DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine des oscillateurs mécaniques ainsi qu'un procédé de réalisation d'un oscillateur mécanique. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse pour les ressorts spiraux destinés à équiper le balancier d'un ensemble d'horlogerie mécanique telle qu'une montre. ART ANTÉRIEUR

Un oscillateur mécanique est un dispositif permettant d'entretenir le mouvement d'une masse par rapport à un point stable sous l'effet d'une force. La force instantanée appliquée par l'oscillateur mécanique sur la masse dépend de plusieurs paramètres dont la raideur du matériau constituant l'oscillateur mécanique. L'oscillateur mécanique est classiquement constitué par un barreau qui peut adopter des formes très variées telles qu'un segment droit, un hélicoïde ou une spirale.

Certaines applications de précision, telles que les ressorts spiraux destinés à équiper le balancier d'un ensemble d'horlogerie mécanique, nécessitent un barreau sous la forme d'une spirale dont la raideur varie le moins possible en fonction de la température. La raideur d'un ressort de type spiral est donnée par :

M

K =—

φ

avec :

φ, l'angle de torsion du ressort et

M, le couple de rappel du ressort spiral.

L'équation de ce couple de rappel pour un barreau constitué d'un matériau spécifique est donné par :

E E, le module d'Young du matériau employé pour le barreau,

L, la longueur du barreau,

w, la largeur du barreau, et

t, l'épaisseur du barreau.

La fréquence propre de résonance du spiral est proportionnelle à la racine carrée de sa raideur. Par conséquent, la fréquence du spiral est proportionnelle à la racine carré du module d'Young du matériau du barreau. Donc, si le module d'Young varie en fonction de la température, la fréquence du spiral va également varier en fonction de la température. Pour une faible variation en température, la fréquence du spiral dépend donc au premier ordre de la variation en température du module d'Young. Il est ainsi admis que l'équation suivante montre les variations du module d'Young en fonction de la température :

avec :

<x _E , le coefficient thermique du module d'Young,

E, le module d'Young à la température T, et

E ₀ , le module d'Young à la température T ₀ .

Il est connu de fabriquer des oscillateurs mécaniques en utilisant des alliages complexes, tant par le nombre des composants (fer, carbone, nickel, chrome, tungstène, molybdène, béryllium, niobium...) que par les procédés métallurgiques utilisés pour obtenir une auto compensation des variations du module d'élasticité du métal en combinant deux influences contraires: celle de la température et celle de la magnéto constriction (contraction des corps magnétiques sous l'effet de l'aimantation). Cependant, ces oscillateurs métalliques sont difficiles à fabriquer. Tout d'abord, en raison de la complexité des procédés utilisés pour réaliser les alliages, les propriétés mécaniques intrinsèques du métal ne sont pas constantes d'une production à l'autre. Ensuite, le réglage, qui est la technique permettant de faire en sorte que l'oscillateur soit régulier, est fastidieux et long. Cette opération nécessite de nombreuses interventions manuelles et beaucoup de pièces défectueuses doivent être éliminées. Pour ces raisons, la production est coûteuse et le maintien d'une qualité constante est un défi permanent. Il est également connu de réaliser des oscillateurs mécaniques par gravure d'une galette de silicium afin d'améliorer la régularité et la précision de conception. Les procédés de réalisation de ces oscillateurs mécaniques utilisent généralement des galettes de silicium monocristallin. Ainsi, ces oscillateurs mécaniques présentent une direction cristallographique prédéterminée par rapport à la galette de silicium utilisée, par exemple l'ensemble de directions <100>. Cependant, le module d'Young pour le silicium monocristallin n'est pas identique dans toutes les directions du matériau et cela induit une différence de comportement mécanique en fonction de l'axe du mouvement. La demande de brevet suisse N° 699 780 présente un oscillateur mécanique de type spiral réalisé à partir d'une galette de silicium monocristallin. Les variations en température du module d'Young du barreau en forme de spiral sont compensées par deux couches métalliques amorphes disposées à l'intérieur du barreau de silicium et dont le coefficient thermique du module d'Young est opposé à celui du silicium. Ce document ne permet pas de compenser les variations en température du module d'Young de la même manière dans plusieurs directions du plan de la galette de silicium monocristallin.

