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Title:
DEVICE AND METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PRECIPITATING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR LAYERS IN A PLURALITY OF PROCESS CHAMBERS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2011/128226
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for precipitating at least one layer, in particular a semiconductor layer, respectively on a plurality of substrates (5), wherein a plurality of in particular identically designed process chambers (2) in a coating device (1) are supplied with process gases by a common gas supply apparatus (11), each being conducted into the process chamber (2) by a gas inlet member (3), in which one or more of the substrates (5) to be coated are present on a susceptor (4), wherein the process chamber height (H), defined by the distance between a process chamber ceiling (8) and a process chamber floor (9), is variable and has an effect on the growth rate of the layer. In order to disclose measures for ensuring that the layer thicknesses of the layers thus deposited are substantially identical on all substrates, the layer thickness is measured continuously or at in particular short intervals for at least one substrate (5) in each process chamber (2) while the layer is growing. The process chamber height (H) is varied by means of a controller (12) and an actuator (6), so that layers having the same layer thickness are deposited in the process chambers. The invention further relates to a device for depositing at least one layer, in particular a semiconductor layer.

Inventors:
KAEPPELER JOHANNES (DE)
BOYD ADAM (BE)
Application Number:
PCT/EP2011/055248
Publication Date:
October 20, 2011
Filing Date:
April 05, 2011
Export Citation:
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Assignee:
AIXTRON SE (DE)
KAEPPELER JOHANNES (DE)
BOYD ADAM (BE)
International Classes:
C23C16/52; H01L21/00
Domestic Patent References:
WO2008028082A22008-03-06
Foreign References:
US20030049376A12003-03-13
US20030045960A12003-03-06
US20040123806A12004-07-01
JP2004063925A2004-02-26
DE102005056323A12007-05-31
DE10217806A12003-10-30
DE102004007984A12005-09-01
Other References:
See also references of EP 2558615A1
Attorney, Agent or Firm:
GRUNDMANN, Dirk et al. (DE)
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Claims:
ANSPRÜCHE

Verfahren zum Abscheiden von jeweils mindestens einer Schicht, insbesondere einer Halbleiterschicht auf einer Vielzahl von Substraten (5), wobei in einer Beschichtungsvorrichtung (1) mehrere, insbesondere gleichgestaltete Prozesskammern (2) von einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung (11) mit Prozessgasen versorgt werden, die jeweils von einem Gaseinlassorgan (3) in die Prozesskammer (2) eingeleitet werden, in der sich auf einem Suszeptor (4) ein oder mehrere der zu beschichtenden Substrate (5) befinden, wobei die vom Abstand einer Prozesskammerdecke (8) und einem Prozesskammerboden (9) definierte Prozesskammerhöhe (H) variierbar ist und einen Einfluss auf die Wachstumsrate der Schicht hat, dadurch gekennzeichnet, dass während des Schichtwachstums kontinuierlich bzw. in insbesondere kurzen Intervallen in jeder Prozesskammer (2) an zumindest einem Substrat (5) die Schichtdicke gemessen wird und mittels eines Reglers (12) und eines Stellgliedes (6) die Prozesskammerhöhe (H) so variiert wird, dass in den Prozesskammern Schichten mit gleicher Schichtdicke abgeschieden werden.

Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung der Schichtdicke mit einer optischen Sensoranordnung (17) erfolgt, die an der Rückwand eines eine Kammer ausbildende Gaseinlassorgans (3) angeordnet ist und die optische Wegstrecke durch jeweils eine Öffnung (18) des Gaseinlassorgans (3) läuft, die die Prozesskammerdecke (8) ausbildet. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine gemeinsame Evakuierungseinrichtung (2) und je einer Prozesskammer (2) individuell zugeordneten Druckregeleinrichtung (19).

Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass in den Prozesskammern (2) ein MOCVD-Prozess durchgeführt wird.

