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Title:
COMPONENT COMPOSITE AND METHODS FOR SAMPLING AND PRODUCING COMPONENTS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2021/078505
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a component composite (100), comprising an auxiliary carrier (90), a plurality of components (10), a holding structure (7, 70) and an electrically conductive sacrificial layer (6), the components each having a connection layer (4), which faces the sacrificial layer and is electrically connected to the sacrificial layer. The sacrificial layer is located, in the vertical direction, between the auxiliary carrier and the components. The sacrificial layer is removable. Besides by means of the sacrificial layer (4), the components (10) are mechanically connected to the auxiliary carrier (90) only by means of the holding structure (7, 70). The invention further relates to a method for sampling components and to a method for producing components.

Inventors:
PERZLMAIER KORBINIAN (DE)
STAUSS PETER (DE)
PFEUFFER ALEXANDER F (DE)
KLEMP CHRISTOPH (DE)
NEVELING KERSTIN (DE)
BIEBERSDORF ANDREAS (DE)
Application Number:
PCT/EP2020/077918
Publication Date:
April 29, 2021
Filing Date:
October 06, 2020
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
International Classes:
H01L33/00
Foreign References:
US20180226287A12018-08-09
US9368683B12016-06-14
DE102019128728A2019-10-24
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Bauteilverbund (100) mit einem Hilfsträger (90), einer Mehrzahl von Bauteilen (10), einer Haltestruktur (7, 70) und einer elektrisch leitfähigen Opferschicht (6), wobei

- die Bauteile jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht (4) aufweisen, die mit der Opferschicht elektrisch leitend verbunden ist,

- die Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen angeordnet ist, und

- die Opferschicht entfernbar ausgeführt ist und die Bauteile (10) außer über die Opferschicht (4) nur noch über die Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger (90) mechanisch verbunden sind.

2. Bauteilverbund (100) nach Anspruch 1, bei dem die Bauteile (10) durch Trenngräben (6T) voneinander lateral beabstandet sind und die Opferschicht (6) in den Trenngräben bereichsweise frei zugänglich ist.

3. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Haltestruktur (7, 70) zu jedem Bauteil (10) ein vertikal herausragendes Halteelement (72) aufweist, das in Draufsicht auf den Hilfsträger (90) von dem zugehörigen Bauteil vollständig bedeckt ist.

4. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Haltestruktur (7, 70) zu jedem Bauteil (10) ein vertikal herausragendes Halteelement (71) aufweist, das in Draufsicht auf den Hilfsträger (90) bereichsweise unterhalb und bereichsweise seitlich des zugehörigen Bauteils angeordnet ist.

5. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bauteile (10) transferierbar ausgeführt sind, indem die Bauteile nach Entfernen der Opferschicht ausschließlich über die Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger (90) mechanisch verbunden und von der Haltestruktur und somit von dem Hilfsträger ablösbar ausgeführt sind.

6. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Haltestruktur eine Verankerungsschicht (7) aus einem Metall, aus einem elektrisch leitfähigen Oxid, einem elektrisch isolierenden Material, einem Epoxid, einem Duroplast oder aus einem Benzocyclobuten-basierten Material gebildet ist.

7. Bauteilverbund (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Haltestruktur (7, 70) eine

Atomlagenabscheidungsschicht als Passivierungsschicht (70) aufweist, die auf der Verankerungsschicht (7) angeordnet ist.

8. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bauteile (10) jeweils eine vorderseitige Kontaktschicht (31) und eine rückseitige Kontaktschicht (32) aufweisen, wobei

- die vorderseitige Kontaktschicht und die rückseitige Kontaktschicht unterschiedlichen elektrischen Polaritäten des zugehörigen Bauteils zugeordnet sind,

- die rückseitige Kontaktschicht mit der zugehörigen Anschlussschicht (4) elektrisch leitend verbunden ist, und - die vorderseitige Kontaktschicht frei zugänglich ist.

9. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Anschlussschicht (4) im direkten physischen und elektrischen Kontakt mit der Opferschicht (6) steht.

10. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Anschlussschicht (4) von einer elektrisch isolierenden Grenzschicht (5, 51) bedeckt ist, wobei die Grenzschicht zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht (6) angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, in der die Anschlussschicht im direkten elektrischen Kontakt mit der Opferschicht steht.

11. Bauteilverbund (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Anschlussschicht (4) in Draufsicht von einer elektrisch isolierenden Grenzschicht (5, 51) vollständig bedeckt ist, wobei

- die Grenzschicht zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht (6) angeordnet ist,

- eine elektrisch leitfähige Verbindungsschicht (4V) seitlich an die Anschlussschicht angrenzt, von der Grenzschicht zumindest teilweise nicht bedeckt ist und so die Anschlussschicht mit der Opferschicht elektrisch leitend verbindet.

12. Bauteilverbund (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Anschlussschicht (4) von einer elektrisch leitfähigen Grenzschicht (5, 52) vollständig bedeckt ist, wobei die elektrisch leitfähige Grenzschicht unmittelbar an die Anschlussschicht und unmittelbar an die Opferschicht angrenzt .

13. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Opferschicht (6) eine dotierte Si-,

Ge- oder Mo-Schicht ist.

14. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Anschlussschicht (4) eine Metallschicht ist.

15. Bauteilverbund (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die Anschlussschicht (4) aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Material gebildet ist.

16. Bauteilverbund (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bauteile (10) optoelektronische Bauteile oder Mikro-LEDs sind.

17. Verfahren zum Herstellen oder zum Proben von Bauteilen (10) auf Wafer-Ebene mit folgenden Verfahrensschritten:

- Bereitstellen eines Bauteilverbunds (100) mit einem Hilfsträger (90), einer Mehrzahl von Bauteilen (10) und einer elektrisch leitfähigen Opferschicht (6), wobei die Bauteile (10) jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht (4) aufweisen, die mit der Opferschicht

(6) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Opferschicht (6) in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger (90) und den Bauteilen (10) angeordnet ist, und wobei die Opferschicht (6) entfernbar ausgeführt ist; und

- Proben der Bauteile, wobei der Hilfsträger (90) ein Wafersubstrat ist und wobei die Bauteile über die Opferschicht (6) elektrisch kontaktiert werden, während die Bauteile weiterhin mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind; oder - Entfernen der Opferschicht (6) zur Bildung von

Hohlräumen (6H) zwischen dem Hilfsträger (90) und den Bauteilen, wobei die Bauteile nur noch über eine Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind, und wobei die Haltestruktur in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen angeordnet ist, und selektives Abtrennen der Bauteile von dem Hilfsträger zum Herstellen der Bauteile (10), indem die betreffenden Bauteile von der Haltestruktur selektiv abgetrennt oder abgelöst werden.

18. Verfahren nach Anspruch 17, mit folgenden zusätzlichen

Verfahrensschritten :

- Befestigen des Bauteilverbunds (100) auf einem weiteren Hilfsträger, wobei die Bauteile (10) zwischen dem

Hilfsträger (90) und dem weiteren Hilfsträger angeordnet sind;

- Entfernen des Hilfsträgers, sodass die Bauteile nur noch von dem weiteren Hilfsträger mechanisch getragen sind; und

- Abtrennen der Bauteile von dem weiteren Hilfsträger.

Description:
Beschreibung

BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUM PROBEN UND HERSTELLEN VON

BAUTEILEN

Es wird ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben. Des Weiteren werden ein Verfahren zum Proben der Bauteile insbesondere auf Wafer-Ebene sowie ein Verfahren zur Herstellung der Bauteile angegeben.

Bauteile, insbesondere LEDs, die auf Wafer-Ebene prozessiert und direkt transferiert werden, haben oft nicht die Möglichkeit, elektrooptisch charakterisiert zu werden, bevor sie transferiert und in Endprodukten verbaut werden. Die elektrooptische Charakterisierung der Bauteile würde somit erst auf einem Zwischenträger oder sogar erst in der Anwendung des Endprodukts erfolgen. Dies kann hohe Kosten verursachen, da im Falle eines Ausfalls des Bauteils ein hochveredeltes, insbesondere fertig gestelltes Endprodukt nachgearbeitet oder sogar verworfen werden muss.

Eine Aufgabe ist es, ein Bauteilverbund aus Bauteilen anzugeben, wobei die Bauteile insbesondere bereits auf Wafer- Ebene elektrooptisch charakterisiert werden können. Weitere Aufgaben sind es, sichere, vereinfachte und kostengünstige Verfahren zum Proben und zur Herstellung der Bauteile anzugeben .

Diese Aufgaben werden durch den Bauteilverbund gemäß dem unabhängigen Anspruch und durch das Verfahren zum Proben sowie durch das Verfahren zur Herstellung der Bauteile gelöst. Weitere Ausgestaltungen des Bauteilverbunds oder des Verfahrens zum Proben, insbesondere zur Charakterisierung, oder zur Herstellung der Bauteile sind Gegenstand der weiteren Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist dieser einen Hilfsträger und mehrere auf dem Hilfsträger angeordnete Bauteile auf. Insbesondere befindet sich eine entfernbare Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen. Die Opferschicht kann zum Beispiel durch einen Ätzschritt selektiv von dem Bauteilverbund entfernt werden. Bevorzugt ist die Opferschicht elektrisch leitfähig ausgeführt. Insbesondere ist die Opferschicht mit den Bauteilen elektrisch leitend verbunden, sodass die Bauteile bereits auf Wafer-Ebene, das heißt bereits im Bauteilverbund, über die Opferschicht rückseitig elektrisch kontaktiert werden können.

Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsfläche des Bauteilverbunds oder des Hilfsträgers gerichtet ist. Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere parallel zu der Haupterstreckungsfläche verläuft. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind orthogonal zueinander.

Die Bauteile können jeweils eine vorderseitige Kontaktschicht aufweisen, die in Draufsicht auf den Hilfsträger frei zugänglich ist. Über die Opferschicht und die vorderseitigen Kontaktschichten können die Bauteile einzeln oder gruppenweise elektrisch kontaktiert werden, wodurch die Bauteile bereits im Bauteilverbund geprobt, etwa hinsichtlich der Funktionstüchtigkeit, Leuchtdichte, Helligkeit und so weiter überprüft, und dadurch elektrooptisch charakterisiert werden können. Bauteile, die die vorgegebenen Anforderungen nicht erfüllen, können bereits im Bauteilverbund markiert oder aussortiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weisen die Bauteile jeweils einen Halbleiterkörper auf. Der Halbleiterkörper kann eine erste Halbleiterschicht, eine zweite Halbleiterschicht und eine aktive Zone aufweisen, wobei die aktive Zone in vertikaler Richtung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist. Insbesondere ist die aktive Zone zur Erzeugung oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung etwa im infraroten, sichtbaren oder im ultravioletten Spektralbereich eingerichtet. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht können n-leitend beziehungsweise p-leitend ausgeführt sein, oder umgekehrt. Der Halbleiterkörper weist insbesondere eine Diodenstruktur auf. Das Bauteil kann ein Halbleiterchip, etwa eine pLED sein.

Der Halbleiterkörper kann aus einem III/V-Verbindungs- Halbleitermaterial gebildet sein. Ein III/V-Verbindungs- Halbleitermaterial weist ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie etwa B, Al, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie etwa N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der Begriff "III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial" die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid- Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Zum Beispiel basiert der Halbleiterkörper auf GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN, InGaP, InGaAlP, InGaAlAs oder auf AlGaAs. Auch kann der Halbleiterkörper aus einem II/VI- Verbindungs-Halbleitermaterial gebildet sein.

In mindestens einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist dieser einen Hilfsträger, eine Mehrzahl von Bauteilen und eine elektrisch leitfähige Opferschicht auf. Die Bauteile weisen jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht auf, die mit der Opferschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die Opferschicht ist in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen angeordnet. Außerdem ist die Opferschicht entfernbar ausgeführt .

Insbesondere ist der Hilfsträger ein Ausgangswafer. Die Bauteile auf dem Hilfsträger können über die Opferschicht elektrisch kontaktiert werden, sodass die Bauteile im Bauteilverbund, das heißt bereits auf Wafer-Ebene, einzeln oder gruppenweise elektrisch geprobt und somit insbesondere elektrooptisch charakterisiert werden. Die Bauteile können so direkt auf Wafer-Ebene vermessen werden. Mögliche Schwankungen in der Produktion können frühzeitig registriert werden, sodass schnelleres Feedback für die Entwicklung und Herstellung der Bauteile erhalten werden kann. Die Prozesskontrolle in der Fertigung wird außerdem verbessert, da die Bauteile direkt im Bauteilverbund zerstörungsfrei und ohne Abnahme elektrooptisch überprüft werden können.

Ist die Opferschicht entfernbar ausgeführt, können die Bauteile nach der Entfernung der Opferschicht einzeln oder gruppenweise von dem Hilfsträger auf einen Zwischenträger oder auf eine Zielmontagefläche eines Endprodukts transferiert werden. Mit Hilfe der elektrisch leitfähigen Opferschicht sind für die Charakterisierung der Bauteile insbesondere keine aufwändigen zusätzlichen Prozessierungsschritte nötig, die mögliche Defekte verursachen. Zum Beispiel weisen die Bauteile jeweils eine vordere Kontaktschicht und eine rückseitige Kontaktschicht auf, wobei die vordere Kontaktschicht insbesondere frei zugänglich ausgeführt ist und die rückseitige Kontaktschicht im elektrischen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Opferschicht steht. Die Bauteile können somit vorderseitig über die vorderen Kontaktschichten und rückseitig über die Opferschicht extern elektrisch kontaktiert werden. Der Kontakt zur Opferschicht kann zum Beispiel seitlich an einen Rand des Hilfsträgers herausgeführt werden, etwa über eine metallische Verstärkung. Der Hilfsträger kann elektrisch isolierend ausgebildet sein. Ist der Hilfsträger allerdings elektrisch leitfähig ausgebildet, kann die elektrische Kontaktierung der Opferschicht über den Hilfsträger, etwa über eine Rückseite oder über eine Seitenfläche des Hilfsträgers erfolgen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds sind die Bauteile durch Trenngräben voneinander lateral beabstandet. Insbesondere ist die Opferschicht in den Trenngräben bereichsweise frei zugänglich. Zum Beispiel sind die Bauteile oder die Halbleiterkörper der Bauteile gleichartig ausgeführt. Die Halbleiterkörper der Bauteile können in einem gemeinsamen Prozessschritt hergestellt sein. Die Trenngräben sind etwa Mesagräben, die zwischen den Halbleiterkörpern gebildet sind und die Halbleiterkörper insbesondere vollständig voneinander trennen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist dieser eine Haltestruktur auf. Die Bauteile sind außer über die Opferschicht insbesondere nur noch über die Haltestruktur mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden. Die Haltestruktur ist somit insbesondere derart ausgebildet, dass die Bauteile nach dem Entfernen der Opferschicht nur noch über die Haltestruktur mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind.

Die Haltestruktur weist eine Verankerungsschicht auf, die elektrisch isolierend oder elektrisch leitfähig ausgeführt sein kann. Die Verankerungsschicht kann Halteelemente aufweisen, die insbesondere in Form vertikaler Vorsprünge der Verankerungsschicht ausgeführt sind. Die Haltestruktur kann außerdem eine Passivierungsschicht umfassen, die in Draufsicht die Verankerungsschicht zumindest teilweise oder insbesondere vollständig bedeckt.

Die Halteelemente sind bevorzugt derart ausgeführt, dass diese die Bauteile etwa unter mechanischer Belastung freigeben, sodass die Bauteile von dem Hilfsträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind. Die mechanische Belastung kann eine auf die Haltestruktur und/oder auf die Halteelemente ausgeübte Zugkraft, Scherkraft oder Druckkraft sein. Zum Beispiel sind die Halteelemente derart ausgebildet, dass sie beim Abnehmen des zugehörigen Bauteils abbrechen, abreißen oder von dem zugehörigen Bauteil abgelöst werden.

Ist das Bauteil ablösbar ausgeführt, findet das Ablösen der Haltestruktur von dem Bauteil insbesondere an einer gemeinsamen Grenzfläche zwischen der Haltestruktur und dem Bauteil statt. Diese gemeinsame Grenzfläche kann eine Grenzfläche zwischen zwei Schichten verschiedener Materialien sein, etwa zwischen einer Isolierungsschicht des Bauteils und der Passivierungsschicht oder der Verankerungsschicht der Haltestruktur . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist die Haltestruktur zu jedem Bauteil ein vertikal herausragendes Halteelement auf, das in Draufsicht auf den Hilfsträger von dem zugehörigen Bauteil vollständig bedeckt ist. Solches Halteelement kann als Haltesäule bezeichnet werden. In lateralen Richtungen kann die Haltesäule von der Opferschicht vollumfänglich umschlossen sein. Insbesondere sind die Haltesäulen ausschließlich unterhalb der Bauteile, entlang der vertikalen Richtung etwa ausschließlich zwischen den Bauteilen und dem Hilfsträger angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist die Haltestruktur zu jedem Bauteil ein vertikal herausragendes Halteelement auf, das in Draufsicht auf den Hilfsträger bereichsweise unterhalb des zugehörigen Bauteils und bereichsweise seitlich des zugehörigen Bauteils angeordnet ist. Solches Halteelement kann als Haltegurt bezeichnet werden. Es ist möglich, dass der Haltegurt zusätzlich auf einer oder auf unterschiedlichen Seitenflächen des zugehörigen Bauteils angeordnet ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds sind die Bauteile transferierbar ausgeführt. Die Bauteile können transferierbar ausgeführt sein, indem die Bauteile nach Entfernen der Opferschicht ausschließlich über die Haltestruktur mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind, wobei die Bauteile von der Haltestruktur und somit von dem Hilfsträger ablösbar ausgeführt sind. Eine sichere, geordnete und kostengünstige Massenübertragung der Bauteile aus einem Wafer auf eine Zielmontagefläche kann so auf einfache Art und Weise erzielt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist die Haltestruktur eine Verankerungsschicht auf, die elektrisch leitfähig und insbesondere aus einem Metall oder aus einem elektrisch leitfähigen Oxid gebildet ist. Es ist möglich, dass die Verankerungsschicht aus einem elektrisch isolierenden Material oder aus einem Benzocyclobuten- basierten Material, etwa aus einem Benzocyclobuten-basierten Polymer gebildet ist, oder aus einem Kleber oder Kunststoff wie einem Epoxid oder einem Duroplast. Benzocyclobuten (BCB) ist eine polycyclische aromatische

Kohlenwasserstoffverbindung, die sich aus einer Kombination aus einem Benzolring und einem Cyclobutanring zusammensetzt. Die Verankerungsschicht kann durch Rotationsbeschichtung des Benzocyclobuten-basierten Materials gebildet werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weist die Haltestruktur eine Atomlagenabscheidungsschicht als Passivierungsschicht auf, die auf der Verankerungsschicht angeordnet ist. Eine solche Passivierungsschicht kann durch Atomlagenabscheidung (Englisch: atomic layer deposition, ALD) gebildet werden. Die Atomlagenabscheidung ist ein Verfahren zur Abscheidung von extrem dünnen Schichten, bis hin zu atomaren Monolagen, auf einem Ausgangsmaterial. Zum Beispiel ist die Passivierungsschicht eine A1203-Schicht, eine Si02 Schicht, eine SiNx-Schicht, eine SiOxNy-Schicht oder eine andere dielektrische Schicht.

