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Patent Searching and Data


Title:
METHOD FOR PRODUCING AN APERTURE ARRAY FOR A MICROLENS ARRAY
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2020/233923
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for producing an aperture array (1) for a microlens array (2), in particular for a microlens array (2) of a vehicle headlight, at least comprising the following method steps: - providing (100) a wafer (3) having a microlens array (2) situated on a first wafer surface (31), - masking (200) a second wafer surface (32) of the wafer (3) by means of a mask (4), the mask (4) comprising a negative of the aperture array (1), - coating (300) the masked wafer surface (32) with an opaque layer (10), - removing (400) the mask (4) and obtaining the aperture array (1) on the second wafer surface (32).

Inventors:
CASTELLON-RIVERA WILLIAM (DE)
WILLEKE BENJAMIN (DE)
Application Number:
PCT/EP2020/061135
Publication Date:
November 26, 2020
Filing Date:
April 22, 2020
Export Citation:
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Assignee:
HELLA GMBH & CO KGAA (DE)
International Classes:
B29D11/00; G02B3/00; F21S41/43
Domestic Patent References:
WO2015058227A12015-04-30
WO2017066818A12017-04-27
Foreign References:
JPH11344602A1999-12-14
US20120070785A12012-03-22
DE3934301A11990-04-19
US20110233383A12011-09-29
Other References:
WOLFGANG DECKER: "Novel Low Pressure Sputtering Source and Improved Vacuum Deposition of Small Patterned Features Using Precision Shadow Masks", 59TH ANNUAL TECHNICAL CONFERENCE PROCEEDINGS, 1 January 2016 (2016-01-01), XP055713115, ISBN: 978-1-878068-36-1, DOI: 10.14332/svc16.proc.0036
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Claims:
Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung eines Blendenarrays (1 ) für ein Mikrolinsenarray

(2), insbesondere für ein Mikrolinsenarray (2) eines Fahrzeugscheinwerfers, wenigstens umfassend die folgenden Verfahrensschritte:

- Bereitstellen (100) eines Wafers (3) mit einem auf einer ersten

Waferoberfläche (31 ) angeordneten Mikrolinsenarray (2),

- Maskieren (200) einer zweiten Waferoberfläche (32) des Wafers (3) mittels einer Schattenmaske (4), wobei die Schattenmaske (4) ein Negativ des Blendenarrays (1 ) umfasst,

- Beschichten (300) der maskierten Waferoberfläche (32) mit einer un durchsichtigen Schicht (10),

- Entfernen (400) der Schattenmaske (4) und Erhalt des Blende

narrays (1 ) auf der zweiten Waferoberfläche (32).

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass beim Be

schichten (300) der maskierten Waferoberfläche (32) eine undurchsichtige Schicht (10) aus einem Metall oder aus einer Metalllegierung abgeschieden wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim Be

schichten (300) der maskierten Waferoberfläche (32) eine undurchsichtige Schicht (10) aus Chrom abgeschieden wird.

4. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Beschichten (300) der maskierten Waferoberfläche (32) eine undurchsichtige Schicht (10) abgeschieden wird, wobei die Schichtdicke 50 nm bis 500 nm und/oder 100 nm bis 200 nm, beträgt.

5. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass das Beschichten (300) der maskierten Waferoberfläche (32) mittels eines Verfahrens der Physikalischen Gasphasenabscheidung durchgeführt wird.

6. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Maskieren (200) eine Schattenmaske (4) mit einem Negativ eines Blendenarrays (1 ) verwendet wird, wobei eine Länge (12) eines Negativs einer Einzelblende (11 ) des Blendenarrays (1 ) 0,1 mm bis 5 mm beträgt.

7. Baugruppe (50) für einen Fahrzeugscheinwerfer wenigstens umfassend ein

Mikrolinsenarray (2) und ein Blendenarray (1 ), dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenarray (1 ) mittels eines Verfahrens nach einem der vorge nannten Ansprüche hergestellt ist.

8. Baugruppe (50) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die

Baugruppe (50) ein erstes Mikrolinsenarray (2a), ein zweites Mikrolin senarray (2b) und ein dazwischen angeordnetes Blendenarray (1 ) umfasst, wobei das Blendenarray (1 ) als ein Feldblendenarray in der Fokusebene des zweiten Mikrolinsenarrays (2b) angeordnet ist.

