Title:
半導体装置および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016121159
Kind Code:
A1
Abstract:
本技術は、高熱伝導である半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。半導体装置は、絶縁基板１３と、半導体チップ１１と、板材３と、冷却器２０とを備える。絶縁基板１３は、絶縁板としての絶縁性セラミックス６と、絶縁性セラミックス６の両面に設けられる導板５および導板７とを備える。半導体チップ１１は、絶縁基板１３の上面に設けられる。板材３は、絶縁基板１３の下面に接合される。冷却器２０は、板材３の下面に接合される。絶縁基板１３の下面と板材３との接合、および、板材３の下面と冷却器２０との接合の少なくとも一方は、錫を主成分とした接合材を介してなされる。また、板材３の繰り返し応力は、これらの接合材の引っ張り強さよりも小さい。
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Inventors:
Hiroshi Kobayashi
Shinosuke Soda
Yohei Omoto
Hayashi Noriaki
Shinosuke Soda
Yohei Omoto
Hayashi Noriaki
Application Number:
JP2016571667A
Publication Date:
April 27, 2017
Filing Date:
September 14, 2015
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L23/36; H01L21/52; H01L23/12; H01L23/28; H01L23/29; H01L23/31; H01L23/40; H01L23/473
Domestic Patent References:
| JP2008028295A | 2008-02-07 | |||
| JP2012146864A | 2012-08-02 | |||
| JP2010177414A | 2010-08-12 | |||
| JP2007081200A | 2007-03-29 | |||
| JP2009283741A | 2009-12-03 |
Foreign References:
| WO2014115677A1 | 2014-07-31 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita