Die Erfindung betrifft eine Vakuumschaltröhre mit einem Gehäuse, welches zwei bezüglich einer Mittenebene symmetrisch angeordnete und ausgebildete Isolierstoffgehäusebereiche aufweist, wobei jeder der beiden Isolierstoffgehäusebereiche mehrere Isolierstoffgehäuseteile umfasst.

Eine derartige Vakuumschaltröhre ist aus der DE 10029763B4 bekannt. Die dort offenbarte Vakuumschaltung weist ein Gehäuse auf, welches zwei bezüglich einer Mittenebene symmetrisch angeordnete und ausgebildete Isolierstoffgehäusebereiche aufweist. Jeder der beiden Isolierstoffgehäusebereiche umfasst dabei mehrere Isolierstoffgehäuseteile, im Falle der

DE 10029763B4 sind zwei Isolierstoffgehäuseteile in Form von Keramikzylindern für jeden der beiden Isolierstoffgehäusebereiche vorgesehen. Die Länge der einzelnen Isolierstoffgehäuseteile ist dabei bestimmt durch eine maximale dielektrische Belastung der Vakuumschaltröhre entsprechend der Bemessungs- Spannung, für die die Vakuumschaltröhre ausgelegt ist sowie abhängig von innerer Geometrie der Vakuumschaltröhre und kapazitiven Ankopplungen an äußere Gegebenheiten, beispielsweise ein geerdetes Gehäuse eines Leistungsschalters, in welchem die Vakuumschaltröhre verwendet wird. Die Länge der einzelnen Isolierstoffgehäuseteile ist dabei so bemessen, dass die Vakuumschaltröhre die nötige Überschlagsfestigkeit aufweist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vakuumschaltröhre der eingangs genannten Art weiterzubilden, welche bei einer hohen dielektrischen Festigkeit eine kompakte Bauweise aufweist . Erfindungsgemäß gelöst wird dies bei einer Vakuumschaltröhre der eingangs genannten Art dadurch, dass das von der Mittenebene entferntest angeordnete Isolierstoffgehäuseteil jedes Isolierstoffgehäusebereiches eine Länge aufweist, welche Grö- ßer ist als die Länge der weiteren Isolierstoffgehäuseteile .

Eine größere Länge der von der Mittenebene entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteile jedes Isolierstoffgehäuse- bereichs der Vakuumschaltröhre ist vorteilhaft, weil eine sich über der Vakuumschaltröhre in axialer Richtung einstellende Potenzialverteilung sich erfahrungsgemäß nicht über der Vakuumschaltröhre linear verteilt, sondern die von der Mittenebene entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteile die größte Beanspruchung erfahren. Dies liegt daran, dass Po- tenzialdifferenzen pro Isolierstoffgehäuseteil von einem Ende der Vakuumschaltröhre zum anderen Ende der Vakuumschaltröhre stetig zunehmen, so dass das letzte Isolierstoffgehäuseteil die stärkste Belastung erfährt. Bei Wechselstromsystemen ändert sich weiterhin die Polarität der an der Röhre anliegen- den Potenziale, so dass die beiden von der Mittenebene der

Vakuumschaltröhre entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteile abwechselnd die größten Belastungen erfahren. Die Länge dieser entferntest von der Mittenebene angeordneten Isolierstoffgehäuseteile bestimmt sich daher aus der benötig- ten dielektrischen Festigkeit bzw. der Überschlagsfestigkeit, für welche die Vakuumschaltröhre geeignet sein soll. Weitere Isolierstoffgehäuseteile, welche eine geringere Entfernung zur Mittenebene der Vakuumschaltröhre aufweisen, erfahren eine geringere dielektrische Belastung und können folglich eine geringere Länge aufweisen, so dass mit einer derartig ausgebildeten Vakuumschaltröhre ein kompakter Aufbau ermöglicht ist bei gleichbleibender hoher dielektrischer Festigkeit der Vakuumschaltröhre. Mittenebene im Sinne der vorliegenden Er- findung ist dabei eine senkrecht zur Längsachse der Vakuumschaltröhre verlaufende Ebene, bezüglich derer das Gehäuse der Vakuumschaltröhre im Wesentlichen symmetrisch ausgebildet ist, wobei das Gehäuse neben den Isolierstoffgehäuseteilen in für Vakuumschaltröhren bekannter Form metallische Deckelteile aufweist, durch welche sich Kontaktanschlüsse für Festkontakt und Bewegkontakt der Vakuumschaltröhre vakuumdicht hindurch ins Innere der Vakuumschaltröhre hinein erstrecken. Die Isolierstoffgehäuseteile sind vorteilhafterweise in Form von Ke- ramikzylindern ausgebildet.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weisen die weiteren Isolierstoffgehäuseteile mit abnehmender Entfernung von der Mittenebene eine abnehmende Länge auf. Eine der- artige Abnahme der Länge der weiteren Isolierstoffgehäuseteile führt in einfacher Weise zu einer weiteren kompakten Bauform der Vakuumschaltröhre bei hoher dielektrischer Festigkeit, weil die dielektrische Belastungen mit geringer werdendem Abstand zur Mittenebene der Vakuumschaltröhre geringer wird, so dass die Anforderungen an die Länge der Isolierstoffgehäuseteile ebenfalls geringer werden.

