TENG XIAOMING (CN)
LIANG CHAO (CN)
FU YIBING (CN)
HE JINHUA (CN)
TENG XIAOMING (CN)
LIANG CHAO (CN)
FU YIBING (CN)
| CN1683470A | 2005-10-19 | |||
| CN101805610A | 2010-08-18 | |||
| US7252788B2 | 2007-08-07 | |||
| JP2005239985A | 2005-09-08 | |||
| EP1568753A2 | 2005-08-31 | |||
| CN1683470A | 2005-10-19 | |||
| US7273568B2 | 2007-09-25 | |||
| US7476337B2 | 2009-01-13 | |||
| US7476338B2 | 2009-01-13 | |||
| EP1630219A2 | 2006-03-01 | |||
| US20100096592A1 | 2010-04-22 |
南京天翼专利代理有限责任公司 (CN)
| 权利要求书 1、 一种白光 LED红色荧光粉， 其特征在于其化学结构式如下： Cai_y_m_e_rYyMmXx_pPpZzNn: Eue, Rr ( 1 ) 式中， 0.001<y<0.2, 0.001≤m≤0.2， 0.5≤x，z≤1.5， 0.001<p<0.1 , 2<n<4, 0.01≤e≤0.2， 0.001≤r≤0.1， M为 Sr、 Ba、 Sc、 Li、 Na和 K中的至少一种； X为 B、 A1和 Ga中的至 少一种， 其中 A1是必须的； Z为 Si、 V和 Nb中的至少一种， 其中 Si是必须的； R为 Dy、 Er、 Tm和 Lu中的至少一种， 其中 Dy是必须的。 2、 权利要求 1所述白光 LED红色荧光粉的制造方法， 其特征在于包括如下步骤： 1 ) 以 Ca、 Sr、 Ba、 Li、 Na和 K的氮化物， Y、 Sc、 B、 Al、 Ga、 P、 Si、 V、 Nb、 Eu、 Dy、 Er、 Tm和 Lu的氮化物或氧化物， 按结构式 （1 ) 的化学式组成及化学计量比 称取所需原料； 2 ) 将上述原料在氩气、 氮气或者氮氩混合气氛中进行充分混合； 3 )将上述混合物原料在有保护气氛的管式炉中采用常压高温固相法进行分段焙烧; 4 ) 再经后处理， 即可制成一种白光 LED红色荧光粉。 3、 如权利权求 2所述制造方法， 其特征在于步骤 1 ) 中， Eu的用量为合成材料摩 尔数的 0.1%-20%， R的用量为合成材料摩尔数的 0.1%-10%。 4、 如权利权求 2所述制造方法， 其特征在于步骤 2 ) 中， 氮气、 氩气或者氮氩混 合气氛中 02和 ¾0的含量为 0.1-50ppm。 5、 如权利权求 2所述制造方法， 其特征在于步骤 3 ) 中， 保护气氛是纯氮气气氛， 氮氢混合气气氛或纯氢气气氛， 气氛压力为常压。 6、 如权利权求 2所述制造方法， 其特征在步骤 3 ) 中分段焙烧， 第一段焙烧的温 度是 700-1200°C， 焙烧时间为 2-6h， 第二段焙烧的温度为 1400-1800°C， 焙烧时间为 7、 如权利权求 2所述制造方法， 其特征在于步骤 4 ) 中， 后处理过程包括研磨、 过筛、 水洗、 烘干等过程， 研磨后过筛， 洗涤至电导率小于 20 s/cm， 最后烘干得到成 |
技术领域
本发明涉及一种可被紫外、 紫光或蓝光有效激发， 适用于白光 LED的红色荧光粉 及其制造方法。 背景技术
近年来， 随着发光二极管 （LED) 的发光效率的逐渐提高以及成本的逐渐下降， 半 导体照明逐渐成为现代照明的发展趋势， 被誉为继白炽灯、 日光灯和节能灯之后的第四 代照明电光源， 被称为 "21世纪绿色光源"。
要想实现半导体照明进入普通照明领域， 则必须获得高效、 高显色的白光 LED。 目前实现白光 LED有多种方法， 最主要的一种方法是在蓝光 LED芯片上涂敷黄色荧光 粉（YAG)而实现白光发射。 但是这种方法存在着色温偏高、 显色指数偏低的不足， 已 不能适应半导体照明的要求。 尽管 YAG荧光粉的发射光谱非常宽， 但位于红光区域的 发射强度非常弱，导致同蓝光 LED芯片混合后存在红光缺乏的现象，从而影响 白光 LED 的相关色温及显色指数。 因此 YAG本身无法解决目前存在的问题， 而加入红色荧光粉 则可以解决上述问题。
