Die Erfindung betrifft eine Röntgenquelle zur Ionisierung von Gasen mit einem Feldemissions-Spit zen-Array in einer Vakuumkammer .

Solche Röntgenquellen zur Ionisierung von Gasen bestehen aus mehreren einzelnen Röntgenquellen, welche mittels eines balkenförmigen Trägers längs aneinander gereiht sind und mit einer notwendigen Spannung versorgt werden. Die

Röntgenquellen sind dabei derart in einem Luftstrom

montiert, dass sie die Umgebungsluft der balkenförmigen Anordnung ionisieren. Die auf diese Weise ionisierte Luft kann zur Neutralisation von elektrostatischen Aufladungen in kritischen Fertigungsbereichen genutzt werden.

Beispielsweise können derartige Röntgenquellen in die zumeist vertikale Luftströmung im Reinraum von

Fertigungsanlagen in der Mikroelektronik-Industrie

eingesetzt werden, um mit Hilfe der ionisierten Gase

elektrostatische Aufladungen auf Gegenständen zu

neutralisieren. Das ist notwendig, weil elektrostatische Aufladungen zu verstärkten Partikelablagerungen führen.

Andererseits können unkontrollierte Entladungen zu

Schädigungen der Mikrostrukturen führen. Die

elektrostatischen Entladungen werden als ESD (ElectroStatic Discharge) bezeichnet. Auch werden Ionengeneratoren

eingesetzt, um eine vorgegebene Ionendichte unterschiedlich geladener Ionen innerhalb einer Kabine oder eines anderen Raumes zu realisieren, wobei unmittelbar nach der Erzeugung der Ionen gewöhnlich deren Rekombination einsetzt.

Die üblicherweise eingesetzten Ionisationssysteme erzeugen die Ionen mittels Hochspannung an Spitzenelektroden über Gasentladung. Dabei kommt sowohl Gleichspannung, als auch Wechselspannung, oder sogenannte gepulste Gleichspannung, zum Einsatz. Es werden somit unterschiedliche Verfahren angewendet, um die Rekombination von positiven und negativen Ionen zu minimieren. Ein wesentlicher Aspekt dieser

Ionisatoren ist ein ausgewogenes Verhältnis von positiven und negativen Ionen zu erreichen, um eine vollständige

Neutralisation der Aufladungen sicher zu stellen.

So geht aus der DE 600 34 040 T2 eine Ionengenerator- Vorrichtung hervor, bei der mehrere nebeneinander aufrecht stehende Emissionsnadeln aus Titan, Platin, einer Titan- Platin-Verbindung, oder auch aus rostfreiem Metall, bzw. aus verschiedenen, Legierungen eingesetzt werden. Die

Emissionsnadeln bestehen aus einem zylindrischen Kern, der von einem Verbundwerkstoff aus einer ungesättigten

Polyesterverbindung, enthaltend Glasfasern, umgeben wird. Jede Nadelspitze endet außerhalb eines Gehäuses in einer konischen Vertiefung, die durch ein Gitter abgedeckt sein kann. An der Nadelspitze wird ein starkes Spannungsfeld oder eine Potentialdifferenz entlang der Nadel erzeugt, um die Erzeugung von Elektronen durch die Emissionsspitzen zu gewährleisten. Dazu sind die Nadeln mit einer

Hochspannungsquelle mit einer Hochspannung von 4,3 - 6 kV direkt verbunden. Die Nadelspitzen können zusätzlich mit einem Goldfilm überzogen sein. Weiterhin geht aus der DE 691 11 651 T2 ein Reinraum-Corona- Luftionisator hervor, der mit mindestens einer Coronaspitze ausgestattet ist, die mit einer Hochspannungsquelle

verbunden ist. Die Coronaspitze befindet sich innerhalb eines einseitig geschlossenen Rohres und wird durch ein trockenes Wasserstoffreiches Gas umströmt. Dieser Corona- Luftionisator ermöglicht die Entfernung von

MikroVerunreinigungen, wie Ammoniumnitrat-Anreicherungen, die bei Corona-Ionisatoren entstehen können.

In der DE 698 18 364 T2 werden Germanium Emittorelektroden verwendet, um metallische Verunreinigungen bei der

Produktion von integrierten Schaltungen auf das niedrigst mögliche Niveau zu drücken. Die Emittorelektrode hat eine Spitze, die in einem kugelförmigen Radius endet. Die

Germaniumemitter sind halbleitend und besitzen einen

spezifischen Widerstand zwischen ungefähr 0,1 - 100 Gern. Um das zu erreichen, sind die Germaniumemitter bevorzugt mit Antimon dotiert.

Die US 5 729 583 bezieht sich auf eine niederenergetische Miniatur-Rötgenstrahlenquelle für die diagnostische

Radiographie mit einem in einer Vakuumkammer angeordneten Emissionsspit zenarray auf einer Kathodenfläche und wobei über dem Emissionsspit zenarray eine flächige Gateanordnung vorgesehen ist. Die zugehörige Anode erstreckt sich in der Vakuumkammer in Form einer Metallfolie entlang der Innenwand und vor einem Kollimator vor dem Emissionsspit zenarray . Die Emissionsspitzen befinden sich in zylindrischen Öffnungen in der flächigen Gateanordnung und einer Isolationsschicht, die sich zwischen der Kathodenfläche und der Gateanordnung erstreckt .

Eine ähnliche Konstruktion für ein Emissionsspit zenarray geht aus der US 3 665 241 hervor. Aus der DE 10 2009 031 985 AI geht ein Ionisator mit

mehreren in einem Kreisumfang angeordneten Elektrodenpaaren mit unterschiedlicher Länge der Elektroden hervor, die in eine Luftströmung hineinragen, bei dem sich die Strömungen der positiven und negativen Ionen nicht überlappen. Auf diese Weise reduziert sich die Menge der durch

Neukombination neutralisierten Ionen, so dass die Entladungseffizienz am zu schützenden Werkstück verbessert wird .

In den meisten Fällen besitzen die eingesetzten Systeme jedoch eine Balkenform, bei der an der Unterseite die

Emitterspitzen herausragen, die in die Hochspannungs ^¬ versorgung integriert sind.

Ein typisches Beispiel für ein solches System geht aus der US 6 807 044 Bl hervor. Dabei trägt ein balkenförmiger Tragbalken nebeneinander eine Vielzahl von spitzen

Emitterelektroden, die jeweils innerhalb einer einseitig offenen rohrförmigen Umhüllung untergebracht sind. Der Tragbalken wird durch ein Gehäuse umschlossen, in dem die notwendige Spannungsversorgung untergebracht ist.

Ähnliche balkenförmige Ionisierungsvorrichtungen werden auch in der WO 2009/031764 A2 und der JP 2010 218696 A

beschrieben .

Derartige Ionisierungsvorrichtungen werden üblicherweise in einer Luftströmung angeordnet, die von einer

Reinstluftanlage erzeugt wird und die auf die zu schützenden Werkstücke, wie Halbleiterwafer, oder andere sensible

Fertigungseinrichtungen gerichtet sind.

Derartige mit Hochspannung betriebene Gasentladungs- Ionisationssysteme haben eine Reihe von Nachteilen. So ist die Balance zwischen den generierten negativen und positiven Ionen sehr stark abhängig von der Hochspannungsversorgung und der geometrischen Anordnung der Emitterelektroden. D.h. es gibt gepulste oder Wechsel-Hochspannungssysteme, bei denen in zeitlicher Folge positive und negative Ionen nacheinander erzeugt werden. Gleichspannungssysteme haben örtlich versetzte Emitter- elektroden für positive und negative Hochspannung. Damit werden die jeweilig polaren Ionen an verschiedenen Stellen erzeugt, was wiederum zu Ungleichgewichten in der

Polaritätsverteilung und damit zu Aufladevorgängen im

Einflussbereich führt. In jedem Fall handelt es sich um ortsabhängige Aufladevorgänge .

Weiterhin ist die Polaritätsbalance über die Zeit nicht stabil, da sich die Emitterelektroden im Laufe der Zeit verändern. Die Hochspannungsionisatoren müssen folglich ständig kontrolliert und nachjustiert werden.

Neben den Einflüssen durch unterschiedliche

Ionenkonzentrationen gibt es noch ungewollte Einflüsse von der Ionen erzeugenden Hochspannung an den Emittern, die häufig über 15 kV liegt. Insbesondere in Einbausituationen, in denen die zu

neutralisierenden Produkte nahe an die Ionisatoren

herankommen, entstehen zum Teil erhebliche

Potentialdifferenzen durch die elektrische Feldinfluenz.

Darüber hinaus entstehen an den Emitterelektroden selbst unter reinsten Luftbedingungen partikuläre Verunreinigungen durch elektrochemische Umwandlungsprozesse, die für die hochreinen Fertigungen der Mikrostrukturindustrie eine Qualitätsgefährdung bedeuten. Die Emitter von

Hochspannungsionisatoren müssen daher regelmäßig gereinigt werden, was mit einer Unterbrechung des Produktionsablaufes verbunden ist.

Mit den immer kleiner werdenden Strukturen werden die

Empfindlichkeiten der Substrate gegenüber elektrostatischen Aufladungen immer größer. Mit den heutigen Strukturgrößen sind die Grenzen der verwendeten Hochspannungsionisatoren offensichtlich und es wird nach anderen Möglichkeiten gesucht .

So sind Ionisationssysteme im Markt erhältlich, die mittels niederenergetischer Röntgenstrahlung Luftionen erzeugen. Dabei wird zunehmend ein Energiebereich unter 5 keV genutzt. Diese Systeme, bei denen Röntgenröhren eingesetzt werden, haben den Vorteil, dass sie keinerlei elektrische

Feldwirkung nach außen haben und die Ionen-Polaritätsbalance immer perfekt ausgewogen ist. Das liegt daran, dass die Ionen im Luftvolumen mittels der ionisierenden Strahlung durch Abspalten eines Elektrons und dem entsprechenden

Verbleib des positiven Rumpfions generiert werden. Darüber hinaus entstehen keine Kontaminationen.

Von Nachteil bei diesen Systemen sind zum Einen der relativ hohe Preis und zum Anderen die geringe Lebensdauer der benutzten Röntgenröhren. Bei den aktuell eingesetzten

Systemen kommen Röntgenröhren mit Glühkathode zum Einsatz, die in der Regel eine Lebensdauer von etwa einem Jahr aufweisen. Das bedeutet, dass die Röntgenröhren jährlich zeit- und kostenaufwendig ausgetauscht werden müssen.

Ein weiterer Nachteil dieser Systeme ist darin zu sehen, dass sie recht voluminös und daher häufig schlecht in

Anlagen integrierbar sind und enthalten zusätzlich die für die Glühkathoden notwendige und relativ aufwändige

Regelungselektronik und Überwachung.

Ein Beispiel für einen solchen In-Line Gas Ionisierer geht aus der WO 01/84683 A2 hervor. Dieser Ionisierer umfasst eine Druckluftquelle mit einem Luftkanal zur

Fertigungseinrichtung und einer Röntgenstrahlungsquelle, die in den Luftkanal integriert ist. Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine

Vorrichtung zur Ionisierung von Gasen zu schaffen, welche zum Einen die einfache, kompakte und kosteneffektive Bauform und Anordnung der balkenförmigen Hochspannungsionisatoren mit den Vorteilen niederenergetischer Röntgen-Ionisatoren verbindet und die zum Anderen die Nachteile der bekannten Röntgensysteme vermeidet.

Gelöst wird die Aufgabe dadurch, dass ein Feldemissions- Spit zen-Array mit Feldemissionsspit zten innerhalb eines Vakuumbereiches angeordnet ist, der durch eine Haube und einen Teil einer Trägerplatte umschlossen ist, wobei das mit Feldemissionsspitzen versehene Feldemissions-Spit zen-Array gegenüber der Trägerplatte elektrisch isoliert angeordnet und als Kathode geschaltet mit einer Hochspannungsquelle verbunden ist, wobei zentrisch über dem Feldemissions- Spit zen-Array in der Haube ein für Röntgenstrahlung

durchlässiges Transmissionsfenster angeordnet ist und wobei die Haube als Anode geschaltet ist. Das Feldemissions-Spit zen-Array besteht aus einem flachen quaderförmigen Grundkörper, aus dem eine Vielzahl von

Feldemissionsspitzen hervor steht.

Die Feldemissionsspitzen sind bevorzugt spitzkegelig, oder auch stabförmig ausgebildet, stehen aus dem quaderförmigen Grundkörper senkrecht hervor und sind in einem gleichmäßigen Array über die Fläche des Grundkörpers verteilt angeordnet.

Zur Vermeidung besonders hoher Feldstärken enden die

Emissionsspitzen in einer Fortbildung der Erfindung in abgerundeten Spitzen auf. Das Feldemissions-Spit zen-Array besteht aus Metall, oder einem Halbleitermaterial. In einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung sind die Feldemissionsspitzen durch einen Isolator derart umgeben, dass der die Spitzen der Feldemissionsspitzen umgebende Bereich in Form eines Kraters ausgespart ist und dass die Feldemissionsspitzen in einem in Richtung zur Spitze der Feldemissionsspitze sich vulkankegelartig verjüngenden

Kragen münden, der die Feldemissionsspitzen als Gate

konzentrisch und den Krater umgrenzt.

Die Spitzen der Feldemissionsspitzen können aus dem Kragen herausragen.

Weiterhin sind zwischen den benachbarten Kragen Senken ausgebildet, wobei die gesamte Oberfläche des Feldemissions- Spit zen-Arrays außer dem im Kragen befindlichen Krater mit einer Metallschicht überzogen ist. In Fortführung der Erfindung ist die Haube mit der

Trägerplatte vakuumdicht verbunden und besteht aus einem Metall, wobei die Trägerplatte mit Erdpotential verbunden ist .

Weiterhin ist das Transmissionsfenster als Berylliumfläche ausgebildet, die auf der Vakuumseite mit einem geeigneten Bremsmaterial, wie Wolfram beschichtet ist. Anstelle von Beryllium als Transmissionsfläche können auch andere

geeignete Materialien, wie Diamant, eingesetzt werden.

Das Feldemissions-Spit zen-Array ist innerhalb des

Vakuumbereiches auf einer Elektrode angeordnet und ist mit dieser elektrisch verbunden, wobei sich die Elektrode durch den Isolierkörper erstreckt.

Um eine Steuerung des Anodenstromes zu ermöglichen, ist eine Gate-Elektrode über eine Drahtbrücke mit der Metallschicht der Feldemissions-Spitzen-Anordnung elektrisch leitend verbunden, wobei die Gate-Elektrode neben der Elektrode den Isolierkörper durchdringt.

Der Spitzenradius der Feldemissionsspitzen beträgt bevorzung 2 nm, so dass eine hohe Feldliniendichte in Richtung zur Anode erreicht wird.

Weiterhin beträgt die an der Gate-Elektrode anliegende

Spannung 20 - 100 V und die Betriebsspannung der

Röntgenquelle <5 kV und beträgt bevorzugt an dem als Kathode geschalteten Feldemissios-Spit zen-Array zwischen -4.980 und -4.900 V

Die miniaturisierte Röntgenquelle eignet sich besonders zur Verwendung mit einem balkenförmigen mehrteiligen Tragsystem, das aus einem balkenförmigen hohlen Tragprofil besteht, in das auf einer Längsseite ein aus Metall bestehendes

Tragprofil isoliert eingelassen ist und auf dem eine

Mehrzahl der Röntgenquellen in der Längserstreckung des Tragprofiles abstandsweise nebeneinander derart befestigt sind, dass sich die Elektroden in das Tragprofil erstrecken und mit längs des Tragprofiles verlaufenden

Hochspannungs Zuführungen verbunden sind und dass die

Röntgenquellen in die Umgebung des Tragsystems ragen und wobei der Innenraum der Tragprofiles mit einer

Hochspannungsisolierung ausgefüllt ist.

Bei der vorliegenden Erfindung kommt daher eine

miniaturisierte, niederenergetische Röntgenquelle zum

Einsatz, welche als Kathode ein Mikro-Spit zen-Array nutzt, welches an sich für andere Anwendungsfälle bekannt ist. Mit der Verwendung eines solchen Spit zen-Arrays als Kathode, welches die Elektronen auf der Basis des quantenmechanischen Tunneleffekts bei hohen Feldstärken an den Spitzen erzeugt, können Lebenszeiten von mehreren Jahren sichergestellt werden. Auch wird die Nutzung von Fertigungsverfahren der Mikroelektronik, die für die Massenproduktion von kleinen Bauteilen ausgelegt ist ermöglicht, was zu akzeptablen

Kosten führt .

Mit der Miniaturisierung der Röntgenquelle ist dann der Aufbau in der bewährten Balkenform möglich, so dass die einfache Spannungsversorgung und Überwachungselektronik für beliebig viele anreihbare Röntgenquellen integriert werden kann .

Die Erfindung soll nachfolgend an Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen :

Fig. 1: eine miniaturisierte Röntgenquelle mit einem

Feldemissions-Spitzen Array innerhalbe eines

Vakuumbereiches ;

Fig. la: eine mit einer „Gate"-Anordnung versehene

Röntgenquelle nach Fig.l;

Fig. 2: eine Ausführung der Röntgenquelle nach Fig. la als

Bestandteil eines balkenförmigen Tragsystems, und

Fig. 3: einen Querschnitt des Feldemissions-Spit zen-Arrays nach Fig . 1.

In Fig. 1 ist eine miniaturisierte niederenergetische

Röntgenquelle dargestellt, die mit einem Feldemissions- Spit zen-Array 1 ausgestattet ist, das auf einer Elektrode 6 oberhalb eines Isolierkörpers 5, oder auf diesem, montiert ist. Die elektrische und mechanische Verbindung zwischen dem Feldemissions-Spit zen-Array 1 und der Elektrode 6 (Kathode) erfolgt durch Chipbonden bzw. mit Hilfe eines elektrisch leitfähigen Klebstoffes. Der Isolierkörper 5 ist bündig und vakuumdicht in eine metallische Trägerplatte 4 eingelassen, oder auf dieser angeordnet, wobei die Elektrode 6 den

Isolierkörper 5 durchdringt. Die Elektrode 6 wird mit der notwendigen Kathodenspannung einer geeigneten

Hochspannungsquelle versorgt.

Das Feldemissions-Spit zen-Array 1 besteht aus einem

quaderförmigen Grundkörper aus Metall oder einem

Halbleitermaterial, aus dem eine Vielzahl von

Emissionsspitzen senkrecht hervor steht, die in einem Array mit regelmäßigen Abständen zueinander angeordnet sind. Die Emissionsspitzen können spitzkegelig oder stabförmig

ausgebildet sein und können abgerundete Enden aufweisen. Ein solches Feldemissions-Spit zen-Array 1 kann mit

Fertigungsverfahren der Mikrostrukturierungstechnik, wie sie aus der Halbleitertechnologie bekannt ist, hergestellt werden .

Zur Ausbildung eines das Feldemissions-Spit zen-Array 1 umgebenden Vakuumbereiches 3b wird dieser durch eine aus einem Metall bestehende Haube 3 umschlossen, die mit der Trägerplatte 4 elektrisch leitend und vakuumdicht verbunden ist. Die Haube 3 dient als Anode geschaltet und ist mit Masse verbunden. Der Aufbau der erfindungsgemäßen

Röntgenquelle entspricht grundsätzlich dem eines Gehäuses für Leistungstransistoren, wie einem TO-5 oder TO-39

Gehäuse .

Um eine gegenüber den bisher verwendeten Glühkathoden deutlich verbesserte Lebensdauer und Langlebigkeit des Feldemissions-Spit zen-Arrays 1 zu gewährleisten, müssen jegliche Sputtervorgänge durch Restgasatome vermeiden werden. Das bedeutet, je besser das Vakuum ist, umso höher ist die Lebensdauer. Praktisch wäre daher ein Vakuum von <10 ^Λ -6 hPa vorzusehen.

Zentrisch über dem Feldemissions-Spit zen-Array 1 befindet sich in der Haube 3 eine Bohrung 3a, die mit einem üblichen Transmissionsfenster 2 für Röntgenquellen, wie z.B. einer Beryllium-Fläche, verschlossen ist und die auf der

Vakuumseite mit Wolfram als Bremsmaterial beschichtet ist, wobei auch andere geeignete Materialien als Bremsmaterial eingesetzt werden können. Es ist auch möglich, die Bohrung 3a mit anderen geeigneten Fenstervarianten zu verschließen, die für Röntgenstrahlung durchlässig sind. Die Haube 3 und die Trägerplatte 4 befinden sich auf dem gleichen Potential und sind mit einem Anodenpotential der Hochspannungsquelle, d.h. mit Masse bzw. Erdpotential, verbunden.

Das Transmissionsfenster 2 kann auch aus anderen Materialien bestehen, die für Röntgenstrahlen gut durchlässig sind, wie beispielsweise Diamant. Weiterhin ist die Trägerplatte 4 mit Befestigungsbohrungen 4a versehen, um diese zwecks guter Wärmeabfuhr mit einem nicht dargestellten balkenförmigen Träger zu verschrauben, oder anderweitig verbinden zu können.

Um eine ausreichende Hochspannungskriechstrecke zu

gewährleisten, ist die Elektrode 6 unterhalb des

Isolierkörpers 5 auf der atmosphärischen Seite mit einer Isolierung 7 ummantelt. Das Feldemissions-Spit zen-Array 1 kann zur Steuerung des

Anodenstromes auch mit einer „Gate"-Anordnung versehen sein, wie in Fig. la und Fig. 3 schematisch dargestellt ist.

Eine solche „Gate"-Anordnung kann durch eine separate Gate- Elektrode 8 realisiert werden, die durch Drahtbonden und Herstellen einer Drahtbrücke 9 mit der Feldemissions- Spitzen-Anordnung 1 elektrisch leitend verbunden ist. Die Gate-Elektrode 8 ist neben der Elektrode 6 angeordnet, durchdringt den Isolierkörper 5 und ragt in den

Vakuumbereich 3b hinein. Unterhalb des Isolierkörpers 5, d.h. auf der atmosphärischen Seite, ist die Gate-Elektrode 8 ebenfalls mit einer Isolierung 7 ummantelt. Ansonsten entspricht diese Variante der Ausführung nach Fig. 1.

Aus Gründen der Potentialverteilung sollte der Abstand zwischen den Spitzen des Feldemissions-Spit zen-Arrays 1 zur Anode, d.h. der Beryllium-Fläche des Transmissionsfensters 2, sehr viel größer sein, als den Abstand zwischen den

Spitzen des Feldemissions-Spit zen-Arrays 1 und der Gate- Elektrode 9, die durch einen nachfolgend beschriebenen

Kragen gebildet wird. Der Spit zen-Gate-Abstand liegt

zwischen 100 bis 500 nm. Das bedeutet, dass der

Anodenabstand mindestens bei 100 - 500 pm liegen, wobei der Abstand aus Gründen der mechanischen Handhabung eher bei 1 - 3 mm gewählt wird.

In Fig. 3 ist ein Querschnitt eines Ausschnitts des auf einem Grundkörper 18 aufgebauten Feldemissions-Spitzen- Arrays 1 entsprechend Fig. 1 mit in einem regelmäßigen

Array angeordneten Feldemissionsspitzen 19 dargestellt. Die Feldemissionssitzen 19 werden im Wesentlichen allseitig durch einen Isolator 20, wie Si0 ₂ , umhüllt, wobei lediglich der die Spitzen der Feldemissionsspitzen 1 unmittelbar umgebende Bereich kraterähnlich freigehalten ist.