In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung berechnen sich die Längen der weiteren Isolierstoffge- häuseteile aus der Länge des entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteiles gemäß

L(x)≥ p(x)- L _N

(2x-l)

mit p(x) =

(2N-1) und N = Gesamtzahl der Isolierstoffgehäuseteile der Vakuumschaltröhre N

und x = N, N - I...— + 1 .

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Eine derartige Einstellung der Länge der weiteren Isolierstoffge- häuse mittels Berechnung aus der Länge des entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteiles hat sich in einer Vielzahl von Experimenten und Versuchen als eine bestmögliche Einstellung der Länge der weiteren Isolierstoffgehäuseteile in Abhängigkeit von der Länge des entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteils erwiesen, mit der die Anforderungen an die dielektrische Festigkeit und die Kompaktheit der Vakuumschaltröhre bestmöglich erfüllt werden.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung sind zwischen den Isolierstoffgehäuseteilen Dampfschirme und/oder Feldsteuerelemente befes- tigt. Mittels derartiger Dampfschirme und Feldsteuerelemente, welche zwischen den Isolierstoffgehäuseteilen befestigt sind und im Inneren der Vakuumschaltröhre angeordnet sind, ist in einfacher Weise eine Abschirmung der Isolierstoffgehäuseteile vor Bedampfung durch beim Schaltvorgang entstehenden Metalldämpfen gewährleistet.

In weiterer bevorzugter Ausführung der Erfindung ist zwischen den Isolierstoffgehäusebereichen ein metallisches Gehäuseteil vorgesehen. Ein derartiges metallisches Gehäuseteil ist ebenfalls vorteilhaft für eine Erhöhung der Überschlagsfestigkeit einer Vakuum- schaltröhre.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert, deren einzige Figur eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Va- kuumschaltröhre zeigt.

Die Figur zeigt eine Vakuumschaltröhre 1 mit einem Festkontakt 2 und einem Festkontaktanschlussbolzen 3 sowie einem Bewegkontakt 4 und einem Bewegkontaktanschlussbolzen 5. Der Festkontaktanschluss- bolzen 3 ist dabei vakuumdicht durch ein erstes metallisches De- ckelteil 6 der Vakuumschaltröhre herausgeführt, der Bewegkontakt- anschlussbolzen 5 ist durch ein zweites metallisches Deckelteil 7 mittels eines Faltenbalges 8 beweglich vakuumdicht aus der Vakuumschaltröhre herausgeführt, so dass das Kontaktsystem aus Festkon- takt 2 und Bewegkontakt 4 zum Schalten eines über die Festkontakt- und Bewegkontaktanschlussbolzen 3 und 5 geführten Stromes beispielsweise eines Leistungsschalters ausgebildet ist, in dem eine Antriebsbewegung einer figürlich nicht dargestellten Antriebseinheit in den Bewegkontaktanschlussbolzen 5 zum Schließen bzw. Öff- nen des Kontaktsystems aus Festkontakt 2 und Bewegkontakt 4 eingeleitet werden kann. Die Vakuumschaltröhre 1 weist weiterhin Gehäusebauteile in Form von Isolierstoffgehäuseteilen 9, 10, 11 und 12, 13 und 14 auf, welche in Form von Keramikzylindern ausgebildet sind, wobei zwischen den Isolierstoffgehäuseteilen 11 und 14 im Ausführungsbeispiel ein metallisches Gehäuseteil 15 vorgesehen ist, welches im Bereich des Kontaktsystems aus Festkontakt 2 und Bewegkontakt 4 angeordnet ist. Das Gehäuse der Vakuumschaltröhre 1 ist bezüglich einer Mittenebene S im Wesentlichen symmetrisch aufgebaut und angeordnet, wobei die Isolierstoffgehäuseteil 9, 10 und 11 einen ersten Isolierstoffgehäusebereich 16 und die Isolierstoffgehäuseteile 12, 13 und 14 einen zweiten Isolierstoffgehäusebereich 17 ausbilden, so dass mit anderen Worten die Isolierstoffgehäusebereiche 16 und 17 symmetrisch bezüglich der Mittenebene S angeordnet und ausgebildet sind. Symmetrisch im Sinne des Ausfüh- rungsbeispiels bedeutet dabei, dass die Isolierstoffgehäuseteile 9 und 12 die gleiche Länge L ₁ aufweisen, die Isolierstoffgehäuseteile 10 und 13 die gleiche Länge L ₂ aufweisen und die Isolierstoffgehäuseteile 11 und 14 die gleiche Länge L ₃ aufweisen und die Isolierstoffgehäusebereiche 16 und 17 den gleichen Abstand von der Mittenebene S aufweisen. Zwischen zwei benachbarten Isolierstoffgehäuseteilen sowie an den Grenzbereichen zwischen Isolierstoffgehäuseteilen und den ersten und zweiten metallischen Deckelteilen 6 und 7 sind dabei im Inneren der Vakuumschaltröhre 1 vorgesehene Dampfschirme und/oder Feldsteuerelemente 18 bis 25 angeordnet und vakuumdicht befestigt. Die Dampfschirme und/oder Feldsteuerelemente 18 bis 25 dienen der Abschirmung der Isolierstoffgehäuseteile vor Bedampfung mit während eines Schaltvorganges durch Abbrand der Kontakte entstehenden Metalldämpfen.

