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Title:
WAVELENGTH CONVERSION LASER DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/016709
Kind Code:
A1
Abstract:
A wavelength conversion laser device (10), comprising a solid-state laser element (12) having a waveguide structure including a laser medium (121) which amplifies the laser light at a gain generated by absorption of the excitation light to output the fundamental wave, and a wavelength conversion element (13) having a waveguide structure including a nonlinear optics material (131) which converts a part of the fundamental wave output from the solid-state laser element (12) into the second harmonic wave, outputs the second harmonic wave from the wavelength conversion element (13) while oscillating the fundamental wave using a structure of an optical oscillator including the solid-state laser element (12) and the wavelength conversion element (13). The solid-state laser element (12) outputs the fundamental wave of linear polarized light, and makes the status of polarized light of the fundamental wave incoming into the solid-state laser element (12) after passing through the inside of the wavelength conversion element (13) different from that of the linear polarized light output from the solid-state laser element (12), thereby avoiding reduction of wavelength conversion efficiency of the wavelength conversion element in a peak wavelength at a gain bandwidth.

Inventors:
YANAGISAWA, Takayuki (7-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-k, Tokyo 10, 1008310, JP)
柳澤 隆行 (〒10 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 三菱電機株式会社内 Tokyo, 1008310, JP)
HIRANO, Yoshihito (7-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-k, Tokyo 10, 1008310, JP)
平野 嘉仁 (〒10 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 三菱電機株式会社内 Tokyo, 1008310, JP)
Application Number:
JP2007/064850
Publication Date:
February 05, 2009
Filing Date:
July 30, 2007
Export Citation:
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Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation (7-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo, 10, 1008310, JP)
三菱電機株式会社 (〒10 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo, 1008310, JP)
YANAGISAWA, Takayuki (7-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-k, Tokyo 10, 1008310, JP)
柳澤 隆行 (〒10 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 三菱電機株式会社内 Tokyo, 1008310, JP)
HIRANO, Yoshihito (7-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-k, Tokyo 10, 1008310, JP)
International Classes:
H01S3/10
Attorney, Agent or Firm:
SAKAI, Hiroaki (Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building2-5, Kasumigaseki 3-chom, Chiyoda-ku Tokyo 20, 1006020, JP)
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Claims:
 励起光の吸収により発生した利得を与えてレーザ光を増幅し、基本波を出力するレーザ媒質を含む導波路構造を有する固体レーザ素子と、
 前記固体レーザ素子から出力される基本波の一部を第2高調波に変換する非線形光学材料を含む導波路構造を有する波長変換素子と、
 を備え、基本波を前記固体レーザ素子と前記波長変換素子とを含む光共振器構造で共振させるとともに、前記波長変換素子から第2高調波を出力する波長変換レーザ装置であって、
 前記固体レーザ素子は、直線偏光の基本波を出力し、
 前記波長変換素子内を通過して前記固体レーザ素子に入射する基本波の偏光状態を、前記固体レーザ素子から出力される直線偏光とは異ならせるフィルタ手段を備えることを特徴とする波長変換レーザ装置。
 前記フィルタ手段は、前記レーザ光の光軸に垂直な面内で前記レーザ媒質の光学軸に対して所定の角度傾けて光学軸を配置した複屈折材料からなる前記非線形光学材料を有する前記波長変換素子であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換レーザ装置。
 前記波長変換素子の第2高調波出力側に、光学軸を前記レーザ媒質の光学軸と同じ方向に配置した1/4波長板をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の波長変換レーザ装置。
 前記波長変換素子の前記非線形光学材料は、前記レーザ媒質の光学軸と同じ方向に光学軸を配置した複屈折材料からなり、
 前記フィルタ手段は、前記固体レーザ素子と前記波長変換素子との間に、前記レーザ光の光軸に垂直な面内で前記レーザ媒質の光学軸に対して光学軸を所定の角度傾けて配置した1/2波長板であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換レーザ装置。
 前記波長変換素子の第2高調波出力側に、光学軸を前記レーザ媒質の光学軸と同じ方向に配置した1/4波長板をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の波長変換レーザ装置。
Description:
波長変換レーザ装置

 この発明は、レーザ媒質で発生させた基 波の波長変換を行って所定の波長のレーザ を出力する波長変換レーザ装置に関するも である。

 近年、たとえば光情報処理分野などの光 として、緑色や青色といった可視光レーザ 研究開発が進められている。可視光レーザ 一種として、波長変換技術を適用して近赤 レーザ光を短波長化する波長変換レーザ装 が知られている。一般に波長変換レーザ装 では、非線形光学材料からなる波長変換素 が半導体レーザまたは固体レーザの光共振 の内部または外部に設置され、光共振器に って発生したレーザ光(基本波)を波長変換 子に伝搬させることで、基本波に対して半 の波長(2倍の周波数)に波長変換された第2高 波を出力させる。

