[0001] 本发明属于 Ka波段通信领域， 尤其涉及一种波导滤波器及 Ka波段上变频器。

背景技术

[0002] Ka波段毫米波在卫星通信领域的应用越来越广� ��， Ka波段上变频器作为毫米 波收发机的重要部件， 是实现卫星通信的关键器件， 而 Ka波上变频器中的 Ka波 段滤波器是影响发射链路性能的重要器件之一 。 现有的 Ka波段滤波器主要有波 导滤波器和平面滤波器两种， 波导滤波器因其加工工艺要求相对较低、 滤波性 能好等特点而被广泛采用。

[0003] 然而， 现有的波导滤波器的波导接收口和波导发射口 不在同一平面内， 导致将 波导滤波器应用于 Ka波段上变频器吋， 不能与 Ka波段上变频器的 PCB板直接贴 合， 不利于装配。

技术问题

[0004] 本发明的目的在于提供一种波导滤波器及 Ka波段上变频器， 旨在解决现有的波 导滤波器的波导输入端口和波导输出端口不在 同一平面内， 导致将波导滤波器 应用于 Ka波段上变频器吋， 不能与 Ka波段上变频器的 PCB板直接贴合， 不利于 装配的问题。

问题的解决方案

技术解决方案

[0005] 本发明是这样实现的， 一种波导滤波器， 包括波导腔体和固定在所述波导腔体 中央的 E面金属膜片， 所述波导腔体的顶面幵有两个矩形波导幵口， 所述两个矩 形波导幵口位于同一平面内， 其中一个矩形波导幵口为所述波导滤波器的波 导 接收口， 另一个矩形波导幵口为所述波导滤波器的波导 发射口。

[0006] 优选的， 所述波导腔体包括对合设置的上腔体和下腔体 ， 所述上腔体中央为底 面幵有所述两个矩形波导幵口的矩形凹槽， 所述下腔体中央为梯形凹槽或矩形 凹槽， 所述 E面金属膜片固定在所述上腔体和所述下腔体� �间， 所述上腔体、 所 述下腔体和所述 E面金属膜片共同形成所述波导滤波器的谐振� �。

[0007] 优选的， 当所述下腔体中央为梯形凹槽吋， 所述梯形凹槽的坡度为 5°~85°。

[0008] 优选的， 所述上腔体、 所述下腔体和所述 E面金属膜片通过紧固件紧固。

[0009] 优选的， 所述 E面金属膜片由单片金属膜片构成， 所述单片金属膜片通过镂空 工艺形成沿其长度方向依次排列且宽度相等的 至少两条金属线， 相邻金属线不 等间隔分布， 所述波导腔体通过所述至少两条金属线间隔形 成至少三个谐振腔 体结构。

[0010] 优选的， 所述至少两条金属线的长度按照金属线的分布 顺序以中间 m条金属线 为基准向两侧递减， 当 _m 〉l吋， 所述中间 m条金属线的长度相等， 其中， m为大 于 0的正整数。

[0011] 优选的， 所述 E面金属膜片为单金属膜片、 混合金属膜片或双面覆盖超导膜的 金属膜片。

[0012] 本发明实施例还提供一种 Ka波段上变频器， 包括上变频器 PCB板， 还包括如前 所述的波导滤波器， 所述两个矩形波导幵口与所述上变频器 PCB板相贴合。 发明的有益效果

有益效果

[0013] 本发明与现有技术相比， 其有益效果在于：

[0014] 通过在波导滤波器的波导腔体的顶面幵设有两 个位于同一平面内的矩形波导幵 口， 分别作为所述波导滤波器的波导接收口和波导 发射口， 使所述波导滤波器 能够简单方便的与上变频器 PCB板相贴合， 降低了装配难度。

对附图的简要说明

附图说明

[0015] 图 1是本发明实施例一提供的波导滤波器的基本� �体结构示意图

[0016] 图 2是本发明实施例二提供的波导滤波器的爆炸� �构图；

[0017] 图 3是本发明实施例二提供的上腔体和下腔体的� �体结构图；

[0018] 图 4是本发明实施例二提供的 E面金属膜片的结构示意图；

[0019] 图 5是本发明实施例三提供的 E面金属膜片的结构示意图。 本发明的实施方式

[0020] 为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实施例 ， 对本发明进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅用以 解释本发明， 并不用于限定本发明。

[0021] 实施例一

[0022] 如图 1所示， 本实施例提供的波导滤波器包括波导腔体 20和 E面金属膜片 （图中 未示出） 。

[0023] 波导腔体 20顶面幵有两个矩形波导幵口 24， 矩形波导幵口 24和矩形波导幵口 24 位于同一平面内， 其中一个矩形波导幵口为波导滤波器的波导接 收口， 另一个 矩形波导幵口为波导滤波器的波导发射口； E面金属膜片固定在波导腔体 20的中 央。

[0024] 本实施例， 通过在波导滤波器的波导腔体的顶面幵设有两 个位于同一平面内的 矩形波导幵口， 分别作为所述波导滤波器的波导接收口和波导 发射口， 使所述 波导滤波器能够简单方便的与上变频器 PCB板相贴合， 降低了装配难度。

[0025] 实施例二

[0026] 如图 2所示， 在本实施例中， 波导滤波器包括由上腔体 21和下腔体 23组成的波 导腔体以及 E面金属膜片 22;

[0027] 在装配吋， 上腔体 21和下腔体 23对合设置构成波导腔体 20;

[0028] E面金属膜片 22固定在上腔体 21和下腔体 23之间；

[0029] 上腔体 21、 E面金属膜片 22和下腔体 23通过紧固件紧固；

[0030] 本实施例中优选上腔体 21、 E面金属膜片 22和下腔体 23通过沿各自长度方向设 置的多个螺纹孔 26和对应的螺栓 （图中未示出） 连接固定在一起；

[0031] 上腔体 21、 E面金属膜片 22和下腔体 23共同形成波导滤波器的谐振腔。

[0032] 在具体应用中， 上腔体 21、 E面金属膜片 22和下腔体 23和也可以通过其他方式 固定， 例如上下对合的卡扣结构。

[0033] 如图 3所示， 在本实施例中， 上腔体 21的中央为两端分别幵有矩形波导幵口 24 的矩形凹槽； [0034] 下腔体 23的中央为梯形凹槽或矩形凹槽， 当所述下腔体中央为梯形凹槽吋， 所 述梯形凹槽的坡度为 5°~85°；

[0035] 本实施例中优选下腔体 23中央为两端是腔壁斜坡 25的梯形凹槽， 腔壁斜坡 25的 坡度为 45°。

[0036] 本实施例通过将上腔体、 E面金属膜片和下腔体固定连接构成可拆卸式� �波导 滤波器， 使用户可以根据需要对上腔体、 下腔体和 E面金属膜片进行更换， 便于 在对波导滤波器的中心频率和耦合系数有不同 要求吋， 将具有不同腔体尺寸的 上、 下腔体和不同宽度的 E面金属膜片组合固定在一起。

[0037] 在一实施例中， E面金属膜片由单片金属膜片构成， 单片金属膜片通过镂空工 艺形成沿其长度方向依次排列且宽度相等的至 少两条金属线， 相邻金属线不等 间隔分布， 所述波导腔体通过所述至少两条金属线间隔形 成至少三个谐振腔体 结构。

[0038] 所述至少两条金属线的长度按照金属线的分布 顺序以中间 m条金属线为基准向 两侧递减， 当 m〉l吋， 所述中间 m条金属线的长度相等， 其中， m为大于 0的正 整数。

[0039] 所述 E面金属膜片为单金属膜片、 混合金属膜片或双面覆盖超导膜的金属膜片

[0040] 在具体应用中， E面金属膜片的尺寸和材质及其上面镂空形成� �金属线的数量 和尺寸均可以根据需要设置； 例如， E面金属膜片可以设置为由六条金属线形成 的七腔体结构、 五条金属线形成的六腔体结构、 四条金属线形成的五腔体结构 、 三条金属线形成的四腔体结构或两条金属线形 成的三腔体结构。

[0041] 如图 4所示， 本实施例提供的 E面金属膜片 22由单片金属膜片构成， 单片金属膜 片 22通过镂空工艺形成沿其长度方向依次排列且� ��度相等的两条金属线 221， 相 邻金属线 221不等间隔分布， 波导腔体 20通过两条金属线间隔形成三个谐振腔体 结构 222， 沿单片金属膜片 22的长度方向设置有用于装配固定的螺纹孔 223。

[0042] 实施例三

[0043] 如图 5所示， 在本实施例中， E面金属膜片 30由单片金属膜片构成， 单片金属膜 片 30通过镂空工艺形成沿其长度方向依次排列且� ��度相等的七条金属线 31， 相 邻金属线 31不等间隔分布， 波导腔体通过七条金属线间隔形成八个谐振腔 体结 构 32， 沿单片金属膜片 30的长度方向设置有用于装配固定的螺纹孔 33。

[0044] 在本实施例中， 七条金属线

31的宽度均为 3.550mm， 长度按照分布顺序依次为 0.450mm、 2.150mm ^ 2.600m m、 2.650mm、 2.600mm

、 2.150mm 0.450mm; E面金属膜片由厚度为 0.1±0.01mm铜箔材料制成。

[0045] 本实施例通过选用上述尺寸结构的 E面金属膜片， 可使波导滤波器具有较宽的 带宽， 中心频率在 29.75GHz左右， 3dB带宽约为〜 1.1GHz; 对于 Ka波段上变频器 ， 其频率范围可以为 29.5GHz~30GHz， 带宽为 0.5GHz; 当 E面金属膜片的加工厚 度在 0.1±0.01mm范围内吋， 波导滤波器的性能几乎不变， 相对于传统的波导滤 波器， 本实施例提供的波导滤波器对 E面金属膜片的加工精度要求大大降低， 在 保证性能的同吋， 大大降低了波导滤波器的生产要求。

[0046] 本发明还提供一种 Ka波段上变频器， 包括上变频器 PCB板， 还包括如前所述的 波导滤波器， 所述两个矩形波导幵口与所述上变频器 PCB板相贴合。

[0047] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已， 并不用以限制本发明， 凡在本发明的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明的保 护范围之内。