Title:
高反射フリップチップＬＥＤダイ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016528728
Kind Code:
A
Abstract:
ＬＥＤダイ（４０）は、透明成長基板（４６）の第１表面上にエピタキシャル成長されたＮ型層（１８）、Ｐ型層（２２）及び活性層（２０）を含む。光が、第１表面とは反対の基板の第２表面から放たれ、蛍光体層（３０）によって波長変換される。基板（４６）の第１表面を露出させるように、ダイの中心領域（４２）内に、及びエッジ（４４）に沿って、開口（４２、４４）がエッチングされる。メタルＰコンタクトから絶縁されて開口内に、例えば銀などの高反射金属（５０）が堆積される。反射金属は、各開口の内側エッジに沿ってＮ側層の露出された側面に電気接続されることによって、Ｎ型層のための電流を導通し得る。反射金属は、蛍光体層によって放たれた下向きの光を反射して効率を向上させる。反射金属によって提供される反射領域は、ダイ面積のうちの１０％−５０％を形成し得る。
Inventors:
Lopez, Toni
Choi, Kwon-Hin Henry
Choi, Kwon-Hin Henry
Application Number:
JP2016526728A
Publication Date:
September 15, 2016
Filing Date:
July 02, 2014
Export Citation:
Assignee:
KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
International Classes:
H01L33/60; H01L33/38; H01L33/46; H01L33/50
Domestic Patent References:
| JP2005252253A | 2005-09-15 | |||
| JP2012256678A | 2012-12-27 | |||
| JP2010525586A | 2010-07-22 | |||
| JP2006210824A | 2006-08-10 | |||
| JP2012204373A | 2012-10-22 | |||
| JP2007173579A | 2007-07-05 | |||
| JP2007157850A | 2007-06-21 | |||
| JP2007149875A | 2007-06-14 | |||
| JP2003347589A | 2003-12-05 | |||
| JPH11340514A | 1999-12-10 |
Foreign References:
| WO2004013916A1 | 2004-02-12 | |||
| US20120074441A1 | 2012-03-29 | |||
| US20100078670A1 | 2010-04-01 |
Attorney, Agent or Firm:
Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki