VOLUMENEMITTER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Es wird ein Volumenemitter angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Volumenemitters angegeben.

Beim Volumenemitter kann es _V orkommen, dass erzeugte

elektromagnetische Strahlung nicht direkt, sondern aufgrund von Totalreflexionen erst nach Mehrfachreflexionen aus dem Volumenemitter ausgekoppelt wird. Insbesondere bei

quaderförmigen Volumenemitter kann ein Teil der erzeugten Strahlung solange im Volumenemitter bleiben, bis er

absorbiert wird. Dies wirkt sich nachteilig auf die Effizienz des Volumenemitters.

Eine Aufgabe ist es, einen Volumenemitter mit erhöhter

Effizienz anzugeben. Eine weitere Aufgabe ist es, ein

kostengünstiges und vereinfachtes Verfahren zur Herstellung eines Volumenemitters, insbesondere eines hier beschriebenen Volumenemitters, anzugeben.

Diese Aufgaben werden durch den Volumenemitter gemäß dem Hauptanspruch sowie durch das Verfahren zur Herstellung eines Volumenemitters gelöst. Weitere Ausgestaltungen des

Volumenemitters oder des Verfahrens zur Herstellung des

Volumenemitters sind Gegenstand der weiteren Ansprüche.

Es wird ein Volumenemitter mit einem Träger und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper angegeben, wobei der

Halbleiterkörper im Betrieb des Volumenemitters zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der

Volumenemitter ist zum Beispiel ein Halbleiterchip. Insbesondere weist der Halbleiterkörper eine Diodenstruktur auf. Zum Beispiel enthält der Halbleiterkörper eine optisch aktive Zone, etwa eine pn-Übergangszone . Im Betrieb des

Volumenemitters ist die optisch aktive Zone zum Beispiel eingerichtet, elektromagnetische Strahlung im sichtbaren, ultravioletten oder im infraroten Spektralbereich zu

emittieren. Zum Beispiel ist der Volumenemitter eine

lichtemittierende Diode (LED) .

Bei einem Volumenemitter kann die im Betrieb erzeugte

elektromagnetische Strahlung über eine Vorderseite, über Seitenflächen und - falls erwünscht - über eine Rückseite des Volumenemitters ausgekoppelt werden. Der Halbleiterkörper weist eine dem Träger abgewandte Vorderseite auf, welche insbesondere die Vorderseite des Volumenemitters bildet. Der Träger weist eine dem Halbleiterkörper zugewandte Vorderseite und eine dem Halbleiterkörper abgewandte Rückseite auf, wobei die Rückseite des Trägers insbesondere die Rückseite des Volumenemitters bildet. Die Seitenflächen des Volumenemitters können bereichsweise durch Seitenflächen des Trägers und bereichsweise durch Seitenflächen des Halbleiterkörpers gebildet sein.

Zum Beispiel ist der Volumenemitter derart gestaltet, dass mindestens 10 %, 20 %, 30 %, 40 % oder mindestens 50 % der gesamten ausgekoppelten Strahlung an den Seitenflächen des Trägers und/oder des Volumenemitters aus dem Volumenemitter ausgekoppelt werden, zum Beispiel mindestens 60 %, mindestens 70 % oder mindestens 80 %. Der Anteil des Lichts, das über die Seitenflächen abgegeben wird und am insgesamt abgegebenen Licht skaliert ist, kann in erster Näherung mit dem

Verhältnis der Seitenflächen zur gesamten Emissionsfläche angegeben werden. Zum Beispiel für einen Volumenemitter mit einer 0,25 mm Dicke einem quadratischen Querschnitt von einer 1 mm Kantenlänge kann die eine Hälfte des Lichts über die Vorderseite abgegeben werden und die andere Hälfte über die vier Seitenflächen abgegeben werden. Bevorzugt ist die

Geometrie des Volumenemitters derart gestaltet, dass die Seitenemission gegenüber der Emission über die Vorderseite überwiegt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist der Träger einen Grundkörper auf, der für die im

Betrieb des Volumenemitters erzeugte elektromagnetische

Strahlung durchlässig ausgeführt ist. Insbesondere bildet der Grundkörper einen Hauptbestandteil des Trägers. Zum Beispiel entfallen mindestens 50, 60, 70, 80, 90 oder mindestens 95 Volumen% und/oder Gewicht% des gesamten Trägers auf den

Grundkörper. Es ist möglich, dass die Vorderseite, die

Rückseite und die Seitenflächen des Trägers zumindest

bereichsweise durch eine Vorderseite, eine Rückseite bzw. durch Seitenflächen des Grundkörpers gebildet sind.

Der Träger oder der Grundkörper des Trägers kann ein

Aufwachssubstrat sein, auf dem der Halbleiterkörper

epitaktisch aufgewachsen ist. Zum Beispiel ist das

Aufwachssubstrat ein Saphirsubstrat, ein Siliziumsubstrat, ein SiC-Substrat oder ein Halbleitersubstrat, etwa ein A1N- Substrat .

Es ist möglich, dass der Träger oder der Grundkörper des Trägers verschieden von einem Aufwachssubstrat ist. Zum

Beispiel ist der Grundkörper aus einem

strahlungsdurchlässigen und insbesondere elektrisch

isolierenden Material gebildet. Beispielsweise ist der

Grundkörper ein Quarz- oder Glaskörper. Der Volumenemitter kann frei von einem Aufwachssubstrat sein. Der Träger oder der Grundkörper, der verschieden von einem Aufwachssubstrat ist, kann über eine strahlungsdurchlässige Verbindungsschicht mit dem Halbleiterkörper mechanisch verbunden sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist dieser frei von einer Spiegelschicht, insbesondere frei von einer metallischen Spiegelschicht, die in vertikaler Richtung in einem Übergangsbereich zwischen dem Halbleiterkörper und dem Grundkörper angeordnet ist, insbesondere einen

Reflexionsgrad größer als 30 %, 40 %, 50 %, 60 % oder größer als 70 % aufweist und in Draufsicht mindestens 40 %, 50 %, 60 %, 70 % oder mindestens 80 % der Vorderseite des Grundkörpers oder des Trägers bedeckt. Eine solche Spiegelschicht würde die Einkopplung der von der aktiven Zone erzeugten

elektromagnetischen Strahlung in den Grundkörper verhindern oder zumindest erschweren.

Unter einer vertikalen Richtung wird allgemein eine Richtung verstanden, die quer insbesondere senkrecht, zu einer

Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Die vertikale Richtung ist etwa eine Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers. Unter einer lateralen Richtung wird demgegenüber eine Richtung verstanden, die entlang

insbesondere parallel, zu der Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind insbesondere senkrecht zueinander.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist der Grundkörper hinsichtlich seiner Materialzusammensetzung und/oder seiner vertikalen Schichtdicke derart gestaltet, dass der Grundkörper bezüglich einer Peakwellenlänge der im Betrieb des Volumenemitters erzeugten elektromagnetischen Strahlung einen Transmissionsgrad von mindestens 60 %, 70 %, 80 %, 90 % oder mindestens 95 % aufweist. In diesem

Zusammenhang wird unter einem strahlungsdurchlässigen Körper allgemein ein Körper verstanden, der bezüglich Lichts im sichtbaren Wellenlängenbereich, etwa zwischen 380 nm und 780 nm, zum Beispiel bei 550 nm, einen Transmissionsgrad von mindestens 60 %, 70 %, 80 %, 90 % oder mindestens 95 % aufweist. Zum Beispiel weist der Grundkörper oder der Träger eine vertikale Gesamthöhe auf, die zwischen einschließlich 10 ym und 1 mm ist, insbesondere zwischen einschließlich 50 ym und 500 ym zwischen einschließlich 50 ym und 250 ym. Der Transmissionsgrad ist insbesondere auf die entsprechende vertikale Schichtdicke des strahlungsdurchlässigen Körpers bezogen. Im Zweifel kann der Transmissionsgrad auf einen strahlungsdurchlässigen Körper mit einer vertikalen

Schichtdicke von 1 mm bezogen sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist der Träger, insbesondere der Grundkörper des Trägers, zumindest eine innere Öffnung auf. Zum Beispiel ist die

Öffnung durch Abtragen des Materials des Grundkörpers

gebildet. Die Öffnung weist Innenwände auf, die zur

Richtungsänderung, insbesondere zur Reflexion und/oder zur Streuung, der darauf auftreffenden elektromagnetischen

Strahlung eingerichtet sind. Die Richtungsänderung der auf die innere Öffnung auftreffenden Strahlung kann durch die Beschaffenheit der Oberfläche der Innenwände, durch Streuung, Totalreflexion oder durch einfache Reflexion an den

Innenwänden verursacht sein.

Die innere Öffnung kann einen äußeren Zugang, insbesondere einen einzigen äußeren Zugang aufweisen, der sich etwa auf der Rückseite oder auf der Vorderseite oder auf einer Seitenfläche des Grundkörpers befindet. Es ist möglich, dass die Öffnung mehrere äußere Zugänge auf der Rückseite und/oder auf der Vorderseite und/oder auf den Seitenflächen des

Grundkörpers aufweisen. Aufgrund des äußeren Zugangs oder der äußeren Zugänge ist die innere Öffnung insbesondere nicht vollständig von dem Grundkörper umschlossen. Vielmehr weist die innere Öffnung zumindest einen äußeren Zugang auf, über den die innere Öffnung mit einem Medium zum Beispiel im gasförmigen, flüssigen oder festen Aggregatzustand aufgefüllt werden kann. Abweichend davon ist es möglich, dass die innere Öffnung vom Material des Grundkörpers vollständig umschlossen ist. In diesem Fall weist die innere Öffnung keinen äußeren Zugang auf der Rückseite oder auf der Vorderseite oder auf den Seitenflächen des Grundkörpers auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist ein Verhältnis des Gesamtvolumens der inneren Öffnung oder der inneren Öffnungen zum Volumen des Grundkörpers zwischen einschließlich 0,005 und 1, etwa zwischen einschließlich 0,05 und 1, zum Beispiel zwischen einschließlich 0,1 und 0,9 oder zwischen einschließlich 0,2 und 0,8, etwa zwischen

einschließlich 0,3 und 0,7 oder zwischen einschließlich 0,4 und 0,6. Wird die innere Öffnung zum Beispiel durch

teilweises Entfernen des Materials des ursprünglichen

Grundkörpers gebildet, beträgt das Verhältnis des

Gesamtvolumens der inneren Öffnung zum Volumen des

Grundkörpers 0,1 und 1, wenn zirka 4,76 % beziehungsweise 50 % des Materialanteils des ursprünglichen Grundkörpers

entfernt sind.

In mindestens einer Ausführungsform eines Volumenemitters weist dieser einen Träger und einen auf dem Träger

angeordneten Halbleiterkörper auf. Der Halbleiterkörper ist im Betrieb des Volumenemitters insbesondere zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Der Träger weist einen Grundkörper auf, der bevorzugt für die

elektromagnetische Strahlung, etwa für einen Hauptanteil der vom Hauptkörper emittierten Strahlung mit der

Dominanzwellenlänge, durchlässig ausgeführt ist. Der

Grundkörper weist eine innere Öffnung auf, deren Innenwände zur Reflexion und/oder zur Streuung der darauf auftreffenden elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind.

Wird die im Betrieb des Volumenemitters erzeugte

elektronische Strahlung in den Träger eingekoppelt und trifft die Strahlung auf die innere Öffnung auf, erfährt diese an den Innenwänden der inneren Öffnung eine Richtungsänderung, die insbesondere dazu führt, dass die elektronische Strahlung wieder in die Vorwärtsrichtung, das heißt in Richtung der Vorderseite des Volumenemitters abgelenkt oder reflektiert wird. Auch Strahlungsanteile, die aufgrund von

Totalreflexionen insbesondere an den Seitenflächen des

Grundkörpers oder des Trägers zunächst nicht aus dem

Volumenemitter ausgekoppelt werden, können auf die innere Öffnung auftreffen, erfahren an den Innenwänden der Öffnung eine Richtungsänderung und treffen erneut auf die

Seitenflächen des Grundkörpers oder des Trägers allerdings unter einem Winkel kleiner als der Grenzwinkel und können dann aus dem Volumenemitter ausgekoppelt werden. Aufgrund der Anwesenheit der inneren Öffnung kann erzielt werden, dass eine Reflexion oder eine Rückstreuung der auf die Öffnung auftreffenden elektromagnetischen Strahlung in eine

Vorwärtsrichtung, also in Richtung des Halbleiterkörpers, begünstigt wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen Zugangskanal und einen zentralen Bereich auf, wobei sich der Zugangskanal von einem Zugang der inneren Öffnung auf einer Vorderseite, Rückseite oder auf einer Seitenfläche des Grundkörpers ins Innere des Grundkörpers hinein erstreckt. Der zentrale Bereich ist mit dem Zugangskanal verbunden ist, wobei der zentrale Bereich im Vergleich zu dem Zugangskanal einen vergrößerten Querschnitt aufweist. Insbesondere ist ein mittlerer Querschnitt des zentralen Bereichs mindestens zweimal so groß wie ein entsprechender mittlerer Querschnitt des zugehörigen

Zugangskanals .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters sind die Innenwände der Öffnung mit einem

strahlungsreflektierenden Material beschichtet. Anders ausgedrückt sind die Innenwände der Öffnung verspiegelt, zum Beispiel metallisch verspiegelt. Insbesondere sind die

Innenwände mit einem Metall wie Ag, Al, Pt, Au oder Rh oder mit einem anderen hochreflektierenden Metall oder

metallischen Material beschichtet. Insbesondere bilden die Innenwände mit der metallischen Beschichtung eine innere Reflexionsschicht, deren Reflexionsgrad bezüglich der

Dominanzwellenlänge der im Betrieb des Volumenemitters erzeugten Strahlung mindestens 70 %, 75 %, 80 %, 85 %, 90 % oder mindestens 95 % ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters sind die Innenwände der Öffnung mit einem dielektrischen Material beschichtet. Mit anderen Worten sind die Innenwände der Öffnung dielektrisch verspiegelt. Insbesondere weist das dielektrische Material einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als ein Brechungsindex des Grundkörpers. Es ist möglich, dass die Innenwände der Öffnung mit mehreren insbesondere alternierenden dielektrischen Schichten verschiedener

Brechungsindizes beschichtet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters sind die Innenwände der Öffnung aufgeraut. Die Innenwände weisen zum Beispiel Streustrukturen auf. Die Innenwände der Öffnung sind insbesondere als strukturierte innere

Oberflächen des Grundkörpers ausgeführt. Unter einer

strukturierten Fläche wird allgemein eine Fläche verstanden, die nicht glatt ausgebildet ist sondern Strukturen aufweist, insbesondere Streustrukturen, die elektromagnetische

Strahlungen insbesondere im sichtbaren Wellenlängenbereich streuen. Zum Beispiel sind die Innenwände mikro- oder

nanostrukturiert . Die Innenwände können Streustrukturen etwa in Form von Erhebungen oder Vertiefungen aufweisen, deren Höhe und/oder Breite zwischen einschließlich 100 nm und 1 ym oder zwischen einschließlich 1 ym und 10 ym oder zwischen einschließlich 1 ym und 30 ym sind/ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist die Öffnung ein mit einem gasförmigen Medium gefüllter

Hohlraum. Das gasförmige Medium kann Luft, insbesondere

Umgebungsluft sein. Das gasförmige Medium weist einen

Brechungsindex auf, der insbesondere um mindestens 0,5, 0,7, 1,0, 1,3, 1,5 oder um mindestens 1,7 kleiner ist als ein Brechungsindex des Grundkörpers. Aufgrund des großen

Brechungsindexsprungs an der Übergangszone zwischen dem

Grundkörper und der inneren Öffnung, insbesondere an den beschichteten oder unbeschichteten Innenwänden der Öffnung, kann ein größerer Anteil der auf die innere Öffnung

auftreffenden Strahlung aufgrund von Totalreflexionen in die Vorwärtsrichtung umgelenkt oder reflektiert werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist die Öffnung ein mit einem Metall gefüllter Hohlraum. Der Hohlraum kann teilweise oder vollständig mit dem Metall gefüllt sein. Das Metall kann Cu, Al, Ni, Legierungen davon oder ein anderes ähnlich thermisch hochleitendes Material sein. Die metallische Füllung der Öffnung dient insbesondere der thermischen Abfuhr, also der Entwärmung, während des Betriebs des Volumenemitters. Insbesondere steht der

Halbleiterkörper in keiner Weise mit der Füllung der inneren Öffnung im elektrischen Kontakt. Die Füllung der inneren Öffnung ist insbesondere nicht zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers vorgesehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist die Öffnung ein mit einem Vergussmaterial gefüllter Hohlraum. Das Vergussmaterial kann ein gießbares Material, etwa ein Kunstharz, sein. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die Innenwände der Öffnung metallisch oder dielektrisch

ausgekleidet beziehungsweise verspiegelt sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist der Träger oder der Grundkörper eine dem

Halbleiterkörper zugewandte Vorderseite und eine dem

Halbleiterkörper abgewandte Rückseite auf, wobei sich die innere Öffnung entlang der vertikalen Richtung von der

Rückseite in den Grundkörper hinein und nicht bis zu der Vorderseite erstreckt. Die Öffnung weist Zum Beispiel einen rückseitigen Zugang auf, also einen Zugang an der Rückseite, über den Medium im gasförmigen oder im flüssigen

Aggregatzustand ins Innere der Öffnung eingeführt werden kann. Die innere Öffnung ist insbesondere als Ausnehmung des Grundkörpers oder des Trägers ausgeführt und weist die Form eines Sacklochs auf. Insbesondere weist die innere Öffnung keinen weiteren Zugang an der Vorderseite oder an den

Seitenflächen des Grundkörpers oder des Trägers auf.

Alternativ ist es möglich, dass sich die innere Öffnung entlang der vertikalen Richtung von der Vorderseite in den Grundkörper hinein und nicht bis zu der Rückseite erstreckt. In diesem Fall weist die innere Öffnung einen vorderseitigen Zugang auf. Insbesondere weist die innere Öffnung keinen weiteren Zugang an der Rückseite oder an den Seitenflächen des Grundkörpers oder des Trägers auf.

Es ist jedoch möglich, dass sich die innere Öffnung entlang der vertikalen Richtung von der Vorderseite durch den

Grundkörper oder den Träger hindurch bis zu der Rückseite erstreckt. In diesem Fall weist die innere Öffnung sowohl einen vorderseitigen Zugang als auch einen rückseitigen Zugang auf. Die innere Öffnung ist insbesondere als

Aussparung des Grundkörpers oder des Trägers ausgeführt und weist die Form eines Durchlochs auf. Zum Beispiel weist die innere Öffnung keinen weiteren Zugang an den Seitenflächen des Grundkörpers oder des Trägers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist der Träger oder der Grundkörper eine sich entlang der vertikalen Richtung erstreckende Seitenfläche auf, wobei sich die innere Öffnung entlang der lateralen Richtung von der Seitenfläche lediglich in den Grundkörper hinein erstreckt. Die innere Öffnung weist in diesem Fall einen seitlichen Zugang auf. Insbesondere befindet sich kein weiterer Zugang der inneren Öffnung an derselben Seitenfläche und an der Vorder- und Rückseite des Grundkörpers. Die innere Öffnung bildet zum Beispiel eine seitliche Ausnehmung des