Alternativ kann die Passivierungsschicht eine über PVD (Englisch: physical vapor deposition), wie Verdampfen oder Sputtern beziehungsweise Kathodenzerstäuben), oder CVD (Englisch: Chemical vapor deposition) abgeschiedene Schicht sein. Diese Schicht kann ein Dielektrikum wie die oben genannten Schichten oder ein TCO (Englisch: transparent conductive oxide) wie zum Beispiel ITO (Indium-Zinn-Oxid) oder ZnO umfassen. Auch ist es möglich, dass die Passivierungsschicht eine Kombination aus ALD-, PVD- und/oder CVD-Schichten ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds weisen die Bauteile jeweils eine vorderseitige Kontaktschicht und eine rückseitige Kontaktschicht auf. Die vorderseitige Kontaktschicht und die rückseitige Kontaktschicht sind unterschiedlichen elektrischen Polaritäten des zugehörigen Bauteils zugeordnet. Die rückseitige Kontaktschicht ist insbesondere mit der zugehörigen Anschlussschicht elektrisch leitend verbunden. Bevorzugt ist die vorderseitige Kontaktschicht frei zugänglich und kann über eine Nadel oder über einen Elektronenstrahl elektrisch kontaktiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds steht die Anschlussschicht im direkten physischen und elektrischen Kontakt mit der Opferschicht. Mit anderen Worten grenzt die Anschlussschicht zumindest bereichsweise unmittelbar an die Opferschicht an.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds ist die Anschlussschicht von einer elektrisch isolierenden Grenzschicht bedeckt, wobei die Grenzschicht zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht angeordnet ist. Die Grenzschicht kann eine Öffnung aufweisen, in der die Anschlussschicht im direkten elektrischen Kontakt mit der Opferschicht steht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds ist die Anschlussschicht in Draufsicht von einer elektrisch isolierenden Grenzschicht vollständig bedeckt. Die Grenzschicht ist in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht angeordnet. Der Bauteilverbund weist eine elektrisch leitfähige Verbindungsschicht auf, die insbesondere seitlich an die Anschlussschicht angrenzt. Bevorzugt ist die elektrisch leitfähige Verbindungsschicht zumindest teilweise von der Grenzschicht nicht bedeckt, wodurch eine elektrische Verbindung zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht hergestellt ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds ist die Anschlussschicht von einer elektrisch leitfähigen Grenzschicht vollständig bedeckt, wobei die elektrisch leitfähige Grenzschicht unmittelbar an die Anschlussschicht und unmittelbar an die Opferschicht angrenzt.

Insbesondere bildet die elektrisch isolierende oder elektrisch leitfähige Grenzschicht eine Barriereschicht, die einen Austausch der Teilchen insbesondere zwischen der Anschlussschicht und der Opferschicht verhindert oder unterbindet. In diesem Sinne bildet die Grenzschicht eine DiffusionsbarriereSchicht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds ist die Opferschicht eine dotierte, insbesondere hoch dotierte Si-, Ge- oder Mo-Schicht. Je nach zugeordneter elektrischer Polarität der Anschlussschicht kann die Opferschicht p- leitend oder n-leitend dotiert sein.

Unter einer hoch dotierten Opferschicht ist insbesondere eine elektrisch leitfähige Schicht zu verstehen, die jedoch ohne die Dotierstoffe unter Normalbedingungen kaum elektrisch leitfähig oder nicht elektrisch leitfähig ausgebildet ist. Es ist möglich, dass die Dotierung derart hoch gestaltet ist, dass die Opferschicht in Form einer Legierung ausgeführt ist. Zum Beispiel weisen die Dotierstoffe in der Opferschicht einen Anteil zwischen einschließlich 2 Gewicht-% und 20 Gewicht-% auf, etwa zwischen einschließlich 4 Gewicht-% und 16 Gewicht-% oder zwischen einschließlich 2 Gewicht-% und 10 Gewicht-%. Die Dotierstoffe können B, Al, Ga, In, P, As, Sb, Bi oder Li sein. Zum Beispiel ist eine Si-Schicht mit Al oder B dotiert. Eine Ge-Schicht kann mit Ga dotiert sein. Ist die Opferschicht eine mit Al dotierte Si-Schicht, kann der Anteil an Al in der Opferschicht zwischen einschließlich 2 Gewicht-% und 20 Gewicht-% oder zwischen einschließlich 4 Gewicht-% und 16 Gewicht-% sein. Zum Beispiel ist die Opferschicht eine Schicht mit 94 Gewicht-% aus Si und 6 Gewicht-% aus Al oder eine Schicht mit 84 Gewicht-% aus Si und 16 Gewicht-% aus Al.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds ist die Anschlussschicht eine Metallschicht. Die Anschlussschicht kann aus Gold oder aus einem anderen Metall etwa aus einem anderen Edelmetall gebildet sein. Alternativ ist es möglich, dass die Anschlussschicht aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Material, etwa aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid, gebildet ist.

Transparente, elektrisch leitfähige Oxide (transparent conductive oxides, kurz TCO) umfassen Metalloxide wie Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff verbindungen wie beispielsweise ZnO, SnÜ 2 oder In 2Ü3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen wie beispielsweise Zn 2 SnÜ 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , MgIn 2Ü4 , Galn0 3 , Zn 2 ln 2 0s oder In 4 Sn 3 0i 2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter, elektrisch leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin können die TCOs p- oder n-dotiert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteilverbunds sind die Bauteile optoelektronische Bauteile. Insbesondere sind die Bauteile Mikro-LEDs. Auch ist es möglich, dass das Bauteil ein trägerloser oder gehäuseloser LED-Chip ist. Außerdem kann das Bauteil ein CSP-Bauteil (Chip Scale Package) mit einer integrierten Trägerstruktur, eine Triplet LED, ein Sensorchip oder ein allgemeines Bauteil in der Optoelektronik sein.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Proben von Bauteilen insbesondere auf Wafer-Ebene wird ein Bauteilverbund, zum Beispiel ein hier beschriebener Bauteilverbund bereitgestellt. Der Hilfsträger kann ein Wafersubstrat sein. Dabei kann das Wafersubstrat ein Aufwachssubstrat oder verschieden von einem Aufwachssubstrat sein, auf dem die Halbleiterkörper der Bauteile aufgewachsen, insbesondere epitaktisch aufgewachsen sind. Die Bauteile des Bauteilverbunds werden geprobt, insbesondere auf die Funktionstüchtigkeit, Helligkeit, Leuchtdichte und so weiter, wobei die Bauteile über die Opferschicht elektrisch kontaktiert werden, während die Bauteile weiterhin mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind. Durch das Proben können die Bauteile elektrooptisch charakterisiert werden.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen von Bauteilen wird ein Bauteilverbund, zum Beispiel ein hier beschriebener Bauteilverbund bereitgestellt. Die Opferschicht wird zur Bildung von Hohlräumen zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen entfernt, wobei die Bauteile insbesondere nur noch über eine Haltestruktur mit dem Hilfsträger mechanisch verbunden sind. Die Haltestruktur kann in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen angeordnet sein. Die Bauteile werden von dem Hilfsträger selektiv abgetrennt, indem die betreffenden Bauteile von der Haltestruktur selektiv abgetrennt oder abgelöst werden. Zum Beispiel mit Hilfe eines Stempels oder mehrerer Stempel können die Bauteile einzeln oder gruppenweise von dem Hilfsträger vollständig entfernt werden.