然而红色荧光粉一直是制约白光 LED技术发展的重要瓶颈之一。 当前使用的红色 荧光粉都存在着不同的问题， 如 CaS:Eu 2+ 光衰大、 化学稳定性差， CaMo0 4: E U 2+ 激发范 围窄， Y 2 0 3 :Eu 2+ 、 Y 2 0 2 S:Eu 2+ 发光效率低， M 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ 抗光衰性能差， 均无法与 LED 芯片达到完美的匹配。
美国专利 US7252788报导了一种组成为 MmAaBbNn:Zz的氮化物荧光粉， M是二 价元素， Be、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn、 Cd和 Hg中的至少一种， A是三价元素， B、 Al、 Ga、 In、 Tl、 Y、 Sc、 P、 As、 Sb和 Bi中的至少一种， B是四价元素， C、 Si、 Ge、 Sn、 Ti、 Hf、 Mo、 W、 Cr、 Pb和 Zr中的至少一种， Z是激活剂， 稀土元素或过渡元素中的 至少一种， （m+z):a:b:n=l :l :l :3， 0.0001 z/(m+z) 0.5。 该荧光粉在 300-550nm之间都 能被有效的激发， 发射主峰则随着 Eu 2+ 含量的变化而变化； 制造方法采用一次合成法， 合成温度为 1200-1700°C， 压力为 0.5Mpa左右， 同族专利有 JP2005239985、 EP1568753 和 CN1683470A。
美国专利 US7273568报导了一种组成为 MmAaBbOoNn:Zz， 其中 M是二价元素， Mg、 Ca、 Sr、 Ba和 Zn中的至少一种， A是三价元素， B、 A1和 Ga中的至少一种， B 是四价元素， Si或 Ge， Z是激活剂， 稀土元素或过渡元素中的至少一种， 制造方法同 样采用一次合成法， 压力 0.001MP a ¾≡P¾≡0.1MPa。 类似专利还有 US7476337、 US7476338 和 EP1630219等。
美国专利 US2010096592报导了一种组成为 M-Al-Si-N, 其中 M为 Ca、 Sr和 Ba， 并加入 LiF作为助熔剂。
上述现有专利均采用高温高压一步合成法制造 荧光粉，不仅得到的荧光粉发光强度 偏低， 而且这种制造方法对设备要求比较苛刻， 存在着成本高、 工艺复杂等问题。 发明内容
本发明的目的旨在针对氮化物红色荧光粉在光 效及制造方法等方面存在的问题，提 供一种新型高效 LED红色荧光粉， 该荧光粉具有化学稳定性好、 发光效率高、 抗光衰 性能好等特点， 能够很好的满足白光 LED的封装应用要求。
本发明的另一目的是提供一种制造该荧光粉的 方法， 该制造方法易于操作， 无污 染， 成本低。
本发明所述白光 LED红色荧光粉的化学结构式为：
Cai_ y _ m _ e _ r Y y M m X x _pPpZ z N n : Eu e , R r ( 1 )
式中， M为 Sr、 Ba、 Sc、 Li、 Na和 K中的至少一种；
为 ^ A1和 Ga中的至少一种， 其中 A1是必须的；
Z为 Si、 V和 Nb中的至少一种， 其中 Si是必须的；
R为 Dy、 Er、 Tm和 Lu中的至少一种， 其中 Dy是必须的。
0.001<y<0.2 , 0.001<m<0.2 , 0.5<χ,ζ<1.5 , 0.001<ρ<0.1 , 2<η<4 , 0.001<e<0.2 , 0.001≤r≤0.1。
本发明所述白光 LED红色荧光粉的制造方法， 包括如下步骤：
1 ) 以 Ca、 Sr、 Ba、 Li、 Na和 K的氮化物， Y、 Sc、 B、 Al、 Ga、 P、 Si、 V、 Nb、 Eu、 Dy、 Er、 Tm和 Lu的氮化物或氧化物， 按结构式 （1 ) 的化学式组成及化学计量比 称取所需原料；
2) 将上述原料在氩气、 氮气或者氮氩混合气氛中进行充分混合；
3 )将上述混合物原料在有保护气氛的管式炉中 用常压高温固相法进行分段焙烧;
4) 再经后处理， 即可制成所需的红色荧光粉；
上述步骤 1 ) 中， Eu的用量为合成材料摩尔数的 0.1%-20%， R的用量为合成材 料摩尔数的 0.1%-10%；
上述步骤 2 ) 中， 由于部分原料对空气和水比较敏感， 因此氮气、氩气或者氮氩混 上述步骤 3 ) 中， 保护气氛可以是纯氮气气氛， 可以是氮氢混合气气氛， 也可 以是纯氢气气氛， 气氛压力为常压。
上述步骤 3 ) 中采取分段焙烧工艺， 第一段的焙烧温度为 700-1200°C， 焙烧时 间为 2-6h， 第二段的焙烧温度为 1400-1800°C， 焙烧时间为 6-18h;
上述步骤 4) 中， 后处理过程包括研磨、 过筛、 水洗、 烘干等过程， 研磨后过 筛， 洗涤至电导率小于 20 s/cm， 最后烘干得到成品。
本发明采用碱金属、 P、 Y等元素的多元组合， 对荧光粉的晶体场进行优化调节， 采用分段焙烧和常压高温烧结的制造方法， 不仅可以调节发射主峰， 而且大大提高了荧 光粉的发光强度， 无论是化学稳定性、 发光效率， 还是抗光衰性能均能很好的满足 LED 的要求。 其具体优点如下：
1、 发光效率高。 本发明采用碱金属作为电荷补偿剂， 可以减少烧结过程中的氧空 位缺陷的产生， 从而降低无辐射跃迁的几率， 不仅可以调节荧光粉的发射主峰， 同时也 提高了发光强度； Y取代碱金属使得 Eu 2+ 的 5d轨道产生的劈裂变小， 导致无辐射跃迁 的几率减小， 从而提高了荧光粉的发光性能； P的引入在禁带中产生附加的杂质能级， 有效的降低了导带和价带之间的距离， 从而明显提高荧光粉的发光强度； 分段焙烧使得 原料在熔融状态下更好的混合， 并起到除氧的作用， 再经过高温焙烧有利于反应的充分 进行， 得到纯净的单一相， 从而提高荧光粉的发光强度。
2、 抗光衰性能好。 由于 Y、 Dy等元素的离子半径要小于基质中 Ca的离子半径， 导致离子间的结合力更强， 所以荧光粉的抗光衰性能更好。
3、 本发明中采用了普通的常压气氛保护的管式炉 ， 合成过程中， 无需提供高 压气体（0.1-lOMPa)保护， 降低了对设备和能耗的要求， 工艺简单， 过程控制简洁， 无污染。 附图说明
图 1实施例 1、 3、 7和 11的 XRD图谱。
图 2实施例 1和比较例 1的激发光谱比较 。
图 3实施例 1和比较例 1的发射光谱比较。
图 4 实施例 1和比较例 1的温度猝灭性能比较。
图 5 实施例 1和比较例 1的抗光衰性能比较。
图 6 实施例 2-4和比较例 2的发射光谱比较。
图 7 实施例 2-4和比较例 2的激发光谱比较。
图 8 实施例 2-4和比较例 2的温度猝灭性能比较。
图 9 实施例 2-4和比较例 2的抗光衰性能比较。 图 10 实施例 5-7和比较例 3的发射光谱比较。
图 11 实施例 5-7和比较例 3的温度猝灭性能比较。
图 12 实施例 5-7和比较例 3的抗光衰性能比较。
图 13 实施例 8-11和比较例 4的发射光谱比较。
图 14 实施例 8-11和比较例 4的温度猝灭性能比较。
图 15 实施例 8-11和比较例 4的抗光衰性能比较。 具体实施方式
实施例 1
称取 Ca 3 N 2 6.048g， Y 2 O 3 0.304g, Si 3 N 4 6.289g， AlN5.292g, P 2 O 5 0.382g, Eu 2 0 3 1.183g, Dy 2 O 3 0.502g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移 入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至 800°C， 保温 5h， 然后再升温至 1450 °C , 保温 10h， 研磨后过筛， 并洗涤至电导率为 8.85 μ s/cm， 最后在 90°C下烘 干， 即可制得 CaQ. 91 YQ.Q 2 AlQ. 96 PQ.Q 4 SiN 3 :0.05Eu，0.02Dy的荧光粉。 其发光强度见表 1， 高 于比较例 1。 比较例 1
称取 Ca 3 N 2 6544g， Si 3 N 4 6.517g, AlN5.713g, Eu 2 0 3 1.226g, 将以上原料在保护气氛 中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下 升温至 1450°C， 保温 10h， 气氛压力 5MPa， 研磨后过筛， 洗涤至电导率为 8.85 μ s/cm， 最后在 90°C下烘干， 即可制得 Cao. 95 ASiN 3 :0.05Eu的荧光粉。
表 1
实施例 2
