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Patent Searching and Data


Title:
DIODE LASER AND METHOD FOR OPERATING A DIODE LASER
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2020/094803
Kind Code:
A2
Abstract:
The diode laser (1000) comprises a laser bar having a semiconductor body (1) and an active layer (11), wherein the laser bar has a plurality of individual emitters (2). At least some individual emitters are respectively assigned a section (20) of the semiconductor body and a current regulating element (21) connected in series therewith, such that, during operation of the individual emitters as intended, an electrical operating current I0 fed to the individual emitter in each case flows completely through the assigned section of the semiconductor body and in the process a voltage drop UH occurs at the section and at least part of said operating current I0 flows through the assigned current regulating element and experiences an electrical resistance RS in the process. In the case of the individual emitters, the current regulating element assigned in each case is configured such that the resistance Rg at an operating temperature T0 has a positive temperature coefficient dRS/dT|T0. Alternatively or additionally, the resistance RS is greater than |ΔUH/I0, wherein ΔUH is the change in the voltage drop UH at the assigned section of the semiconductor body in the event of an increase in the temperature T of the individual emitter from an operating temperature T0 by 1 K.

Inventors:
KÖNIG HARALD (DE)
STOJETZ BERNHARD (DE)
LELL ALFRED (DE)
ALI MUHAMMAD (DE)
Application Number:
PCT/EP2019/080575
Publication Date:
May 14, 2020
Filing Date:
November 07, 2019
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
International Classes:
H01S5/042
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Diodenlaser (100), umfassend:

- einen Laserbarren, wobei der Laserbarren einen

Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Schicht (11) zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist und wobei der

Laserbarren (100) mehrere in einer Querrichtung (Q) nebeneinander angeordnete Einzelemitter (2) aufweist, die im bestimmungsgemäßen Betrieb jeweils Laserstrahlung emittieren,

- ein oder mehrere Stromregelelemente (21) auf dem

Halbleiterkörper (1), wobei

- zumindest einigen Einzelemittern (2) jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers (1) und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet sind, sodass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter (2) jeweils ein dem Einzelemitter (2) zugeführter

Betriebsstrom IQ vollständig durch den zugeordneten

Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers (1) fließt und dabei an dem Abschnitt (20) ein Spannungsabfall Ujg auftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms lg durch das zugeordnete Stromregelelement (21) fließt und dabei einen elektrischen Widerstand Rg erfährt,

- bei den Einzelemittern (2) das jeweils zugeordnete

Stromregelelement (21) so eingerichtet ist, dass der

Widerstand Rg

a) bei einer Betriebstemperatur TQ einen positiven

Temperaturkoeffizienten dRg/dT|T[) aufweist und/oder b) größer ist als IAUH/IQI, wobei AUjg die Änderung des Spannungsabfalls Ujg am zugeordneten Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers (1) bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters (2) von einer Betriebstemperatur TQ um 1 K ist .

2. Diodenlaser (100) nach Anspruch 1,

wobei im bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines

Einzelemitters (2) für den Widerstand Rg des zugeordneten

Stromregelelements (21) gilt:

a) +0,1 mQ/K < dRg/dT|T[) < +20 mQ/K und/oder

b) 0,5 mQ < Rg < 100 mQ.

3. Diodenlaser (100) nach Anspruch 1 oder 2,

wobei im Falle eines positiven Temperaturkoeffizienten dRg/dT | T[) gilt : dRg/dT|T[) > 0 , 5/1 Q · dUH/dT | T[) gilt .

4. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) ein ferroelektrisches Material umfasst oder daraus besteht.

5. Diodenlaser (100) nach Anspruch 4,

wobei das ferroelektrische Material eine ferroelektrische Halbleiter-Keramik ist.

6. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) ein Hochtemperatur- Supraleiter ist.

7. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Diodenlaser (100) mehrere voneinander getrennte Stromregelelemente (21) auf dem Halbleiterkörper (1) umfasst, wobei mehreren Einzelemittern (2) jeweils ein eigenes Stromregelelement (21) zugeordnet ist.

8. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines

Einzelemitters (2) der innerhalb des zugeordneten

Stromregelelements (2) fließende Teil des Betriebsstroms lg überwiegend in eine Richtung quer oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (1) fließt .

9. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines

Einzelemitters (2) der innerhalb des zugeordneten

Stromregelelements (21) fließende Teil des Betriebsstroms lg überwiegend in eine Richtung parallel zu einer

Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (1) fließt.

10. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) in mehrere Abschnitte (21A, 21B) unterteilt ist, wobei die unterschiedlichen Abschnitte (21A, 21B) jeweils in Serie mit dem dem

Einzelemitter (2) zugeordneten Abschnitt (20) des

Halbleiterkörpers (1) verschaltet sind, wobei

- die Abschnitte (21A, 21B) des Stromregelelements (21) untereinander parallel verschaltet sind,

- die Abschnitte (21A, 21B) des Stromregelelements (21) des Einzelemitters (2) unterschiedlichen Bereichen des Halbleiterkörpers (1) zugeordnet sind, - Widerstände Rg^, RSB unterschiedlicher Abschnitte (21A, 21B) bei der Betriebstemperatur TQ unterschiedliche

Temperaturkoeffizienten dRsA/dT|To, dRsB/dT|T[) aufweisen.

11. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei

- der Laserbarren (100) mehrere auf dem Halbleiterkörper (1) angeordnete erste Kontaktelemente (22) umfasst,

- jedem Einzelemitter (2) ein eigenes erstes

Kontaktelement (22) eindeutig zugeordnet ist,

- über die ersten Kontaktelemente (22) die zugeordneten Einzelemitter (2) kontaktierbar sind.

12. Diodenlaser (100) nach dem vorhergehenden Anspruch,

wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) eine Länge des zugeordneten ersten Kontaktelements (22), gemessen entlang einer senkrecht zur Querrichtung (Q) verlaufenden

Längsrichtung (L) , größer ist als eine Länge des dem

Einzelemitter (2) zugeordneten Stromregelelements (21).

13. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) ein Kontaktdraht ist.

14. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) einstückig und/oder einfach zusammenhängend ausgebildet ist.

15. Diodenlaser (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Wärmesenke (3) , auf die der

Laserbarren aufgebracht ist.

16. Diodenlaser (100) nach Anspruch 15,

wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) auf der der Wärmesenke (3) angewandten Seite des Halbleiterkörpers (1)

aufgebracht ist.

17. Diodenlaser (100) nach Anspruch 15,

wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) das

zugeordnete Stromregelelement (21) auf der der Wärmesenke (3) zugewandten Seite des Halbleiterkörpers (1)

ausgebildet ist.

18. Verfahren zum Betreiben eines Diodenlasers (100) nach

einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei

- die Einzelemitter (2) in einer Parallelschaltung

betrieben werden,

- durch jeden Einzelemitter (2) ein Betriebsstrom IQ fließt und dadurch Laserstrahlung in den Einzelemittern (2) erzeugt wird,

- in den Einzelemittern (2) jeweils zumindest ein Teil des Betriebsstroms lg durch das zugeordnete Stromregelelement (21) fließt.

19. Verfahren nach Anspruch 18,

wobei bei zumindest einem Einzelemitter (2) der gesamte Betriebsstrom IQ durch das zugeordnete Stromregelelement (21) fließt.

Description:
Beschreibung

DIODENLASER UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES DIODENLASERS

Es wird ein Diodenlaser angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Betreiben eines Diodenlasers angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Diodenlaser mit geringer Ausfallrate anzugeben. Eine weitere zu lösende

Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zum Betreiben eines solchen Diodenlasers anzugeben.

Zunächst wird ein Diodenlaser angegeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Diodenlaser einen Laserbarren, wobei der Laserbarren einen

Halbleiterkörper mit einer aktiven Schicht zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist. Ferner weist der Laserbarren mehrere in einer Querrichtung nebeneinander angeordnete Einzelemitter auf, die im bestimmungsgemäßen Betrieb jeweils Laserstrahlung emittieren .

Bei dem Laserbarren handelt es sich insbesondere um einen kantenemittierenden Laserbarren. Unter einem Laserbarren wird hier und im Folgenden ein separat handhabbares und elektrisch kontaktierbares Element verstanden. Ein Laserbarren entsteht durch Vereinzelung aus einem Waferverbund. Ein Laserbarren umfasst bevorzugt genau einen ursprünglich zusammenhängenden Bereich des im Waferverbund gewachsenen Halbleiterkörpers.

Der Halbleiterkörper des Laserbarrens ist bevorzugt

zusammenhängend ausgebildet. Die aktive Schicht des

Laserbarrens kann zusammenhängend, insbesondere einfach zusammenhängend, oder segmentiert ausgebildet sein. Die laterale Ausdehnung des Laserbarrens, gemessen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers

beziehungsweise parallel zur aktiven Schicht, ist

beispielsweise höchstens 5 % oder höchstens 20 % größer als die laterale Ausdehnung des Halbleiterkörpers. Insbesondere handelt es sich bei dem Laserbarren um einen Halbleiterchip.

Der Halbleiterkörper des Laserbarrens basiert zum Beispiel auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Insbesondere umfasst der Halbleiterkörper eine Schichtenfolge aus

Schichten eines solchen Halbleitermaterials, die zum Beispiel epitaktisch übereinander gewachsen sind. Bei dem

Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein

Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, wie Al n In ] __ n-m Ga m N, oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial , wie

Al n In ] __ n-m Ga m P, oder um ein Arsenid-

Verbindungshalbleitermaterial , wie Al n In ] __ n-m Ga m As oder

Al n In ] __ n-m Ga m AsP, wobei jeweils 0 d n < 1, 0 d m < 1 und m + n < 1 ist. Dabei kann der Halbleiterkörper Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des

Kristallgitters des Halbleiterkörpers, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt basiert der Halbleiterkörper auf AlInGaN.

Die aktive Schicht des Halbleiterkörpers beinhaltet

insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine QuantentopfStruktur in Form eines einzelnen

Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer Multi- QuantentopfStruktur, kurz MQW. Die aktive Schicht kann im bestimmungsgemäßen Betrieb

elektromagnetische Strahlung im blauen oder grünen oder roten Spektralbereich oder im UV-Bereich oder im IR-Bereich

erzeugen. Die aktive Schicht ist insbesondere zwischen einem n-dotierten Bereich und einem p-dotierten Bereich des

Halbleiterkörpers angeordnet. Der p-dotierte Bereich liegt zwischen einer ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers und der aktiven Schicht, der n-dotierte Bereich liegt zwischen einer zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers und der aktiven Schicht. Die erste und zweite Hauptfläche liegen einander gegenüber und bilden Deckflächen des

Halbleiterkörpers. Die erste Hauptfläche wird im Folgenden auch als p-Seite, die zweite Hauptfläche als n-Seite

bezeichnet .

Die Einzelemitter des Laserbarrens können einzeln und

unabhängig voneinander betreibbar sein. Die Einzelemitter sind in Querrichtung nebeneinander angeordnete, zum Beispiel voneinander beabstandete, Bereiche des Laserbarrens, in denen im Betrieb Laserstrahlung erzeugt wird. Jeder Einzelemitter umfasst dazu einen Teilbereich beziehungsweise Abschnitt des Halbleiterkörpers. Die Breite eines Einzelemitters, gemessen entlang der Querrichtung, ist beispielsweise durch den

Bereich der aktiven Schicht definiert, in dem im

bestimmungsgemäßen Betrieb des Einzelemitters Laserstrahlung erzeugt wird. Einzelemitter werden auch als Laserdioden bezeichnet .

Im bestimmungsgemäßen Betrieb des Diodenlasers sind die

Einzelemitter zum Beispiel gleichzeitig und parallel

angesteuert. Bevorzugt erzeugen die Einzelemitter dann alle gleichzeitig Laserstrahlung, die entlang einer Längsrichtung aus dem Laserbarren ausgekoppelt wird. Dazu umfasst der Laserbarren bevorzugt zwei einander in der Längsrichtung gegenüberliegende Facetten, die die Spiegel eines Resonators bilden .

