 包括绝缘外壳（1) 、 设置在绝缘外壳 （1) 内的静组件 （2) 和动组件 （3) ， 其特征在于： 所述绝缘外壳 （1) 内腔上部的凸棱 （11) 上设置有中间隔离 屏蔽罩 （4) ， 所述中间隔离屏蔽罩 （4) 位于静组件 （2) 与动组件 （3) 之间， 所述中间隔 离屏蔽罩 （4) 为圆环。 2、 如权利要求 1所述的双断口真空灭弧室， 其特征在于： 所述中间隔离屏蔽罩 （4) 设 置于所述凸棱 （11)上部， 且所述中间隔离屏蔽罩 （4)与所述凸棱 （11)之间设有截面为弧 形的上小下大的桶形支撑 （5) 。 |
技术领域
本发明涉及一种真空灭弧室， 尤指一种双断口真空灭弧室。
背景技术
常用的真空灭弧室多为单断口， 真空灭弧室的绝缘性与断口间隙的关系为： Vb=a*dm， 其 中 d为间隙， &和!!1为常数， m< l， 这就是说真空灭弧室的绝缘性能不是随着真空 间隙长度增加 而线性增长，存在饱和效应，而利用多个真空 间隙串联形成的多间隙效应（Multi-gap Effect ) 可以提高整体工作电压。 设一个长间隙被分成 n 部分， 每个间隙的长度为 dn， 则间隙总长度 d=n X dn。 对于多间隙系统， 每个间隙上能过承受的最大电压可能不相等， 总的击穿电压将由 承受最大电场 Emax 的间隙决定， 只要某一时刻 n 个断口没有同时发生击穿， 真空间隙就会有 可靠的耐压性能。 利用多间隙效应可改善真空灭弧室内部的整体 电场分布。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双断口真空灭弧室 ， 其可以提高真空灭弧室内的静态击穿电 压。
为了实现上述目的， 本发明的技术解决方案为： 一种双断口真空灭弧室， 包括绝缘外壳、 设置在绝缘外壳内的静组件和动组件， 其中所述绝缘外壳内腔上部的凸棱上设置有中 间隔离 屏蔽罩， 所述中间隔离屏蔽罩位于静组件与动组件之间 ， 所述中间隔离屏蔽罩为圆环。
本发明双断口真空灭弧室， 其中所述中间隔离屏蔽罩设置于所述凸棱上部 ， 且所述中间 隔离屏蔽罩与所述凸棱之间设有截面为弧形的 上小下大的桶形支撑。
采用上述方案后， 本发明双断口真空灭弧室通过在绝缘外壳内腔 上部凸棱上设置圆环形 的中间隔离屏蔽罩， 真空灭弧室内腔由单断口变为双断口， 其真空间隙由一个变为两个， 设 置双断口可以把最大场强由触头间隙转移到中 间隔离屏蔽罩与静端隔离屏蔽罩或接地隔离屏 蔽罩之间的间隙上， 改善了主隔离间隙的电场应力， 提高真空灭弧室的静态击穿电压。
附图说明
图 1是本发明双断口真空灭弧室的结构示意图。
下面结合附图， 通过实施例对本发明做进一步的说明；
具体实施方式
请参阅图 1所示本发明双断口真空灭弧室的结构示意图 包括绝缘外壳 1、 设置在绝缘 外壳 1内的静组件 2和动组件 3， 绝缘外壳 1内腔上部的凸棱 11上部设有截面为弧形的上小 下大的桶形支撑 5， 在桶形支撑 5上设有圆环形的中间隔离屏蔽罩 4， 中间隔离屏蔽罩 4位于 静组件 2下方及动组件 3上方。
本发明双断口真空灭弧室通过在绝缘外壳 1内腔上部凸棱 11上设置圆环形的中间隔离屏 蔽罩 4， 使得真空灭弧室内腔由单断口变为双断口， 其真空间隙由一个变为两个， 设置双断口 可以把最大场强由触头间隙转移到中间隔离屏 蔽罩与静端隔离屏蔽罩或接地隔离屏蔽罩之间 的间隙上， 改善了主隔离间隙的电场应力， 提高真空灭弧室的静态击穿电压。
以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施 方式进行描述， 并非对本发明的范围进行 限定， 在不脱离本发明设计精神的前提下， 本领域普通工程技术人员对本发明的技术方案 作 出的各种变形和改进， 均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围 内。
工业实用性
本发明双断口真空灭弧室， 主要应用于全封闭固体环网柜上， 其改善了主隔离间隙的电 场应力， 提高了真空灭弧室的静态击穿电压， 因此具有很高的工业实用性。
Next Patent: MAGNETIC ATTRACTING SOCKET AND COMBINED SOCKET