以下、本発明の実施の形態を図面に基づ� ��て詳細に説明する。なお、実施の形態を説� ��するための全図において、同一の部材には� ��則として同一の符号を付し、その繰り返し� ��説明は省略する。

 〔PDPの構造〕
 本発明の実施の形態のPDPの構造を図1に基づ いて説明する。図1は、PDPの構造を示す図で� �る。図1では、画素に対応する各色の表示セ� ��のセットの部分を示している。

 PDP10は、前面基板構造体11と背面基板構造 体12とを組み合わせ、この前面基板構造体11� �背面基板構造体12とを対向させて組み立てる ことで構成される。

 前面基板構造体11は、ガラス基板1上に、� ��示電極2として、第1の電極であるX電極2Xお� �び第2の電極であるY電極2Yが配置されている� ��各X電極2XおよびY電極2Yは、維持(サステイン )電極となるバス電極(金属電極)2aと透明電極2 bとで構成される。例えば、Y電極2Yは、走査� �極として機能する。X電極2XおよびY電極2Yは� �誘電体層3および保護膜4で覆われている。

 背面基板構造体12は、ガラス基板21上に、 X電極2XおよびY電極2Yと直交する形で、第3の� �極であるアドレス電極22が配置されている。 アドレス電極22は、誘電体層23で覆われてい� �。これらのX電極2X、Y電極2Yおよびアドレス� �極22により、放電発光を発生する表示セル90� ��、X電極2XとY電極2Yで挟まれた領域のアドレ� ��電極22と交差している領域に形成されてい� �。

 前面基板構造体11と背面基板構造体12との 間には、例えば縦方向ストライプ状に区分さ れた領域を形成するための複数の隔壁24が形� ��されている。この隔壁24で区分された領域� �は、R(赤),G(緑),B(青)の各色の蛍光体25が塗布� ��れている。これらの各色の表示セル90によ� �画素が構成される。なお、横方向にも隔壁� �設けた構造なども可能である。

 前面基板構造体11と背面基板構造体12とは 、前面基板構造体11の保護膜4と、背面基板構 造体12の隔壁24とが接するように組み立てら� �る。この前面基板構造体11と背面基板構造体 12との間の内部空間には、放電ガスが気密に� ��入されることで、放電空間30が構成される� �この放電空間30は、図1中では、前面基板構� �体11の保護膜4と、背面基板構造体12の誘電体 層23との間における隔壁24間の溝の領域を指� �。

 〔PDPの製造方法〕
 本発明の実施の形態のPDPの製造方法を図2に 基づいて説明する。図2は、PDPの製造方法を� �す図である。

 PDP10の製造方法は、前面基板構造体11を作 製する工程、背面基板構造体12を作製する工� ��、PDP10を組み立てる工程、PDP10の製品を完成 させる工程を実施する。

 前面基板構造体11を作製する工程では、� �ず、ガラス基板1を準備する(S11)。このガラ� �基板1には、例えばガラスなどの透明材料を� ��用する。その後、ガラス基板1上に、X電極2X およびY電極2Yからなる表示電極2を形成する(S 12)。この表示電極2は、例えばITOからなる透� �電極2bとCr/Cu/Crからなるバス電極2aを積層し� �構成され、例えばスクリーン印刷法やフォ� �リソグラフィ+エッチング法などを用いて形� ��する。さらに、ガラス基板1上に、表示電極 2を覆うようにして誘電体層3を形成する(S13)� �この誘電体層3は、例えば低融点ガラスペー� ��トをスクリーン印刷法などにより塗布し、� ��成することにより形成する。そして、誘電� ��層3上に、保護膜4を形成する(S14)。この保護 膜4は、例えばMgO膜を蒸着法あるいはスパッ� �法や塗布方法などにより形成する。

 一方、背面基板構造体12を作製する工程� �は、ガラス基板21の準備(S21)、例えばCr/Cu/Cr� �らなるアドレス電極22の形成(S22)、誘電体層2 3の形成(S23)を、前面基板構造体11と同様に行� ��。その後、誘電体層23上に、隔壁24を形成す る(S24)。この隔壁24は、例えば低融点ガラス� �ーストなどの材料による層を形成し、この� �をサンドブラストなどの方法によりパター� �ングし、焼成することで形成する。そして� �誘電体層23上、隔壁24の間に、蛍光体25を形� �する(S25)。この蛍光体25は、R,G,B毎に、例え� �隔壁24間の領域に蛍光体ペーストをスクリー ン印刷法、ディスペンサなどの方法により塗 布し、焼成することで形成する。