Die Querrichtung ist vorliegend eine Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht

beziehungsweise des Halbleiterkörpers. Die Längsrichtung ist eine Richtung parallel zur selben Haupterstreckungsebene und senkrecht zur Querrichtung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Diodenlaser ein oder mehrere Stromregelelemente auf dem Halbleiterkörper. Insbesondere kann der Diodenlaser genau ein Stromregelelement oder mehrere Stromregelelemente auf dem Halbleiterkörper umfassen. Bei dem oder den Stromregelelementen handelt es sich insbesondere um elektrische Widerstände. Im Folgenden gemachte Angaben zu einem Stromregelelement können

entsprechend für mehrere oder alle Stromregelelemente gelten.

Das Stromregelelement ist beispielsweise ein

zusammenhängendes, insbesondere einfach zusammenhängendes, Element. Das Stromregelelement kann einstückig oder einteilig ausgebildet sein. Das heißt, alle Bereiche des

Stromregelelements sind integral miteinander ausgebildet und enthalten das gleiche Material oder bestehen aus dem gleichen Material .

Das Stromregelelement ist auf dem Halbleiterkörper

angeordnet. Das heißt, das Stromregelelement ist außerhalb des Halbleiterkörpers ausgebildet. Das Stromregelelement kann unmittelbar auf dem Halbleiterkörper oder mittelbar auf dem Halbleiterkörper angeordnet sein. Insbesondere ist das

Stromregelelement auf einer Hauptseite des Halbleiterkörpers angeordnet. Das Stromregelelement kann auf der p-Seite oder auf der n-Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sein.

Bevorzugt ist das Stromregelelement mechanisch fest und dauerhaft mit dem Halbleiterkörper verbunden. Ein Abstand des Stromregelelements zum Halbleiterkörper beträgt

beispielsweise höchstens 50 ym oder höchstens 10 ym oder höchstens 5 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest einigen Einzelemittern, insbesondere allen Einzelemittern, jeweils ein Abschnitt des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement zugeordnet, sodass im

bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter Betriebsstrom I Q vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an diesem Abschnitt einen Spannungsabfall Uy erfährt.

Zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms lg, bevorzugt der gesamte Betriebsstrom I Q , fließt durch das zugeordnete

Stromregelelement und erfährt dabei einen elektrischen

Widerstand Rg .

Den Einzelemittern kann jeweils ein eigenes Stromregelelement eindeutig zugeordnet sein. Es kann mehreren oder allen

Einzelemittern aber auch das gleiche Stromregelelement zugeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei den

Einzelemittern das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer

Betriebstemperatur T Q einen positiven Temperaturkoeffizienten dRg/dT| T[) aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der

Widerstand Rg größer als lAUy/Igl, wobei AUy die Änderung des Spannungsabfalls U j g an dem dem Einzelemitter zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T Q um 1 K ist. dRg/dT| T[) und IhU^/Igl werden dabei jeweils für den Fall eines gleichbleibenden Betriebsstrom I Q angegeben.

Der Temperaturkoeffizient dRg/dT| T[) ist definiert als die Ableitung des Widerstands Rg nach der Temperatur T,

ausgewertet bei der Betriebstemperatur Tg. Das Symbol | T[) bedeutet, dass die Ableitung bei der Betriebstemperatur T Q ausgewertet wird. Bevorzugt weist der Widerstand Rg einen positiven Temperaturkoeffizienten überall in einem Bereich von zumindest 10 K oder zumindest 20 K oder zumindest 50 K um die Betriebstemperatur T Q auf.

Der bestimmungsgemäße Betrieb eines Einzelemitters ist ein Betrieb mit einem Betriebsstrom I Q und einer

Betriebstemperatur T Q . Die Einzelemitter können mit

Gleichstrom oder gepulst betrieben werden. Der Betriebsstrom I Q kann zum Beispiel irgendeinen Wert zwischen einschließlich

1 mA und 100 A, zum Beispiel zwischen einschließlich 0,5 A und 5 A, bevorzugt zwischen einschließlich 1,5 A und 2,5 A, haben. Die Betriebstemperatur T Q ist die Temperatur eines

Einzelemitters im Bereich des zugordneten Abschnitts des Halbleiterkörpers. Die Betriebstemperatur T Q eines

Einzelemitters kann zum Beispiel irgendeinen Wert zwischen einschließlich 273 K und 500 K, bevorzugt zwischen

einschließlich 330 K und 470 K, haben. Zum Beispiel ist der bestimmungsgemäße Betrieb der Einzelemitter jeweils ein

Betrieb mit einem Betriebsstrom I Q von 1,5 A oder 2 A oder 2,5 A und mit einer Betriebstemperatur T Q von 330 K oder 400 K oder 450 K.

Erhöht sich die Temperatur eines Einzelemitters ausgehend von einer Betriebstemperatur T Q um 1 K, sinkt üblicherweise die über dem zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers

abfallende Spannung Up um einen Wert AUp. Das

Stromregelelement ist bevorzugt so gewählt, dass beim

bestimmungsgemäßen Betrieb des Einzelemitters ein Widerstand des Stromregelelements größer ist als lAUp/Igl, bevorzugt zumindest doppelt so groß oder zumindest fünfmal so groß oder zumindest zehnmal so groß oder zumindest 20-mal so groß.

Alternativ oder zusätzlich kann das Stromregelelement so gewählt sein, dass dessen Widerstand bei der

Betriebstemperatur T Q einen positiven Temperaturkoeffizienten dRs/dT | T[) aufweist. Anders ausgedrückt handelt es sich bei dem Stromregelelement dann um einen Kaltleiter oder um ein PTC-Element. Bevorzugt gilt für den Temperaturkoeffizienten dR s /dT | T[) :

dR s /dT | T[) > 0 , 5/1 Q · dUp/dT | T[) oder dR s /dT| T[) > 0 , 75/1 Q · dUp/dT | T Q oder dRs/dT | T[) > 0 , 85/1 Q · dUp/dT | T[) und/oder

dR s /dT | T[) < 2/I 0 -dUp/dT | TQ oder dR s /dT| T[) < 1 , 5/1 0 · dUp/dT | T[) oder dR s /dT| T[) < 1 , 2 /I Q · dUp/dT | T[) .