称取 Ca 3 N 2 6.259g， Y 2 O 3 0.466g， Si 3 N 4 6.436g, AlN5.247g, BN0.171g， P 2 O 5 0.195g， Eu 2 O 3 0.969g, Dy 2 O 3 0.257g， 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在氮氢混合气氛的保护下逐渐升温至 900°C， 保温 4h， 然后再升温至 1650°C， 保温 9h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 12.64 μ s/cm， 最后在 100°C下烘干， 即可制得 Ca。. 92 Y。.。 3 Al。. 93 B。.。 5 P。.。 2 SiN 3 :0.04Eu，0.01Dy的荧光粉。 其发光 强度见表 2， 均高于比较例 2。 实施例 3
称取 Ca 3 N 2 6.134g， Y 2 O 3 0.457g, Si 3 N 4 6.308g, AlN5.143g, GaN0.565g， P 2 O 5 0.192g, Eu 2 O 3 0.949g, Dy 2 O 3 0.252g， 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在氮氢混合气氛的保护下逐渐升温至 900°C， 保温 4h， 然后再升温至 1650°C， 保温 9h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 12.64 μ s/cm， 最后在 100°C下烘干， 即可制得 CaQ. 92 YQ.Q 3 AlQ. 93 GaQ.Q 5 PQ.Q 2 SiN 3 :0.04Eu， O.OlDy的荧光粉。 其发 光强度见表 2， 均高于比较例 2。 实施例 4
称取 Ca 3 N 2 6.149g， Y 2 O 3 0.458g， Si 3 N 4 6.071g， V 2 O 5 0.492g, AlN5.433g, P 2 O 5 0.192g， Eu 2 O 3 0.952g, Dy 2 O 3 0.252g， 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在氮氢混合气氛的保护下逐渐升温至 900°C， 保温 4h， 然后再升温至 1650°C， 保温 9h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 12.64 μ s/cm， 最后在 100°C下烘干， 即可制得 Ca 0 . 92 Y 0 . 03 Al 0 . 98 P 0 . 02 Si 0 . 96 V 0 . 04 N 3 :0.04Eu， O.OlDy的荧光粉。其发 光强度见表 2， 均高于比较例 2。 比较例 2:
称取 Ca 3 N 2 6.671g， Si 3 N 4 6.575g， AlN5.764g， Eu 2 O 3 0.989g, 将以上原料在保护气 氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在氮氢混合气氛的 保护下逐渐升温至 900°C， 保温 4h， 然后再升温至 1650°C， 保温 9h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 12.64 s/cm，最后在 100°C下烘干， 即可制得 Ca a96 AlSiN 3 :0.04Eu的荧 光粉。 其发光强度见表 2， 发光强度均低于各实施例。
表 2
实施例 5
称取 Ca 3 N 2 5.419g， Y 2 O 3 0.583g, Si 3 N 4 6.033g, AlN5.131g, P 2 O 5 0.275g, Eu 2 0 3 1.589g, Dy 2 O 3 0.722g, Tm 2 O 3 0.249g， 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氢气的保护下逐渐升温至 850°C， 保温 3h， 然 后再升温至 1700°C， 保温 12h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 9.12 μ s/cm， 最后在 90 °〇下烘干， 即可制得 CaQ. 85 YQ 4 AlQ. 97 PQ 3 SiN 2 . 87 :0.07Eu，0.03Dy，0.01Tm的荧光粉。 其发 光强度见表 3， 均高于比较例 3。 实施例 6