Alternativ oder ergänzend ist es möglich, dass die Bauteile oder der Bauteilverbund insbesondere vor dem Entfernen der Opferschicht auf einem weiteren Hilfsträger befestigt werden/wird. Der weitere Hilfsträger kann eine Folie, insbesondere eine elastische Folie sein. Auch ist es möglich, dass der weitere Hilfsträger eine Leiterplatte insbesondere mit elektrischen Kontaktstrukturen ist. Die Bauteile befinden sich in vertikaler Richtung insbesondere zwischen dem Hilfsträger und dem weiteren Hilfsträger. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Hilfsträger entfernt, sodass die Bauteile nur noch von dem weiteren Hilfsträger mechanisch getragen sind. Die Bauteile können insbesondere nach dem Proben von dem weiteren Hilfsträger abgetrennt und/oder transferiert werden. Nach dem Entfernen der Opferschicht und des Hilfsträgers können die Bauteile einzeln oder gruppenweise von dem weiteren Hilfsträger abgenommen werden. Das Ablösen der Bauteile erfolgt insbesondere mittels Laserbestrahlung oder mechanischer Belastung. Es ist möglich, dass der Bauteilverbund in diesem Fall frei von einer Haltestruktur ist. Die Bauteile sind auf dem weiteren Hilfsträger angeordnet und grenzen insbesondere an keine Halteelemente an. Weitere Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauteilverbunds oder des Verfahrens zur Charakterisierung oder zur Herstellung der Bauteile ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1A bis 6 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

Figuren 1A und 1B schematische Darstellungen eines Ausführungsbeispiels eines Bauteils in einem Bauteilverbund in Anwesenheit und in Abwesenheit einer Opferschicht,

Figur 2A schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines Bauteilverbunds in Schnittansicht,

Figur 2B schematische Darstellung eines Verfahrensschritts zur Ablösung eines Bauteils aus einem Bauteilverbund,

Figuren 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G, 4A, 4B, 5A, 5B, 5C, 5D, 5E und 5F schematische Darstellungen weiterer Ausführungsbeispiele eines Bauteils in einem Bauteilverbund, und

Figur 6 schematische Darstellung eines Bauelements aus mehreren Bauteilen auf einem gemeinsamen Träger.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.

Figur 1A zeigt einen Abschnitt eines Bauteilverbunds 100 in Schnittansicht. Der Bauteilverbund 100 weist einen Hilfsträger 90 und zumindest ein darauf angeordnetes Bauteil 10 oder mehrere Bauteile 10 auf. In vertikaler Richtung ist eine Opferschicht 6 zwischen dem Hilfsträger 90 und den Bauteilen 10 angeordnet. Die Opferschicht 6 grenzt insbesondere unmittelbar an das Bauteil 10 oder unmittelbar an die Bauteile 10 an.

Der Bauteilverbund 100 weist eine Haltestruktur 7S auf, die in vertikaler Richtung bereichsweise zwischen dem Hilfsträger 90 und der Opferschicht 6 und bereichsweise zwischen dem Hilfsträger 90 und den Bauteilen 10 angeordnet ist. Es ist möglich, dass die Haltestruktur 7S unmittelbar an die Opferschicht 6 und/oder unmittelbar an die Bauteile 10 angrenzt. In der Figur 1A sind lediglich ein Bauteil 10 und eine Teilschicht 6P der Opferschicht 6 in dem gezeigten Abschnitt des Bauteilverbunds 100 schematisch dargestellt. Abweichend davon ist es möglich, dass der Bauteilverbund 100 mehrere Bauteile 10 und mehrere Teilschichten 6P aufweist.

Ein solcher Bauteilverbund 100 ist zum Beispiel in der Figur 2A schematisch dargestellt. Die Opferschicht 6 kann zusammenhängend ausgeführt sein oder mehrere voneinander lateral beabstandete Teilschichten 6P aufweisen. Insbesondere ist die Opferschicht 6 oder die Mehrzahl der Teilschichten 6P in einer Vertiefung oder in mehreren Vertiefungen der Haltestruktur 7S angeordnet.

Der Hilfsträger 90 kann ein Wafer-Substrat sein. Der Hilfsträger 90 ist insbesondere verschieden von einem Aufwachssubstrat, auf dem die Bauteile 10 epitaktisch aufgewachsen sind. Zum Beispiel ist der Hilfsträger 90 aus einem elektrisch leitfähigen Material, etwa aus einem Metall oder einem Halbleitermaterial, insbesondere aus einem dotierten Halbleitermaterial, gebildet. In diesem Fall ist es möglich, dass der Hilfsträger 90 über die etwa elektrisch leitfähige Haltestruktur 7S und die elektrisch leitfähige Opferschicht 6 mit dem Bauteil 10 oder mit den Bauteilen 10 elektrisch leitend verbunden ist. Bereits im Bauteilverbund 100 können die Bauteile 10 somit über den Hilfsträger 90 extern elektrisch kontaktiert werden.

Alternativ ist es möglich, dass der Hilfsträger 90 aus einem elektrisch isolierenden Material oder aus einem Halbleitermaterial gebildet ist. Im Bauteilverbund 100 können die Bauteile 10 über die Haltestruktur 7S und/oder über die Opferschicht 6 extern elektrisch kontaktierbar sein. Ist die Haltestruktur 7S aus einem elektrisch isolierenden Material ausgebildet, kann die elektrisch leitfähige Opferschicht 6 bereichsweise von außen frei zugänglich ausgeführt sein, sodass die Bauteile 10 über die elektrisch leitfähige Opferschicht 6 elektrisch kontaktierbar sind.

Gemäß Figur 1A weist die Haltestruktur 7S eine Verankerungsschicht 7 auf. Die Verankerungsschicht 7 grenzt insbesondere unmittelbar an den Hilfsträger 90 an. Die Verankerungsschicht 7 weist lokale vertikale Erhöhungen auf, die etwa Halteelemente 71 oder 72 der Haltestruktur 7S bilden (siehe auch Figur 4A). Jedem Bauteil 10 kann ein einziges Halteelement 71 oder 72 eineindeutig zugeordnet sein. Ist einem Bauteil 10 ein Halteelement 71 oder 72 zugeordnet, kann dieses Bauteil 10 aufgrund dieses Halteelements 71 oder 72 auf dem Hilfsträger 90 mechanisch fixiert sein, solange eine mechanische Verbindung zwischen dem Bauteil 10 und dem zugehörigen Halteelement 71 oder 72 aufrecht erhalten bleibt. Es ist möglich, dass jedem Bauteil 10 eine Mehrzahl von Halteelementen 71 und/oder 72 zugeordnet ist. Auch ist es möglich, dass benachbarte Bauteile 10, insbesondere genau zwei, drei oder vier benachbarte Bauteile 10, einem gemeinsamen, insbesondere einzigen Halteelement 71 zugeordnet sind. In Figur 1A bedeckt das Bauteil 10 in Draufsicht auf den Hilfsträger 90 das zugehörige Halteelement 71 lediglich teilweise. Das Halteelement 71 ragt seitlich über das Bauteil 10 hinaus. In diesem Sinne ist das Halteelement 71 in Form eines Haltegurts ausgeführt.

In Abwesenheit der Opferschicht 6 ist das Bauteil 10 bevorzugt ausschließlich über die Haltestruktur 7S mit dem Hilfsträger 90 mechanisch verbunden. Die Haltestruktur 7S dient als Verbindungsstruktur zwischen dem Hilfsträger 90 und den Bauteilen 10. Die Haltestruktur 7S kann ausschließlich aus der Verbindungsschicht 7 oder ausschließlich aus der Verbindungsschicht 7 und der Passivierungsschicht 70 gebildet sein. Insbesondere stehen die Bauteile 10 ausschließlich in den Regionen der Halteelemente 71 und/oder 72 mit der Haltestruktur 7S im direkten mechanischen Kontakt. Wird der mechanische Kontakt zwischen dem Bauteil 10 und dem zugehörigen Halteelement 71 oder 72 nach der Entfernung der Opferschicht 6 aufgehoben, kann das Bauteil 10 von dem Hilfsträger 90 vollständig entfernt werden.

Die Halteelemente 71 oder 72 sind insbesondere als integrale Bestandteile der Verankerungsschicht 7 ausgeführt. Die Halteelemente 71 oder 72 und restliche Bereiche der Verankerungsschicht 7 sind insbesondere einstückig und/oder aus demselben Material gebildet. Zum Beispiel ist die Verankerungsschicht 7 mit den Halteelementen 71 und/oder 72 aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet, etwa aus einem Metall oder aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid (TCO). Alternativ ist es möglich, dass die Verankerungsschicht 7 mit den Halteelementen 71 und/oder 72 aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, etwa aus einem elektrisch isolierenden Oxid, aus Kunststoff, Kleber, einem Epoxid, einem Duroplast wie Benzocyclobuten, Benzocyclobuten-basierten Material, insbesondere aus einem Benzocyclobuten-basierten Polymer.

Gemäß Figur 1A weist die Haltestruktur 7S eine Passivierungsschicht 70 auf, die in vertikaler Richtung zwischen der Verankerungsschicht 7 und der Opferschicht 6 oder zwischen der Verankerungsschicht 7 und den Bauteilen 10 angeordnet ist. Insbesondere verläuft die

Passivierungsschicht 70 konform mit einer den Bauteilen 10 zugewandten Oberfläche der Verankerungsschicht 7. Die Passivierungsschicht 70 ist insbesondere eine Atomlagenabscheidungsschicht, zum Beispiel eine Oxidschicht, etwa eine A1203-Schicht. Eine solche Schicht kann durch Atomlagenabscheidung gebildet werden und somit besonders dünn ausgeführt sein.