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Diodenlaser einen Laserbarren, wobei der Laserbarren einen

Halbleiterkörper mit einer aktiven Schicht zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist und wobei der Laserbarren mehrere in einer Querrichtung nebeneinander angeordnete Einzelemitter aufweist, die im bestimmungsgemäßen Betrieb jeweils

Laserstrahlung emittieren. Ferner umfasst der Diodenlaser ein oder mehrere Stromregelelemente auf dem Halbleiterkörper. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsstrom I Q vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall Up auftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms lg durch das

zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen

elektrischen Widerstand Rg erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so

eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer

Betriebstemperatur T Q einen positiven Temperaturkoeffizienten dRg/dT| T[) aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der

Widerstand Rg größer als lAUp/Igl / wobei AUp die Änderung des Spannungsabfalls Up am zugeordneten Abschnitt des

Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des

Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T Q um 1 K ist.

Der vorliegenden Erfindung liegt dabei insbesondere folgende Erkenntnis zu Grunde: Die Laserparameter von Einzelemittern, insbesondere von InGaN-Einzelemittern, weisen eine hohe

Schwankung auf, selbst wenn man nur Einzelemitter von einem Waferverbund betrachtet. Bei Bauteilen, welche nur einen einzigen Einzelemitter enthalten, werden schlechte

Einzelemitter per Messung aussortiert.

Werden die Einzelemitter nun nicht einzeln betrieben, sondern in einem Barrenverbund, ist eine Selektion nicht mehr

möglich. Daher findet man auf einem Laserbarren immer eine gewisse Schwankungsbreite der Einzelemitter vor. Da die Einzelemitter üblicherweise elektrisch parallel geschaltet sind, werden die Einzelemitter nicht, wie empfohlen, mit konstantem Strom betrieben, sondern mit konstanter Spannung.

Die Vorwärtsspannung der Einzelemitter hängt dabei stark von verschiedenen Parametern ab, beispielsweise der Temperatur in der aktiven Schicht und der Qualität von Metall- Halbleiterkontakten. Dadurch wird die Vorwärtsspannung maßgeblich von den Laserparametern der Einzelemitter

beeinflusst. Folglich führt eine Schwankung der

Laserparameter über einen Laserbarren zu einer teilweise dramatischen Ungleichverteilung des Stromflusses. Dies kann sogar soweit führen, dass ein Einzelemitter einen Großteil des Stroms durch den Laserbarren trägt, überhitzt und

abbrennt. In der Folge passiert das gleiche dann auch mit dem Rest des Laserbarrens.

Die Erfinder hatten unter anderem die Idee, die

Stromeinprägung in den Laserbarren zu homogenisieren, in der Hinsicht, dass jeder Einzelemitter des Laserbarrens etwa gleich viel Strom trägt. Dazu wird den Einzelemittern jeweils ein Stromregelelement zugeordnet, welches den Stromfluss begrenzt. Durch die Wahl des Stromregelelements zum Beispiel als Kaltleiter kann einer Reduzierung des Spannungsabfalls in einem Einzelemitter bei Temperaturerhöhung entgegengewirkt werden. Andererseits führen bei einem Stromregelelement, welches einen bereits hohen Widerstand mit sich bringt, eine temperaturbedingte Änderungen des Spannungsabfalls über dem dem Einzelemitter zugeordneten Abschnitt des

Halbleiterkörpers zu einem verringerten Stromanstieg durch den Einzelemitter. Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt im

bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines Einzelemitters, bevorzugt mehrere oder aller Einzelemitter, für den

Widerstand Rg am zugeordneten Stromregelelement:

a) +0,1 mQ/K < dRg/dT| T[) < +20 mQ/K und/oder

b) 0,5 mQ < Rg < 100 mQ.

Bevorzugt ist der Widerstand Rg bei der Betriebstemperatur T Q > 5 mQ oder > 10 mQ oder > 15 mQ. Alternativ oder zusätzlich ist der Temperaturkoeffizient dRg/dT| T[) des Widerstands Rg bevorzugt > 0,5 mQ/K oder > 1 mQ/K oder > 1,5 mQ/K.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement ein

ferroelektrisches Material oder besteht daraus.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

ferroelektrische Material eine ferroelektrische

Halbleiterkeramik. Zum Beispiel handelt es sich bei dem ferroelektrischen Material um Ba ] __ x Sr x Ti03. Dieses Material weist im kalten Zustand einen relativ niedrigen spezifischen Widerstand auf. Bei einer Temperatur oberhalb einer Curie- Temperatur T c steigt der spezifische Widerstand exponentiell an, beispielsweise um mehrere Zehnerpotenzen innerhalb von DT * 15 K.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement ein

Hochtemperatursupraleiter, insbesondere ein supraleitender Isolator. Bei hohen Temperaturen, zum Beispiel oberhalb der Betriebstemperatur T Q , verliert das Material dann seine

Supraleitfähigkeit, wodurch der Widerstand Rg des

Stromregelelements stark zunimmt.