称取 Ca 3 N 2 5.308g， Y 2 O 3 0.577g, Si 3 N 4 5.979g， AlN5.084g， P 2 O 5 0.272g, Eu 2 0 3 1.575g, Dy 2 O 3 0.715g, Er 2 O 3 0.489g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氢气的保护下逐渐升温至 850°C， 保温 3h， 然 后再升温至 1700°C， 保温 12h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 9.12 μ s/cm， 最后在 90 °〇下烘干， 即可制得 Ca。. 84 Y。.。 4 Al。. 97 P。.。 3 SiN 2 . 86 :0.07Eu，0.03Dy，0.02Er的荧光粉。 其发光 强度见表 3， 均高于比较例 3。 实施例 7
称取 Ca 3 N 2 5.305g， Y 2 O 3 0.577g, Si 3 N 4 5.975g， AlN5.081g， P 2 O 5 0.272g, Eu 2 0 3 1.574g, Dy 2 O 3 0.715g, Tm 2 O 3 0.247g， Lu 2 O 3 0.254g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装 入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氢气的保护下逐渐升温至 850°C， 保温 3h， 然后再升温至 1700°C， 保温 12h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 9.12 μ s/cm， 最后在 90°C下烘干， 即可制得 Ca 0 . 84 Y 0 . 04 Al 0 . 97 P 0 . 03 SiN 2 . 86 :0.07Eu，0.03Dy，0.01Tm，0.01Lu 的荧光粉。 其发光强度见表 3， 均高于比较例 3。 比较例 3:
称取 Ca 3 N 2 6.295g， Si 3 N 4 6.404g， AlN5.614g， Eu 2 0 3 1.687g, 将以上原料在保护气氛 中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氢气的保护下 逐渐升温至 850°C， 保温 3h， 然后再升温至 1700°C， 保温 12h， 研磨后过筛， 洗涤 至电导率 9.12 μ s/cm，最后在 90°C下烘干，即可制得 Cao. 93 AlSiN 2 . 95 :0.07Eu的荧光粉。 其发光强度见表 3， 发光强度均低于各实施例。
表 3
发射 发光 化学式 y
主峰 强度 实施例 5 Ca 0 . 85 Y 0 .o4Al 0 . 97 P 0 . 0 3SiN 2 . 87 :0.07Eu,0.03Dy,0.01Tm 0.6772 0.3239
656 133 实施例 6 Ca 0 . 84 Y 0 . 04 Al 0 . 97 P 0 . 03 SiN 2 . 86 :0.07Eu,0.03Dy,0.02Er 0.6769 0.3241
655 128 实施例 7 Ca 0 .84Yo.o4Al 0 .97Po.o3SiN 2 . 86 :0.07Eu,0.03Dy,0.01Tm,0.01Lu 0.6775 0.3236
657 138 比较例 3 Ca 0 . 93 AlSiN 2 . 95 :0.07Eu 656 0.6770 0.3241 100 称取 Ca 3 N 2 5.377g， Y 2 O 3 0.296g， Na 3 N0.109g， Si 3 N 4 6.129g, AlN5.265g， P 2 O 5 0.186g， EuN2.175g, DyN0.463g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将 其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至 1200°C， 保温 3h， 然后再 升温至 1550°C， 保温 10h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 4.68 s/cm， 最后在 110°C 下烘干， 即可制得 Ca 0 . 83 Na 0 . 03 Y a02 Al 0 . 98 P 0 . 02 SiN 3 :0.1Eu，0.02Dy的荧光粉。 其发光强度见 表 4， 均高于比较例 4。 实施例 9
称取 Ca 3 N 2 5.394g， Y 2 O 3 0.297g, Na 3 N0.046g， Si 3 N 4 6.148g， AlN5.282g, P 2 O 5 0.187g, EuN2.182g, DyN0.464g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将 其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至 1200°C， 保温 3h， 然后再 升温至 1550°C， 保温 10h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 4.68 s/cm， 最后在 110°C 下烘干， 即可制得 Ca 0 . 83 Li 0 . 03 Y 0 . 02 Al 0 . 98 P 0 . 02 SiN 3 :0.1Eu，0.02Dy的荧光粉。 其发光强度见 表 4， 均高于比较例 4。 实施例 10
称取 Ca 3 N 2 5.066g， Y 2 O 3 0.289g， Sr 3 N 2 0.745g， Si 3 N 4 5.991g， AlN5.147g， P 2 O 5 0.182g， EuN2.127g, DyN0.452g, 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将 其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至 1200°C， 保温 3h， 然后再 升温至 1550°C， 保温 10h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 4.68 s/cm， 最后在 110°C 下烘干， 即可制得 Ca 0 . 8 Sr a06 Y 0 . 02 Al 0 . 98 P a02 SiN 3 :0.1E U ，0.02Dy的荧光粉。 其发光强度见 表 4， 均高于比较例 4。 实施例 11
称取 Ca 3 N 2 4.979g， Y 2 O 3 0.284g， Ba 3 N 2 1.073g, Si 3 N 4 5.889g， AlN5.059g， P 2 O 5 0.179g， EuN2.091g, DyN0.445g， 将以上原料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将 其迅速移入管式炉中， 然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至 1200°C， 保温 3h， 然后再 升温至 1550°C， 保温 10h， 研磨后过筛， 洗涤至电导率 4.68 s/cm， 最后在 110°C 下烘干， 即可制得 Ca 0 . 8 B ao . 06 Y ao2 Al 0 . 98 P 0 . 02 SiN 3 :0.1E U ，0.02Dy的荧光粉。 其发光强度见 表 4， 均高于比较例 4。 比较例 4
称取 Ca 3 N 2 5.474g， Sr 3 N 2 0.767g, Si 3 N 4 6.166g， AlN5.405g， EuN2.189g, 将以上原 料在保护气氛中充分混合均匀， 装入钼坩埚中， 再将其迅速移入管式炉中， 然后在高纯 氮气的保护下逐渐升温至 1200 °C， 保温 3h， 然后再升温至 1550°C， 保温 10h， 研磨 后过筛， 洗涤至电导率 4.68 μ s/cm， 最后在 1 10 °C下烘干， 即可制得 Ca Q . 84 Sr Q . Q6 AlSiN 3 :0.1Eu的荧光粉。 其发光强度见表 4， 发光强度均低于各实施例。
表 4
实施例 12-21和相应的比较例见表 5， 发光强度均高于相应的比较例， 这些实施例 的制造方法和比较例 4相同。
表 5