 そして、作製した前面基板構造体11と背� �基板構造体12とを対向させてPDP10を組み立て� ��(S31)。例えば、前面基板構造体11と背面基板 構造体12との間で、各構造体の外周部を低融� ��ガラスなどの封着材により貼り合わせて熱� ��理により封着する。その後、PDP10の内部空� �を真空排気し、例えばNe-Xeの放電ガスを封入 して放電空間30を構成する(S32)。最後に、PDP10 のX電極2XおよびY電極2Yへの電圧印加による放 電空間30でのエージング放電により、保護膜4 を活性化する(S33)。この保護膜4を活性化する 際には、PDP10を高温にしてPDP10の内部を減圧� �る工程を経て、保護膜4に吸着している不純� ��を取り除き、これだけでは不十分なので、� ��護膜4の活性化によって放電開始電圧の低減 および放電電流の安定化を図る。これにより 、PDP10が製品として完成する。

 以下において、前述したPDP10の保護膜4を� ��性化する工程について、本発明の実施の形� ��の概要を説明する。

 〔実施の形態の概要〕
 本発明の実施の形態の概要を図3~図6に基づ� ��て説明する。図3~図5は、同極性放電の仕組� ��を示す図である。図6は、微小放電の仕組み を示す図である。図3~図6では、前面基板構造 体11および背面基板構造体12の構造を簡単に� �している。

 保護膜活性化工程における課題は、放電� ��リット側と逆スリット側に活性化程度の差� ��存在することである。これは、極性反転す� ��放電を利用する場合には、放電が発生しや� ��い個所においては、壁電荷の形成が多くな� ��活性化が進み、極性反転時に前記放電しや� ��い個所では壁電荷のアシストがあるため、� ��電が強くなるというポジティブフィードバ� ��クがかかるためである。よって、この課題� ��解決には、繰り返し放電時にポジティブフ� ��ードバックが発生しないような仕組みとす� ��必要がある。

 そこで、本実施の形態においては、最も� ��単には、同一極性の放電を少なくとも2回以 上連続して発生させることで実現する。すな わち、1回目の放電では放電発生個所が図3の� ��うに放電スリット側になり、この放電によ� ��壁電荷形成場所は図4のようになる。これに 続く同一極性の2回目の放電では、1回目の放� ��によって形成された壁電荷によって同一個� ��での放電が抑制され、この2回目の放電によ る放電発生個所は図5のように逆スリット側� �なる。このように、同一極性の放電の2回以� ��の繰り返しにより、同一極性の2回目以降の 放電では、その前に発生した放電によって形 成された壁電荷によって同一個所での放電を 抑制することができる。

 また、微小放電を利用することも、課題� ��解決には有効な手段である。微小放電中に� ��いては、表示セルには、放電の個所に見合� ��たVt(微小放電開始電圧)がかかり続ける。放 電中に移動した壁電荷量をQとすると、放電� �よるパワーPはVt×Qで表される。例えば図6に� ��すように、放電スリット側の微小放電開始� ��圧をVtsg、逆スリット側の微小放電開始電圧 をVtBsgとする。このVtsgとVtBsgの間には、Vtsg< ;VtBsgの関係があり、同一のQを放電によって� �動させたとすると、逆スリット側の方が多� �エネルギーを投入することができる。また� �放電スリット側より放電を発生させたとし� �も、微小放電時に印加する最大電圧VwをVw=Vts g+VtBsgとすると、放電スリット側と逆スリッ� �側でのエネルギー投入量を同一とすること� �できる。

 以上のような本実施の形態の概要に基づ� ��て、以下において各実施の形態を具体的に� ��明する。なお、各実施の形態におけるX電極 およびY電極は、PDPにおける1対の放電電極を� ��す。また、X-Y放電とは、X電極からY電極へ� �かって電流が流れるような放電を意味して� �り、Y-X放電はその逆を意味している。また� �Y-X間電位差とは、Y電極を基準とした場合のX 電極の電位差を表し、Y-X間電位差はその逆を 表している。

 〔実施の形態1〕
 本発明の実施の形態1を図7に基づいて説明� �る。図7は、同極性放電の仕組みを適用した� ��護膜活性化工程における駆動波形を示す図� ��ある。