Es kann das Stromregelelement insbesondere ein Metall oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus bestehen. Als Materialien für das Stromregelelement, insbesondere wenn dieses als PTC-Element ausgeführt sein soll, eignen sich zum Beispiel BaTiO, BaCO, Ti02, Si, Pt, Au, Ag, Al, Mo, W, Ni,

Fe, Pb oder eine Mischung aus diesen Materialien. Auch kann das Stromregelelement Pd, Ti, Cr oder TCO aufweisen oder daraus bestehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Diodenlaser mehrere voneinander getrennte Stromregelelemente auf dem Halbleiterkörper, wobei mehreren Einzelemittern jeweils ein eigenes Stromregelelement zugeordnet ist, bevorzugt eindeutig oder eineindeutig zugeordnet ist. Die unterschiedlichen

Stromregelelemente sind dabei bevorzugt in Querrichtung nebeneinander angeordnet und in Querrichtung voneinander beabstandet, hängen also nicht zusammen. Die

Stromregelelemente können alle auf der gleichen Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform fließt im

bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines Einzelemitters, bevorzugt mehrere oder aller Einzelemitter, der innerhalb des zugeordneten Stromregelelements fließende Teil des

Betriebsstroms lg überwiegend in eine Richtung quer oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des

Halbleiterkörpers. „Überwiegend" bedeutet, dass ein Strompfad durch das Stromregelelement in Richtung senkrecht oder quer zur Haupterstreckungsebene einen größeren Weg zurückgelegt als in Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene. Die Dicke des Stromregelelements, gemessen senkrecht zur

Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers, muss

dementsprechend hoch gewählt werden. Dafür können die

lateralen Abmessungen der Stromregelelemente, gemessen entlang der Haupterstreckungsebene, gering gewählt werden. So können die Einzelemitter beispielsweise nahe nebeneinander angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform fließt im

bestimmungsgemäßen Betrieb zumindest eines Einzelemitters, bevorzugt mehrere oder aller Einzelemitter, der innerhalb des zugeordneten Stromregelelements fließende Teil des

Betriebsstroms lg überwiegend in eine Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers. Das heißt, der Strompfad durch das Stromregelelement legt in Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene einen größeren Weg zurück als in Richtung senkrecht zur

Haupterstreckungsebene. Bevorzugt fließt der Teil des

Betriebsstroms lg überwiegend in Querrichtung.

Die Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers verläuft beispielsweise parallel zur aktiven Schicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement in mehrere Abschnitte unterteilt, wobei die unterschiedlichen Abschnitte jeweils in Serie mit dem dem Einzelemitter zugeordneten

Abschnitt des Halbleiterkörpers verschaltet sind. Die

Abschnitte des Stromregelelements sind untereinander parallel verschaltet. Ferner sind die Abschnitte des

Stromregelelements des Einzelemitters unterschiedlichen Bereichen des Halbleiterkörpers zugeordnet. Widerstände Rg^, Rgg unterschiedlicher Abschnitte weisen bei der

Betriebstemperatur T Q unterschiedliche

Temperaturkoeffizienten dRgA/dT| T[) , dRgB/dT| T[) auf. Zum

Beispiel ist der Temperaturkoeffizient dR5^/dT| T[) des

Widerstands RSA eines ersten Abschnitts zumindest doppelt so groß oder zumindest zehnmal so groß wie der

Temperaturkoeffizient dRg ß /dTI^ des Widerstands Rgg eines zweiten Abschnitts.

Die unterschiedlichen Abschnitte des Stromregelelements sind bevorzugt aus unterschiedlichen Materialien gebildet. Bei hohen Temperaturen werden dann andere/günstigere Bereiche des Einzelemitters bestromt als bei niedrigen Temperaturen.

Außerdem kann auf diese Weise bei hohen Temperaturen die bestromte Fläche reduziert werden, wodurch sich der

Serienwiderstand erhöht, die Vorwärtsspannung der Diode steigt und in der Konsequenz der Strom durch den

Einzelemitter sinkt.

Die unterschiedlichen Abschnitte können beispielsweise in Querrichtung nebeneinanderliegende Streifen sein. Auch können die unterschiedlichen Abschnitte in Draufsicht auf den

Halbleiterkörper betrachtet ein Schachbrettmuster bilden. Die unterschiedlichen Abschnitte können auch in Richtung

senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers nacheinander angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Laserbarren mehrere auf dem Halbleiterkörper angeordnete erste

Kontaktelemente. Jedem Einzelemitter ist bevorzugt ein eigenes erstes Kontaktelement eindeutig zugeordnet. Über die ersten Kontaktelemente können die zugeordneten Einzelemitter kontaktiert werden. Die ersten Kontaktelemente hängen

bevorzugt nicht zusammen und sind zum Beispiel in

Querrichtung voneinander beabstandet. Die ersten

Kontaktelemente können insbesondere ein Metall, wie zum

Beispiel Gold, umfassen. Bei den ersten Kontaktelementen kann es sich um Lötpads oder Bondpads handeln.

Die ersten Kontaktelemente können alle auf derselben Seite des Halbleiterkörpers, zum Beispiel auf der p-Seite,

angeordnet sein. Die ersten Kontaktelemente sind dann alle p- seitige Kontaktelemente. Das oder die Stromregelelemente können auf derselben Seite des Halbleiterkörpers wie die ersten Kontaktelemente oder auf der gegenüberliegenden Seite angeordnet sein. Beispielsweise ist das Stromregelelement zwischen den ersten Kontaktelementen und dem Halbleiterkörper oder auf der dem Halbleiterkörper abgewandten Seite der ersten Kontaktelemente ausgebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, eine Länge des zugeordneten ersten

Kontaktelements, gemessen entlang einer senkrecht zur

Querrichtung verlaufenden Längsrichtung, größer als eine Länge des dem Einzelemitter zugeordneten Stromregelelements. Die Längsrichtung ist dabei insbesondere eine Richtung senkrecht zur Querrichtung und parallel zur

Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers. Beispielsweise ist die Länge des ersten Kontaktelements zumindest 1,5-mal oder zumindest zweimal so groß wie die Länge des

Stromregelelements. Insbesondere kann das Stromregelelement in diesem Fall von den Facetten des Laserbarrens zurückgezogen sein, was für die Herstellung des Diodenlasers vorteilhaft sein kann.

