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Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012121255
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体装置が、半導体素子が形成された半導体基板と、第1及び第2パッドと、半導体基板の上方に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜に設けられた溝に埋め込まれた複数の配線と、第1絶縁膜と複数の配線とを被覆するように設けられた第2絶縁膜と、第2絶縁膜の上に形成された半導体層と、半導体層に接続されたソース電極と、半導体層に接続されたドレイン電極とを具備する。該複数の配線は、半導体層に対向する位置に設けられたゲート電極を含む。半導体層とソース電極とドレイン電極とゲート電極とが、第1パッドから第2パッドにESDサージによる電流を放電するESD保護素子を構成している。

Inventors:
Takaaki Kaneko
Naoya Inoue
Yoshihiro Hayashi
Application Number:
JP2013503558A
Publication Date:
July 17, 2014
Filing Date:
March 06, 2012
Export Citation:
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Assignee:
Renesas Electronics Corporation
International Classes:
H01L27/04; H01L21/3205; H01L21/768; H01L21/822; H01L21/8234; H01L23/532; H01L27/06; H01L27/088; H01L29/786
Attorney, Agent or Firm:
Minoru Kudo