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Title:
複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2013115097
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】 ドライエッチング耐性、耐熱性を兼ね備えたレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 下記式（１）：【化１】で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。好ましくは式（１）においてＲ３が水素原子であり、ｎ１及びｎ２が共に０である。半導体基板に本願のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。【選択図】 なし

Inventors:
Someya Yasunobu
Keisuke Hashimoto
Tetsuya Shinshiro
Nishimaki Hirokazu
Ryo Ezawa
Rikimaru Sakamoto
Application Number:
JP2013556376A
Publication Date:
May 11, 2015
Filing Date:
January 25, 2013
Export Citation:
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Assignee:
Nissan Chemical Industry Co., Ltd.
International Classes:
G03F7/11; C08G12/00; C08G14/00; C08G61/12; G03F7/26; G03F7/40; H01L21/027
Domestic Patent References:
JP2007077138A2007-03-29
JP2000169460A2000-06-20
JP2007297540A2007-11-15
JP2005128509A2005-05-19
JPH10152636A1998-06-09
JP2012214720A2012-11-08
Foreign References:
WO2010147155A12010-12-23
Attorney, Agent or Firm:
Calyx
Miyazaki Yoshio
Tsutomu Kato
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