Vorrichtung zum Abscheiden von mindestens einer Schicht, insbesondere Halbleiterschicht auf eine Vielzahl von Substraten (5), mit einem Reaktorgehäuse (1), das eine Vielzahl von im Wesentlichen gleich gestalteten Prozesskammern (2) aufweist, wobei jede Prozesskammer (2) ein Gaseinlassorgan (3) zum Einleiten von Prozessgasen in die Prozesskammer (2) und einen Suszeptor (4) zur Aufnahme mindestens eines Substrates (5) aufweist und wobei die vom Abstand einer Prozesskammerdecke (8) und einem Prozesskammerboden (9) gebildete Prozesskammerhöhe (H) von einem Stellglied (6) einstellbar ist und mit einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung (11), um die Prozesskammern (2) mit dem Prozessgas zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, dass jede Prozesskammer (2) eine Schichtdickenmesseinrichtung (10) aufweist, mit der während des Schichtwachstums an zumindest einem Substrat kontinuierlich oder in insbesondere kurzen Intervallen die Schichtdicke der Schicht ermittelbar ist, und dass ein Regler (12) vorgesehen ist, dessen Eingangsgrößen die von den Schichtdickenmesseinrichtungen (10) ermittelten Schichtdicken und deren Ausgangsgrößen Stellwerte für die Stellglieder (6) sind.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine unterhalb des Suszeptors (4) angeordnete, insbesondere mit dem Suszeptor (4) höhenverlagerbare Heizung (16).

7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 5 und 6 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die vom Regler (12) an die Stellglieder (6) gegebenen Stellwerte von der von der schichtdicken Messeinrichtung (17) gemessenen Schichtdicke abhängt.

8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 5 bis 7 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Regler (12) so eingerichtet ist, dass durch eine Variation der Prozesskammerhöhe (H) Schichten mit gleicher Schichtdicke abgeschieden werden.

Description:
Vorrichtung und Verfahren zum gleichzeitigen Abscheiden mehrerer Halbleiterschichten in mehreren Prozesskammern

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von mindestens einer Schicht, insbesondere einer Halbleiterschicht auf einer Vielzahl von Substraten, wobei in einer Beschichtungsvorrichtung mehrere, insbesondere gleichgestaltete Prozesskammern von einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung mit Prozessgasen versorgt werden, die jeweils von einem Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleitet werden, in der sich auf einem Suszeptor ein oder mehrere der zu beschichtenden Substrate befinden, wobei die vom Abstand einer Prozesskammerdecke und einem Prozesskammerboden gebildete Prozesskammerhöhe variierbar ist und einen Einfluss auf die Wachstumsrate der Schicht hat. Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Abscheiden von jeweils mindestens einer Schicht, insbesondere Halbleiterschicht auf eine Vielzahl von Substraten, mit einem Reaktorgehäuse, das eine Vielzahl von im Wesentlichen gleich gestalteten Prozesskammern aufweist, wobei jede Prozesskammer ein Gaseinlassorgan zum Einleiten von Prozessgasen in die Prozess- kammer und einen Suszeptor zur Aufnahme mindestens eines Substrates aufweist und wobei die vom Abstand einer Prozesskammerdecke und einem Prozesskammerboden gebildete Prozesskammerhöhe von einem Stellglied einstellbar ist, und mit einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung, um die Prozesskammern mit dem Prozessgas zu versorgen.

Die DE 10 2005 056 323 AI beschreibt eine Vorrichtung, die ein Reaktorgehäuse aufweist, in dem eine Mehrzahl von Prozesskammern angeordnet sind. Die Vorrichtung besitzt darüber hinaus eine Gasversorgungseinheit zum Bereitstel- len verschiedener Trägergase und Prozessgase. Die Prozessgase werden individuell dosiert über Gaseinlassorgane in die einzelnen Prozesskammern eingeleitet. Zum Zwecke des Ent- bzw. Beiadens sind dort die Suszeptoren absenkbar, wobei die Höhe der Prozesskammer sich vergrößert. In den Prozesskammern findet ein MOCVD-Prozess statt.