Les brevets européens N° 1 422 436 et N° 2 215 531 présentent également un oscillateur mécanique de type spiral réalisé à partir d'une galette de silicium monocristallin. Les variations en température du module d'Young sont compensées par une couche d'oxyde de silicium amorphe disposée autour d'un barreau de silicium. Le coefficient thermique du module d'Young pour le silicium est de -64.10 ^"6 K ^_1 et le coefficient thermique du module d'Young pour l'oxyde de silicium est de 187,5.10 ^"6 K ^_1 à une température ambiante, environ 20°C.

Le brevet européen N° 1 422 436 propose de compenser les variations du module d'Young du barreau en silicium dans plusieurs directions d'un plan à l'aide d'une modulation de la largeur du barreau en fonction des sollicitations attendues par le barreau. Cette solution est particulièrement complexe à mettre en œuvre car elle nécessite de connaître toutes les sollicitations attendues sur le barreau et d'adapter la forme du barreau en conséquence. Le brevet européen N° 2 215 531 propose de résoudre ce problème en utilisant un barreau de silicium spécifique orienté selon l'axe cristallographique {1,1,1 } qui présente des caractéristiques mécaniques similaires dans plusieurs directions d'un plan. Ce mode de réalisation nécessite un silicium très particulier qui contraint fortement le procédé de fabrication de l'oscillateur mécanique.

Le problème technique de l'invention consiste donc à proposer un oscillateur mécanique en silicium monocristallin simple à fabriquer dont les caractéristiques mécaniques sont les mêmes dans toutes les directions d'un plan. En outre, l'invention vise également à limiter les variations des caractéristiques mécaniques en fonction de la température.

EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention propose de répondre à ce problème technique par un assemblage de deux couches de silicium monocristallin, dont les directions des réseaux cristallins sont décalées, en intercalant une couche de compensation thermique.

Selon un premier aspect, l'invention concerne un oscillateur mécanique muni d'un barreau, ledit barreau comportant une première couche de silicium comportant un réseau cristallin s'étendant selon une première direction d'un plan, une couche de compensation thermique constituée d'un matériau présentant un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium, et une deuxième couche de silicium comportant un réseau cristallin s'étendant selon une deuxième direction du plan, la première et la deuxième direction étant décalées d'un angle de 45° dans le plan des couches, et la couche de compensation thermique s'étendant entre les première et deuxième couches de silicium.

Au sens de l'invention, un barreau correspond donc à une structure composite comportant plusieurs couches de matériaux et non à une structure monolithique. L'invention permet ainsi d'obtenir un oscillateur mécanique dont le comportement mécanique est identique dans toutes les directions du plan quel que soit la température. La variation du module d'Young pour le silicium monocristallin entre plusieurs directions du matériau est compensée par la présence de deux couches de silicium monocristallin identiques décalées de 45°. L'influence du coefficient thermique du module d'Young sur les caractéristiques mécaniques en fonction de la température est limitée à l'aide de la couche de compensation thermique. Ainsi, le barreau se comporte globalement sensiblement de la même manière quel que soit la direction du plan considérée et quel que soit la température. En choisissant, par exemple, une couche de compensation thermique isotrope dans le plan (ou amorphe), celle-ci présente également un coefficient thermique du module d'Young également isotrope. Cette couche de compensation thermique compense donc de manière homogène les variations de raideur subies par le barreau. En outre, il n'est pas nécessaire de prévoir un réseau monocristallin isotrope dans un plan qui nécessiterait un procédé de fabrication complexe.

Selon un mode de réalisation, ledit barreau comporte une troisième couche de silicium comportant un réseau cristallin s 'étendant selon une troisième direction parallèle à la direction de la première couche de silicium, et une deuxième couche de compensation thermique constituée d'un matériau présentant un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium, chaque couche de compensation thermique étant disposée entre deux couches de silicium superposées, la direction de la couche de silicium, disposée entre les deux autres couches de silicium, étant décalée d'un angle de 45° avec la direction des deux autres couches de silicium. Ce mode de réalisation, en multipliant les couches, permet de limiter l'épaisseur de chaque couche de compensation thermique.

Selon un mode de réalisation, ledit barreau comporte une couche externe constituée d'un matériau présentant un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium. L'utilisation de la couche de compensation thermique s 'étendant entre les première et deuxième couches de silicium permet de limiter l'épaisseur de la couche externe. Selon un mode de réalisation, la couche de compensation thermique dont le matériau présente un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium est réalisée en oxyde de silicium. Ce mode de réalisation permet de faciliter le processus de fabrication de l'oscillateur mécanique car l'oxyde de silicium est obtenu à partir du silicium au contact de l'air ou dans une chambre d'Oxydation.