 このとき、光共振器の発振波長帯域幅と 長変換素子の位相整合幅とを一致させる必 があるが、一般的に波長変換素子の位相整 幅は非常に狭く、また外部環境によって波 変換レーザ装置の出力変動が生じてしまう そこで、波長変換素子で高効率に波長変換 せるために、光源波長を波長変換素子の許 度内に固定させ、外部環境の変化の影響を まり受けない構成の波長変換レーザ装置と てのコヒーレント光源が従来提案されてい (たとえば、特許文献1参照)。この従来のコ ーレント光源は、レーザ媒質からの基本波 波長変換素子によって高調波に変換した後 反射体によって反射した基本波をレーザ媒 に帰還することで、レーザ媒質の発振波長 帰還光の波長に固定して、レーザ媒質の発 波長を波長変換素子の位相整合波長に自動 に固定するようにしている。

特開2006-19603号公報

 ところで、一対の共振器ミラー内にレー 媒質と波長変換素子とが備えられる内部波 変換型の波長変換レーザ装置において、波 変換素子の位相整合帯域(波長変換帯域)に べて広い利得帯域を有するレーザ媒質を用 て内部波長変換を行うと、最初に利得帯域 ピーク波長で基本波がレーザ発振し、その 得帯域のピーク波長で波長変換素子による 長変換が行われる。しかし、これによって 利得帯域のピーク波長の光共振器内での損 が増加してしまい、位相整合帯域外の利得 域の波長でレーザ発振が生じる。その結果 位相整合帯域内の基本波が減少してしまい 波長変換素子による波長変換効率が低下し しまうという問題点があった。また、特許 献1では、レーザ媒質の発振波長を波長変換 子の位相整合波長に自動的に固定するよう しているが、上述したように、一般的に波 変換素子の位相整合帯域はレーザ媒質の発 波長帯域(利得帯域)に比べて狭いので、位 整合帯域外のレーザ発振を抑えることがで なかった。

 この発明は上記に鑑みてなされたもので 内部波長変換型の波長変換レーザ装置にお て、レーザ媒質の利得帯域のピーク波長で ーザ発振し、波長変換が行われても、利得 域のピーク波長における波長変換素子によ 波長変換効率が低下しない波長変換レーザ 置を得ることを目的とする。また、光学部 を追加せずに、または大掛かりな光学部品 追加せずに、波長変換素子による利得帯域 ピーク波長における波長変換効率が低下し い波長変換レーザ装置を得ることも目的と る。

 上記目的を達成するため、この発明にか る波長変換レーザ装置は、励起光の吸収に り発生した利得を与えてレーザ光を増幅し 基本波を出力するレーザ媒質を含む導波路 造を有する固体レーザ素子と、前記固体レ ザ素子から出力される基本波の一部を第2高 調波に変換する非線形光学材料を含む導波路 構造を有する波長変換素子と、を備え、基本 波を前記固体レーザ素子と前記波長変換素子 とを含む光共振器構造で共振させるとともに 、前記波長変換素子から第2高調波を出力す 波長変換レーザ装置であって、前記固体レ ザ素子は、直線偏光の基本波を出力し、前 波長変換素子内を通過して前記固体レーザ 子に入射する基本波の偏光状態を、前記固 レーザ素子から出力される直線偏光とは異 らせるフィルタ手段を備えることを特徴と る。

 この発明によれば、光学部品を追加せず 、レーザ媒質の利得帯域のピーク波長近辺 基本波の発振波長幅を、ほぼ基本波の発振 長幅となるように狭帯域化したので、レー 媒質のピーク波長で波長変換素子による波 変換が行われて、そのピーク波長での光共 器内の損失が増加しても、波長変換帯域(ほ ぼ基本波の発振波長幅に等しい)外での基本 のレーザ発振が生じない。その結果、波長 換素子の波長変換帯域で、効率のよい基本 の波長変換を行うことができるという効果 有する。

図1は、この発明による波長変換レーザ 装置の実施の形態1の構成を模式的に示す斜 図である。 図2は、c軸方向の直線偏光を有するレ ザ光の非線形光学材料を往復したときの電 強度と軸方位の関係を示す図である。 図3-1は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のc 方向の偏光度のMgO:PPLN設置角度θ依存性を示 図である。 図3-2は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のc 方向の偏光度のMgO:PPLN設置角度θ依存性を示 図である。 図4-1は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のa 方向とc軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏 光度の波長依存性を示す図である。 図4-2は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のa 方向とc軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏 光度の波長依存性を示す図である。 図4-3は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のa 方向とc軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏 光度の波長依存性を示す図である。 図4-4は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のa 方向とc軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏 光度の波長依存性を示す図である。 図5-1は、基本波の波長に対する利得 状とレーザ媒質利得帯域との間の関係を模 的に示す図である。 図5-2は、基本波の波長に対する利得 状とレーザ媒質利得帯域との間の関係を模 的に示す図である。 図6は、非線形光学材料における波長変 換帯域と基本波の温度によるシフトの様子を 模式的に示す図である。 図7は、この発明による波長変換レーザ 装置の実施の形態2の構成を模式的に示す斜 図である。 図8は、この発明による波長変換レーザ 装置の実施の形態3の構成を模式的に示す斜 図である。 図9は、MgO:PPLNと1/4波長板を通過後のレ ザ光のa軸方向の偏光強度およびc軸方向の 光度の波長依存性を示す図である。