Die DE 102 17806 AI beschreibt eine Vorrichtung zur Durchführung eines MOCVD-Prozesses, bei der die Prozessgase ebenso wie bei der zuvor geschilderten Prozesskammer durch ein duschkopfartiges Prozesseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleitet werden. Zur Beeinflussung der Wachstumsparameter der dort abgeschiedenen Schichten kann die Höhe der Prozesskammer be- einflusst werden. Dies erfolgt mittels Stellgliedern, die den Suszeptor und eine daran befestigte Heizeinrichtung auf und ab verlagern kann. Die DE 10 2004 007 984 AI beschreibt einen CVD-Reaktor, bei dem bestimmte Schichtparameter optisch während des Schichtwachstums bestimmt werden können. Hierzu befinden sich in einer rückwärtigen Wand eines Gaseinlassorgans reihenförmig angeordnete Sensoren, wobei die optische Wegstrecke vom Substrat zum Sensor durch eine Gasaustrittsöffnung des Gaseinlassorgans ver- läuft.

In einer gattungsgemäßen Vorrichtung werden synchron in mehreren Prozesskammern identische Wachstumsprozesse durchgeführt. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, damit die Schichtdicken der so abgeschiedenen Schichten auf allen Substraten im Wesentlichen identisch ist. Da die Prozesskammern eines derartigen Multi-Prozesskammer-Reaktors graduelle Unterschiede aufweisen, die zu unterschiedlichem Schichtwachstum führen können, müssen bei jeder Prozesskammer individuelle Maßnahmen ergriffen werden, um das Schichtwachstum zu korrigieren. Experimente haben ergeben, dass die Wachstumsrate nicht nur von der Zusammensetzung und Konzentration der Prozessgase, sondern auch von der Höhe der Prozesskammer abhängt. Die erfindungsgemäße Lösung der oben genannten Aufgabe besteht somit darin, dass während des Schichtwachstums kontinuierlich bzw. in insbesondere kurzen Intervallen in jeder Prozesskammer an zumindest einem Substrat die Schichtdicke gemessen wird. Mittels eines Reglers und eines Stellgliedes wird die Prozesskammer während des Wachstums variiert. Die Variation erfolgt mit dem Ziel, dass in den Prozesskammern Schichten mit gleicher Schichtdicke abgeschieden werden. Die Wachstumsrate nimmt mit steigender Prozesskammerhöhe ab. Wird beispielsweise während des Abscheideprozesses von einer Schichtdickenmesseinrichtung in einer Prozesskammer festgestellt, dass die dort abgeschiedene Schicht momentan dicker ist, als die Schichten, die in den übrigen Prozesskammern abgeschieden werden, so wird während des Wachstumsprozesses von dem Regler das Stellglied, mit dem die Höhe der Prozesskammer eingestellt werden kann, mit einem entsprechenden Ände- rungswert beaufschlagt, so dass beispielweise der Suszeptor um einen gewissen Betrag abgesenkt wird, so dass sich die Prozesskammerhöhe vergrößert. Alternativ dazu kann der Regler auch an die Stellglieder der übrigen Prozesskammern die Anweisung geben, die Prozesskammerhöhe zu vermindern, damit dort die Wachstumsrate ansteigt. Die Auswahl der einen oder der anderen Al- ternative erfolgt anhand der aktuellen Prozesskammerhöhe. Diese soll ein vorgegebenes Minimum nicht unterschreiten und ein vorgegebenes Maximum nicht überschreiten. In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung wird die Schichtdicke an verschiedenen Stellen in der Prozesskammer und insbesondere in verschiedenen Radialabständen von einem Zentrum der im Wesentlichen rotationssymmetrischen Prozesskammer ermittelt. Dies erfolgt vorzugsweise mittels einer optischen Messeinrichtung, wie sie aus der DE 10 2004 007 984 AI bekannt ist, nämlich mit einem Fotodioden- Array, welches an der Rückwand einer Kammer eines Gaseinlassorgans angeordnet ist, so dass die optische Wegstrecke durch jeweils eine Gasaustrittsöffnung der Unterseite des Gaseinlassorgans verläuft. Die Schichtdeckenmesseinrichtung kann aber auch außerhalb des Reaktorge- häuses angeordnet sein. Die Messeinrichtung kann über einen Lichtleiter mit der Prozesskammer verbunden sein. Es ist aber auch möglich, dass das Licht zur Ermittlung der Schichtdicke durch ein Rohr auf die Sensoroberfläche fällt.

Die erfindungs gemäße Vorrichtung zeichnet sich durch eine Gasversorgungs- einrichtung aus, die jede einzelne Prozesskammer mit einem Prozessgas versorgt. Es können individuelle Dosiereinheiten vorgesehen sein, die jeweils ein Gaseinlassorgan mit Prozessgas versorgen. Bei dem Gaseinlassorgan handelt es sich um einen duschkopf artigen Körper mit an der Unterseite angeordneten Gasaustrittsöffnungen, durch die das Prozessgas, bei dem es sich bevorzugt um eine metalorganische III-Komponente und ein V-Hydrid handelt, in die Prozesskammer eingeleitet werden. Während der Deckel der Prozesskammer von der Unterseite des Gaseinlassorgans gebildet wird, wird der Boden der Prozesskammer von der Oberseite eines Suszeptors gebildet. Auf dem Suszeptor liegen ein oder mehrere zu beschichtende Substrate auf. Um die im Wesentli- chen kreisrunde Prozesskammer erstreckt sich ein Gasauslassring, der über eine Gasauslassleitung mit einem Druckregler verbunden ist. Die Gesamtheit der Prozesskammern ist an einer gemeinschaftlichen Vakuumpumpe angeschlossen. Unterhalb des aus Graphit bestehenden Suszeptors befindet sich eine Heiz- einrichtung, um den Suszeptor auf eine Prozesstemperatur zu heizen. Mittels eines Stellgliedes kann die Höhe des Suszeptors und damit die Höhe der Prozesskammer eingestellt werden. Auf der Rückseite des Gaseinlassorgans befindet sich das oben erwähnte Schichtdickenmessgerät, welches durch die Gasaus- trittsöffnung hindurch optisch die Schichtdicke während des Prozesses misst. Das Schichtdickenmessgerät kann aber auch außerhalb des Reaktorgehäuses vorgesehen sein. Es kann dann beispielsweise mit Hilfe eines Lichtleiters mit der Prozesskammer verbunden sein. Es ist aber auch möglich, dass die optische Verbindung zur Prozesskammer über ein Rohr erfolgt. Letzteres kann auch mit einem Inertgas gespült sein. Es ist ein Regler vorgesehen. Dieser erhält von der schichtdicken Messeinrichtung Eingangsmessgrößen. Der Regler vergleicht die momentan gemessenen Schichtdicken miteinander, um die Stellglieder mit Stellwerten zu versorgen, um die Prozesskammerhöhe dahingehend zu variieren, dass Schichten mit gleicher Schichtdicke abgeschieden werden.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. l in schematischer Darstellung einen Querschnitt durch einen

Multiprozesskammerreaktor entlang der Schnittlinie I-I in Fig.

Fig. 2 einen Schnitt entlang der Schnittlinie II-II in Fig. 1, eine Darstellung gemäß Fig. 1 eines weiteren Ausführungsbeispiels, und Fig. 4 die gemessene Abhängigkeit der Wachstumsrate von der Prozesskammerhöhe H bei verschiedenen Totaldrucken.

In dem aus Edelstahl bestehenden Reaktorgehäuse 1 sind insgesamt vier Pro- zesskammern 2.1, 2.2, 2.3, 2.4 ausgebildet. Jede der vier Prozesskammern 2.1, 2.2, 2.3, 2.4 wird individuell über eine Gaszuleitung 13 mit Prozessgasen versorgt. In den Figuren ist lediglich eine Leitung 13 je Prozesskammer eingezeichnet. Es können auch mehrere Zuleitungen 13 sein, die jedoch alle mit einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung 11 verbunden sind. Die Gasversor- gungseinrichtung 11 besitzt Ventile und Massenf lussmessgeräte, um die Prozessgase individuell zu dosieren.