Selon un mode de réalisation, le rapport volumique entre le matériau présentant un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium et les couches de silicium, dépend de la nature de ce matériau. Par exemple, pour l'oxyde de silicium, il est compris entre 20% et 30%, préférentiellement voisin de 26%, à une température ambiante, environ 20°C. Ce mode de réalisation permet de compenser efficacement la sensibilité thermique du barreau. En outre, l'utilisation d'une couche de compensation thermique s 'étendant entre les première et deuxième couches de silicium permet de limiter l'épaisseur de la couche externe ce qui présente des gains en temps de fabrication et en qualité de la couche externe.

Selon un mode de réalisation, l'oscillateur mécanique est un ressort spiral destiné à équiper le balancier d'un ensemble d'horlogerie mécanique et formé d'un barreau en spirale. L'invention est particulièrement adaptée aux ressorts spiraux utilisés pour la réalisation des montres de précision. L'invention est également adaptée à la réalisation d'autres oscillateurs ou résonateurs mécaniques, par exemple de type diapason.

Selon un deuxième aspect, l'invention concerne un procédé de réalisation d'un oscillateur mécanique précédemment décrit. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : déposer une couche de compensation thermique sur une couche de silicium d'une première galette de silicium du type silicium sur isolant, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur la couche de compensation thermique et sur la couche de silicium de la première galette de silicium sur isolant, sceller une deuxième galette de silicium du type silicium sur isolant sur la première galette de silicium avec une rotation de 45° par rapport à la première galette de silicium de sorte qu'une couche de silicium de la deuxième galette de silicium soit en contact avec la couche de compensation thermique, supprimer un substrat et une couche d'isolant de la première galette de silicium sur isolant, graver la couche de silicium de la deuxième galette de silicium en utilisant la première couche de silicium comme masque, et supprimer un substrat et une couche d'isolant de la deuxième galette de silicium sur isolant, la première et la deuxième galette de silicium de type silicium sur isolant étant constituées d'un substrat surmonté d'une couche d'isolant puis d'une couche de silicium monocristallin.

Au sens de l'invention, on entend par « déposer une couche de matériau », les procédés consistants à ajouter de la matière par dépôt, ajouter de la matière par croissance et transformation d'une couche existante ou reporter une couche annexe par scellement de la couche annexe.

Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : déposer une première partie d'une couche de compensation thermique sur une couche de silicium d'une première galette de silicium du type silicium sur isolant, déposer une deuxième partie de la couche de compensation thermique sur une couche de silicium d'une deuxième galette de silicium du type silicium sur isolant, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur la première partie de la couche de compensation thermique et sur la couche de silicium de la première galette de silicium sur isolant, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur la deuxième partie de la couche de compensation thermique et sur la couche de silicium de la deuxième galette de silicium sur isolant, sceller la deuxième galette de silicium sur la première galette de silicium avec une rotation de 45° par rapport à la première galette de silicium de sorte que les deux parties de la couche de compensation thermique soient en contact, supprimer un substrat et une couche d'isolant de la deuxième galette de silicium sur isolant, et supprimer un substrat et une couche d'isolant de la première galette de silicium sur isolant, la première et la deuxième galette de silicium de type silicium sur isolant étant constituées d'un substrat surmonté d'une couche d'isolant puis d'une couche de silicium monocristallin.

Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : graver le motif de l'oscillateur mécanique sur une première couche de silicium, une deuxième couche d'isolant et une deuxième couche de silicium d'une galette de silicium du type double silicium sur isolant, et supprimer un substrat et une première couche d'isolant de la galette de silicium, la première galette de silicium de type double silicium sur isolant étant constituée d'un substrat surmonté d'une première couche d'isolant, d'une première couche de silicium monocristallin, d'une deuxième couche d'isolant puis d'une deuxième couche de silicium monocristallin, la première et la deuxième couche de silicium de la galette de silicium de type double silicium sur isolant comportant des réseaux cristallins dont les directions sont décalées d'un angle de 45°.

Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : graver le motif de l'oscillateur mécanique sur une deuxième couche de silicium et deuxième couche d'isolant d'une première galette de silicium du type double silicium sur isolant, sceller une deuxième galette de silicium sur la deuxième couche de silicium de la première galette de silicium, supprimer un substrat et une première couche d'isolant de la première galette de silicium, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur une première couche de silicium de la première galette de silicium, et supprimer la deuxième galette de silicium, la première galette de silicium de type double silicium sur isolant étant constituée d'un substrat surmonté d'une première couche d'isolant, d'une première couche de silicium monocristallin, d'une deuxième couche d'isolant puis d'une deuxième couche de silicium monocristallin, la première et la deuxième couche de silicium de la galette de silicium de type double silicium sur isolant comportant des réseaux cristallins dont les directions sont décalées d'un angle de 45°, la deuxième galette de silicium étant constituée d'une seule couche de silicium surmontée ou non d'une couche d'isolant de compensation thermique.

Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : déposer une couche de compensation thermique sur une couche de silicium d'une première galette de silicium du type silicium sur isolant, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur la couche de compensation thermique et sur la couche de silicium de la première galette de silicium, sceller une deuxième galette de silicium sur la première galette de silicium avec une rotation de 45° par rapport à la première galette de silicium de sorte que la deuxième galette de silicium soit en contact avec la couche de compensation thermique, amincir la deuxième galette de silicium, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur la deuxième galette de silicium, et supprimer un substrat et une couche d'isolant de la première galette de silicium, la première galette de silicium de type silicium sur isolant étant constituée d'un substrat surmonté d'une couche d'isolant puis d'une couche de silicium monocristallin, la deuxième galette de silicium étant constituée d'une seule couche de silicium surmontée ou non d'une couche d'isolant de compensation thermique. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes suivantes : amincir un substrat d'une galette de silicium du type silicium sur isolant, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur une couche de silicium de la galette de silicium, déposer une couche de structuration sur le substrat de la galette de silicium, graver le motif de l'oscillateur mécanique sur un substrat et une couche d'isolant de la galette de silicium en utilisant la première couche de silicium comme masque, et supprimer la couche de structuration du substrat de la galette de silicium, la galette de silicium de type silicium sur isolant étant constituée d'un substrat en silicium surmonté d'une couche d'isolant puis d'une couche de silicium monocristallin, la première couche de silicium et le substrat en silicium de la galette de silicium comportant des réseaux cristallins dont les directions sont décalées d'un angle de 45°.

Selon un mode de réalisation, le procédé comporte une étape supplémentaire d'oxydation du barreau. Selon un mode de réalisation, au moins une galette de silicium est du type triple silicium sur isolant constituée d'un substrat surmonté d'une première couche d'isolant, d'une première couche de silicium monocristallin, d'une deuxième couche d'isolant, d'une deuxième couche de silicium monocristallin, d'une troisième couche d'isolant puis d'une troisième couche de silicium monocristallin, la première et la deuxième couche de silicium de la galette de silicium de type double silicium sur isolant comportant des réseaux cristallins dont les directions sont décalées d'un angle de 45°. DESCRIPTION SOMMAIRE DES FIGURES

La manière de réaliser l'invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien du mode de réalisation qui suit, donné à titre indicatif mais non limitatif, à l'appui des figures annexées dans lesquelles les figures 1 à 12 représentent :

Figure 1 : une vue en coupe d'un barreau d'un oscillateur mécanique selon un premier design de l'invention ;

- Figure 2 : une représentation schématique des différentes directions des axes du réseau cristallin sur un wafer de silicium de type <100> ;

- Figure 3 : une représentation des caractéristiques mécaniques d'une des deux couches de silicium du barreau de la Figure 1 en fonction de la direction dans le plan de l'axe du réseau cristallin;

- Figure 4 : une vue en coupe d'un barreau d'un oscillateur mécanique selon un deuxième design de l'invention ;

- Figure 5 : une vue en coupe d'un barreau d'un oscillateur mécanique selon un troisième design de l'invention ;

- Figure 6 : une vue en coupe d'un barreau d'un oscillateur mécanique selon un quatrième design de l'invention ;

- Figure 7 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un premier mode de réalisation ;

- Figure 8 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un deuxième mode de réalisation ;

- Figure 9 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un troisième mode de réalisation ;

- Figure 10 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un quatrième mode de réalisation ;