Grundkörpers . Der Grundkörper oder der Träger kann mehrere Seitenflächen aufweisen, die sich entlang der vertikalen Richtung

erstrecken, wobei sich die innere Öffnung entlang der

lateralen Richtung von einer der Seitenflächen, etwa von einer ersten Seitenfläche, durch den Grundkörper oder den Träger hindurch bis zu einer anderen der Seitenflächen, etwa bis zu einer der ersten Seitenfläche gegenüberliegenden zweiten Seitenfläche, erstreckt. Die innere Öffnung weist in diesem Fall die Form einer seitlichen Aussparung mit

mindestens zwei Zugängen an den Seitenflächen des

Grundkörpers auf. Insbesondere befindet sich kein weiterer Zugang der Öffnung an der Vorderseite oder an der Rückseite des Grundkörpers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen sich lateral erstreckenden Querschnitt, also einen lateralen Querschnitt, auf, dessen Größe und/oder Geometrie entlang der vertikalen Richtung variieren/variiert. Der laterale Querschnitt der Öffnung kann die mittig angeordneten Achse enthalten oder parallel zu der mittig angeordneten Achse verlaufen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen sich vertikal erstreckenden Querschnitt, also einen vertikalen Querschnitt, auf, dessen Größe und/oder Geometrie entlang der lateralen Richtung variieren/variiert. Die mittig angeordnete Achse ist

insbesondere senkrecht zu dem vertikalen Querschnitt der Öffnung gerichtet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen Zugangskanal auf. Der

Zugangskanal erstreckt sich zum Beispiel von einem Zugang der Öffnung auf der Vorderseite, Rückseite oder auf der

Seitenfläche des Grundkörpers ins Innere des Grundkörpers hinein. Bei einem vorderseitigen oder rückseitigen Zugang kann ein lateraler Querschnitt des Zugangskanals mit

zunehmenden Abstand vom Zugang konstant bleiben oder

bereichsweise _Z uwachsen oder abnehmen. Bei einem seitlichen Zugang kann ein vertikaler Querschnitt des Zugangskanals mit zunehmenden Abstand vom Zugang ebenfalls konstant bleiben oder bereichsweise anwachsen oder abnehmen. Es ist möglich, dass die innere Öffnung genau einen solchen Zugangskanal, genau zwei solche Zugangskanäle oder mehrere solche

Zugangskanäle aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen zentralen Bereich auf, der mit zumindest einem Zugangskanal oder mit genau zwei oder mit mehreren Zugangskanälen verbunden sind. Im Vergleich zu dem Zugangskanal oder zu den Zugangskanälen weist der zentrale Bereich einen vergrößerten Querschnitt auf. Zum Beispiel ist ein mittlerer Querschnitt des zentralen Bereichs mindestens zweimal, dreimal, viermal oder mindestens fünfmal so groß wie ein entsprechender mittlerer Querschnitt des zugehörigen Zugangskanals oder der zugehörigen Zugangskanäle.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist dieser eine mittig angeordnete Achse auf, die senkrecht zum Grundkörper und zum Halbleiterkörper gerichtet ist.

Insbesondere durchstößt die mittig angeordnete Achse einen geometrischen Mittelpunkt oder einen Massenmittelpunkt des Grundkörpers oder des Halbleiterkörpers oder befindet sich in unmittelbarer Nähe eines solchen geometrischen Mittelpunktes oder Massenmittelpunktes. Die innere Öffnung weist einen sich vertikal erstreckenden Querschnitt auf, der insbesondere symmetrisch zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt ist.

Ein Querschnitt der inneren Öffnung ist symmetrisch zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt, wenn die Öffnung im Rahmen der Herstellungstoleranzen insbesondere derart ausgebildet ist, dass der Querschnitt der inneren Öffnung die mittig angeordnete Achse enthält oder parallel zu der mittig angeordneten Achse verläuft und bezüglich der mittig

angeordneten Achse zum Beispiel eine Achsensymmetrie oder eine Spiegelsymmetrie aufweist. Insbesondere kann die Öffnung mehrere Querschnitte aufweisen, die symmetrisch zu derselben mittig angeordneten Achse ausgeführt sind und in Draufsicht auf den Grundkörper sich unter einem spitzen Winkel von mindestens 5°, 10°, 20°, 30° oder von mindestens 40°

schneiden. Es ist möglich, dass die innere Öffnung insgesamt rotationsymmetrisch zu der mittig angeordneten Achse

ausgeführt ist. In diesem Fall weist ein beliebiger

vertikaler Querschnitt der inneren Öffnung, der die mittig angeordnete Achse enthält oder parallel zu der mittig

angeordneten Achse verläuft eine Spiegelsymmetrie auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters weist die innere Öffnung einen zentralen Bereich und

zumindest einen mit dem zentralen Bereich verbundenen

Zugangskanal auf, wobei der zentrale Bereich symmetrisch zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt ist. Die Öffnung kann mehrere Zugangskanäle aufweisen. Es ist möglich, dass der zentrale Bereich im Wesentlichen, also im Rahmen der Herstellungstoleranzen, achsensymmetrisch, insbesondere rotationssymmetrisch zu der mittig angeordneten Achse

ausgeführt ist. Eine derart symmetrische Gestaltung der inneren Öffnung kann zu einer besonders homogenen Strahlungsverteilung in lateralen Richtungen führen. Es ist denkbar, dass der Zugangskanal oder die Zugangskanäle

symmetrisch zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt oder angeordnet ist/sind, etwa rotationssymmetrisch oder zumindest achsensymmetrisch oder spiegelsymmetrisch.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Volumenemitters ist die innere Öffnung die einzige Öffnung des Grundkörpers oder des Trägers. Es ist jedoch möglich, dass der Grundkörper mehrere innere Öffnungen aufweist, deren Anordnung und/oder Geometrien derart ausgeführt sind/ist, dass eine Reflexion oder eine Rückstreuung der auf die Öffnungen auftreffenden elektromagnetischen Strahlung in Richtung des

Halbleiterkörpers begünstigt wird. Zum Beispiel ist/sind die Öffnung/en bezüglich ihrer Geometrie und/oder Anordnung derart ausgeführt, dass im Betrieb des Volumenemitters mehr als 50 % der auf die Öffnung/en auftreffenden

Strahlungsintensitäten in Richtung des Halbleiterkörpers zurückreflektiert oder gestreut werden. Die Öffnungen sind somit vorzugsweise so geformt, dass mehr Licht über die

Vorderseite und/oder über die Seitenflächen des

Volumenemitters ausgekoppelt wird.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Volumenemitters, insbesondere eines hier beschriebenen Volumenemitters oder einer Mehrzahl von hier beschriebenen Volumenemittern, wird der

strahlungsdurchlässige Grundkörper vor der Erzeugung der inneren Öffnung/en mittels Laserstrahlung lokal modifiziert. Zur Ausbildung der inneren Öffnung/en wird das modifizierte Material des Grundkörpers insbesondere durch einen

Ätzschritt, etwa durch einen nasschemischen Ätzschritt, selektiv entfernt. Es hat sich herausgestellt, dass solche Verfahrensschritte für die Ausbildung von inneren Öffnungen in einem Quarz-, Glas- oder in einem Saphirsubstrat besonders geeignet sind.

Der Zugang insbesondere für das Ätzmedium kann auf der

Rückseite, auf der Vorderseite oder auf einer Seitenfläche des Grundkörpers platziert werden. Wird der zeitliche Zugang gewählt, kann der Ätzschritt zum Beispiel mit einem

Vereinzelungsschritt zur Vereinzelung eines

Volumememitterverbunds in eine Mehrzahl von Volumenemittern kombiniert werden. Insbesondere kann der Ätzschritt zur

Ausbildung der inneren Öffnung/en mit dem Ätzschritt zur Erzeugung von Vereinzelungsgräben zwischen den zu trennenden Volumenemittern kombiniert werden. Bei einem Ätzschritt kann/können die Öffnung/en bereichsweise eine konvexe oder konkave Form aufweisen. Auch kann/können die Öffnung/en andere Formen aufweisen. Die Form der Öffnung kann durch gezielte lokale Bestrahlung von Laserlicht zur Modifizierung des Materials des Körpers vorgegeben sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Grundkörper ein strahlungsdurchlässiges Aufwachssubstrat, auf dem der Halbleiterkörper epitaktisch aufgewachsen wird. Zum Beispiel basiert der Halbleiterkörper auf einem III-V- oder auf einem II-VI-Halbleiterverbindungsmaterial, das

insbesondere unmittelbar auf dem Grundkörper abgeschieden wird. Zum Beispiel basiert der Halbleiterkörper auf InGaP, InGaAlP, GaN, AlGaN und/oder AlGalnN. Der Volumenemitter kann einen Halbleiterkörper basierend auf AlGalnN und einen

Grundkörper aus Saphir, einen Halbleiterkörper basierend auf AlGaln und einen Grundkörper aus SiC oder einen

Halbleiterkörper basierend auf AlGalnN und einen Grundkörper aus A1N aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Grundkörper verschieden von einem Aufwachssubstrat, auf dem der Halbleiterkörper epitaktisch aufgewachsen ist. Zum

Beispiel wird der Träger oder der Grundkörper erst nach der Epitaxie auf dem Halbleiterkörper befestigt. Der

Halbleiterkörper ist insbesondere in der vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Grundkörper angeordnet. Es ist möglich, dass das Aufwachssubstrat nachträglich von dem Halbleiterkörper entfernt wird. Auch ist es möglich, dass das Aufwachssubstrat am fertiggestellten Volumenemitter verbleibt. Zum Beispiel kann das Aufwachssubstrat nach der Befestigung des Halbleiterkörpers am Grundkörper gedünnt werden. Der strahlungsdurchlässige Träger oder Grundkörper ist somit verschieden von dem Aufwachssubstrat und kann mittels einer Verbindungsschicht, insbesondere mittels einer strahlungsdurchlässigen Verbindungsschicht, an dem

Halbleiterkörper befestigt sein.

Insgesamt kann/können die innere Öffnung/en vor oder nach der Epitaxie erzeugt werden. Die Öffnung/en kann/können mit einem hochreflektierenden Material, etwa mit einem Metall,

beschichtet oder aufgefüllt werden. Zum Beispiel kann dies über molekularorganische Vorstufen in einer der Varianten chemischer Dampfphasenabscheidung erfolgen. Ist eine Erhöhung der Wärmeabfuhr erwünscht, kann/können die innere Öffnung/en mit einem Metall wie Kupfer oder mit einem anderen thermisch hochleitenden Material aufgefüllt werden.

Das oben beschriebene Verfahren ist zur Herstellung eines hier beschriebenen Volumenemitters besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Volumenemitter beschriebenen Merkmale können daher für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt . Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Volumenemitters oder des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den

Figuren 1 bis 5 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

Figur 1 ein Vergleichsbeispiel eines Volumenemitters mit einem Träger ohne eine innere Öffnung in schematischer vertikaler Schnittansicht,

Figuren 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H, 21, 2J, 2K, 2L, 2M und 2N schematische Darstellungen verschiedener

Ausführungsbeispiele eines Volumenemitters jeweils in

vertikaler Schnittansicht oder in Draufsicht, und

Figuren 3A, 3B, 4, 5A und 5B schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele eines Volumenemitters in vertikalen und lateralen Schnittansichten oder in Draufsicht. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur

Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.

In Figur 1 ist ein Vergleichsbeispiel eines Volumenemitters 10 mit einem Halbleiterkörper 2 schematisch dargestellt, wobei der Halbleiterkörper 2 auf einem Träger 1 des

Volumenemitters 10 angeordnet ist. Der Halbleiterkörper 2 weist eine optisch aktive Zone 23 auf, die im Betrieb des Volumenemitters 10 zur Erzeugung elektromagnetischer

Strahlung R eingerichtet ist.

Der Träger 1 weist einen Grundkörper IG auf, der

strahlungsdurchlässig ausgeführt ist. Im Betrieb des Volumenemitters 10 kann die von der optisch aktiven Zone 23 emittierte Strahlung R in den Grundkörper IG eingekoppelt werden. Insbesondere befindet sich kein weiteres

Trägerelement zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1, sodass zumindest ein Teil der im Betrieb des

Volumenemitters 10 erzeugte Strahlung R unmittelbar oder im Wesentlichen unmittelbar, etwa bis auf eine

strahlungsdurchlässige Verbindungsschicht, in den Träger 1 oder in den Grundkörper IG eingekoppelt werden kann.

Insbesondere ist der Volumenemitter 10 ein Halbleiterchip, dessen Chipträger der Träger 1 ist.

Der Halbleiterkörper 2 weist eine dem Träger 1 abgewandte Vorderseite auf, die insbesondere die Vorderseite 10V des Volumenemitters 10 bildet. Der Träger 1 oder der Grundkörper IG weist eine dem Halbleiterkörper 2 zugewandte Vorderseite IV und eine dem Halbleiterkörper 2 abgewandte Rückseite IR auf, wobei die Rückseite IR zum Beispiel die Rückseite 10R des Volumenemitters 10 bildet. Die Seitenflächen 10S des Volumenemitters 10 können bereichsweise durch Seitenflächen IS des Trägers 1 oder des Grundkörpers IG und bereichsweise durch Seitenflächen des Halbleiterkörpers 2 gebildet sein.

Es ist möglich, dass die von der optisch aktiven Zone 23 emittierte Strahlung R über die Vorderseite 10V, die

Seitenflächen 10S und/oder über die Rückseite 10R aus dem Volumenemitter 10 ausgekoppelt werden kann. In der Figur 1 wird schematisch dargestellt, dass es bei einem

Volumenemitter 10 _V orkommen kann, dass zumindest ein Teil der erzeugten elektromagnetischen Strahlung R nicht direkt, sondern aufgrund von Totalreflexionen erst nach

Mehrfachreflexionen aus dem Volumenemitter 10 ausgekoppelt wird oder sogar solange im Volumenemitter 10 bleibt, bis dieser Teil der Strahlung R absorbiert wird. Zur Erzielung einer hohen Effizienz des Volumenemitters 10 ist dieser

Effekt nicht erwünscht.

In den Fällen, bei denen die Rückseite 10R als Montagefläche des Volumenemitters 10 ausgeführt ist und der Volumenemitter 10 zum Beispiel auf einem strahlungsundurchlässigen Substrat montiert ist, kann die Rückseite 10R verspiegelt sein. Zum Beispiel ist auf der Rückseite 10R eine Spiegelschicht aufgebracht. Bei einer Reflexion an einer Spiegelschicht ist der Einfallswinkel jedoch genauso groß wie der Ausfallwinkel. Bei der Totalreflexion ist es ganz analog, sodass es sich durch die Spiegelschicht zumindest in den Fällen nicht viel ändert, bei denen der Einfallswinkel größer ist als der

Grenzwinkel der Totalreflexion.

Im Unterschied zu dem in der Figur 1 dargestellten

Vergleichsbeispiel weist der Grundkörper IG oder der Träger 1 oder des Volumenemitters 10 gemäß Figur 2A eine innere

Öffnung 3 auf. Die Öffnung 3 kann ein mit einem gasförmigen Medium, etwa mit Luft, oder mit einem Medium im festen

Aggregatzustand, etwa mit einem Metall oder mit einem

Vergussmaterial, gefüllt sein. Die Füllung 4 der inneren Öffnung 3 kann somit Luft, Metall, Vergussmaterial, Keramik oder ein anderer Kunststoff sein.

Ist die Öffnung 3 mit einem Metall oder mit einem thermisch hochleitenden Material gefüllt, kann die innere Öffnung 3 zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit beitragen und so die Abfuhr der verbleibenden Verlustwärme verbessern, ohne mögliche elektrische Isolation zwischen dem Volumenemitter und einer Wärmesenke zu beeinträchtigen. Ist die Öffnung 3 nur

teilweise mit einem festen Material oder nur mit Luft gefüllt, kann die Öffnung 3 außerdem als Reservoir für überschüssiges Verbindungsmaterial, etwa für Lotmaterial oder Klebstoff, dienen, wenn der Volumenemitter 10 mittels des Verbindungsmaterials auf einem weiteren Substrat, etwa auf einer Leiterplatte, befestigt wird. Auch kann die Öffnung 3 helfen, dünne Klebefugen zu realisieren oder durch effektive Verzahnung die mechanische Ankopplung des Volumenemitters 10 an die Wärmesenke zu verbessern.

Die Öffnung 3 weist Innenwände 3W auf, die gekrümmt, etwa konkav oder konvex gekrümmt ausgebildet sind. Abweichend davon können die Innenwände 3W zumindest bereichsweise flach ausgebildet sein. Außerdem können die Innenwände 3W

strukturiert ausgeführt sein. Die Innenwände 3W können zusätzlich verspiegelt sein, zum Beispiel metallisch oder dielektrisch verspiegelt. Die Öffnung 3 weist auf der

Rückseite IR des Grundkörpers IG beziehungsweise auf der Rückseite 10R des Volumenemitters 10 einen Zugang 3Z auf. Die gesamte innere Öffnung 3 ist als Zugangskanal 3K mit dem rückseitigen Zugang 3Z ausgeführt. Insbesondere kann über den Zugang 3Z ein Ätzmittel in den Grundkörper IG zur Erzeugung der inneren Öffnung 3 eingeleitet werden. Nach der Erzeugung der Öffnung 3 kann wiederum ein Füllmaterial über den Zugang 3Z in die Öffnung 3 hinein geführt werden.

In Figur 2A ist ein vertikaler Querschnitt 3QV der Öffnung 3 dargestellt. Insbesondere ist der vertikale Querschnitt 3QV symmetrisch, etwa spiegelsymmetrisch zu einer mittig

angeordneten Achse 1A ausgeführt. Insbesondere ist die gesamte Öffnung 3 symmetrisch, insbesondere achsensymmetrisch oder rotationsymmetrisch zu der mittig angeordneten Achse 1A ausgeführt. Die innere Öffnung 3 kann die Form einer

Halbkugel oder einer Teilkugel aufweisen. Die innere Öffnung 3 kann andere Formen annehmen, etwa die Form einer Pyramide, Stumpfpyramide oder die Form eines Quaders, eines Kegels oder eines Zylinders.

Wie in der Figur 2A schematisch dargestellt, wird die im Betrieb des Volumenemitters 10 erzeugte Strahlung R an den Innenwänden 3W der Öffnung 3 in Richtung der Vorderseite IV oder 10V reflektiert oder gestreut. Aufgrund der

Beschaffenheit oder der Geometrie der Innenwände 3W kann erzielt werden, dass mehr Licht über die Vorderseite IV oder 10V oder über die Seitenflächen 10S ausgekoppelt wird. Das bedeutet, dass mehr Licht aufgrund der Anwesenheit der inneren Öffnung 3 in den gewünschten Auskoppelkegel

reflektiert oder gestreut werden kann. Die innere Öffnung 3 kann mit entsprechender Gestaltung genutzt werden, die

Abstrahlcharakteristik des Volumenemitters 10 gezielt zu beeinflussen .