符号の説明

 10,10A,10B 波長変換レーザ装置
 11 半導体レーザ
 12 固体レーザ素子
 13 波長変換-フィルタ素子
 13A 波長変換素子
 14 1/2波長板
 15 1/4波長板
111,123a,123b,133a,133b,151 端面
121 レーザ媒質
122,132 クラッド
131 非線形光学材料

 以下に添付図面を参照して、この発明に かる波長変換レーザ装置の好適な実施の形 を詳細に説明する。なお、これらの実施の 態によりこの発明が限定されるものではな 。また、以下の実施の形態で用いられる波 変換レーザ装置の斜視図は模式的なもので り、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの 率などは現実のものとは異なる。

実施の形態1.
 図1は、この発明にかかる波長変換レーザ装 置の実施の形態1の構成を模式的に示す斜視 である。この図1に示されるRの方向がレーザ 光の発振方向を示す光軸であるとする。この 波長変換レーザ装置10は、励起光源としての 導体レーザ11と、半導体レーザ11から出力さ れるレーザ光を励起光として基本波となるレ ーザ光の増幅とともに発振を行う固体レーザ 素子12と、固体レーザ素子12から出力される 本波のレーザ光を1/2の波長の第2高調波に変 するとともに複屈折フィルタの機能を有す 波長変換-フィルタ素子13と、を備える。

 半導体レーザ11は、固体レーザ素子12を励 起するための励起光を出力する。この半導体 レーザ11のレーザ光の出射側端面111は、固体 ーザ素子12のレーザ媒質121の端面123aと対向 るように設けられる。ここでは、半導体レ ザ11は、波長808nmのレーザ光を出力する化合 物半導体材料によって構成されるものとする 。

 固体レーザ素子12は、形状的には、平板 を有し、光軸Rに垂直な端面123a,123bの形状が とえば矩形状からなる。また、固体レーザ 子12は、光導波路構造を有し、半導体レー 11からの励起光を吸収し、反転分布状態を形 成して、誘導放出によって生成されるレーザ 光を光軸Rの方向に伝搬し、端面123bから所定 方向に振動する直線偏光を出力する。具体 には、励起光を吸収して誘導放出を生じさ る平板状のレーザ媒質121と、このレーザ媒 121の上下両面のうち少なくとも一方の面に 合したクラッド122と、有する。ここで、レ ザ媒質121は、複屈折材料(好ましくは、光学 的一軸性結晶からなる材料)であり、そのc軸( 結晶軸)は、図中の厚さ方向となるように配 され、a軸(結晶軸)のうちの1つは、光軸Rと同 一の方向となるように配置され、他の1つは 光軸Rに垂直な面内となるように配置される このc軸は、その材料内での光波の速さ(屈 率)が1つしかない方向である光学軸(optic axis )に一致する。

 レーザ光の発振方向は、光軸Rの方向であ り、光軸Rに垂直な面内にレーザ媒質121のa軸 c軸が存在するので、レーザ媒質121中を光軸 R方向に進むレーザ光は、振動面がc軸と光軸R の作る平面内に存在するTM(Transverse Magnetic)偏 光(異常光ともいう)と、振動面がc軸と光軸R 作る平面に垂直でかつ光軸Rを含む平面内に 在するTE(Transverse Electric)偏光(通常光ともい う)と、に分かれて進む。複屈折材料の場合 レーザ媒質121のTM偏光に対する屈折率neと、 ーザ媒質121のTE偏光に対する屈折率noとは異 なるので、neとnoの間の範囲に存在する屈折 ncを有する材料をクラッド122として用いるこ とで、固体レーザ素子12から出力されるレー 光を直線偏光とすることができる。

 ここでは、固体レーザ素子12は、半導体レ ザ11からの808nmの励起光を吸収し、914nmのレ ザ光を出力するNd:YVO 4 (波長914nmにおける屈折率:ne~2.17、no~1.96)から るレーザ媒質121と、このレーザ媒質121の上 両面のいずれか一方の面上に接合したTa 2 O 5 (波長914nmにおける屈折率:nc~2.08)からなるクラ ッド122と、から構成されるものとする。

 このような構造によって、レーザ媒質121 生じたクラッド122の屈折率ncよりも小さな 折率noを感じるTE偏光は、レーザ媒質121とク ッド122との界面で全反射条件を満たさない で、クラッド122に光が漏れ出す放射モード なって大きな損失が発生する。しかし、ク ッド122の屈折率よりも大きな屈折率neをレ ザ媒質121中で感じるTM偏光は、レーザ媒質121 とクラッド122との界面で全反射条件を満たし 、レーザ媒質121内に閉じ込められて光導波路 内を光軸R方向に伝搬する。その結果、固体 ーザ素子12から出力される光は、TMモードの 線偏光(基本波)となる。つまり、固体レー 素子12からは、厚さ方向(c軸方向)に振動する 基本波が出力されることになる。

 波長変換-フィルタ素子13は、平板状を有 、光軸Rに垂直な端面133a,133bの形状がたとえ ば矩形状からなり、固体レーザ素子12から出 された基本波の一部を1/2の波長の第2高調波 に波長変換するとともに、波長変換-フィル 素子13内を往復して固体レーザ素子12に入射 る残りの基本波に対してフィルタをかける 屈折フィルタの機能も有する。このような 長変換-フィルタ素子13として、MgO:PPLN(Periodi cally Poled Lithium Niobate)やPPLT(Periodically Poled  Lithium Tantalate)などの周期分極反転構造を有 る非線形光学材料を用いることができる。 お、この波長変換-フィルタ素子13も光導波 構造を有し、非線形光学材料131の上下両面 たはいずれか一方の面上に、非線形光学材 131よりも屈折率の小さなクラッド132を接合 てもよいし、空気をクラッドとする構造で よい。

 ここでは、非線形光学材料131として、六方 系のMgO:PPLNを使用し、クラッド132として、 方の面にPPLNのTM偏光とTE偏光に対する屈折率 よりも屈折率の低いTa 2 O 5 を使用し、他方の面に同じくSiO 2 を使用するものとする。これにより、波長変 換-フィルタ素子13の非線形光学材料131に入射 したTM偏光とTE偏光は、全反射条件を満たす で、波長変換-フィルタ素子13内を導波路モ ドで伝搬する。

 また、波長変換-フィルタ素子13を構成す 非線形光学材料(MgO:PPLN)131のc軸(結晶軸であ 、光学軸でもある)を、以下では、レーザ媒 質121のc軸と区別するために、z軸と表記する さらに、光軸Rと平行な方向のa軸(結晶軸)を x軸と表記し、これらのz軸とx軸に垂直な方向 をy軸と表記する。

 この実施の形態1では、波長変換-フィル 素子13に波長変換の機能だけでなく複屈折フ ィルタとしての機能も持たせるために、非線 形光学材料131のz軸(結晶軸、光学軸)をレーザ 媒質121のc軸に対して、光軸Rに垂直な平面内 角度θだけ傾けて配置することを特徴とす 。なお、波長変換-フィルタ素子13は、z軸が ーザ媒質121のc軸に対して傾いた状態で、そ の外形が平板状(直方体状)に切断されている つまり、波長変換-フィルタ素子13の光軸Rに 垂直な方向の辺は、レーザ媒質121の光軸Rと 行でないa軸とc軸に平行となっており、これ らの辺の方向と、非線形光学材料131のy軸とz の方向とは一致していない。

 以上の構成で、固体レーザ素子12の半導 レーザ11側の端面123aには、励起光を透過し 基本波レーザ光を全反射する光学膜が形成 れ、固体レーザ素子12の波長変換-フィルタ 子13側の端面123bには、基本波レーザ光を透 する反射防止膜が形成される。また、波長 換-フィルタ素子13の固体レーザ素子12側の端 面133aには、基本波レーザ光を透過し、第2高 波レーザ光を反射する光学膜が形成され、 長変換-フィルタ素子13の第2高調波出射側の 端面133bには、基本波レーザ光を全反射し、 2高調波レーザ光を透過する光学膜が形成さ る。これらの全反射膜や光学膜は、たとえ 誘電体薄膜を積層して構成される。

 以上のように波長変換-フィルタ素子13の 線形光学材料131のz軸を光軸Rに垂直な平面 でレーザ媒質121のc軸に対して角度θ傾ける とによって、非線形光学材料131は波長変換- ィルタ素子13としての機能のほかに、複屈 フィルタとしての機能も有するようになる

 つぎに、この波長変換レーザ装置の動作 ついて、非線形光学材料131による複屈折フ ルタの機能を中心に説明する。まず、半導 レーザ11の端面111から波長808nmの励起光が出 力され、固体レーザ素子12のレーザ媒質121の 面123aに入射する。この励起光によって、レ ーザ媒質121では、反転分布状態が形成され、 光軸Rの方向に放出される自然放出光が共振 るモードに入り、この光は誘導放出による 幅を受ける。この光は、レーザ媒質121の端 123aと、波長変換-フィルタ素子13の端面133bと の間(光共振器)で往復するが、この光共振器 1周する際の増幅による利得が、光共振器で 1周する際に受ける損失が釣り合うと、波長91 4nmのレーザ光がレーザ発振する。

 なお、レーザ発振したレーザ光のうち、T E偏光は、上述したように、固体レーザ素子12 中では全反射条件を満たさないので、放射モ ードとして損失し、TM偏光のみがレーザ媒質1 21の端面から出力される。つまり、レーザ媒 121から出力されるレーザ光は、c軸方向に直 線偏光したTM偏光となる。