Eine wie im Ausführungsbeispiel dargestellte Vakuumschaltröhre in einem Wechselstromsystem erfährt eine Potentialeinstellung in axialer Richtung, wobei die Potenzialverteilung von einem Röhrenende zum anderen Ende zunimmt, so dass die letzte Keramik am stärksten belastet ist. Je nach Polarität ist dies bei der Vakuumschaltröhre 1 das Isolierstoffgehäuseteil 9 bzw. 12, welche folglich die größ- te Länge L ₁ aufweisen, da dies die von der Mittenebene entferntest angeordneten Isolierstoffgehäuseteile jedes Isolierstoffgehäusebereiches sind. Die Länge Li bestimmt sich daher aus den Anforderungen an die dielektrische Festigkeit der Vakuumschaltröhre sowie die Bemessungsspannung sowie die äußeren Gegebenheiten wie bei- spielsweise kapazitive Ankopplungen an ein geerdetes Gehäuse eines umgebenden Leistungsschalters. Die Länge L ₂ bzw. L ₃ der Isolierstoffgehäuseteile 10 und 13 bzw. 11 und 14 bestimmt sich aus der Länge L ₁ der Isolierstoffgehäuseteile 9 und 12 gemäß der Formel L(x)≥ p(x)-L _Nf wobei N die Anzahl der Keramiken ist, im Falle des Ausführungsbeispiels 6 und wobei p(x) ein Skalierungsfaktor ist, welcher sich bestimmt aus: p(x)- = (2x-l)/(2N-l) , wobei x die Werte N,N-1...— N + 1 annehmen kann, so dass im Ausführungsbeispiel der Figur für N = 6 aus Symmetriegründen x die Werte 6, 5 und 4 annehmen und die Län- gen der Isolierstoffgehäuseteile 9 und 12 sowie 10 und 13 und 11 und 14 jeweils ebenfalls auf Grund der Symmetrie bezüglich der Mittenebene S gleich groß sind, wobei der Skalierungsfaktor

P(O) = I = P(I) ist und p(5) = p(2) = ^ und p(4) = p(3)=^- ist. Anhand der oben aufgeführten Formel ergibt sich somit für die Länge L ₂ = 0,81 * L ₁ und für die Länge L ₃ = 0,45 * L ₁ .

Bezugs zeichenliste

1 Vakuumschaltröhre

2 Festkontakt

3 Festkontaktanschlussbolzen

4 Bewegkontakt

5 Bewegkontaktanschlussbolzen

6 erstes metallisches Deckelteil

7 zweites metallisches Deckelteil

8 Faltenbalg

9 bis 14 Isolierstoffgehäuseteile/Keramikzylinder

15 metallisches Gehäuseteil

16 erster Isolierstoffgehäusebereich

17 zweiter Isolierstoffgehäusebereich

18 bis 25 Dampfschirme bzw. Feldsteuerelemente

Li Länge der Isolierstoffgehäuseteile 9 und 12

L ₂ Länge der Isolierstoffgehäuseteile 10 und 13

L ₃ Länge der Isolierstoffgehäuseteile 11 und 14

S Mittenebene/Symmetrieachse