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Title:
磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007032149
Kind Code:
A1
Abstract:
磁性多層膜ドットを用いた従来に無い各種の高周波デバイスを提供する。磁性多層膜ドット1として、磁性層3と非磁性層5とが交互に積層されて構成された高周波素子を用いる。磁性多層膜ドット1を構成する複数の磁性層3は、すべて単磁区に磁化された状態で、磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態と磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態とを安定して維持できる膜厚寸法、形状及び磁気特性をそれぞれ有している。磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態にあるときの共鳴周波数と、磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態にあるときの共鳴周波数は異なる。磁化状態を変えることにより、磁性多層膜ドット1の共鳴周波数を変えれば、フィルタのフィルタ周波数を変える。

Inventors:
能崎 幸雄
松山 公秀
Application Number:
JP2007535391A
Publication Date:
March 19, 2009
Filing Date:
July 25, 2006
Export Citation:
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Assignee:
国立大学法人九州大学
International Classes:
H01P1/218; H01F10/32; H01L21/8246; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/08; H01P7/00
Attorney, Agent or Firm:
西浦 ▲嗣▼晴