 本実施の形態の保護膜活性化工程では、X 電極に対して第1の電圧を印加して第1の放電� ��発生させる期間と、X電極に対して第1の電� �よりも高電圧な第2の電圧を印加して第1の放 電と同じ極性の第2の放電を発生させる期間� �、Y電極に対して第1の電圧を印加して第1の� �電および第2の放電と逆の極性の第3の放電を 発生させる期間と、Y電極に対して第2の電圧� ��印加して第3の放電と同じ極性の第4の放電� �発生させる期間とを繰り返すものである。

 すなわち、図7に示す駆動波形のように、 段階1Xにおいて、X電極に正の電圧(V1、この時 にY電極は0V)を印加し、放電スリット側にお� �てX-Y放電を発生させる。その後の段階2Xにお いて、X電極に同極性で高電圧(V2、この時にY� ��極は0V)を印加し、再度、X-Y放電を先の段階1 Xで発生しなかった領域、つまり逆スリット� �で発生させる。その後、極性を反転させて� �段階1Yにおいて、Y電極に正の電圧(V1、この� �にX電極は0V)を印加し、放電スリット側でY-X� ��電を発生させる。その後の段階2Yにおいて� �Y電極に同極性で高電圧(V2、この時にX電極は 0V)を印加し、逆スリット側でY-X放電を発生さ せる。

 このような放電を繰り返すことで、同一� ��性の放電を2回連続して発生させることがで きる。これにより、より効率的に発光セル全 体を活性化させることができ、パネル製造の 電力を低減させることができる。また、発光 セルにおいて過剰に活性化が進んだ場所がな くなり、全体としての寿命を向上させること ができる。

 〔実施の形態2〕
 本発明の実施の形態2を図8に基づいて説明� �る。図8は、同極性放電の仕組みを適用した� ��護膜活性化工程における駆動波形を示す図� ��ある。

 本実施の形態の保護膜活性化工程では、X 電極に対して放電開始電圧を越える第1の電� �を印加して第1の放電を発生させる期間と、X 電極およびY電極の電圧を同一として第1の放� ��と逆の極性の第2の放電を発生させる期間と 、Y電極に対して第1の電圧を印加して第2の放 電と同じ極性の第3の放電を発生させる期間� �、X電極およびY電極の電圧を同一として第3� �放電と逆の極性の第4の放電を発生させる期� ��とを繰り返すものである。

 すなわち、図8に示す駆動波形のように、 段階2Xにおいて、X電極に放電開始電圧を越え る正の電圧(V2、この時にY電極は0V)を印加し� �X-Y放電を発生させる。その後の段階1Yにおい ては、X電極およびY電極を共に0Vとして、前� �段階2Xで形成した壁電荷を利用してY-X放電を 発生させる。その後、段階2Yとして、Y電極に 正の電圧(V2、この時にX電極は0V)を印加して� �再度、Y-X放電を発生させる。この際の放電� �、段階1Yで放電しなかった領域となる。その 後、段階1Xとして、X電極およびY電極を共に0V として、前記段階2Yにて形成した壁電荷を利� ��してX-Y放電を発生させる。このような放電� ��繰り返すことで、同一極性の放電を2回連続 して発生させることができるので、前記実施 の形態1と同様の効果を得ることができる。

 〔実施の形態3〕
 本発明の実施の形態3を図9に基づいて説明� �る。図9は、微小放電の仕組みを適用した保� ��膜活性化工程における駆動波形を示す図で� ��る。

 本実施の形態の保護膜活性化工程では、� ��極間電位差が徐々に増大もしくは減少する� ��うな駆動波形によって複数の同一極性の放� ��を発生させる期間を繰り返すものである。� ��体的には、電極間電位差が徐々に増大もし� ��は減少するような駆動波形によって引き起� ��される放電を繰り返し、その際に印加する� ��極間電位差の振幅が、放電セルの最も放電� ��やすい場所における閾値Vtsg(放電スリット� �)および最も放電しにくい場所における閾値V tBsg(逆スリット側)を用いて、2×(Vtsg+VtBsg)以上 とするものである。

 すなわち、図9に示す駆動波形のように、 X電極に徐々にX-Y間電位差が増大する電圧波� �を印加する段階1Xと、X電極に徐々にX-Y間電� �差が縮小する電圧波形を印加する段階2Xと、 Y電極に徐々にY-X間電位差が増大する電圧波� �を印加する段階1Yと、Y電極にY-X間電位差が� �小する電圧波形を印加する段階2Yとを有する 。このうち、段階1Xでは微小なX-Y放電を連続� ��に発生させ、また段階1Yでは微小なY-X放電� �連続的に発生させる。