- Figure 11 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un cinquième mode de réalisation ; et

- Figure 12 : une représentation schématique du procédé de réalisation du barreau de la Figure 1 selon un sixième mode de réalisation. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION

La Figure 1 illustre un barreau 11 d'un oscillateur mécanique, par exemple sous la forme d'un segment droit, d'un hélicoïde ou d'une spirale, comportant un empilement de trois couches : une première couche de silicium Csl monocristallin directement au contact d'une couche de compensation thermique Col directement au contact d'une deuxième couche de silicium Cs2 monocristallin. La première couche de silicium Csl s'étend sur une hauteur hsl et sur toute la largeur L du barreau 11. La deuxième couche de silicium Cs2 s'étend sur une hauteur hs2 sensiblement égale à la hauteur hsl et sur toute la largeur L du barreau 11. La couche de compensation thermique Col s'étend sur une hauteur hol très inférieure aux deux hauteurs hsl, hs2 et sur toute la largeur L du barreau 11.

Les deux couches de silicium Csl, Cs2 comportent deux réseaux cristallins identiques. Chaque réseau cristallin de chaque couche de silicium Csl, Cs2 comporte une direction prédéterminée Dsl, Ds2. On entend par « direction » des couches de silicium, la direction d'un réseau cristallin selon laquelle le réseau cristallin présente un maximum du module d'Young dans le plan de la couche de silicium correspondante Csl, Cs2. Les hachures des Figures 1, 4, 5 et 6 permettent de visualiser de manière schématique les décalages entre les directions Dsl, Ds2 et Ds3. Cependant, les décalages entres les directions Dsl , Ds2 et Ds3 sont effectuées dans le plan des couches de silicium Csl, Cs2 et Cs3 et ne sont donc pas visible de la même manière sur une vue en coupe réelle du barreau 11. On entend par « un réseau cristallin s'étend dans une direction » que le réseau cristallin comporte une structure cristalline dont le maximum du module d'Young est atteint dans la direction prédéterminée.

La Figure 2 illustre un réseau monocristallin du type <100> de la première couche de silicium Csl modélisé suivant trois ressorts linéaires. Pour un réseau cristallin du type <100>, la résistance mécanique de la première couche de silicium Csl dans la direction cristalline [-110] de l'axe x et dans la direction cristalline [-1-10] de l'axe y est plus importante que la résistance mécanique dans les directions cristallines [100] de l'axe xl et [010] de l'axe yl . La Figure 3 illustre les caractéristiques mécaniques d'une galette de type <100> en fonction de la direction angulaire d'un effort F repéré dans le plan du réseau cristallin du type <100> à température constante. E représente la variation du module d'Young. Cette grandeur mécanique présente des maxima locaux dans les directions <110> et <Ï10> et des minima locaux dans les directions <100> et <010>. On peut ainsi en déduire que la raideur du réseau cristallin du type <100> de la première couche de silicium Csl est différente entre les directions x [-110] et yl [010]. Cette raideur est identique entre les directions x [-110] et y [-1-10].

Compte tenu de l'épaisseur de la couche de compensation thermique Col, les propriétés mécaniques du barreau 11 dépendent en grande partie des propriétés mécaniques des deux couches de silicium Csl, Cs2. Si les deux couches de silicium Csl, Cs2 présentent la même orientation cristalline et la même hauteur de sorte que hsl=hs2 ; la résistance F _{tot x} du barreau 11 suivant la direction x [-110] est égale à la somme des résistances Fl, F2 des deux couches de silicium Csl, Cs2. Le module d'Young E_ ₁₁₀ suivant la direction x [-110] des deux couches de silicium Csl, Cs2 étant identique, les résistances Fl et F2 sont également identiques de sorte que :

„ _„ _ hsl xLxE_ ₁₁₀

Fi - F ₂ - ;

avec ε représentant le coefficient de déformation.

La résistance F _{tot x} du barreau 11 suivant la direction x [-110] est donc égale à : c _ c i c _ 2X hsl x L x E_ ₁₁₀

¹¹ t _ô t X - r -L + t z - - ·

Cette résistance F _{tot x} suivant la direction x [-110] est identique suivant la direction Y [-1-10] dans le cas d'un spiral mono-âme.

