Title:
窒素プラズマによるSiCナノ粒子の製造法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP4649586
Kind Code:
B2
Inventors:
Hideo Okuyama
Uda Masahiro
Yoshio Eye
Saito Sho
Uda Masahiro
Yoshio Eye
Saito Sho
Application Number:
JP2004178941A
Publication Date:
March 09, 2011
Filing Date:
June 16, 2004
Export Citation:
Assignee:
National Institute for Materials Science
International Classes:
C01B31/36
Domestic Patent References:
| JP59227765A | ||||
| JP63195168A |
Other References:
斎藤祥, 中田毅, 奥山秀男, 目義雄, 宇田雅広,窒素熱プラズマによるSiCナノ粒子の作製,粉体粉末冶金協会講演概要集,日本,2004年 5月25日,Vol.2004 春季,P.222