 レーザ媒質121から出力されたレーザ光は、c 軸方向の直線偏光で、MgO:PPLN131に入射する。 の際、MgO:PPLN131のz軸は、レーザ媒質121であ Nd:YVO 4 のc軸に対して、光軸Rに垂直な面内で角度θ いているため、直線偏光は、z軸方向に振動 るTM偏光(異常光)とy軸方向に振動するTE偏光 (通常光)に分離して、異なる屈折率を感じな ら、MgO:PPLN131中を伝搬する。MgO:PPLN131は、波 長変換-フィルタ素子13であるので、基本波の 一部を、基本波の半分の波長457nmの第2高調波 に変換し、端面133bから出力される。また、 2高調波に変換されなかった基本波は、端面1 33bで全反射され、同じ経路を戻る。

 MgO:PPLN131を往復し、MgO:PPLN131の端面133aから 過してNd:YVO 4 121に戻ってきた基本波のレーザ光は、c軸方 成分のみが選択されて、Nd:YVO 4 121に入射し、a軸方向の成分は損失となる。 とえば、MgO:PPLN131内では、レーザ光の損失が なく、z軸方向とy軸方向にそれぞれ振動して 搬したレーザ光の位相差が0の場合には、MgO :PPLN131の端面133aを出射した光は合成されて元 の直線偏光に戻る。一方、MgO:PPLN131内を往復 る間に位相差が発生した場合や伝搬時にそ ぞれの軸方向に異なる損失が発生した場合 は、MgO:PPLN131の端面133aから出射した光は、 偏光や楕円偏光となる。この場合には、Nd:Y VO 4 121で基本波の偏光(c軸方向の偏光)が選択され て、a軸方向に入射した成分が損失となる。

 具体的には、MgO:PPLN131は高次の位相板と るため、MgO:PPLN131を往復したz軸方向とy軸方 にそれぞれ振動して伝播したレーザ光の位 差は、波長によって異なる。このとき、損 が最も少なくなる波長の間隔δλは、レーザ 媒質121で出力される基本波の波長をλとし、z 軸方向とy軸方向にそれぞれ振動して伝播す レーザ光に対する屈折率差をδnとし、MgO:PPLN 131の光軸R方向の結晶長をLとすると、次式(1) 表される。

  δλ=λ 2 /2δnL ・・・(1)

 たとえば、結晶長L=4.0mmのMgO:PPLN131におい 、基本波のレーザ光の波長λ=914nmとすると MgO:PPLN131のδn=ne-no=-0.083452であるので、(1)式 らδλ=1.25nmが得られる。つまり、損失が最も 少なくなる波長は、1.25nmごとに周期的に現れ る。

 図2は、c軸方向の直線偏光を有するレーザ の非線形光学材料を往復したときの電界強 と軸方位の関係を示す図である。ここでは Nd:YVO 4 121から出力されたc軸方向に直線偏光してい レーザ光の電界E 0 が、MgO:PPLN131に入射して、1往復して端面から 出力される際の(シングルパスの)電界強度と 方位の関係を示している。なお、図中のa軸 とc軸は、レーザ媒質(Nd:YVO 4 )121の結晶軸の方位を示しており、z軸とy軸は 、非線形光学材料131の結晶軸(c軸)と光軸Rに 直な平面内のc軸に垂直な軸の方位を示して る。

 MgO:PPLN131に入射するc軸方向に偏光した電界 強度はE 0 であるので、MgO:PPLN131に入射した直後のy軸方 向とz軸方向の電界成分E y ,E z は、Nd:YVO 4 のc軸とMgO:PPLN131のz軸のなす角度(以下、設置 度という)をθとすると、それぞれ次式(2)、( 3)で表される。

  E y =E 0 cosθ ・・・(2)
  E z =E 0 sinθ ・・・(3)

 また、レーザ光のy軸方向とz軸方向のシン ルパスでの強度透過率をそれぞれη y z とすると、MgO:PPLN131に入射した後一往復して 射される際のy軸方向とz軸方向の電界成分E y ’,E z ’は、(2)式、(3)式からそれぞれ次式(4)、(5)で 表される。

  E y ’=η y E 0 cosθ ・・・(4)
  E z ’=η z E 0 sinθ ・・・(5)

 損失や屈折率の波長依存性を考慮した詳細 偏光特性については、後述するようにJones 列を用いた計算が必要であるが、損失が最 (すなわち、位相差が0)または最大(すなわち 位相差がπ)となる条件における電界強度は 結晶の特性によらず、一意的に表すことが きる。Nd:YVO 4 121からMgO:PPLN131を伝搬し、再びNd:YVO 4 121に入射するレーザ光の損失が最小(位相差 0)の場合の電界成分(E c ’,E a ’)と、損失が最大(位相差がπ)の場合の電界 分(E c ’,E a ’)は、(4)式と(5)式から、それぞれ次式(6)、(7 )で表される。