Zum Beispiel weist die Passivierungsschicht 70 eine mittlere vertikale Schichtdicke zwischen einigen Nanometern und einigen Mikrometern auf. Beispielsweise beträgt die mittlere vertikale Schichtdicke der Passivierungsschicht 70 zwischen einschließlich 3 nm und 3 gm, insbesondere zwischen einschließlich 3 nm und 1 gm, zwischen einschließlich 3 nm und 300 nm, etwa zwischen einschließlich 10 nm und 100 nm.

Die Verankerungsschicht 7 weist eine mittlere vertikale Schichtdicke auf, die insbesondere mindestens dreimal, fünfmal, zehnmal oder mindestens hundertmal so groß ist wie die mittlere vertikale Schichtdicke der Passivierungsschicht 70. Zum Beispiel ist ein Verhältnis der mittleren vertikalen Schichtdicke der Verankerungsschicht 7 zu der mittleren vertikalen Schichtdicke der Passivierungsschicht 70 zwischen einschließlich 3 und 1000, 10 und 1000 oder zwischen einschließlich 10 und 100. Abweichend davon ist es möglich, dass die Verankerungsschicht 7 eine geringere mittlere Schichtdicke als die Passivierungsschicht 70 aufweist. In diesem Fall kann die Passivierungsschicht eine Kombination aus PVD-, CVD- und/oder ALD-Schichten sein.

Es ist denkbar, dass die Passivierungsschicht 70 elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend ausgeführt ist. In Draufsicht auf den Hilfsträger 90 kann die

Passivierungsschicht 70 die Verankerungsschicht 7 teilweise oder vollständig bedecken. Die Passivierungsschicht 70 grenzt insbesondere unmittelbar an die Opferschicht 6 und/oder unmittelbar an die Bauteile 10 an.

Weist die Haltestruktur 7S die Passivierungsschicht 70 auf, kann das Ablösen der Bauteile 10 von dem Hilfsträger 90 oder von der Verankerungsschicht 7 vereinfacht durchgeführt werden, da die Passivierungsschicht 70 insbesondere auch zwischen den Halteelementen 71 und/oder 72 und den Bauteilen 10 angeordnet ist, und die Bauteile 10 etwa durch äußere Krafteinwirkung auf einfache Art und Weise von der dünnen Passivierungsschicht 70 und somit von den Halteelementen 71 und/oder 72 abgetrennt oder abgelöst werden können. Weist die Haltestruktur 7S eine solche Passivierungsschicht 70 auf, kann der Hilfsträger 90 mit der darauf angeordneten Verankerungsschicht 7 und den Halteelementen 71 und/oder 72 ohne großen Aufwand, zum Beispiel bereits nach Entfernung möglicher Verunreinigung, wiederverwendet werden. Abweichend von der Figur 1A und von den Figuren 1B bis 3G ist es jedoch möglich, dass die Haltestruktur 7S frei von einer solchen Passivierungsschicht 70 ist. In diesem Fall kann die Verankerungsschicht 7 insbesondere mit den Halteelementen 71 und/oder 72 unmittelbar an die Opferschicht 6 und/oder unmittelbar an die Bauteile 10 angrenzen.

Die Opferschicht 6 ist bevorzugt elektrisch leitfähig ausgeführt. Insbesondere basiert die Opferschicht 6 auf Silizium, Germanium oder Molybdän. Das elektrisch leitfähige Material der Opferschicht 6 kann porös ausgeführt sein. Zum Beispiel ist die Opferschicht 6 eine hoch dotierte Schicht, insbesondere aus einem Halbmetall, oder eine hoch dotierte Halbleiterschicht. Mit anderen Worten kann die Opferschicht aus einem Halbleitermaterial oder aus einem Halbmetall mit zusätzlichem Einsatz von Dotierstoffen gebildet sein. Zum Beispiel ist die Opferschicht 6 eine hoch dotierte Si-, Ge- oder Mo-Schicht.

Bevorzugt ist die Opferschicht 6 aus dem Bauteilverbund 100 entfernbar, insbesondere selektiv entfernbar ausgebildet. Zum Beispiel kann die Opferschicht 6 durch ein chemisches Verfahren, insbesondere durch ein Ätzverfahren, selektiv aus dem Bauteilverbund 100 entfernt werden, ohne dass die an die Opferschicht 6 angrenzenden Schichten der Bauteile 10 oder der Haltestruktur 7S mitentfernt werden. Als Ätzmittel können SF6 oder XeF2 Anwendung finden. Die an die Opferschicht 6 angrenzenden Schichten können eine höhere Ätzresistenz aufweisen als die Opferschicht 6. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 70 oder die Verankerungsschicht 7 aus einem Material gebildet sein, das im Hinblick auf ein Ätzmittel wie SF6 oder XeF2 eine niedrigere Ätzrate aufweist als ein Material der Opferschicht 6. Die Passivierungsschicht 70 oder die Verankerungsschicht 7 kann somit als Ätzstoppschicht oder als Schutzschicht dienen. Das Bauteil 10 kann ein elektrisches, insbesondere ein optoelektronisches Bauteil 10 sein. Zum Beispiel ist das Bauteil 10 eine lichtemittierende Diode, insbesondere eine pLED, also eine LED mit geometrischen Abmessungen im Mikrometerbereich, etwa zwischen einschließlich 1 gm und 900 pm, zwischen einschließlich 10 pm und vom 600 pm oder zwischen einschließlich 30 pm und 300 pm, insbesondere zwischen einschließlich 1 pm und 100 pm, 1 pm und 30 pm, 1,5 pm und 10 pm oder zwischen einschließlich 1,5 pm und 8pm.

Gemäß Figur 1A weist das Bauteil 10 einen Halbleiterkörper 2 auf, der eine erste Halbleiterschicht 21, eine zweite Halbleiterschicht 22 und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht 21 und der zweiten Halbleiterschicht 22 angeordnete aktive Zone 23 umfasst. Die erste Halbleiterschicht 21 ist dem Hilfsträger 90 abgewandt. Die zweite Halbleiterschicht 22 ist dem Hilfsträger 90 zugewandt. Es ist möglich, dass die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend und die zweite Halbleiterschicht 22 p-leitend ausgeführt sind, oder umgekehrt. Sowohl die erste Halbleiterschicht 21 als auch die zweite Halbleiterschicht 22 können als einzige Schicht oder als Schichtenfolge ausgeführt sein.

Unter einer aktiven Zone 23 des Bauteils 10 ist eine aktive Region im Halbleiterkörper 2 zu verstehen, die insbesondere zur Erzeugung oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Im Betrieb des Bauteils 10 ist die aktive Zone 23 zum Beispiel zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung im ultravioletten, sichtbaren oder im infraroten Spektralbereich eingerichtet. Zum Beispiel umfasst die aktive Zone 23 eine pn-Übergangszone oder eine Ansammlung von Quantenstrukturen, die zur Erzeugung oder zur Detektion elektrischer Strahlung vorgesehen ist/sind. Das Bauteil 10 weist eine erste elektrische Kontaktschicht 31 und eine zweite elektrische Kontaktschicht 32 auf. Die Kontaktschichten 31 und 32 sind unterschiedlichen elektrischen Polaritäten des Bauteils 10 zugeordnet. Insbesondere ist die erste elektrische Kontaktschicht 31 zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21 eingerichtet. Die erste Kontaktschicht 31 kann aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid, etwa aus Indiumzinnoxid (ITO) gebildet sein. Auch ist es möglich, dass die Kontaktschicht 31 Au und/oder Ge aufweist. Die zweite elektrische Kontaktschicht 32 ist zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22 eingerichtet und kann aus einem Metall oder aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid gebildet sein.

Die erste Kontaktschicht 31 ist auf einer Vorderseite des Halbleiterkörpers 2 angeordnet und ist insbesondere von außen frei zugänglich. Die zweite Kontaktschicht 32 ist auf einer Rückseite des Halbleiterkörpers 2 angeordnet und ist insbesondere von außen nicht frei zugänglich. Das Bauteil 10 weist eine Anschlussschicht 4 auf, über die die zweite Kontaktschicht 32 extern elektrisch kontaktierbar ist. Die Anschlussschicht 4 kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, etwa aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid, etwa aus Indiumzinnoxid (ITO), oder aus einem Metall wie Aluminium, Silber, Titan, Rhodium, Chrom, Gold oder Platin.

Das Bauteil 10 weist eine Isolierungsschicht 8 auf, die bereichsweise zwischen der Anschlussschicht 4 und der zweiten Kontaktschicht 32 angeordnet ist. Die Isolierungsschicht 8 ist zum Beispiel aus einem elektrisch isolierenden Oxid oder Nitrid gebildet, etwa aus Si02. Da die zweite Kontaktschicht 32 den Halbleiterkörper 2 lediglich bereichsweise bedeckt, kann die Isolierungsschicht 8 Bereiche einer rückseitigen Oberfläche des Halbleiterkörpers 2, die von der zweiten Kontaktschicht 32 nicht bedeckt sind, bedecken, insbesondere vollständig bedecken. Die Isolierungsschicht 8 weist eine Öffnung auf, durch die sich die Anschlussschicht 4 hindurch zu der zweiten Kontaktschicht 32 erstreckt. Die Isolierungsschicht 8 grenzt insbesondere unmittelbar an die Opferschicht 6, den Halbleiterkörper 2, die zweite Kontaktschicht 32, die Anschlussschicht 4 und/oder unmittelbar an die Haltestruktur 7S an. In Figur 1A grenzt die Isolierungsschicht 8 unmittelbar an die Passivierungsschicht 70 der Haltestruktur 7S an.