 この駆動波形において、放電スリット側� ��おける微小放電開始電圧をVtsg、逆スリット 側における微小放電開始電圧をVtBsgとおく。� ��階1Xおよび段階1Yにおける各電極の印加電圧 をVwとする。段階1Xの終端において、X電極に� ��Vw、Y電極には0Vが印加されている。この状� �において、放電スリット側のセル電圧はVtsg� ��あることから、壁電圧はVw-Vtsgとなる。単位 面積当たりの放電容量をCとすると、壁電荷� �はQ=C(Vw-Vtsg)となる。段階1Yの終端においても 、電極構造の対象性から、壁電荷量はQ=C(Vw-Vt sg)となり、その極性は逆となる。よって、移 動した電荷量はδQ=2Qで表される。

 また、前述のように放電中セルにはVtsgの 電位差がかかった状態となるため、このエリ アにおいて放電に投入されるパワーはP=2C(Vw-V tsg)Vtsgとなる。逆スリット側において放電に� ��入されるパワーはP=2C(Vw-VtBsg)VtBsgとなる。こ の投入パワーを同じにするには、Vw=Vtsg+VtBsg� �すればよい。よって、X-Y間電位差およびY-X� �電位差の振幅を、2×Vw=2×(Vtsg+VtBsg)以上にす� �ことで実現できる。また、段階2Xと段階2Yに� ��いては、その期間において微小放電が発生� ��ないのであれば、急激に変化しても構わな� ��。このような放電を繰り返すことで、同一� ��性の放電、具体的には微小放電を連続して� ��生させることができるので、前記実施の形� ��1と同様の効果を得ることができる。

 〔実施の形態4〕
 本発明の実施の形態4を図10に基づいて説明� ��る。図10は、微小放電の仕組みを適用した� �護膜活性化工程における駆動波形を示す図� �ある。

 本実施の形態の保護膜活性化工程では、� ��極間電位差を徐々に増大させて微小な放電� ��連続的に発生させる期間と、微小な放電と� ��じ極性を持つパルス状放電を発生させる期� ��とを極性を変えながら繰り返すものである� ��

 すなわち、図10に示す駆動波形のように� �X電極に徐々にX-Y間電位差が増大する電圧波� ��を印加する段階1Xと、X電極に段階1Xの終端� �り高電圧であって、さらにパルス状放電が� �生するような電圧を印加する段階2Xと、Y電� �に徐々にY-X間電位差が増大する電圧波形を� �加する段階1Yと、Y電極に段階1Yの終端より高 電圧であって、さらにパルス状放電が発生す るような電圧を印加する段階2Yとを有する。

 この駆動波形において、前記実施の形態3 にて説明したように、段階1Xおよび段階1Yに� �ける終端の電圧(Vw)を適切に設定することで� ��放電スリット側と逆スリット側の投入エネ� ��ギーをほぼ同じにすることができる。また� ��段階1Xの終端および段階1Yの終端においては 、放電スリット側から逆スリット側までは、 放電開始状態となっている。そのため、それ に引き続く段階2X、段階2Yにおいては、高電� �(Vh)の印加によってセル全体に均一に放電が� ��生する。これにより、効率的にセル全体に� ��ける保護膜を活性化することができる。こ� ��ような放電を繰り返すことで、同一極性の� ��電、具体的には微小放電を連続して発生さ� ��ることができるので、前記実施の形態1と同 様の効果を得ることができる。

 以上、本発明者によってなされた発明を� ��施の形態に基づき具体的に説明したが、本� ��明は前記実施の形態に限定されるものでは� ��く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更� ��能であることはいうまでもない。

 例えば、前記実施の形態では、同一極性� ��放電を2回連続して発生させる場合を例に説 明したが、3回以上でも適用可能であり、本� �明では少なくとも2回以上連続して発生させ� ��ことで同様の効果を得ることができる。

 また、前記実施の形態では、基準電圧を0 V、各電極の電圧を正となるように設定して� �るが、基準電圧は0V以外でも構わず、各電極 への印加電圧は負となるように設定しても構 わない。

 また、前記実施の形態では、簡単のため� ��、X電極およびY電極に印加する駆動波形を� �定したが、X-Y間電位差、Y-X間電位差が前記� �施の形態と同じであれば、どのような組み� �わせであっても同様の効果を得ることがで� �る。