Description:
Verfahren zur Herstellung eines Blendenarrays für ein Mikrolinsenarray

Beschreibung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Blendenarrays für ein Mikrolinsenarray, insbesondere für ein Mikrolinsenarray eines Fahrzeug scheinwerfers.

STAND DER TECHNIK

Mikrolinsenarrays finden heutzutage vielfältige Anwendungen sowohl in abbildenden als auch in beleuchtenden Optiken. Mikrolinsenarrays sind aus einer Vielzahl neben einander angeordneter Mikrolinsen aufgebaut, deren Durchmesser typischerweise in der Größenordnung von 10 pm bis zu 1 mm liegt. In modernen Fahrzeugscheinwer fern werden Mikrolinsenarrays in den Projektionseinrichtungen der Lichtmodule einge setzt, insbesondere weil die Mikrolinsen wesentlich geringere Brennweiten und Ab messungen als herkömmliche Optiken aufweisen, so dass die Bautiefe der Projekti onseinrichtung vorteilhaft klein ausfallen kann.

Beispielsweise offenbart die WO 2015/058227 A1 ein Mikroprojektions-Lichtmodul für einen Kraftfahrzeugscheinwerfer mit einer Projektionseinrichtung umfassend ein Array aus Mikro-Eintrittsoptiken und ein zugeordnetes Array aus Mikro-Austrittsoptiken, wo bei die Optiken derart ausgebildet und zueinander angeordnet sind, dass das gesamte aus einer Mikro-Eintrittsoptik austretende Licht genau nur in eine zugeordnete Aus- tritts-Mikrooptik eintritt. Vorteilhaft umfasst das offenbarte Lichtmodul eine Blendenvor richtung zwischen Eintritts- und Austrittsoptiken, wodurch der durchtretende Licht strom beschnitten wird, um eine Lichtverteilung mit definierten Formen, beispielsweise einer scharfen Hell-Dunkel-Grenze, erzeugen zu können. Es wird vorgeschlagen, die Blendenvorrichtung als ein separates Bauteil in Form einer Lochmaske aus einer Folie oder aus einem Metall auszubilden.

Des Weiteren offenbart die WO 2017/066818 A1 eine darauf basierende Projektions einrichtung, die zwischen der Blendenvorrichtung und der Austrittsoptik eine zweite Blendenvorrichtung aufweist, welche die Funktion einer Aperturblende innehat und ein Übersprechen zwischen benachbarten Mikrooptiken verhindert. Es wird vorgeschla gen, die Blendenvorrichtungen als metallische Lochmasken auszubilden oder durch gezieltes Verkohlen der Optikkörper mittels Laser- oder Elektronenstrahlen herzustel len oder mittels Aufbringung einer absorbierenden Schicht, welche anschließend bei spielsweise mittels Laserstrahlen gezielt wieder abgetragen wird.

Weiterhin werden Blenden für Mikrolinsenarrays im Stand der Technik mittels photoli thographischer Strukturierung von lichtundurchlässigen Schichten hergestellt. Dabei wird zunächst eine vollflächige Beschichtung, beispielsweise eine metallische Dünn schicht, auf die Rückseite eines das Mikrolinsenarray tragenden Wafers aufgebracht und anschließend mit einem Photolack versehen. Darauf wird eine Belichtungsmaske positioniert, welche je nach Lacktyp ein Positiv oder ein Negativ des Blendenarrays aufweist, und belichtet. In einem nasschemischen Prozess wird der Lack anschlie ßend lokal entfernt, so dass die Lackschicht ein Positiv des Blendenarrays nachbildet und die darunter befindliche lichtundurchlässige Schicht abschnittsweise freilegt. Die se freiliegenden Abschnitte der Schicht werden daraufhin mittels eines Ätzprozesses, beispielsweise mittels lonenstrahlätzen, abgetragen, während der strukturierte Lack die angrenzenden Schichtabschnitte vor Abtrag schützt. Zuletzt wird der verbliebene Lack in einem weiteren nasschemischen Prozess entfernt, so dass das Blendenarray auf der Waferoberfläche schließlich freigelegt wird.