Die Anschlussschicht 4 kann im unmittelbaren oder mittelbaren elektrischen Kontakt mit der zweiten Kontaktschicht 32 stehen. Insbesondere ist die Anschlussschicht 4 von der Opferschicht 6 derart bedeckt und/oder umgeben, dass die Anschlussschicht 4 in Anwesenheit der Opferschicht 6 von außen nicht frei zugänglich ist. Die Anschlussschicht 4 ist jedoch mit der Opferschicht 6 elektrisch leitend verbunden, sodass die Anschlussschicht 4 und somit die zweite Kontaktschicht 32 über die elektrisch leitfähige Opferschicht 6 extern elektrisch kontaktierbar sind.

Zum Beispiel ist die Opferschicht 6 bereichsweise von außen frei zugänglich. Auch ist es möglich, dass der elektrische Kontakt zu der Opferschicht 6 beispielsweise über eine Leiterbahn oder über eine metallische Verstärkung seitlich an einen Randbereich des Hilfsträgers 90 oder der Verankerungsschicht 7 herausgeführt ist. In diesem Fall kann der Hilfsträger aus einem elektrisch isolierenden oder aus einem schlecht leitenden Material wie Glas oder Saphir, oder aus einem Halbleitermaterial wie Si oder Ge gebildet sein.

Des Weiteren ist es möglich, dass die externe elektrische Kontaktierung der Opferschicht 6 durch die

Verankerungsschicht 7 hindurch oder durch den Hilfsträger 90 hindurch erfolgt. Hierfür können Durchkontaktierungen gebildet werden, die sich durch die Verankerungsschicht 7 und den Hilfsträger 90 hindurch erstrecken. Als eine Alternative können/kann die Verankerungsschicht 7 und/oder der Hilfsträger 90 elektrisch leitfähig ausgeführt sein. Zum Beispiel ist die Verankerungsschicht 7 aus einem elektrisch leitfähigen Oxid gebildet. Der Hilfsträger 90 kann aus einem Halbmetall oder aus einem metallischen Material oder aus einem Halbleitermaterial, insbesondere dotierten Halbleitermaterial gebildet sein.

Das Bauteil 10 weist eine Vorderseite 11 und eine Rückseite 12 auf. Insbesondere ist das Bauteil 10 entlang der vertikalen Richtung durch die Vorderseite 11 und durch die Rückseite 12 räumlich beschränkt. Mit anderen Worten definieren die Vorderseite 11 und die Rückseite 12 die äußeren Grenzen der räumlichen Ausdehnung des Bauteils 10 entlang der vertikalen Richtung.

Das Bauteil 10 weist Seitenflächen 13 auf, die insbesondere schräg ausgebildet sind. Zum Beispiel bilden die Seitenflächen 13 mit der Haupterstreckungsfläche der ersten Kontaktschicht 31 oder mit der Vorderseite 11 einen inneren stumpfen Winkel, der zum Beispiel zwischen einschließlich 95° und 135° ist, etwa zwischen einschließlich von 95° und 120°. Die Seitenflächen 13 des Bauteils 10 können hauptsächlich durch Seitenflächen des Halbleiterkörpers 2 gebildet sein. In Schnittansicht weist der Halbleiterkörper 2 insbesondere die Form eines Trapezes auf. Abweichend von der Figur 1A ist es möglich, dass die Seitenflächen 13 mit der

Haupterstreckungsfläche der ersten Kontaktschicht 31 oder mit der Vorderseite 11 einen im Wesentlichen senkrechten Winkel oder einen inneren spitzen Winkel bilden. Die Seitenflächen 13 können von einer insbesondere elektrisch isolierenden Schutzschicht bedeckt sein. Abweichend von der Figur 1A ist es möglich, dass die Seitenflächen 13 mit der

Haupterstreckungsfläche der ersten Kontaktschicht 31 oder mit der Vorderseite 11 einen inneren spitzen Winkel bilden, der zum Beispiel zwischen einschließlich 45° und 85° ist, etwa zwischen einschließlich von 60° und 85°.

Gemäß Figur 1A ist die Vorderseite 11 des Bauteils 10 zumindest bereichsweise durch eine freiliegende Oberfläche der ersten Kontaktschicht 31 definiert. Die Rückseite 12 des Bauteils 10 ist bereichsweise durch eine der Opferschicht 6 oder dem Hilfsträger 90 zugewandte Oberfläche der Anschlussschicht 4 und bereichsweise eine der Opferschicht 6 oder dem Hilfsträger 90 zugewandte Oberfläche der Isolierungsschicht 8 vorgegeben. Gemäß Figur 1A grenzt das Bauteil 10 somit unmittelbar an die Opferschicht 6 und unmittelbar an die Haltestruktur 7S an.

Das in der Figur 1B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu wurde die Opferschicht 6 entfernt. Anstelle der Opferschicht 6 oder der Teilschicht 6P der Opferschicht 6 befindet sich ein Hohlraum 6H zwischen dem Bauteil 10 und der Haltestruktur 7S beziehungsweise zwischen dem Bauteil 10 und dem Hilfsträger 90. Insbesondere grenzt die Anschlussschicht 4 unmittelbar an den Hohlraum 6H an, wobei die Anschlussschicht 4 von der Haltestruktur 7S räumlich beabstandet ist. Die Rückseite 12 des jeweiligen Bauteils 10 grenzt bereichsweise weiterhin unmittelbar an die Haltestruktur 7S, insbesondere an das Halteelement 71 oder 72 an. Durch die Haftung an den Halteelementen 71 oder 72 bleiben die Bauteile 10 weiterhin geordnet auf dem Hilfsträger 90, auch nachdem die Opferschicht 6 teilweise oder vollständig entfernt worden ist.

Zum Beispiel haften mindestens 0,1 %, 0,3 %, 0,6 %, 1 %, 3 %, 5 % oder 10 % und höchstens 30 %, 25 % oder 20 %, 10 %, 5 %,

1 % der Gesamtfläche der jeweiligen Rückseite 12 an dem Halteelement oder an den Halteelementen 71 und/oder 72. Beispielsweise liegt ein Flächenanteil der Halteelemente 71 und/oder 72 zwischen einschließlich 0,1 % und 5 %, zwischen einschließlich 0,1 % und 1 %, etwa zwischen einschließlich 0,4 % und 0,6 %. Es ist möglich, dass mindestens 70 %, 75 %, 80 %, 90 %, 95 % oder 99 % der Gesamtfläche der jeweiligen Rückseite 12 unmittelbar an den Hohlraum 6H angrenzen. Nach der Entfernung der Opferschicht 6 sind die Bauteile 10 insbesondere ausschließlich über die Haltestruktur 7S mit dem Hilfsträger 90 mechanisch verbunden. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt können die Bauteile 10 einzeln oder gruppenweise von der Haltestruktur 7S und somit von dem Hilfsträger 90 abgetrennt werden. Hierfür kann die mechanische Verbindung zwischen dem Bauteil 10 und dem zugehörigen Halteelement 71 oder 72 abgelöst werden. Das Ablösen erfolgt insbesondere an einer gemeinsamen Grenzfläche zwischen dem Bauteil 10 und der Haltestruktur 7S, etwa an einer gemeinsamen Grenzfläche zwischen der Isolierungsschicht 8 und der Passivierungsschicht 70 oder an einer gemeinsamen Grenzfläche zwischen der Isolierungsschicht 8 und der Verankerungsschicht 7. Abweichend hiervon ist es möglich, dass der Bauteilverbund 100 frei von einer Haltestruktur 7S ist.

Die Isolierungsschicht 8, die Passivierungsschicht 70 und/oder die Verankerungsschicht 7 können als separate Schichten insbesondere aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein. Dies erleichtert das Ablösen der Bauteile 10 von der Haltestruktur IS. Es ist möglich, dass die abgelösten Bauteile 10 frei von Resten oder Spuren der Haltestruktur 7S sind. Es ist jedoch auch denkbar, dass die abgelösten Bauteile 10 insbesondere an den Rückseiten 12 Reste und/oder Spuren der Haltestruktur 7S oder der Halteelemente 72 oder 72 aufweisen. Alternativ können die Isolierungsschicht 8, die Passivierungsschicht 70 und/oder die Verankerungsschicht 7 aus dem gleichen Material gebildet sein. Zum Beispiel ist die Haltestruktur 7S aus einer Kombination aus Si02-Schichten oder aus TCO-Schichten gebildet, wobei die Si02-Schichten oder die TCO-Schichten übereinander abgeschieden sind. Die TCO-Schichten können Indium-Zinn-Oxid-Schichten sein.