In Figur 2A ist der Halbleiterkörper 2 schematisch

dargestellt. Die aktive Zone 23 kann in vertikaler Richtung zwischen einer ersten Halbleiterschicht 21 und einer zweiter Halbleiterschicht 22 angeordnet sein, wobei die erste

Halbleiterschicht 21 und die zweite Halbleiterschicht 22 p- leitend beziehungsweise n-leitend ausgebildet sind, oder umgekehrt .

Zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21, die dem Träger 1 abgewandt ist, kann der Volumenemitter 10 eine Anschlussstelle 2T auf der Vorderseite 10V aufweisen. Insbesondere über einen Bonddraht 2D kann die Anschlussstelle 2T an einer externen Spannungsquelle angeschlossen werden.

Die Anschlussstelle 2T kann die Vorderseite 10V bereichsweise bedecken und ist oft aus einem strahlungsundurchlässigen Material gebildet. Die innere Öffnung 3 kann derart gestaltet sein, dass reflektiertes oder gestreutes Licht nicht auf die Anschlussstelle 2T auftrifft oder dass ein solcher

Lichteinfall möglichst vermieden wird. Die innere Öffnung 3 kann somit helfen, die Absorptionsverluste an der

Anschlussstelle 2T zu verringern.

Dies gilt analog für die weitere Anschlussstelle 2T, die für die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht

22 eingerichtet ist und insbesondere in der vertikalen

Richtung teilweise zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1 angeordnet ist. In Draufsicht kann die aktive Zone

23 die weitere Anschlussstelle 2T teilweise oder vollständig bedecken. Die weitere Anschlussstelle 2T oder die weiteren Anschlussstellen 2T kann/können auf einer dem Träger 1 zugewandten oder abgewandten Oberfläche der zweiten

Halbleiterschicht 22 angeordnet sein. Ist/sind die weitere/n Anschlussstelle/n 2T auf einer dem Träger 1 abgewandten

Oberfläche, also auf einer der ersten Halbleiterschicht 21 zugewandten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 22 angeordnet, kann die zweite Halbleiterschicht 22 in

Draufsicht seitlich über die erste Halbleiterschicht 21 hinausragen. Die weitere Anschlussstelle 2T kann somit seitlich der Halbleiterschicht 21 oder seitlich der aktiven Zone 23 angeordnet sein.

Abweichend von den in den Figur 2A dargestellten

Anschlussstellen 2T ist es denkbar, dass transparente

elektrisch leitfähige Anschlussschichten für die elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichten 21 und/oder 22

verwendet werden können. Zum Beispiel ist eine transparente Anschlussschicht insbesondere aus einem transparenten

elektrisch leitfähigen Material zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1 zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22 angeordnet. Eine solche transparente Anschlussschicht kann auch auf der Vorderseite 10V zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein.

Das in der Figur 2B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 einen vertikalen

viereckigen Querschnitt 3QV auf. Die innere Öffnung 3 kann die Form eines Quaders oder eines Zylinders aufweisen.

Entlang der vertikalen Richtung kann der Querschnitt 3QV der inneren Öffnung 3 bezüglich seiner Größe und/oder Geometrie unverändert bleiben. Die Innerwände 3W verlaufen im

Wesentlichen senkrecht oder parallel zu der

Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers 2.

Das in der Figur 2C dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2B dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu nimmt der laterale Querschnitt 3QV der inneren Öffnung

3 mit zunehmenden Abstand vom Halbleiterkörper 2 zu. Die innere Öffnung 3 kann die Form eines Stumpfkegels oder einer Stumpfpyramide aufweisen. Die Innerwände 3W verlaufen

bereichsweise schräg oder senkrecht zu der

Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers 2.

Das in der Figur 2D dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2C dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist ein mittlerer Teil des Grundkörpers IG nicht entfernt, wobei der mittlere Teil von der inneren Öffnung 3 oder von den inneren Öffnungen 3 lateral begrenzt ist. Die innere Öffnung 3 kann die Form eines Stumpfhohlkegels oder einer Stumpfhohlpyramide aufweisen. Auch ist es möglich, dass der Grundkörper IG oder der Träger 1 gemäß Figur 2D mehrere innere Öffnungen 3 aufweisen, die voneinander lateral

beabstandet sind. Insbesondere können die Öffnungen 3

weiterhin um die mittig angeordnete Achse 1A symmetrisch ausgeführt oder angeordnet sein.

Das in der Figur 2E dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2B dargestellten Ausführungsbeispiel. Sowohl in der Figur 2E als auch in der Figur 2B weist die innere Öffnung 3 einen Zugangskanal 3K mit einem rückseitigen Zugang 3Z auf.

Im Unterschied zur Figur 2B weist die innere Öffnung 3 zusätzlich einen zentralen Bereich 3M auf, der einen größeren Querschnitt und/oder eine andere Geometrie als der

Zugangskanal 3K aufweist, wobei der zentrale Bereich 3M mit dem Zugangskanal 3K verbunden ist. Im vertikalen Querschnitt 3QV weist der zentrale Bereich 3M die Form eines Dreiecks, insbesondere die Form eines gleichschenkligen Dreiecks auf.

In drei Dimensionen kann der Bereich 3M die Form eines

Kegels, insbesondere eines Kreiskegels, die Form einer

Pyramide oder anderen Formen aufweisen.

Das in der Figur 2F dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2E dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der zentrale Bereich 3M im Querschnitt 3QV insbesondere die Form eines Kreises oder einer Ellipse auf.

In drei Dimensionen kann der zentrale Bereich 3M die Form einer Kugel oder eines Ellipsoids aufweisen. Das in der Figur 2G dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2E dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Grundkörper IG im Querschnitt 3QV mindestens zwei Zugangskanäle 3K auf, die mit dem zentralen Bereich 3M verbunden sind. Die zwei Zugangskanäle 3K sind insbesondere Kanäle, die sich sich entlang der vertikalen Richtung

erstrecken und jeweils einen rückseitigen Zugang 3Z

aufweisen .

Das in der Figur 2H dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2F dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 keinen Zugangskanal 3K mit einem rückseitigen Zugang 3Z auf. Die innere Öffnung 3 gemäß Figur 2H weist einen sich lateral erstreckenden Zugangskanal 3K mit lateralen Zugängen 3Z auf den Seitenflächen IS des Grundkörpers IG auf. Über den vertikalen Zugangskanal 3K oder über mehrere vertikale Zugangskanäle 3K ist der laterale Zugangskanal 3K mit dem zentralen Bereich 3M der inneren Öffnung 3 verbunden.