In jeder der insgesamt vier Prozesskammern des Reaktors 1 befindet sich ein Einlassorgan 3, welches die Form eines Duschkopfs besitzt. Es besitzt eine rückwärtige Platte, an der der optische Sensor 17 und eine Schichtdickenmess- einrichtung 10 angebracht sind, und in einem Abstand dazu eine vorderseitige Platte, in der sich eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen 18 befinden. Durch einige der Gasaustrittsöffnungen 18 verläuft die optische Wegstrecke der optischen Sensoren 17. In die Kammer zwischen Rückenplatte und Frontplatte des Gaseinlassorgans 3 wird das Prozessgas eingelassen, welches durch die Gasaustrittsöffnung 18 in die Prozesskammer 2 einströmt.

Unterhalb der von der Unterseite des Gaseinlassorgans 3 gebildeten Prozesskammerdecke 8 befindet sich ein Suszeptor 4, der mit seiner Oberseite einen sich parallel zur Prozesskammerdecke 8 erstreckenden Prozesskammerboden 9 ausbildet. Auf dem Suszeptor 4 liegt ein Substrat 5, welches beschichtet wird. Es ist aber auch möglich, auf die Suszeptor-Oberfläche mehrere Substrate zu legen, die gleichzeitig beschichtet werden. Der Suszeptor 4 kann auch um eine Zentralachse drehangetrieben werden.

Unterhalb des Suszeptor s befindet sich eine Heizung 16, um den Suszepti Prozesstemperatur aufzuheizen.

Es ist ein Träger 7 vorgesehen, der die Heizung 16 und der den Suszeptor 4 trägt. Mittels eines Stellgliedes 6 kann der Träger 7 in der Höhe verlagert werden, so dass damit der Suszeptor 4 zusammen mit der Heizung 16 aus der in der Fig. 1 mit durchgezogenen Strichen dargestellten Position in die gestrichelt dargestellte Position angehoben werden kann. Dies hat zur Folge, dass sich die Höhe H der Prozesskammer, die dem Abstand zwischen Prozesskammerdecke 8 und Prozesskammerboden 9 entspricht, vermindert wird. Die Seitenwand der Prozesskammer 2 wird von einem Gasauslassring 21 gebildet, der über eine Gasableitung mit einem Druckregler 19 verbunden ist. Beim Druckregler 19 kann es sich um ein Drosselventil handeln. Sämtliche Drosselventile der Prozesskammern 2 sind mit einer gemeinsamen Vakuumpumpe 20 verbunden.