Das in der Figur 2A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist in der Figur 2A nicht nur ein einziges Bauteil 10 sondern eine Mehrzahl von Bauteilen 10 schematisch dargestellt. Die Bauteile 10 können matrixartig, also in Reihen und Spalten, auf dem Hilfsträger 90 angeordnet sein. Die Bauteile 10 können verschiedenartig oder gleichartig aufgebaut sein. Die Bauteile 10 sind gleichartig aufgebaut, wenn sie zum Beispiel denselben strukturellen Aufbau aufweisen. Insbesondere können die Halbleiterkörper 2 der Bauteile 10 gleichartig aufgebaut sein. Zum Beispiel weisen die Halbleiterkörper 2 dieselbe Diodenstruktur auf. Die Halbleiterkörper 2 können auf demselben Halbleiterverbundmaterial basieren. Auch ist es möglich, dass die Halbleiterkörper 2 oder die Bauteile 10 durch gemeinsame Produktionsschritte hergestellt sind.

Gemäß Figur 2A kann jedem Bauteil 10 eine Teilschicht 6P der Opferschicht 6 zugeordnet sein. Die Bauteile 10 oder die Halbleiterkörper 2 sind gemäß Figur 2A durch Trenngräben 6T voneinander lateral beabstandet. In den Trenngräben 6T sind die Teilschichten 6P der Opferschicht 6 insbesondere bereichsweise frei zugänglich. An diesen Stellen können die Teilschichten 6P extern elektrisch kontaktiert werden. Die Bauteile 10 können somit bereits im Bauteilverbund 100, also auf Wafer-Ebene, über die elektrisch leitfähige Opferschicht 6 und die ersten Kontaktschichten 31 gezielt und selektiv elektrisch kontaktiert werden. An den frei zugänglichen Stellen der Opferschicht 6 kann insbesondere nach dem Proben beziehungsweise nach der elektrooptischen Charakterisierung der Bauteile 10 ein Ätzmittel zur Unterätzung beziehungsweise zur Entfernung der Opferschicht 6 zugeführt werden.

Das in der Figur 2B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht dem in der Figur 2A dargestellten Ausführungsbeispiel nach der Entfernung der Opferschicht 6. Insbesondere erfolgt die Entfernung der Opferschicht 6 erst nach dem Proben oder erst nach der elektrooptischen Charakterisierung der Bauteile 10. In der Figur 2B ist schematisch dargestellt, wie ein Bauteil 10 mittels eines Stempels 9S abgenommen und somit von der Haltestruktur 7S beziehungsweise von dem Hilfsträger 90 selektiv abgelöst werden kann. Es ist möglich, dass eine Mehrzahl von Stempeln 9S verwendet wird, um eine Mehrzahl von Bauteilen 10 gleichzeitig zu transferieren. Die Bauteile 10, die transferiert werden, können diejenigen Bauteile 10 sein, die den technischen Anforderungen erfüllen, oder diejenigen Bauteile 10 sein, die den vorgegebenen technischen Anforderungen nicht erfüllen und so aussortiert werden.

Das in der Figur 3A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist das Bauteil 10 eine Grenzschicht 5 auf, die die Anschlussschicht 4 und die Isolierungsschicht 8 zumindest bereichsweise bedeckt. Die Rückseite 12 des Bauteils 10 ist bereichsweise durch eine Oberfläche der Grenzschicht 5 gebildet. Insbesondere grenzt die Grenzschicht 5 unmittelbar an die Isolierungsschicht 8, an die Anschlussschicht 4 und/oder unmittelbar an die Opferschicht 6 an. Bevorzugt ist die Grenzschicht 5 als Diffusionsbarriereschicht gebildet. Aufgrund der Anwesenheit der Grenzschicht 5 kann eine Migration von Teilchen zwischen der Anschlussschicht 4 und der Opferschicht 6 oder zwischen der Opferschicht 6 und dem Halbleiterkörper 2 verhindert oder reduziert werden.

Gemäß Figur 3A ist die Grenzschicht 5 als elektrisch isolierende Grenzschicht 51 ausgeführt, die zum Beispiel aus einem Nitrid-Material, etwa aus SiN gebildet ist. Die Grenzschicht 51 und die Isolierungsschicht 8 können aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein. Die elektrisch isolierende Grenzschicht 51 bedeckt die Anschlussschicht 4 lediglich teilweise und weist eine Öffnung auf, in der die Anschlussschicht 4 insbesondere im direkten elektrischen und mechanischen Kontakt mit der Opferschicht 6 steht.

Das in der Figur 3B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Grenzschicht 5 oder die Diffusionsbarriereschicht als elektrisch leitfähige Grenzschicht 52 ausgeführt. Die elektrisch leitfähige Grenzschicht 52 kann die Anschlussschicht 4 vollständig bedecken. Zum Beispiel ist die Grenzschicht 52 aus einem Metall, etwa aus Chrom oder Titan, gebildet.

Das in der Figur 3C dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu bedeckt die Grenzschicht 5 die Anschlussschicht 4 vollständig. Zur elektrischen Kontaktierung der Anschlussschicht 4 mit der Opferschicht 6 weist das Bauteil 10 eine Verbindungsschicht 4V auf, die nur bereichsweise von der elektrisch isolierenden Grenzschicht 51 bedeckt ist. Die Verbindungsschicht 4V ist seitlich der Anschlussschicht 4 angeordnet und kann unmittelbar an diese angrenzen. Die Verbindungsschicht 4V kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, das sich von dem Material der Anschlussschicht 4 unterscheidet. Zum Beispiel ist die Anschlussschicht 4 aus Gold gebildet. Die Verbindungsschicht 4V kann aus einem anderen Metall als Gold, etwa aus Chrom oder Titan, gebildet sein. Gemäß Figur 3C weist elektrisch isolierende Grenzschicht 51 eine Öffnung auf, in der die Verbindungsschicht 4V im direkten elektrischen Kontakt mit der Opferschicht 6 steht.

Das in der Figur 3D dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3C dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die elektrisch isolierende Grenzschicht 51 keine Öffnung auf. Eine Seitenfläche der Verbindungsschicht 4V ist von der elektrisch isolierenden Grenzschicht 51 unbedeckt und steht im direkten elektrischen Kontakt mit der Opferschicht 6. Auch eine der Opferschicht 6 zugewandte, weitere Oberfläche der Verbindungsschicht 4V ist von der Grenzschicht 51 lediglich teilweise bedeckt und befindet sich im direkten elektrischen Kontakt mit der Opferschicht 6. Die Verbindungsschicht 4V kann ebenfalls als

Diffusionsbarriereschicht dienen. Gemäß Figur 3D weist das Bauteil 10 die Grenzschicht 51 als elektrisch isolierende Diffusionsbarriereschicht und die Verbindungsschicht 4V als elektrisch leitfähige Diffusionsbarriereschicht auf.

Das in der Figur 3E dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist der Bauteilverbund 100 oder das Bauteil 10 frei von der Passivierungsschicht 70, insbesondere frei von einer ALD-Schicht. Die Grenzschicht 5 bedeckt eine Rückseite der Anschlussschicht 4 insbesondere vollständig. Die Grenzschicht 5 kann elektrisch isolierend ausgebildet sein. Zum Beispiel ist die Grenzschicht 5 eine elektrisch isolierende Oxidschicht, etwa Si02 oder eine Nitridschicht. Die Grenzschicht 5 kann als elektrisch isolierende Diffusionsbarriereschicht ausgeführt sein, die eine Migration von Teilchen aus der Si-, Mo- oder Ge-Opferschicht 6 in die Anschlussschicht 4, insbesondere in die Au-Anschlussschicht 4, verhindert oder reduziert.

Gemäß den in den Figuren 1A bis 3D dargestellten Ausführungsbeispielen weist der Bauteilverbund 100 unterhalb jedem Bauteil 10 einen Spalt auf, der von der Opferschicht 6 aufgefüllt ist. Dieser Spalt befindet sich insbesondere in lateralen Richtung zwischen der Anschlussschicht 4 und dem Halteelement 71, insbesondere zwischen der Grenzschicht 5 und dem Halteelement 71. Wird die Opferschicht 6 entfernt, weist der Hohlraum 6H an dieser Stelle einen insbesondere mit Luft gefüllten Spalt auf. Durch den Spalt ist die Anschlussschicht 4 oder die Grenzschicht 5 von dem Halteelement 71 oder von der Passivierungsschicht 70 lateral beabstandet. Durch diese Ausgestaltung kann das Ablösen des Bauteils 10 sicher und vereinfacht durchgeführt werden, da im Idealfall lediglich die Isolierungsschicht 8 an das Halteelement 71 oder an die Passivierungsschicht 70 angrenzt.

Gemäß Figur 3E kann der Spalt von der Grenzschicht 5 vollständig aufgefüllt sein. Mit anderen Worten befindet sich kein Material der Opferschicht 6 in dem Spalt. Die Grenzschicht 5 grenzt bereichsweise insbesondere unmittelbar an die Verankerungsschicht 7 an. In Abwesenheit der Opferschicht 6 erfolgt eine mechanische Haftung zwischen dem Bauteil 10 und der Haltestruktur 7S insbesondere ausschließlich an einer gemeinsamen Grenzfläche zwischen der Grenzschicht 5 und der Verankerungsschicht 7 beziehungsweise zwischen der Grenzschicht 5 und dem Halteelement 71.