Die Feldemissionsspitzen 19 erstrecken sich durch den

Isolator 20 und münden mit ihrer Spitze jeweils in einem sich in Richtung der Feldemissionsspitze 19

vulkankegelähnlich verjüngenden Kragen 21 aus einem

leitfähigen Material ist und der die aus dem Krater 23 hervorstehende Spitze der Feldemissionsspitzen 19 als Gate konzentrisch umgibt. Der Krater 23 wird zugleich durch den Kragen 21 umgrenzt. Die Feldemissionsspitzen 19 können aus dem Kragen 21 hervorstehen, also diesen überragen. Der die Feldemissionsspitzen 19 umgebende Rand des Kragens 21 dient ist mit dem Gate 8 verbunden.

Der Bereich zwischen den Kragen 21 bildet jeweils eine

Senke, die sich bis zum jeweils benachbarten Kragen

erstreckt, wobei die gesamte Oberfläche des Feldemissions- Spit zen-Arrays 1, außer dem im Kragen 21 befindlichen Krater 23, mit einer Metallschicht 24 überzogen ist.

Fig. 2 zeigt eine Ausführung der Röntgenquelle nach Fig. la als Bestandteil eines balkenförmigen Tragsystems, wobei mehrere Röntgenquellen in der Längserstreckung des

Tragsystems nebeneinander angeordnet sind. Das balkenförmige Tragsystem für die erfindungsgemäßen miniaturisierten

Röntgenquellen besteht aus einem langgestreckten Tragprofil 10 aus Metall oder Kunststoff, das beispielsweise durch Extrudieren hergestellt werden kann. Innerhalb des

Tragprofiles 10 befindet sich an geeigneter Stelle die notwendige Versorgung für die Kathodenspannung und auch für die Gate-Spannung, falls eine Gate-Elektrode 8 zur Steuerung des Anodenstromes vorgesehen ist.

Die erfindungsgemäß miniaturisierte, niederenergetische Röntgenquelle erzeugt Elektronen auf der Basis eines

quantenmechanischen Tunneleffekts bei hohen Feldstärken, wobei eine Nutzungsdauer von mehreren Jahren sichergestellt werden kann. Die Fertigung der miniaturisierten

Röntgenquelle kann problemlos und kostengünstig unter

Nutzung der Fertigungsverfahren der Mikroelektronik

erfolgen . Die miniaturisierte Röntgenquelle nach Fig. 1 oder la ist an dem balkenförmigen mehrteiligen Tragsystem mit dem Profil 10, wie in Fig. 2 dargestellt, befestigt. Das Tragprofil 10 ist auf einer Seite - in Fig. 2 oben - mit einer

Befestigungsnut 10a ausgestattet, so dass das Tragprofil 10 an einer geeigneten ortsfesten Halterung befestigt werden kann. Auf der der Befestigungsnut gegenüber liegenden Seite ist ein extrudiertes metallisches Befestigungsprofil 11 zur Befestigung der erfindungsgemäßen miniaturisierten

Röntgenquelle vorgesehen, das in ein Kunststoffprofil 12 angeordnet ist, welches in eine Vertiefung im Tragprofil 10 eingelassen ist und somit eine elektrische Isolierung zwischen dem Tragprofil 10 und dem Befestigungsprofil 11 herstellt. Die elektrische Isolierung zwischen dem

Befestigungsprofil 11 und dem Tragprofil 10 ist nur

notwendig, wenn letzteres aus Metall besteht.