Alternativ ist es aber auch denkbar, dass bei einem

Einzelemitter oder bei mehreren oder allen Einzelemittern eine Länge des zugeordneten ersten Kontaktelements im

Wesentlichen einer Länge des dem Einzelemitter zugeordneten Stromregelelements entspricht. Beispielsweise weichen dann die Längen des ersten Kontaktelements und des

Stromregelelements um höchstens 20 % oder höchstens 10 % voneinander ab.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement ein

Kontaktdraht. Der Teil des Betriebsstroms lg durchfließt dann im Betrieb den Kontaktdraht entlang dessen Länge.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement einstückig und/oder einfach zusammenhängend ausgebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Diodenlaser weiter eine Wärmesenke, auf die der Laserbarren aufgebracht, beispielsweise aufgelötet ist. Der Laserbarren ist

insbesondere mit der p-Seite des Halbleiterkörpers voran auf die Wärmesenke aufgebracht. Beispielsweise ist der

Laserbarren über die ersten Kontaktelemente auf der

Wärmesenke aufgelötet. Die Wärmesenke kann Metall oder

Keramik oder eine Metall-Keramik-Schichtstruktur umfassen oder daraus bestehen. Beispielsweise umfasst oder besteht die Wärmesenke aus: SiC, A1N, Cu, CuW. Zum Beispiel umfasst die Wärmesenke eine DCB-Struktur (Direkt Copper Bond) , zum

Beispiel aus einer A1N- oder SiC-Schicht zwischen zwei

Kupferschichten .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement auf der der Wärmesenke abgewandten Seite des Halbleiterkörpers

aufgebracht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen

Einzelemittern, das zugeordnete Stromregelelement auf der der Wärmesenke zugewandten Seite des Halbleiterkörpers

ausgebildet. Insbesondere kann in diesem Fall die Wärmesenke selbst das Stromregelelement sein.

Der Diodenlaser kann zum Beispiel aktiv oder passiv gekühlt sein. Der Diodenlaser kann in einer C-Mount Bauform oder einer TO-Mount Bauform oder einer CS-Mount Bauform

bereitgestellt sein. Der Diodenlaser kann einen

Mikrokanalkühler (MCC) umfassen. Der Diodenlaser kann von einer Seite, zwei Seiten, drei Seiten vier Seiten oder fünf Seiten gekühlt sein.

Als nächstes wird ein Verfahren zum Betreiben eines

Diodenlasers angegeben. Das Verfahren eignet sich

insbesondere zum Betreiben eines wie hier beschriebenen

Diodenlasers. Alle im Zusammenhang mit dem Diodenlaser offenbarten Merkmale sind daher auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird mit dem Verfahren ein Diodenlaser gemäß zumindest einer der zuvor beschriebenen Ausführungsformen betrieben. Die Einzelemitter werden in einer Parallelschaltung betrieben. Dabei fließt durch jeden Einzelemitter ein Betriebsstrom I Q wodurch Laserstrahlung in den Einzelemittern erzeugt wird. Die Betriebsströme lg unterschiedlicher Einzelemitter können sich unterscheiden. In den Einzelemittern fließt jeweils ein Teil des Betriebsstroms lg durch das dem Einzelemitter zugeordnete Stromregelelement.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens fließt bei zumindest einem Einzelemitter, bevorzugt bei mehreren oder allen Einzelemittern, der gesamte Betriebsstrom I Q durch das zugeordnete Stromregelelement.

Nachfolgend wird ein hier beschriebener Diodenlaser sowie ein hier beschriebenes Verfahren zum Betreiben eines Diodenlasers unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von

Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1A, 1B und 3 bis 11 verschiedene Ausführungsbeispiele eines Diodenlasers in verschiedenen Ansichten,

Figuren 2A bis 2D verschiedene Ausführungsbeispiele eines Stromregelelements in perspektivischer Ansicht. In der Figur 1A ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines Diodenlasers 100 in Draufsicht auf eine Facette des

Diodenlasers gezeigt. Der Diodenlaser 100 umfasst einen

Halbleiterkörper 1 mit einer aktiven Schicht 11. In der aktiven Schicht 11 wird im bestimmungsgemäßen Betrieb

elektromagnetische Strahlung erzeugt. Der Halbleiterkörper 1 basiert beispielsweise auf InGaN.

Der Halbleiterkörper 1 weist eine erste Hauptseite 10 und eine der ersten Hauptseite 10 gegenüberliegende zweite

Hauptseite 12 auf. Die Hauptseiten sind Deckflächen des Halbleiterkörpers 1. Die erste Hauptseite 10 ist

beispielsweise eine p-Seite des Halbleiterkörpers 1. Das heißt, über die erste Hauptseite 10 werden im

bestimmungsgemäßen Betrieb des Diodenlasers 100 Löcher in den Halbleiterkörper 1 injiziert. Die zweite Hauptseite 12 kann entsprechend die n-Seite sein, über die im Betrieb Elektronen in den Halbleiterkörper 1 injiziert werden.

Auf der ersten Hauptseite 10 des Halbleiterkörpers 1 sind mehrere Metallisierungen 23, mehrere Stromregelelemente 21 und mehrere erste Kontaktelemente 22 angeordnet. Vorliegend sind die Stromregelelemente 21 jeweils zwischen den ersten Kontaktelementen 22 und den Metallisierungen 23 angeordnet. Die Metallisierungen 23 grenzen beispielsweise unmittelbar an den Halbleiterkörper 1 und dienen zur Injektion von

Ladungsträgern in den Halbleiterkörper 1. Zum Beispiel basieren die Metallisierungen 23 auf Palladium oder bestehen daraus. Bei den ersten Kontaktelementen 22 kann es sich um Lötkontaktelemente, zum Beispiel aus Gold, handeln. Die

Stromregelelemente 21 basieren beispielsweise auf Platin oder einer ferroelektrischen Halbleiterkeramik oder einem

supraleitenden Isolator. Auf der zweiten Hauptseite 12 des Halbleiterkörpers 1 ist ein zweites Kontaktelement 24 angeordnet. Das zweite

Kontaktelement 24 ist beispielsweise einfach zusammenhängend ausgebildet. Zum Beispiel umfasst das zweite Kontaktelement 24 Au und/oder Ti und/oder Pt.

Vorliegend handelt es sich bei dem Diodenlaser 100 um einen Laserbarren mit einer Mehrzahl von in einer Querrichtung Q nebeneinander angeordneten Einzelemittern 2. Jedem

Einzelemitter 2 ist ein eigener Abschnitt 20 des

Halbleiterkörpers 1 zugeordnet. Ferner ist jedem

Einzelemitter 2 ein erstes Kontaktelement 22, ein

Stromregelelement 21 und eine Metallisierung 23 eineindeutig zugeordnet. Außerdem ist jedem Einzelemitter 2 ein Abschnitt des zweiten Kontaktelements 24 zugeordnet.

Im bestimmungsgemäßen Betrieb eines Einzelemitters 2 fließt jeweils ein Betriebsstrom I Q durch das zugeordnete erste Kontaktelement 22, die zugeordnete Metallisierung 23, den zugeordneten Abschnitt 20 des Halbleiterkörpers 1 und den zugeordneten Abschnitt des zweiten Kontaktelements 24.

Zumindest ein Teil des Betriebsstroms lg fließt durch das zugeordnete Stromregelelement 21. Der Betriebsstrom I Q für einen Einzelemitter 2 ist als schwarzer Pfeil gekennzeichnet. Der Betriebsstrom I Q beträgt zum Beispiel 2 A. Bei diesem Betriebsstrom I Q weist der betriebene Einzelemitter 2 zum Beispiel eine Betriebstemperatur T Q von 350 K auf.

Die Stromregelelemente 21 können nun jeweils so gewählt sein, dass ihr Widerstand Rg für den sie durchfließenden Teil des Betriebsstroms lg größer ist als IhU j g/Igl, wobei AU j g die Änderung des Spannungsabfalls U j g am zugeordneten Abschnitt 20 des Halbleiterkörpers 1 bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters 2 ausgehend von der Betriebstemperatur T Q um 1 K ist. Alternativ oder zusätzlich können die Widerstände Rg der Stromregelelemente 21 bei einer Betriebstemperatur T Q jeweils einen positiven Temperaturkoeffizient dRg/dT| T[) aufweisen .

Durch diese Ausgestaltung der Stromregelelemente 21 wird im bestimmungsgemäßen Betrieb, bei denen die Einzelemitter 2 bevorzugt parallel betrieben werden, eine Homogenisierung des in die Einzelemitter 2 injizierten Stroms erreicht.

In der Figur 1B ist eine Draufsicht auf die erste Hauptseite 10 gezeigt. Die ersten Kontaktelemente 22 sind länglich ausgebildet. Ihre Länge, gemessen entlang einer Längsrichtung L, ist größer als ihre Breite, gemessen entlang der

Querrichtung Q. In der gezeigten Draufsicht der Figur 1B überdecken die ersten Kontaktelemente 22 die

Stromregelelemente 21 und die Metallisierungen 23

vollständig. Die Längen der Stromregelelemente 21 und der Metallisierungen 23 können jeweils im Wesentlichen der Länge der ersten Kontaktelemente 22 entsprechen.

In den Figuren 2A bis 2D sind verschiedene

Ausführungsbeispiele eines Stromregelelements 21 gezeigt. Solche Stromregelelemente 21 können in dem zuvor gezeigten Ausführungsbeispiel eines Diodenlasers 100 und in den

folgenden Ausführungsbeispielen eines Diodenlasers 100 verwendet sein.

In der Figur 2A ist das Stromregelelement 21 ein einstückiges Element . In der Figur 2B umfasst das Stromregelelement 21 verschiedene Abschnitte 21A, 21B, die alternierend nebeneinander

angeordnet sind. Ein erster Abschnitt 21A weist zum Beispiel einen Widerstand RSA au f· Ein zweiter Abschnitt 21B weist zum

Beispiel einen Widerstand Rgg auf. Der Widerstand RSA weist beispielsweise bei der Betriebstemperatur T Q einen

Temperaturkoeffizienten dRsA/dT | T[) auf· Der Widerstand RSB weist beispielsweise bei der Betriebstemperatur T Q einen Temperaturkoeffizienten dRsB/dT| T[) auf· Zum Beispiel ist dRsA/dT | T[) größer als dRsB/dT| To · Beispielsweise bestehen die Abschnitte 21A, 21B aus unterschiedlichen Materialien. Die Widerstände RSA' RSB beziehen sich auf den Fall eines

Stromflusses durch die Abschnitte 21A, 21B senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Stromregelelements 21.

Mit einem solchen Stromregelelement 21 können bei

unterschiedlichen Temperaturen unterschiedliche Bereiche des einem Einzelemitter 2 zugeordneten Abschnitts 20 des

Halbleiterkörpers 1 unterschiedlich stark bestromt werden.

In der Figur 2C umfasst das Stromregelelement 21 wieder verschiedene Abschnitte 21A, 21B, die in einem

Schachbrettmuster angeordnet sind. Bezüglich der Materialien und Eigenschaften können auch diese Abschnitte wie die

Abschnitte der Figur 2B gewählt sein.

In der Figur 2D umfasst das Stromregelelement 21 verschiedene Abschnitte 21A, 21B, die nicht nur in einer Ebene parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Stromregelelements 21 nebeneinander angeordnet sind, sondern auch in eine Richtung senkrecht dazu. Figur 3 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines

Diodenlasers 100. Anders als in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 fließt hier ein Strom durch das Stromregelelement 21 überwiegend in Querrichtung Q. Dadurch kann für das

Stromregelelement 21 eine geringere Dicke als in dem

Ausführungsbeispiel der Figur 1 gewählt werden. Um einen überwiegenden Stromfluss in Querrichtung Q zu erreichen, ist zwischen dem Stromregelelement 21 und dem Halbleiterkörper 1 noch eine Isolierung 25, beispielsweise aus Siliziumnitrid oder Siliziumoxid oder Aluminiumoxid, vorgesehen.