Unter den vorgenannten Methoden zur Herstellung von Blendenarrays ist die photoli thographische Strukturierung als ein Standardprozess der Halbleitertechnologie als die robusteste und kostengünstigste Fertigungsroute anzusehen. Nachteilig daran ist die hohe Anzahl an involvierten Prozessschritten, wodurch die Herstellung der Blen denarrays in einem unerwünschten Maß zum gesamten Arbeits- und Kostenaufwand bei der Fertigung einer Projektionseinrichtung basierend auf Mikrolinsenarrays bei trägt. OFFENBARUNG DER ERFINDUNG

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Fierstellung eines Blendenarrays für ein Mikrolinsenarray vorzuschlagen, welches eine kosten günstige und weniger arbeitsintensive Alternative zu Verfahren nach dem Stand der Technik darstellt.

Diese Aufgabe wird ausgehend von einem Verfahren zur Fierstellung eines Blende narrays gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Die Erfindung schließt die technische Lehre ein, dass das Fierstellungsverfahren we nigstens die folgenden Schritte umfasst:

- Bereitstellen eines Wafers mit einem auf einer ersten Waferoberfläche angeordneten Mikrolinsenarray,

- Maskieren einer zweiten Waferoberfläche des Wafers mittels einer Schattenmaske, wobei die Schattenmaske ein Negativ des Blendenarrays umfasst,

- Beschichten der maskierten Waferoberfläche mit einer undurchsichtigen Schicht,

- Entfernen der Schattenmaske und Erhalt des Blendenarrays auf der zweiten Wafer oberfläche.

Die Erfindung geht dabei von dem Gedanken aus, die im Stand der Technik separaten Prozessschritte der Schichtabscheidung und -Strukturierung zu vereinen, indem wäh rend der Schichtabscheidung eine auf der Waferoberfläche angeordnete Schatten maske die als Blendenöffnungen vorgesehenen Abschnitte der Waferoberfläche mas kiert und somit vor einer Beschichtung mit der undurchsichtigen Schicht schützt.

Dadurch umgeht das erfindungsgemäße Verfahren die im Stand der Technik ge bräuchlichen Lithographie- und Ätzschritte, wodurch der gesamte Prozessaufwand und die gesamten Fierstellungskosten verringert werden.

FHinsichtlich der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erreichbaren Produktqualität ist zudem anzumerken, dass die Waferoberfläche im Bereich der Blendenöffnungen eine wie-hergestellte Oberflächenqualität beibehält, da sie während des Beschich- tungsvorgang maskiert wird. Im Gegensatz dazu werden bei der photolithographi schen Herstellungsroute nach dem Stand der Technik die Bereiche der (späteren) Blendenöffnungen zunächst beschichtet und anschließend mittels eines Ätzprozesses wieder freigelegt. Diese Prozessführung geht selbstverständlich zulasten der Oberflä chenqualität, insbesondere ist eine Erhöhung von Rauhheitsparametern charakteris tisch, so dass im Ergebnis eine Verschlechterung der Lichtausbeute der Projektions einrichtung aufgrund von erhöhter Lichtstreuung beim Durchtritt durch die derart auf gerauhte Blendenöffnung resultiert.

In vorteilhafter Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird beim Be schichten der maskierten Waferoberfläche eine undurchsichtige Schicht aus einem Metall oder aus einer Metalllegierung, insbesondere aus Chrom, abgeschieden. Metal le zeichnen sich durch einen hohen Absorptionskoeffizienten für elektromagnetische Strahlung im relevanten sichtbaren Spektralbereich aus und sind zudem robust gegen Erhitzung im Betrieb der Lichtmodule.

Vorzugsweise beträgt die Schichtdicke der beim Beschichten der maskierten Wafer oberfläche abgeschiedenen, undurchsichtigen Schicht 50 nm bis 500 nm, insbesonde re 100 nm bis 200 nm. Dies sind typische Werte bei der Verwendung von metallischen Schichten. Derartige Schichtdicken lassen sich in kurzen Prozesszeiten abscheiden und sie führen zu keiner nennenswerten Erhöhung der Bautiefe der gesamten Projek tionseinrichtung.

Das Beschichten der maskierten Waferoberfläche wird vorzugsweise mittels eines Verfahrens der Physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) durchgeführt. Im Zu sammenhang mit der erfindungsgemäßen Verwendung einer Schattenmaske weisen PVD-Methoden den Vorteil eines geometrisch gerichteten Beschichtungsvorgangs auf, bei welchem ein Partikelstrahl unter einem definierten Auftreffwinkel auf die Waferoberfläche auftrifft. Somit können bei lotrechtem Einfall des Partikelstrahls auf den Wafer, und damit auch auf die Schattenmaske, sowohl Abschattungseffekte durch die Maskenkanten als auch ein Unterkriechen von Beschichtungsgut in die maskierten Abschnitte der Waferoberfläche minimiert werden. Weiterhin wird beim Maskieren vorzugsweise eine Schattenmaske mit einem Blende- narray-Negativ verwendet, worin eine charakteristische Länge eines Negativs einer Einzelblende jeweils 0,1 mm bis 5 mm beträgt. Diese Größenordnung ist an die Durchmesser der Einzellinsen angepasst, welche typischerweise in Mikrolinsenarrays für Projektionseinrichtungen von Fahrzeugscheinwerfern verwendet werden. Insbe sondere sind derartige Strukturgrößen mit der erfindungsgemäßen Abscheidung in eine Schattenmaske unschwierig erzeugbar.

Des Weiteren betrifft die vorliegende Erfindung eine Baugruppe für einen Fahrzeug scheinwerfer wenigstens umfassend ein Mikrolinsenarray und ein Blendenarray, wo bei das Blendenarray mittels einer der vorgenannten Ausführungsformen des erfin dungsgemäßen Verfahrens hergestellt ist.

Insbesondere umfasst die Baugruppe zwei Mikrolinsenarrays und ein dazwischen an geordnetes Blendenarray, wobei das Blendenarray als ein Feldblendenarray in der Fokusebene des zweiten Mikrolinsenarrays angeordnet ist, um eine wohldefinierten Lichtverteilung zu erzeugen.

BEVORZUGTES AUSFUHRUNGSBEISPIEL DER ERFINDUNG

Weitere, die Erfindung verbessernde Maßnahmen werden nachstehend gemeinsam mit der Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung anhand der Figuren näher dargestellt. Es zeigen:

Fig. 1 a-1 d Illustrationen der Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Ver fahrens, und

Fig. 2 eine Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Baugruppe. Die Fig. 1 a - 1 d illustrieren die einzelnen Verfahrensschritte 100, 200, 300 und 400 des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens. Die in der nachfolgenden Beschrei bung der einzelnen Figuren angeführten Verweise auf Bezugszeichen erschließen sich jeweils in der Zusammenschau der Fig. 1 a - 1 d.

Fig. 1 a zeigt das Bereitstellen 100 eines Wafers 3 mit einem auf einer ersten Wafer oberfläche 31 angeordneten Mikrolinsenarray 2. Dargestellt ist ein Ausschnitt des Wafers 3 und des Mikrolinsenarrays 2 sowie eine vergrößerte Detailansicht der An ordnung von Einzellinsen 21 des Mikrolinsenarrays 2. Der Wafer 3 besteht vorzugs weise aus Quarzglas oder aus einem transparenten Polymer und weist eine Dicke von typischerweise 0,2 mm bis 2,5 mm auf. Das Mikrolinsenarray 2 kann durch Reflow- Prozesse, Abformung von UV-härtendem Polymer, UV-Reaktionsguss, Ätzen in Glas, Prägen, Drucken, in einem Kunststoff-Formpress-Prozess, durch Spritzguss und/oder durch eine Abformtechnik mit Negativformen hergestellt worden sein. Die Gestalt des Mikrolinsenarrays 2 ist beispielsweise rechteckig mit typischen Abmessungen der lan gen Seite von 10 mm bis 100 mm und der kurzen Seite von 5 mm bis 20 mm. Die das Array konstituierenden Einzellinsen 21 haben einen horizontalen und vertikalen Pitch von typischerweise 0,1 -0,5 mm, können aber in Sonderfällen auch bis zu 5 mm

Durchmesser aufweisen. Die Anordnung der Einzellinsen 21 kann wie in der Fig. 1 a dargestellt ein quadratisches Gitter aufspannen, alternativ kann beispielsweise auch eine hexagonale Anordnung von Vorteil sein.

Fig. 1 b stellt das Maskieren 200 der zweiten Waferoberfläche 32 des Wafers 3 mittels der Schattenmaske 4 dar, welche ein Negativ 41 des Blendenarrays 1 umfasst. Die Schattenmaske 4 besteht beispielsweise aus einem hochpräzise strukturiertem Me tallblech, einer Mikrolochfolie oder einer Kunststoff- oder Glasplatte. Die Positionie rung der Schattenmaske 4 auf der Waferoberfläche 32 muss dabei hochpräzise erfol gen, um sicherzustellen, dass das Negativ 41 exakt zu dem Mikrolinsenarray 2 auf der gegenüberliegenden Waferoberfläche 31 ausgerichtet ist. Die Dicke der Schatten maske 4 wird möglichst gering gewählt, um unerwünschte Abschattungseffekte beim Beschichten 300 in die Schattenmaske 4 zu vermeiden. Die vergrößerte Detailansicht der Schattenmaske 4 zeigt, dass die Einzelnegative 42 jeweils zwei rechteckige Aus- sparungen 43a, 43b, welche den späteren Blendenrahmen 13a, 13b des Blende- narrays 1 entsprechen. Die Länge 12 der Negative 42 bzw. der Einzelblenden 11 ist zweckmäßig an den Durchmesser der Mikrolinsen 21 angepasst. Um einen möglichst vollflächigen und spaltfreien Kontakt zwischen der Schattenmaske 4 und dem Wafer 3 zu gewährleisten, sind die klammerartigen Klemmvorrichtungen 43 randseitig um Maske 4 und Wafer 3 montiert. Beispielsweise kann zudem die Schattenmaske 4 aus einem ferromagnetischen Metall, etwa Nickel, gefertigt sein, so dass die Schatten maske 4 mittels einer auf der gegenüberliegenden Waferoberfläche 31 angeordneten Magneten auf die zu beschichtende Waferoberfläche 32 gepresst werden kann.

Fig. 1 c zeigt das Beschichten 300 der mit der Schattenmaske 4 maskierten Wafer oberfläche 32. Dazu wird vorteilhaft ein PVD-Verfahren eingesetzt, insbesondere ein Sputter-Verfahren (Kathodenzerstäubung), welches die gerichteten Partikelstrahlen 5 des abzuscheidenden Beschichtungsguts erzeugt. Der Einfall der Partikelstrahlen 5 auf die Schattenmaske 4 ist dabei im Wesentlichen lotrecht orientiert, so dass es nicht zu unerwünschten Abschattungseffekten durch die Kanten der Aussparungen 43a,

43b des Negativs 41 kommt, sondern die Waferoberfläche 32 unter den Aussparun gen 43a, 43b vollflächig homogen beschichtet wird. Durch den lotrechten Einfall der Partikelstrahlen 5 wird zudem ein Eindringen von Beschichtungsgut in etwaige Spalte zwischen Schattenmaske 4 und Waferoberfläche 32 reduziert. Als Beschichtungsgut zur Bildung der undurchsichtigen Schicht wird vorteilhaft Chrom verwendet, welches sich durch einen hohen spezifischen Absorptionsgrad sowie hohe Beständigkeit aus zeichnet.

Fig. 1 d zeigt das Blendenarray 1 auf der Waferoberfläche 32 nach dem Entfernen 400 der Schattenmaske 4. Die das Blendenarray 1 aufbauenden Einzelblenden 11 umfas sen jeweils die beiden rechteckigen Blendenrahmen 13a und 13b, welche aus der un durchsichtigen Chrom-Schicht 10 bestehen. Die Länge 12 der Einzelblenden 11 ent spricht etwa dem Durchmesser der Einzellinsen 21 des Mikrolinsenarrays 2. Zwischen den Blendenrahmen 13a, 13b befindet sich jeweils die Blendenöffnung 14, durch wel che der Lichtstrom der Lichtmodule im Scheinwerferbetrieb hindurchtritt. Im hier dar gestellten Fall variiert die Fläche der jeweiligen Blendenrahmen 13b und entspre- chend variiert die Größe der Blendenöffnungen 14. Bei Verwendung des Blende- narrays 1 als ein Array von Feldblenden zur Beschneidung des Lichtstromes stellt ei ne derartige Variation der Größe und/oder auch der Gestalt der diversen Blendenöff nungen 14 eine elegante Möglichkeit zur detaillierten Definition der von der Projekti onseinrichtung projizierten Lichtverteilung dar, und zwar sowohl hinsichtlich ihrer Kon tur als auch hinsichtlich der lokalen Strahlintensität.

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Abschnittes einer erfindungsgemäßen Baugruppe 50 umfassend das erste und das zweite Mikrolinsenarray 2a und 2b auf entgegengesetzten Oberflächen der beiden transparenten Wafer 3 und das dazwi schen angeordnete Blendenarray 1 , welches mittels des erfindungsgemäßen Verfah rens auf einer der Waferoberflächen abgeschieden wurde. Die Darstellung ist nicht maßstäblich, vielmehr beträgt die Dicke der Wafer 3 in der Praxis etwa 1 mm, die Di cke der das Blendenarray 1 konstituierenden Chrom-Schicht 10 etwa 100 nm und die Dicke der Einzellinsen 21 sowie die charakteristische Länge 12 der Einzelblenden 11 beispielsweise 250 pm bis 500 pm. Die beiden Wafer 3 sind fest miteinander verbun den, beispielsweise durch eine randseitig umlaufende oder alternativ durch eine voll flächige Klebeverbindung. Beim Einsatz in einer Projektionseinrichtung eines Fahr zeugscheinwerfers fungiert beispielsweise das Mikrolinsenarray 2a als Eintrittsoptik für von der Lichtquelle ausgestrahltes Licht, und das andere Mikrolinsenarray 2b dient als Austrittsoptik zur Projektion einer Lichtverteilung auf die Fahrbahn. Im hier darge stellten Beispiel hat das Blendenarray 1 die Funktion eines Feldblendenarrays inne, d.h. das Blendenarray ist in der Fokusebene des zweiten Mikrolinsenarrays 2b positi oniert und wird daher scharf von dem als Austrittsoptik fungierenden Mikrolinsenarray 2b auf die Fahrbahn projiziert. Bei einer Anordnung der Baugruppe 50 in einem Scheinwerfer, derart, dass sich die Blendenrahmen 13a und 13b der Einzelblenden 11 wie in der Fig. 2 dargestellt vertikal übereinander befinden, bildet die Projektion der Unterkanten aller Blendenrahmen 13a eine scharfe Hell-Dunkel-Grenze auf der Fahr bahn, vorausgesetzt, dass sämtliche Blendenrahmen 13a die gleichen Maße und die gleiche Position innerhalb der Einzelblenden 11 einnehmen. Die Variation der Maße der jeweiligen Blendenrahmen 13b dient dann der Ausgestaltung des unterhalb der Hell-Dunkel-Grenze projizierten Lichtfeldes. Zusätzlich kann die in Fig. 2 dargestellte Baugruppe 50 noch um ein zweites, ebenfalls mittels des erfindungsgemäßen Verfah rens hergestelltes Blendenarray ergänzt werden, welches zwischen dem Feldblende- narray 1 und dem als Austrittsoptik fungierenden Mikrolinsenarray 2b angeordnet ist, und die Funktion eines Aperturblendenarrays zur Streulichtunterdrückung wahrnimmt.

Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf das vorstehend angege bene bevorzugte Ausführungsbeispiel. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denk bar, welche von der dargestellten Lösung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch macht. Sämtliche aus den Ansprüchen, der Beschreibung oder den Zeichnungen hervorgehenden Merkmale und/oder Vorteile, einschließlich konstruktiven Einzelheiten, räumlichen Anordnungen und Verfahrensschritten, können sowohl für sich als auch in den verschiedensten Kombinationen erfindungswesentlich sein.

Bezugszeichenliste

1 Blendenarray

10 undurchsichtige Schicht

1 1 Einzelblende

12 Länge

13a, 13b Blendenrahmen

14 Blendenöffnung

2, 2a, 2b Mikrolinsenarray

21 Einzellinse

3 Wafer

31 erste Waferoberfläche

32 zweite Waferoberfläche

4 Schattenmaske

41 Negativ (des Blendenarrays)

42 Negativ (einer Einzelblende)

43a, 43b Aussparung

5 Partikelstrahl

50 Baugruppe

100 Bereitstellen

200 Maskieren

300 Beschichten

400 Entfernen