Cependant, la résistance F _{tot yl} du barreau 11 suivant la direction yl [010] est égale à :

c — c _ c _ 2x hsl x L x E ₀₁₀

Ftot yl - F l + ^ 2 - ^" ·

Or, la Figure 3 révèle que le module d'Young E ₀₁₀ des couches de silicium Csl,

Cs2 suivant la direction yl [010] est inférieur au module d'Young E_ ₁₁₀ des couches de silicium Csl, Cs2 suivant la direction x [-110] ce qui induit une différence des résistances entre les directions x [-110] et yl [010]. Ainsi, la résistance F _{tot x} du barreau

11 suivant la direction x [-110] est supérieure à la résistance F _{tot yl} du barreau 11 suivant la direction yl [010]. Le barreau 11 présente ainsi une faiblesse de sa résistance dans la direction yl [010]. L'invention propose de compenser cette différence de résistance par un décalage des directions Dsl, Ds2 des couches de silicium Csl et Cs2 d'un angle de 45° dans le plan des couches de silicium Csl, Cs2. Ainsi, le module d'Young dans une direction donnée est différent entre les deux couches Csl et Cs2. Par exemple, suivant la direction yl [010], le module d'Young E_ ₁₁₀ de la première couche de silicium Csl diffère du module d'Young E ₀₁₀ de la deuxième couche de silicium Cs2. La résistance F _{tot x} du barreau 11 suivant la direction x [-110] est donc égale à :

hsl

^F tot x = ^F i + ^F 2 = ^~ x L x (E_ ₁₁₀ + E ₀₁₀ ) .

La résistance F _{tot yl} du barreau 11 suivant la direction yl [010] est égale à :

hsl

^F tot yl = ^F l + ^F 2 = ^~ x L X (E ₀₁₀ + E _1--10 ) .

Etant donné que E _1--10 est égal à E_ ₁₁₀ , les résistances sont identiques dans les deux directions x [-110] et yl [010]. La structure du barreau 11 de la Figure 1 permet ainsi d'obtenir des caractéristiques mécaniques identiques dans toutes les directions x, y et yl du réseau cristallin.

La couche de compensation thermique Col est constituée d'un matériau présentant un coefficient thermique du module d'Young de signe opposé à celui du silicium de sorte que la variation de la résistance mécanique des couches de silicium Csl, Cs2 en fonction de la température soit, au moins partiellement, compensée par la couche de compensation thermique Col . De préférence, la couche de compensation thermique Col est de l'oxyde de silicium. Le coefficient thermique du module d'Young pour le silicium est de -64.10 ^"6 K ^_1 et le coefficient thermique du module d'Young pour l'oxyde de silicium est de 187,5.10 ^"6 K ^_1 à une température ambiante, environ 20°C. Ainsi, pour compenser, au moins partiellement, la variation de la résistance mécanique des couches de silicium Csl, Cs2 en fonction de la température, le rapport volumique entre la couche de compensation thermique Col et les couches de silicium Csl, Cs2 soit au moins de 20 % à une température ambiante d'environ 20°C. Sur la Figure 1, la surface de la section hol .L est donc au moins égale à 20 % de la surface des sections L.hsl et L.hs2. La Figure 4 illustre une variante de l'invention dans laquelle le barreau 11 comporte trois couches de silicium Csl, Cs2, Cs3 entrecoupées par deux couches de compensation thermique Col, Co2. La première et la troisième couche de silicium Csl, Cs3 comportent des réseaux cristallins orientés dans la même direction Dsl, Ds3. La deuxième couche de silicium Cs2 disposée entre la première et la troisième couche de silicium Csl, Cs3 comporte un réseau cristallin dont la direction Ds2 est décalée d'un angle de 45° avec les directions Dsl, Ds3. Afin d'obtenir des caractéristiques mécaniques identiques dans toutes les directions x, y et yl du réseau cristallin, la hauteur hs2 de la deuxième couche de silicium Cs2 doit être égale à la somme des hauteurs hsl et hs3 des deux autres couches de silicium Csl, Cs3. Afin de compenser, au moins partiellement, la dérive en température, la somme des hauteurs hol et ho2 doit être au moins égale, dans le cas de l'oxyde de silicium, à 20 % de la somme des hauteurs hsl, hs2 et hs3. Les Figures 5 et 6 illustrent une variante dans laquelle une couche de compensation thermique est également disposée autour du barreau 11 des Figures 1 et 4. Ce mode de réalisation permet de limiter l'épaisseur de la couche de compensation thermique Col disposée entre les couches de silicium Csl, Cs2. Par exemple, dans le cas de la Figure 5, la surface de la couche de compensation thermique comprend les aires suivantes :