Das in der Figur 21 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2E dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 gemäß Figur 21 keinen

Zugangskanal 3K mit einem rückseitigen Zugang 3Z auf. Analog zur Figur 2H weist die innere Öffnung 3 einen sich lateral erstreckenden Zugangskanal 3K mit lateralen Zugängen 3Z auf den Seitenflächen IS des Grundkörpers IG auf. Über einen vertikalen Zugangskanal 3K ist der laterale Zugangskanal 3K mit dem zentralen Bereich 3M der inneren Öffnung 3 verbunden. Das in der Figur 2J dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 21 dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 im Querschnitt 3QV

lediglich einen einzigen lateralen Zugangskanal 3K mit einem seitlichen Zugang 3Z auf. Abweichend davon kann die innere Öffnung 3 mehrere solche laterale Zugangskanäle 3K aufweisen.

Das in der Figur 2K dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2J dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 mehrere laterale

Zugangskanäle 3K jeweils mit einem lateralen Zugang 3Z auf. Außerdem ist weist die innere Öffnung 3 mehrere zentrale Bereiche 3M auf, die um die mittig angeordnete Achse 1A symmetrisch angeordnet sein können und insbesondere mit den lateralen Zugangskanälen 3K verbunden sind.

Das in der Figur 2L dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2K oder 21 dargestellten Ausführungsbeispiel, wobei der Volumenemitter 10 in Figur 2L in Draufsicht dargestellt ist. In Draufsicht weist der zentrale Bereich 3M einen Grundriss auf, der die Form eines Vierecks, Rechtecks, Quadrats,

Kreises oder einer Ellipse andere Formen annehmen kann.

Das in der Figur 2M dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2F dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 einen Zugangskanal 3K mit einem vorderseitigen Zugang 3Z auf der Vorderseite IV des Grundkörpers IG auf. Der vorderseitige Zugang 3Z befindet sich somit zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1. Das in der Figur 2N dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2M dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die innere Öffnung 3 sowohl einen Zugangskanal 3K mit einem vorderseitigen Zugang 3Z auf der Vorderseite IV des Grundkörpers IG als auch einen Zugangskanal 3K mit einem rückseitigen Zugang 3Z auf der Rückseite IR des Grundkörpers IG auf.

In allen Ausführungsbeispielen in den Figuren 2A bis 2N kann die Öffnung 3 ein mit Luft oder mit einem festen Material gefüllter Hohlraum des Grundkörpers IG sein, wobei die

Innerwände 3W zusätzlich verspiegelt sein können. In allen Ausführungsbeispielen kann die gesamte innere Öffnung 3 oder zumindest der zentrale Bereich 3M der Öffnung 3 symmetrisch, etwa achsen-, Spiegel- oder rotationssymmetrisch, zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt sein. Auch können die Zugangskanäle und/oder mehrere zentrale Bereiche 3M der Öffnung 3 symmetrisch, etwa achsen-, Spiegel- oder

rotationssymmetrisch, zu der mittig angeordneten Achse ausgeführt oder angeordnet sein.

Das in der Figur 3A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht dem in der Figur 2D

dargestellten Ausführungsbeispiel. In der Figur 3A sind zusätzlich einige laterale Querschnitte 3QL der inneren Öffnung 3 dargestellt. Gemäß Figur 3A kann die Öffnung 3 als zusammenhängende Öffnung 3, insbesondere als einzige Öffnung 3 des Grundkörpers IG ausgeführt sein. Wie in den Figuren 3A dargestellt, kann der Grundkörper IG laterale Querschnitte 3QL aufweisen, die nicht einfachzusammenhängend oder nicht zusammenhängend sind. Der gesamte Grundkörper IG kann jedoch weiterhin zusammenhängend ausgebildet sein. Das in der Figur 3B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht dem in der Figur 2D

dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied zur Figur 3A weist der Grundkörper IG zwei lateral beabstandete

Öffnungen 3 auf. Die Öffnungen 3 können jeweils als

Zugangskanal 3K mit einem rückseitigen Zugang 3Z ausgeführt sein. Der laterale Querschnitt 3QL der jeweiligen Öffnungen 3 nimmt insbesondere mit zunehmenden Abstand zum

Halbleiterkörper 2 zu.

Das in der Figur 4 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht dem in der Figur 2G

dargestellten Ausführungsbeispiel, wobei analog zur Figur 3A einige laterale Querschnitte 3QL der inneren Öffnung 3 insbesondere in Region der Zugangskanäle 3K und in Region des zentralen Bereichs 3M dargestellt sind.

Das in der Figur 5A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht dem in der Figur 2H

dargestellten Ausführungsbeispiel, wobei analog zur Figur 4 einige laterale Querschnitte 3QL der inneren Öffnung 3 insbesondere in Region der Zugangskanäle 3K und in Region des zentralen Bereichs 3M dargestellt sind. Gemäß Figur 5A kann die Öffnung 3 zwei voneinander beanstandete vertikale

Zugangskanäle 3K aufweisen, über die der zentrale Bereich 3M mit einem lateralen Zugangskanal 3K verbunden ist.

Das in der Figur 5B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Volumenemitters 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist es möglich, das die Öffnung 3 einen einzigen vertikalen Zugangskanal 3K aufweist, über den der zentrale Bereich 3M mit einem lateralen Zugangskanal 3K verbunden ist. Der vertikale Zugangskanal 3K kann die Form eines Hohlzylinders aufweisen. Der Grundkörper IG ist in diesem Fall nicht notwendigerweise zusammenhängend ausgeführt. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 100 410.1, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

10 Volumenemitter

10R Rückseite des Volumenemitters

10S Seitenfläche des Volumenemitters

10V Vorderseite des Volumenemitters

1 Träger

IG Grundkörper des Trägers

1A mittig angeordnete Achse des Grundkörpers/ Trägers IR Rückseite des Grundkörpers/ Trägers

IS Seitenfläche des Grundkörpers/ Trägers

IV Vorderseite des Grundkörpers/ Trägers

2 Halbleiterkörper

21 erste Halbleiterschicht

22 zweite Halbleiterschicht

23 aktive Zone

2T Anschlussstelle

2D Bonddraht

3 innere Öffnung des Grundkörpers

3K Zugangskanal der inneren Öffnung

3M Zentraler Bereich der inneren Öffnung

3QL lateraler Querschnitt der inneren Öffnung

3QV vertikaler Querschnitt der inneren Öffnung

3W Innenwände der inneren Öffnung

3Z Zugang der inneren Öffnung

4 Füllung der inneren Öffnung

R Strahlung