Es ist ein elektronischer Regler 12 vorgesehen. Dieser erhält von jeder Schicht- dickenmesseinrichtung 10 einen Eingangswert über eine Datenleitung 14, der der augenblicklich gemessenen Schichtdicke entspricht. Besitzt die Messeinrichtung 10 eine Vielzahl von optischen Sensoren 17, erhält der Regler 12 eine ent- sprechende Vielzahl von Daten. Der Regler 12 bestimmt dann zu jeder Prozesskammer eine mittlere Schichtdicke. Der Regler 12 vergleicht die Schichtdicken untereinander und stellt Abweichungen fest. Stellt der Regler 12 fest, dass in einer Prozesskammer die mittlere Schichtdicke geringer ist, als in den anderen Prozesskammern oder dass in einer der Prozesskammern die mittlere Schichtdicke größer ist, als in den anderen Prozesskammern, so ergreift er geeignete Maßnahmen, die darin bestehen, dass in einer oder mehreren Prozesskammern der Suszeptor 4 zusammen mit der Heizung 16 angehoben oder abgesenkt wird. Die diesbezüglichen Stellwerte werden über Datenleitungen 15 an das jeweilige Höheneinstellglied 6 geleitet. In einem typischen MOCVD-Prozess, bei dem im Niedrigdruckbereich durch das Gaseinlassorgan 3 eine III-metallorganische Komponente zusammen mit Wasserstoff als Trägergas und ein V-Hydrid eingeleitet wird, nimmt die Wachstumsrate der III-V-Schicht ab, wenn sich die Prozesskammerhöhe H erhöht. Durch eine Verlagerung des Suszeptors 4 nach oben oder unten kann somit die Wachstumsrate modifiziert werden. Dies erfolgt insgesamt so, dass in jeder der Prozesskammern 2.1 bis 2.4 Schichten mit im Wesentlichen identischer Schichtdicke abgeschieden werden. Die Regelung erfolgt derart, dass in den einzelnen Prozesskammern 2.1 bis 2.4 Wachstumsprozesse stattfinden, die durch eine im Wesentlichen identische mittlere Wachstumsrate gekennzeichnet sind. Weichen während des Abscheideprozesses die aktuellen Wachstumsraten in den Prozesskammern 2.1 bis 2.4 voneinander ab, so werden die Prozesskammer höhen verändert. Dabei kann bewusst eine Überkompensation stattfinden, um eine Differenz in den Schichtdicken auszugleichen. Anders als bei dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist bei dem in der Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel der optische Sensor 17 außerhalb des Reaktorgehäuses 1 angeordnet. Im dort dargestellten Ausführungsbeispiel sitzt der optische Sensor 17 auf der Reaktorgehäusedecke und ist mit ei- nem Rohr verbunden, welches durch das Gaseinlassorgan 3 hindurchragt. Die Schichtdickenmesseinrichtung 10 besitzt eine Sensorfläche, die in Sichtverbindung mit dem Substrat steht. In der Fig. 3 ist zu jeder Prozesskammer 2.1, 2.2 lediglich nur eine Schichtdickenmesseinrichtung 10 dargestellt. Auch hier kön- nen mehrere Schichtdickenmesseinrichtungen vorgesehen sein, um die Wachstumsrate an verschiedenen Positionen des Substrates zu messen.

In einer nicht dargestellten weiteren Version ist anstelle des Rohres ein Lichtleiter vorgesehen, um die optische Verbindung zwischen dem optischen Sensor 17 und der Prozesskammer herzustellen.

In einer weiteren, nicht dargestellten Version ist in der Reaktorwandung lediglich ein optisches Fenster vorgesehen, rückwärtig dessen sich der optische Sensor 17 befindet.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und in der erfindungsgemäßen Vorrichtung können Schichten aus GaN, AlGaN, InGaN, GaAs, InP, AlGaAs, In- GaAs etc. abgeschieden werden. Bei einem Abscheidungsprozess, bei dem unter Verwendung von TMGa und NH 3 GaN abgeschieden wird, wurde die Ab- hängigkeit der Wachstumsrate r von der Prozesskammerhöhe bestimmt. Fig. 4 gibt die diesbezüglichen Messwerte für einen Totaldruck von 6.6 kPa, 26.6 kPa und 40 kPa wieder. Es ist zu erkennen, dass die Wachstumsrate (μιη/h) bei hohen Totaldrücken eine größere Abhängigkeit von der Prozesskammer höhe H (mm) besitzt, als bei niedrigeren Wachstumsraten.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollin- haltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren in ihrer fakultativ nebengeordneten Fassung eigenständige erfinderische Weiterbildung des Standes der Technik, insbesondere um auf Ba- sis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.

Bezugszeichenliste

1 Reaktorgehäuse, Beschichtungseinrichtung

2 Prozesskammer

3 Gaseinlassorgan

4 Suszeptor

5 Substrat

6 (Höhen-)Einstellglied

7 Träger

8 Prozesskammerdecke

9 Prozesskammerboden

10 Schichtdickenmesseinrichtung

11 Gasversorgungseinrichtung

12 Regler

13 (Gas-)Zuleitung

14 Eingangsleitung

15 Datenleitung

16 Heizung

17 optischer Sensor

18 (Gasaustritts-)Öffnung

19 Druckregler, Druckregeleinrichtung

20 Vakuumpumpe

21 Gasauslassring