- hol .L, aire de la couche extérieure Coe au-dessus du barreau 11,

- Loi . H, aire de la couche extérieure Coe sur la gauche du barreau 11,

- Lo2.H, aire de la couche extérieure Coe sur la droite du barreau 11,

- ho3.L, aire de la couche extérieure Coe au-dessous du barreau 11 et

- ho2.L, aire de la couche Col entre les couches de silicium Csl, Cs2.

La somme de ces surfaces doit être également égale, dans le cas de l'oxyde de silicium, à au moins 20 % de la somme des surfaces hsl .Ls et hs2.Ls des couches de silicium Csl, Cs2 afin de compenser la dérive en température. Ainsi, l'épaisseur des couches de compensation thermiques, c'est-à-dire de la couche interne Col et de la couche externe Coe, est réduite par rapport au mode de réalisation de la Figure 1. La Figure 6 illustre un mode de réalisation identique dans lequel le barreau comporte trois couches de silicium Csl, Cs2 et Cs3 tel que décrit avec la Figure 4. Les Figures 7 à 12 illustrent des procédés de réalisation du barreau 11 de la Figure 1. Le procédé de la Figure 7 utilise deux galettes de silicium du type silicium sur isolant SOI. Chaque galette du type silicium sur isolant SOI comporte un substrat Sul, Su2 surmonté d'une couche d'isolant Cil, Ci2 puis d'une couche de de silicium monocristallin Csl, Cs2. Le substrat Sul, Su2, peut être réalisé en silicium. Dans une première étape 21, une couche de compensation thermique Col est déposée sur la couche de silicium Csl de la première galette du type SOI. Dans une deuxième étape 22, un motif de l'oscillateur mécanique est gravé sur la couche de compensation thermique Col et sur la couche de silicium Csl . Dans une troisième étape 23, la couche de silicium Cs2 de la deuxième galette est scellée sur la couche de compensation thermique Col . La deuxième galette est décalée d'un angle de 45° par rapport à la première galette avant cette étape 23 de scellement de sorte que les directions Dsl, Ds2 des réseaux cristallins soient également décalées d'un angle de 45°. Dans une étape 24, l'assemblage est retourné et le substrat Sul ainsi que la couche d'isolant Cil de la première galette sont retirés. Dans une étape 25, la couche de silicium Cs2 de la deuxième galette est gravée au motif de l'oscillateur mécanique en utilisant la première couche de silicium comme masque de gravure. La gravure peut être effectuée par une technique de gravure ionique réactive profonde (également connu sous l'acronyme DRIE pour « Deep Reactive Ion Etching »). Le substrat Su2 et la couche d'isolant Ci2 de la deuxième galette de silicium sont ensuite retirés dans une étape 26 pour libérer l'oscillateur mécanique.

La Figure 8 illustre un procédé de réalisation utilisant également deux galettes SOI. Dans les étapes 32 et 33, deux parties Copl, Cop2 de la couche de compensation thermique Col sont déposées respectivement sur chaque couche de silicium Csl, Cs2 des deux galettes SOI. Dans les étapes 34, 35, les motifs de l'oscillateur sont ensuite gravés sur les deux parties Copl et Cop2 de la couche de compensation thermique Col ainsi que sur les deux couches de silicium Csl, Cs2 des deux galettes. Dans une étape 36, les deux parties Copl, Cop2 sont ensuite scellées avec un décalage de 45° entre les galettes de sorte à former la couche complète de compensation thermique Col . Les étapes 37, 38 consistent à supprimer les deux substrats Sul, Su2 ainsi que les deux couches d'isolant Cil, Ci2 afin de libérer l'oscillateur mécanique. La Figure 9 illustre un procédé de réalisation utilisant une seule galette du type double-SOI. Une galette du type double-SOI est constituée d'un substrat Sul surmonté d'une première couche d'isolant Cil, d'une première couche de silicium monocristallin Sil, d'une deuxième couche d'isolant Ci2 puis d'une deuxième couche de silicium monocristallin Si2. La deuxième couche d'isolant Ci2 réalise ainsi la fonction de la couche de compensation thermique Col du barreau 11. La première couche de silicium Csl et la deuxième couche de silicium Cs2 comportent des réseaux cristallins dont les directions sont décalées d'un angle de 45°. Une première étape 41 consiste à graver le motif de l'oscillateur mécanique dans la première couche de silicium Csl, la deuxième couche d'isolant Ci2 et la deuxième couche de silicium Cs2. Une seconde étape 42 consiste à retirer le substrat Sul et la première couche d'isolant Cil pour libérer l'oscillateur mécanique.

La Figure 10 illustre une variante du procédé de la Figure 9 utilisant une galette du type double-SOI. Une première étape 51 consiste à graver le motif de l'oscillateur mécanique dans la deuxième couche de silicium Cs2 et la deuxième couche d'isolant Ci2. Dans une deuxième étape 52, une galette de silicium Si2 est scellée sur la deuxième couche de silicium Cs2. Cette galette de silicium Si2 est une couche sacrificielle qui sert uniquement de support à la structure et sera supprimée dans une étape ultérieure. Dans une étape 53, l'assemblage est retourné et le substrat Sul ainsi que la première couche d'isolant Cil de la première galette sont retirés. Le motif de l'oscillateur mécanique est gravé sur la première couche de silicium Csl dans une étape 54 et, dans une étape 55, la galette de silicium Si2 est retirée pour libérer l'oscillateur mécanique. Cette variante du procédé de la Figure 9 peut être mise en œuvre lorsque le barreau 11 est trop épais et que l'étape 41 de gravure ne permet pas de graver correctement la première couche de silicium Csl .

La Figure 11 illustre un procédé de réalisation utilisant une galette du type SOI et une galette de silicium Si2. Dans une première étape 61, une couche de compensation thermique Col est déposée sur la couche de silicium Csl de la première galette du type SOI. Dans une deuxième étape 62, un motif de l'oscillateur mécanique est gravé sur la couche de compensation thermique Col et sur la couche de silicium Csl . La galette de silicium Si2 est ensuite scellée avec un décalage de 45° sur la couche de compensation thermique Col dans une étape 63. L'étape 64 consiste à amincir la galette de silicium Si2 jusqu'à atteindre la hauteur hs2 souhaitée pour la deuxième couche de silicium Cs2 du barreau 11 de la Figure 1. Dans une étape 65, le motif de l'oscillateur mécanique est gravé sur la deuxième couche de silicium Cs2 formé par la galette de silicium Si2 et, dans une étape 66, le substrat Sul et la couche d'isolant Cil sont retirés pour libérer l'oscillateur mécanique.

La Figure 12 illustre un procédé de réalisation utilisant une seule galette du type SOI dans laquelle le substrat Sul est réalisé en silicium et forme la deuxième couche de silicium Cs2 de la Figure 1. La couche de compensation thermique Col est formée par la couche d'isolant Cil préférentiellement réalisée en oxyde de silicium. Une première étape 71 consiste à amincir le substrat Sul jusqu'à atteindre la hauteur hs2 souhaitée pour la deuxième couche de silicium Cs2 du barreau 11 de la Figure 1. Dans une étape 72, le motif de l'oscillateur mécanique est gravé sur la couche de silicium Csl . Une couche de structuration Cst est ensuite déposée sur le substrat aminci Sul dans une étape 73 afin de rigidifier la structure puis le motif de l'oscillateur mécanique est gravé dans les couches d'isolant Cil et de substrat Sul dans une étape 74. Dans une étape 75, la couche de structuration Cst est retirée pour libérer l'oscillateur mécanique. En variante, ces procédés peuvent être adaptés pour réaliser une des variantes des

Figures 4 à 6. Par exemple, la réalisation d'une couche externe Coe de compensation thermique peut être réalisée dans une chambre d'oxydation du silicium formant ainsi une couche d'oxyde de silicium autour du barreau 11. La réalisation d'une deuxième couche de compensation thermique Co2 et d'une troisième couche de silicium Cs3 peut être réalisée, par exemple, par le scellement d'une troisième galette de type silicium sur isolant et par des étapes supplémentaires de gravure correspondantes.

L'invention permet ainsi d'obtenir un oscillateur mécanique dont la raideur est isotrope dans le plan et indépendante de la température sans augmenter la taille du barreau et sans utiliser une couche de silicium isotrope dans le plan.