Title:
ＩＩＩ族窒化物結晶成長用基板及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017530081
Kind Code:
A
Abstract:
一例において、本発明は、ＩＩＩ族窒化物の厚い層を成長させるための基板を提供する。この基板は、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル成長のために提供された第１面、及び第１面に対向して複数のグルーブを有する第２面を有する。また、本発明は、グルーブが形成された基板を用いてＩＩＩ族窒化物の厚膜又はバルク結晶を生産する方法を提供する。一構成において、グルーブが形成された基板は、ボーイングが減少し、及び／又は基板からの自発的な分離が可能なＩＩＩ族窒化物の厚膜又はバルク結晶を成長させる。【選択図】図１
Inventors:
Tadaro Hashimoto
Application Number:
JP2017514313A
Publication Date:
October 12, 2017
Filing Date:
September 09, 2015
Export Citation:
Assignee:
Six Point Materials, Inc.
SEOUL SEMICONDUTOR CO., LTD.
SEOUL SEMICONDUTOR CO., LTD.
International Classes:
C30B29/38; C30B25/18; H01L21/205
Domestic Patent References:
| JPH11207731A | 1999-08-03 | |||
| JP2011057479A | 2011-03-24 | |||
| JP2008150284A | 2008-07-03 | |||
| JP2013049593A | 2013-03-14 |
Attorney, Agent or Firm:
Hidesaku Yamamoto
Natsuki Morishita
Takatoshi Iida
Daisuke Ishikawa
Kensaku Yamamoto
Natsuki Morishita
Takatoshi Iida
Daisuke Ishikawa
Kensaku Yamamoto