 (6)式の位相差が0の場合においても、(7)式の 位相差がπの場合においても、y軸方向とz軸 向の強度透過率η y z の差が大きく、かつ設置角度θが45度に近い ど損失、すなわちNd:YVO 4 121のa軸に入射する成分E z ’が増加することがわかる。図3-1~図3-2は、Mg O:PPLN通過後のレーザ光のc軸方向の偏光度のMg O:PPLN設置角度θ依存性を示す図である。ここ 、レーザ光のz軸方向とy軸方向のシングル スでの強度透過率をη z =0.9(つまり、z軸方向におけるシングルパスの 波長変換率を10%と想定している)、η y =1.0として計算を行った。なお、c軸方向の偏 度は、c軸方向とa軸方向の偏光強度の和に するc軸方向の偏光強度によって定義される ここで、各軸方向の偏光強度は、その軸方 の電界強度の2乗に比例するものである。

 これらの図に示されるように、位相差が0 の場合でも、位相差がπの場合でも、ともにM gO:PPLN131の設置角度θが45度付近で、c軸方向の 偏光度が最小となる。図3-1に示されるように 、MgO:PPLN131の設置角度が10度のとき、c軸方向 光度は0.99964であり、MgO:PPLN121の設置角度が4 5度のとき、c軸方向偏光度は0.99724となる。ま た、図3-2に示されるように、位相差がπのと には、設置角度θが45度のときに、c軸方向 偏光度はほぼ0となる。

 つぎに、レーザ光が複数の材料中を通過 る際に損失が発生する場合のレーザ光の偏 度の波長依存性について、Jones行列を用い 求める。MgO:PPLN131のz軸を角度θ傾けたときの Jones行列Jは、角度θの回転行列をR(θ)とし、Mg O:PPLN131のy軸方向のレーザ光とz軸方向のレー 光の位相差をα(=2π・δnL/λ)とすると、次式( 8)で表される。

 この(8)式のJones行列Jを用いて、次式(9)に示 れるように、非線形光学材料(MgO:PPLN)131を往 復後、Nd:YVO 4 121に入射する際の電界成分(E c ’,E a ’)が求められる。

 図4-1~図4-4は、MgO:PPLN通過後のレーザ光のa軸 方向とc軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏 度の波長依存性を示す図である。ここでは レーザ光のz軸方向とy軸方向のシングルパ での強度透過率をη z =0.9(つまり、z軸方向におけるシングルパスの 波長変換率を10%と想定している)、η y =1.0とし、E z =1、E x =0として(9)式を用いて計算を行う。図4-1は、M gO:PPLN131の設置角度が6度のときの図であり、 4-2は、MgO:PPLN131の設置角度が16度のときの図 であり、図4-3は、MgO:PPLN131の設置角度が26度 ときの図であり、図4-4は、MgO:PPLN131の設置角 度が45度のときの図である。

 これらの図のc軸方向偏光度に示されるよ うに、MgO:PPLN131の設置角度θが大きくなるほ 、(1)式で求められる損失が最も小さくなる 長と波長との間が、シャープに区切られる うになる。これは、設置角度θを大きくする と、a軸方向の偏光強度が、(1)式で求められ 損失が最も小さくなる波長と波長との間の 囲で増大し、この部分が固体レーザ素子12に 入射するときに損失となるからである。

 ここで、c軸方向の最大偏光度は、設置角度 が6度、16度、26度、45度のときに、それぞれ0. 9999,0.9991,0.9982,0.9972である。また、Nd:YVO 4 121に入射するレーザ光のc軸方向の偏光度が90 %(偏光損失が10%)における波長幅は、設置角度 が16度、26度、45度のとき、それぞれ0.5nm,0.3nm, 0.2nmである。

 図5-1~図5-2は、基本波の波長に対する利得形 状とレーザ媒質利得帯域との間の関係を模式 的に示す図である。複屈折フィルタを通過し た基本波w1が図5-1に示されるような利得形状 有する場合には、たとえば、レーザ媒質121 利得帯域Gのピークと重なる基本波w1の波長 置(以下、ピーク重なり位置という)λ 1 でレーザ発振した場合に、波長変換-フィル 素子13で第2高調波が生じることによって、 のピーク重なり位置λ 1 で損失が増加する。このとき、ピーク重なり 位置λ 1 の外側の領域R 1 でも、基本波w1の利得が複屈折フィルタで発 する損失を上回るので、レーザ発振してし い、波長変換帯域T外でのレーザ発振が生じ てしまう。この波長変換帯域T外でレーザ発 されたレーザ光は、波長変換されないので 波長変換-フィルタ素子13による波長変換効 を低下させてしまう。

 これに対して、複屈折フィルタを通過した 本波w2が図5-2に示されるような利得形状を する場合には、ピーク重なり位置λ 1 外の近傍の領域R 2 では、基本波w2の利得が複屈折フィルタで発 する損失を下回っており、基本波w2の発振 長幅が狭帯域化されている。そのため、ピ ク重なり位置λ 1 でレーザ発振し、波長変換-フィルタ素子13で の波長変換によって第2高調波が生じて、ピ ク重なり位置λ 1 で損失が増加しても、ピーク重なり位置λ 1 近傍の基本波w2の利得がレーザ媒質利得帯域G よりも下回る領域R 2 の波長では、レーザ発振が起こらない。

 つまり、レーザ媒質121の利得帯域Gと波長 変換帯域Tとが重なる領域とその近傍の領域 はレーザ発振を起こし、その領域外の波長 はレーザ発振を起こさないような基本波w2の 利得形状となるように、MgO:PPLN131の設置角度 を求めることが望ましい。より具体的には 波長変換帯域Tとレーザ媒質利得帯域Gとの交 点の近傍で、基本波w2の利得がレーザ媒質利 帯域Gと交わる設置角度θのうち、なるべく さい設置角度θとしたときの基本波w2の形状 とすることが望ましい。なお、このような基 本波の利得形状となる設置角度θは、使用す 波長変換-フィルタ素子13の材質や長さによ て異なるので、使用する波長変換-フィルタ 素子13ごとに予め最適と思われる設置角度θ 求めておく必要がある。以上のようにして 固体レーザ素子12に入射するレーザ光(基本 )の狭帯域化を実現することができる。

 なお、図4-1~図4-4では、損失が最小となる ピーク位置が914.5nmとなっており、波長変換 域幅の中心である914nmからずれている。これ は、波長変換-フィルタ素子13の非線形光学材 料131の光軸R方向の長さを4.0mmとして計算を行 っているためである。基本波の発振波長を914 nmにする場合には、非線形光学材料131の光軸R 方向の長さを変えればよい。また、上述した ように非線形光学材料131の光軸R方向の長さ 4.0mmとして波長変換レーザ装置10を構成した 合には、MgO:PPLN131を通過した基本波のピー 位置や非線形光学材料131の波長変換帯域の 置は、温度の変化によって変化するので、 度調整によって両者のピーク位置を合わせ ことができる。

 たとえば、図1に示される波長変換レーザ 装置10は、図示していないが、ヒートシンク に保持され、ヒートシンクに取り付けられ サーミスタや熱電対などの温度を検出する 度検出手段と、波長変換レーザ装置10を所 の温度に加熱または冷却するペルチェ素子 ヒータなどの加熱・冷却手段と、温度検出 段で検出されたヒートシンク(波長変換レー 装置)の温度が所定の温度となるように加熱 ・冷却手段を制御する温度制御手段と、をさ らに備える構成となっている。

 図6は、非線形光学材料における波長変換 帯域と基本波の温度によるシフトの様子を模 式的に示す図である。ここでは、光軸R方向 長さが4.0mmであり、非線形光学材料131として MgO:PPLN131を用いる場合を例に挙げる。波長変 帯域T(波長変換帯域幅W2)は、温度を上昇さ ると、+0.07nm/℃の割合で変化する。一方、MgO :PPLN131を往復する(複屈折フィルタから出力さ れる)基本波w3のピーク位置は、-0.32nm/℃の割 で変化する。(1)式で計算したように、損失 最低となる波長間隔δλは1.25nmであるので、 1.25/(0.32-0.07)=5℃ごとに波長変換帯域Tのピー と、複屈折フィルタによって出力される基 波w3の利得のピーク波長とが一致する。また 、5℃の温度変化によるMgO:PPLN131の波長変換帯 域Tのシフトは0.35nm(=0.07nm/℃×5℃)であり、レ ザ媒質121の利得帯域Gの発振波長帯域幅W1=約 2nmに比べて小さい。そのため、温度調整によ って、発振波長帯域幅W1内で複屈折フィルタ よって出力される基本波w3の損失が最小と るピーク波長と波長変換帯域Tのピークとを 致させることが可能となる。なお、レーザ 出力中においては、所定の温度となるよう 、温度検出手段で検出された温度に基づい 、温度制御手段が加熱・冷却手段による加 処理または冷却処理を制御する。

 この実施の形態1によれば、波長変換素子 として機能する非線形光学材料131を光学的一 軸性結晶で構成し、その光学軸を光軸Rに垂 な面内でレーザ媒質121の結晶軸に対して所 の角度傾けるようにしたので、非線形光学 料131が複屈折フィルタとしても機能し、非 形光学材料131を通過して固体レーザ素子12に 入射する基本波の発振波長帯域を制限するこ とができる。その結果、波長変換-フィルタ 子13による波長変換効率を上げることができ るという効果を有する。また、部品点数を増 やすことなくレーザ光の発振波長帯域を制限 することができるという効果も有する。

実施の形態2.
 図7は、この発明にかかる波長変換レーザ装 置の実施の形態2の構成を模式的に示す斜視 である。この波長変換レーザ装置10Aは、実 の形態1の構成において、波長変換-フィルタ 素子13に代えて、z軸(結晶軸、光学軸)を固体 ーザ素子12のc軸(偏光方向)に対して傾けず 配置した非線形光学材料131Aを有する波長変 素子13Aとし、固体レーザ素子12と波長変換 子13Aとの間に複屈折フィルタとして機能す 1/2波長板14を挿入した構成を有するものであ る。この場合、実施の形態1と同様に、固体 ーザ素子12に入射する基本波の波長帯域を制 限するためには、1/2波長板14の光学軸pを、固 体レーザ素子12の偏光方向(レーザ媒質121の結 晶軸c)に対して光軸Rに垂直な面内で所定の角 度傾ければよい。ただし、実施の形態1の場 でMgO:PPLN131を設置角度θだけ傾けた場合と同 の効果を得るためには、1/2波長板14をθ/2だ 傾ければよい。なお、図7において、実施の 形態1と同一の構成要素には同一の符号を付 てその説明を省略している。また、この実 の形態2における波長変換レーザ装置10Aの動 は、実施の形態1と同様であるので、その説 明を省略する。

 この実施の形態2によれば、1/2波長板14の 学軸pを光軸Rに垂直な面内でレーザ媒質121 結晶軸cに対して所定の角度傾けるようにし ので、固体レーザ素子12に入射するレーザ の基本波の波長帯域を制限することができ 。その結果、波長変換素子13Aによる波長変 効率を上げることができるという効果を有 る。また、部品点数が増えてしまうが、1/2 長板14は、光軸方向のサイズが数十μmと小さ く、mmオーダの部品を追加する場合に比して 部品を追加したことによる波長変換レーザ 置10の大きさの増加を抑制することができ 。

実施の形態3.
 図8は、この発明にかかる波長変換レーザ装 置の実施の形態3の構成を模式的に示す斜視 である。この波長変換レーザ装置10Bは、実 の形態1の構成において、波長変換-フィルタ 素子13の第2高調波出力側にさらに1/4波長板15 設けた構造を有する。この1/4波長板15は、 の光学軸rが固体レーザ素子12のc軸(偏光方向 )と同一の方向となるように配置される。た し、波長変換-フィルタ素子13の第2高調波側 端面133bは、基本波と第2高調波ともに透過 るように処理され、1/4波長板15の端面151には 、基本波は全反射し、第2高調波は透過する 学膜が形成される。なお、実施の形態1と同 の構成要素には同一の符号を付してその説 を省略している。

 図9は、MgO:PPLNと1/4波長板を通過後のレーザ のa軸方向の偏光強度およびc軸方向の偏光 の波長依存性を示す図である。ここでは、 4-1~図4-4の場合と同様に、レーザ光のz軸方向 とy軸方向のシングルパスでの強度透過率をη z =0.9(つまり、z軸方向におけるシングルパスの 波長変換率を10%と想定している)、η y =1.0とし、MgO:PPLN131の設置角度θ=16度として計 を行った。なお、この比較対象として、1/4 長板15を設けない場合のMgO:PPLN131通過後のレ ーザ光のa軸方向とc軸方向の偏光強度およびc 軸方向の偏光度の波長依存性を示す図は、図 4-2に示されている。

 この図9に示されるように、1/4波長板15を けた場合には、図4-2の1/4波長板15を設けな 場合に比して、複屈折フィルタ(波長変換-フ ィルタ素子13)から出力される基本波の波長に 対する利得形状のピークの間隔が倍になると ともに、ピークが平滑化される。そのため、 1/4波長板15を設けることで、波長変換帯域内 基本波の発振帯域を広げることができる。

 この実施の形態3によれば、波長変換-フ ルタ素子13のz軸(光学軸)を光軸Rに垂直な面 で、レーザ媒質121のc軸に対して傾けて配置 るとともに、波長変換-フィルタ素子13の第2 高調波出力側に1/4波長板15を設けるようにし ので、波長変換-フィルタ素子13から出力さ る基本波のピークを平滑化することができ 波長変換帯域内で基本波の波長帯域を広げ ことができるという効果を有する。その結 、効率的な波長変換を行うことができる。 た、実施の形態2の図7において、波長変換 子13Aの第2高調波出力側に、同様に1/4波長板 設けても同様の効果を得ることができる。

 なお、実施の形態2,3において、実施の形 1と同様に、波長変換レーザ装置の温度を制 御することによって、発振波長帯域幅内で複 屈折フィルタによって出力される基本波の損 失が最小となるピーク波長と波長変換帯域の ピークとを一致させてもよい。

 さらに、上述した説明では、固体レーザ 子12のレーザ媒質121の光学軸(c軸)を平板状 レーザ媒質121の厚さ方向に設けた場合を例 挙げて説明したが、a軸が光軸Rに平行に配置 され、光軸Rに垂直な面内にレーザ媒質121の 学軸(c軸)が存在すれば、レーザ媒質121の光 軸(c軸)はどのような方向に設けてもよい。 お、この場合にも、上述したように波長変 -フィルタ素子13または波長変換素子13Aの非 形光学材料131の光学軸(c軸)または1/2波長板 光学軸pは、レーザ媒質121の光学軸(c軸)に対 て所定の角度傾けて配置すればよい。

 以上のように、この発明にかかる波長変 レーザ装置は、所定の波長のレーザ光を効 よく第2高調波に変換する場合に有用である 。