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Title:
炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021160971
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】製造しているSiC単結晶インゴットに対して作成できるSiCウェハの歩留まりもしくは半導体チップの製品歩留まりを高くできるSiCウェハの製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶インゴット80に円柱状部を形成する際に、円柱状部の径を徐々に変化させる。具体的には、円錐台形状とされるSiC単結晶インゴット80をすべて同一径の円筒状部にするのではなく、SiC単結晶インゴット80の上面から下面に向かうほど円柱状部の径が拡大するようにする。【選択図】図4

Inventors:
Soltani Berman
Kazutoshi Sasayama
Hibi Yasushi
Application Number:
JP2020063149A
Publication Date:
October 11, 2021
Filing Date:
March 31, 2020
Export Citation:
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Assignee:
株式会社デンソー
International Classes:
C30B33/00; B23K26/00; B24B1/00; B24B5/14; B28D5/04; C30B23/06; C30B29/36
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Yuai Patent Office