Im dritten Ausführungsbeispiel der Figur 4 fließt wiederum im bestimmungsgemäßen Betrieb eines Einzelemitters 2 der Strom überwiegend in Querrichtung Q durch das zugeordnete

Stromregelelement 21. In diesem Fall sind jedem Einzelemitter 2 aber zwei erste Kontaktelemente 22 zugeordnet, die in

Querrichtung Q durch eine Isolierung 25 voneinander getrennt sind. Mit der in der Figur 4 gezeigten Ausgestaltung kann eine flächige Kontaktierung der Einzelemitter 2 vereinfacht hergestellt werden.

In der Figur 5 ist ein viertes Ausführungsbeispiel eines Diodenlasers 100 in Draufsicht auf die erste Hauptseite 10 des Halbleiterkörpers 1 gezeigt. Die Stromregelelemente 21 weisen eine geringere Länge als die zugeordneten ersten

Kontaktelemente 22 beziehungsweise als die zugeordneten

Metallisierungen 23 auf. Insbesondere sind die

Stromregelelemente 21 jeweils von den in Längsrichtung L einander gegenüberliegenden Facetten des Halbleiterkörpers 1 zurückgezogen. Dies kann sich vorteilhaft bei der Herstellung des Diodenlasers 100 auswirken. Ansonsten entspricht das Ausführungsbeispiel der Figur 5 im Wesentlichen dem

Ausführungsbeispiel der Figur 3. In der Figur 6 ist ein fünftes Ausführungsbeispiel eines Diodenlasers 100 gezeigt. In diesem Fall ist jedem

Einzelemitter 2 ein eigenes zweites Kontaktelement 24 auf der zweiten Hauptseite 12 zugeordnet. Die einzelnen zweiten

Kontaktelemente 24 sind zueinander beabstandet und hängen nicht zusammen. Ferner sind in der Figur 6 die

Stromregelelemente 21 auf den dem Halbleiterkörper 1

abgewandten Seiten der zweiten Kontaktelemente 24

ausgebildet .

Der Diodenlaser 100 der Figur 6 umfasst zusätzlich zu dem Laserbarren noch eine Wärmesenke 3, die auf der ersten

Hauptseite 10 des Halbleiterkörpers 1 angeordnet ist.

Beispielsweise sind die ersten Kontaktelemente 22 mit der Wärmesenke 3 verlötet. Die Wärmesenke 3 kann beispielsweise SiC, A1N, Cu, CuW umfassen oder daraus bestehen.

Eine solche Wärmesenke 3 kann auch in den zuvor gezeigten Ausführungsbeispielen verwendet sein.

Im sechsten Ausführungsbeispiel der Figur 7 ist wie in dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 den Einzelemittern 2 jeweils ein eigenes zweites Kontaktelement 24 auf der zweiten

Hauptseite 12 zugeordnet. Die Stromregelelemente 21 sind auf den dem Halbleiterkörper 1 abgewandten Seiten der ersten Kontaktelemente 22 zwischen der Wärmesenke 3 und den ersten Kontaktelementen 22 ausgebildet.

Figur 8 zeigt ein siebtes Ausführungsbeispiel eines

Diodenlasers 100. Die Stromregelelemente 21 sind wiederum zwischen den ersten Kontaktelementen 22 und der Wärmesenke 3 angeordnet. Die Einzelemitter 2 teilen sich ein gemeinsames zweites Kontaktelement 24 auf der zweiten Hauptseite 12.

In der Figur 9 ist ein achtes Ausführungsbeispiel eines

Diodenlasers 100 gezeigt. Wiederum ist eine Wärmesenke 3 auf der ersten Hauptseite 10 des Halbleiterkörpers 1 ausgebildet. Vorliegend umfasst der Diodenlaser 100 nur ein einziges

Stromregelelement 21, das in Draufsicht betrachtet mit allen Einzelemittern 2 überlappt. Jedem der Einzelemitter 2 ist also das gleiche Stromregelelement 21 zugeordnet. Den

unterschiedlichen Einzelemittern 2 sind dabei aber jeweils unterschiedliche Abschnitte des Stromregelelements 21

zugeordnet. Das Stromregelelement 21 ist zum Beispiel einfach zusammenhängend ausgebildet und kann einstückig ausgebildet sein. Bevorzugt ist das Stromregelelement 21 segmentiert, damit jeder Einzelemitter 2 des Laserbarrens gezielter geregelt werden kann. Das Stromregelelement 21 kann

beispielsweise zunächst auf die Wärmesenke 3 aufgebracht worden sein und anschließend mit den ersten Kontaktelementen 22 des Laserbarrens verlötet worden sein.

In der Figur 10 ist ein neuntes Ausführungsbeispiel des

Diodenlasers 100 gezeigt. Vorliegend sind die

Stromregelelemente 21 durch Kontaktdrähte gebildet, die mit den zweiten Kontaktelementen 24 der Einzelemitter 2 verbunden sind. Über die Kontaktdrähte 21 werden die Einzelemitter 2 im bestimmungsgemäßen Betrieb bestromt. Auch hier kann eine Wärmesenke 3 verwendet werden.

Figur 11 zeigt ein zehntes Ausführungsbeispiel eines

Diodenlasers 100. Wiederum ist nur ein einziges

Stromregelelement 21 vorgesehen. Das Stromregelelement 21 ist zum Beispiel einfach zusammenhängend ausgebildet und kann zusätzlich einstückig ausgebildet sein. Das Stromregelelement 21 ist auf den zweiten Kontaktelementen 24 angeordnet. Es kann sich bei dem Stromregelelement 21 beispielsweise um ein Blech handeln. Um die Wirksamkeit des Stromregelelements 21 zu maximieren, kann das Stromregelelement 21 segmentiert sein .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 127 977.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

1 Halbleiterkörper

2 Einzelemitter

3 Wärmesenke

10 erste Hauptseite

11 aktive Schicht

12 zweite Hauptseite

20 Abschnitt des Halbleiterkörpers 1

21 Stromregelelement

22 erstes Kontaktelement

23 Metallisierung

24 zweites Kontaktelement

25 Isolierung

100 Diodenlaser