Abweichend von den Figuren 1A bis 3E ist es möglich, dass mehrere benachbarte Bauteile 10, insbesondere genau zwei oder vier benachbarte Bauteile 10, einem gemeinsamen Halteelement 71 zugeordnet sind. In Draufsicht können die benachbarten Bauteile 10 Überlappungen mit demselben Halteelement 71 aufweisen. Eine solche Ausgestaltung des Bauteilverbunds 100 kann durch eine zusätzliche Spiegelung der zum Beispiel in der Figur 3A, 3B, 3C, 3D oder 3E dargestellten Ausführungsform gegeben sein, sodass die Halteelemente 71 zweier Bauteile 10 zusammenfallen beziehungsweise ein gemeinsames Halteelement 71 bilden. Die benachbarten Bauteile 10 können somit einem gemeinsamen insbesondere einzigen Halteelement 71 zugeordnet sein. Die benachbarten Bauteile 10 können entweder von links oder von rechts auf dem Hilfsträger 90 gehalten sein. Dies bietet Vorteile in der Prozessierung, insbesondere bei besonders kleinen Bauteilen 10 mit geringem Abstand voneinander.

In allen bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die Verankerungsschicht 7 elektrisch isolierend ausgeführt sein. Insbesondere basiert die Verankerungsschicht 7 auf Benzocyclobuten (BCB) oder ist aus diesem Material gebildet. Alternativ ist es möglich, dass die Verankerungsschicht 7 aus einem elektrisch isolierenden Kleber, aus Epoxiden, Duroplasten, aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid oder aus einem Metall gebildet ist. Der Hilfsträger 90 kann elektrisch leitfähig ausgebildet und aus einem Metall gebildet sein. Die Bauteile 10 können rückseitig über den Hilfsträger 90 oder über die Verankerungsschicht 7 extern elektrisch kontaktiert werden.

Die in den Figuren 3F und 3G dargestellten

Ausführungsbeispiele eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen den in den Figuren 1A beziehungsweise 3D dargestellten Ausführungsbeispielen. Im Unterschied hierzu werden lediglich Abschnitte ohne die Halteelemente 71 gezeigt. Damit soll klargestellt werden, dass die in den Figuren 1A bis 3E dargestellten Ausführungsbeispiele nicht zwingend auf die Haltestruktur 7S mit den Halteelementen 71 begrenzt sind. Im Gegensatz zu den Figuren 1A bis 3E kann die Haltestruktur 7S alternativ oder ergänzend zu den Halteelementen 71 andere Formen von Halteelementen aufweisen.

Eine andere Form von Halteelementen der Haltestruktur 7S ist in der Figur 4A schematisch dargestellt. Das in der Figur 4A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel. Gemäß Figur 4A weist die Haltestruktur 7S zu jedem Bauteil 10 zumindest ein Halteelement 72 insbesondere in Form einer Haltesäule auf. In Draufsicht auf den Hilfsträger 90 bedeckt das Bauteil 10 dazugehörige Halteelement 72 vollständig. Abweichend von der Figur 4A ist es möglich, dass die Haltestruktur 7S zu jedem Bauteil 10 eine Mehrzahl von solchen Halteelementen 72 aufweist, etwa mindestens zwei, drei oder mindestens vier solche säulenartigen Halteelemente 72.

Als weitere Unterschiede zur Figur 1A ist das in der Figur 4A dargestellte Bauteil 10 frei von einer Isolierungsschicht 8 und frei von einer Passivierungsschicht 70. Außerdem ist die zweite Kontaktschicht 32 in lateralen Richtungen von der Anschlussschicht 4 umgeben. Es ist jedoch möglich, dass das in der Figur 4A dargestellte Bauteil 10 eine solche Isolierungsschicht 8 und/oder eine solche Passivierungsschicht 70 aufweist.

Das in der Figur 4B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht dem in der Figur 4A dargestellten

Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 nach Entfernung der Opferschicht 6.

Das in der Figur 5A dargestellte Ausführungsbeispiel eines Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 4A dargestellten Ausführungsbeispiel jedoch mit einer Isolierungsschicht 8 beziehungsweise mit einer Grenzschicht 5. Die in der Figur 5A dargestellte Isolierungsschicht 8 oder Grenzschicht 5 kann sinngemäß analog zu der Isolierungsschicht 8 oder zu der Grenzschicht 5 gemäß den vorherigen hier beschriebenen Ausführungsbeispielen ausgeführt sein. Zum Beispiel ist die in der Figur 5A dargestellte Grenzschicht 5 als elektrisch isolierende Diffusionsbarriereschicht ausgebildet.

Das in der Figur 5B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Grenzschicht 5 sinngemäß analog zu dem in der Figur 3B dargestellten Ausführungsbeispiel als elektrisch leitfähige Diffusionsbarriereschicht ausgeführt.

Das in der Figur 5C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5B dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Grenzschicht 5 oder 51 als elektrisch isolierende Diffusionsbarriereschicht ausgeführt. Zur elektrischen Kontaktierung der Anschlussschicht 4 weist das Bauteil 10 sinngemäß analog zu dem in der Figur 3C dargestellten Ausführungsbeispiel eine Verbindungsschicht 4V auf. Die im Zusammenhang mit der Figur 3C beschriebenen Merkmale insbesondere bezüglich der Verbindungsschicht 4 und der Grenzschicht 51 können daher auch für das in der Figur 5C dargestellte Ausführungsbeispiel herangezogen werden.

Das in der Figur 5D dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 4A dargestellten Ausführungsbeispiel jedoch mit der Isolierungsschicht 8 und der Grenzschicht 5 oder 51. Die Ausgestaltung der Isolierungsschicht 8 und/oder der Grenzschicht 51 gemäß Figur 5D entspricht der Ausgestaltung der Isolierungsschicht 8 und/oder der Grenzschicht 51 gemäß Figur 3A. Die im Zusammenhang mit der Figur 3A beschriebenen Merkmale insbesondere bezüglich der Isolierungsschicht 8 und der Grenzschicht 51 können daher auch für das in der Figur 5D dargestellte Ausführungsbeispiel herangezogen werden.

Das in der Figur 5E dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5C dargestellten Ausführungsbeispiel jedoch mit der Verbindungsschicht 4V und mit der Grenzschicht 51 insbesondere gemäß Figur 3D. Die im Zusammenhang mit der Figur 3D beschriebenen Merkmale insbesondere bezüglich der Verbindungsschicht 4V und der Grenzschicht 51 können daher auch für das in der Figur 5E dargestellte Ausführungsbeispiel herangezogen werden.

Das in der Figur 5F dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5A dargestellten Ausführungsbeispiel jedoch mit der Grenzschicht 5 insbesondere gemäß Figur 3E. Die im Zusammenhang mit der Figur 3E beschriebenen Merkmale insbesondere bezüglich der Verankerungsschicht 7 und des Hilfsträgers können daher auch für das in der Figur 5F dargestellte Ausführungsbeispiel herangezogen werden.

In Figur 6 ist ein Bauelement 1 dargestellt. Das Bauelement 1 weist einen Träger 9, insbesondere einen gemeinsamen Träger 9 auf, auf dem die Bauteile 10 einzeln oder gruppenweise angeordnet und befestigt sind. Das Bauelement 1 kann Teil eines elektronischen Geräts sein. Zum Beispiel ist das elektronische Gerät ein Smartphone, Touchpad, Laserdrucker, eine Videowall, ein Display, eine Erkennungskamera oder ein System aus LEDs, Sensoren, Laserdioden und/oder Detektoren, eine Automobilbeleuchtung, ein Scheinwerfer, ein Bremslicht, eine Anzeige in/an Fahrzeugen. Das Bauteil 10 oder das Bauelement 1 kann außerdem in einer Lichtquelle Anwendung finden. Zum Beispiel ist das Bauteil 10 oder das Bauelement 1 für die Allgemeinbeleuchtung, etwa für Innen- oder Außenbeleuchtung, vorgesehen. Außerdem kann das Bauteil 10 oder das Bauelement 1 als Lichtquelle für einen Scheinwerfer, etwa für einen KFZ-Scheinwerfer, ausgeführt sein.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019 128 728.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

100 Bauteilverbund

10 Bauteil

11 Vorderseite des Bauteils

12 Rückseite des Bauteils

13 Seitenfläche des Bauteils

1 Bauelement

2 Halbleiterkörper

21 erste Halbleiterschicht

22 zweite Halbleiterschicht

23 aktive Zone

31 erste Kontaktschicht

32 zweite Kontaktschicht

4 Anschlussschicht

4V Verbindungsschicht

5 Grenzschicht

51 elektrisch isolierende Grenzschicht

52 elektrisch leitfähige Grenzschicht

6 Opferschicht

6P Teilschicht der Opferschicht

6H Hohlraum

6T Trenngraben

7S Haltestruktur

7 Verankerungsschicht der Haltestruktur 70 Passivierungsschicht der Haltestruktur

71 Halteelement, Haltegurt

72 Halteelement, Haltesäule 8 Isolierungsschicht

9 Träger

90 Hilfsträger/ Wafersubstrat 9S Stempel