Die erfindungsgemäßen miniaturisierten Röntgenquellen sind in vorgegebenen Abständen an dem Befestigungsprofil 11 befestigt, das neben der mechanischen Befestigung auch der elektrischen Kontaktierung der typischerweise auf

Erdpotential liegenden Anode der Röntgenquellen, d.h. der Haube 3 und der Trägerplatte 4, dient. Dabei erstrecken sich die Elektroden 6, 8 in das Tragprofil 10 sind mit längs des Tragprofiles 11 verlaufenden Hochspannungszuführungen 13, 15 verbunden sind. Die Röntgenquellen ragen dabei aus dem

Tragsystem in die Umgebung.

Durch das Kunststoffprofil 12 ist es möglich, den

Anodenstrom über eine am Befestigungsprofil angeschlossene Messelektronik zu messen, indem diese mit dem Erdpotential verbunden wird. Auf diese Weise lässt sich eine

Funktionsüberwachung der miniaturisierten Röntgenquelle realisieren . In dem Tragprofil 10 befinden sich längs verlaufend eine Hochspannungs Zuführung 13 für die Kathode und ggf. eine Hochspannungs Zuführung 15 für die Gate-Elektrode 8.

Weiterhin ist der Innenraum des Tragprofiles 10 mit einer Hochspannungsisolierung 17 vergossen. Weiterhin sind die Elektrode 6 und die Gate-Elektrode 8 in entsprechende

Buchsen 14 und 16 eingesteckt, die mit den

Hochspannungs Zuführungen 13 und 15 elektrisch verbunden s ind . Die Betriebsspannung für die Röntgenquelle sollte aus praktischen Erwägungen im Bereich von <5 kV liegen, da administrative Aufwand in diesem Energiebereich deutlich geringer ist, weil die in diesem Bereich erzeugten

ionisierenden Strahlen zumeist nicht als

Röntgenstrahlungsquellen angesehen werden. Die

erfindungsgemäße Röntgenquelle kann aber problemlos auch mit einer höheren Betriebsspannung betrieben werden, wenn das notwendig ist.

Während des Betriebes der erfindungsgemäßen Röntgenquelle werden aus den Spitzen des Feldemissions-Spit zen-Arrays 1 auf Grund der hohen Feldstärke an den Spitzen Elektronen durch Feldemission extrahiert, wobei die Feldstärke an den Spitzen durch den Potentialunterschied zwischen Spitze und Gate sowie deren geometrische Anordnung bestimmt. Beispielsweise wird eine Feldstärke von 10 ^Λ 9 V/m bei einem Spitzenradius von 2 nm, einem ringförmigen Gate mit 100 nm Durchmesser auf Spitzenebene und einem Gate-Potential gegenüber den Spitzen von 60 V erreicht.

Die ausgetretenen Elektronen werden dann hinter dem Gate durch die Beschleunigungs-Hochspannung zwischen Kathode und Anode auf letztere beschleunigt. Die beschleunigungs- Hochspannung bleibt während des Betriebes der Röntgenquelle konstant, da durch diese Spannung die maximale

Strahlungsenergie bestimmt wird.

Die Gate-Spannung sollte in einem Bereich von 20-100 V regelbar sein, wobei als Regelparameter der zu messende Anodenstrom dient. Kathode und Gate liegen bei <-5000 V (Kathodenspitzen) bzw. -4980 bis - 4900 V (Gater Ring), wobei die Anode auf Massepotential liegt. Die Kathode-Gate Spannung wird über Opto-Koppler galvanisch getrennt, von einem Controller geregelt.

Röntgenquelle zur Ionisierung von Gasen Bezugszeichenliste

1 Feldemissions-Spit zen-Array

2 Transmissionsfenster

3 Haube

3a Bohrung

3b Vakuumbereich

4 Trägerplatte

4a Befestigungsbohrungen

5 Isolierkörper

6 Elektrode

7 Isolierung

8 Gate-Elekt ode

9 Drahtbrücke

10 Tragprofil

10a Befestigungsnut

11 Befestigungsprofil

12 Kunststoffprofil

13 Hochspannungszuführung

14 Buchse

15 Hochspannungszuführung

16 Buchse

17 HochspannungsIsolierung

18 Grundkörper

19 Feldemissionsspitze

20 Isolator

21 leitfähiges Gate Gate

Krater

Metallschicht