Verfahren zur Herstellung übereinander gestapelter OLEDs

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von OLEDs, bei dem in aufeinander folgenden Prozessschritten mehrere OLED-Schicht- strukturen, die jeweils Licht in einer anderen Farbe emittieren, und zwischen den OLED-Schichtstrukturen Metallisierungen abgeschieden werden.

[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine nach dem Verfahren herge- stellte Schichtstruktur.

Stand der Technik

[0003] Die DE 10212923A1 beschreibt ein Verfahren zum Beschichten eines Substrates, bei dem in derselben Prozesskammer sowohl n- und p-leitende, iso- lierende oder metallische Schichten abgeschieden werden können.

[0004] Die DE 102014102191 B4 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von OLEDs.

[0005] Die US 2018/0019441 Al, US 2010/0188388 Al und JP 2016-072283 A beschreiben jeweils ein Verfahren zum Abscheiden von strukturierten Schich- ten, die mehrere übereinander angeordnete Lagen aufweisen, die mittels einer einzigen Schattenmaske strukturiert werden, wobei die Schattenmaske ver schiedene Abstände zum Substrat einnehmen kann. [0006] Die DE 102017122886 Al beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Emissionsfeldes, bei dem voneinander verschiedene Schichten in ver schiedenen Prozesskammern abgeschieden werden.

[0007] Das Standardverfahren zur Herstellung von OLED-Bildschirmen ver- langt das Abscheiden einer Vielzahl von Schichten. Die Schichten werden je weils in einer gesonderten Prozesskammer mit einer speziellen Schattenmaske abgeschieden. Dabei werden OLED-Schichtstrukturen mit verschiedenen Far ben nebeneinander angeordnet. Es gibt auch Verfahren, bei denen die OLED- Schichtstrukturen übereinander abgeschieden werden. Jede OLED- Schichtstruktur liegt zwischen zwei Metallisierungen, mit denen die Oberflä chen der OLED-Schichtstrukturen mit Kontaktfeldern elektrisch leitend ver bunden sind. Die Kontaktfelder befinden sich auf dem Substrat und werden von einer elektronischen Funktionsschicht angesteuert.

Zusammenfassung der Erfindung

[0008] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstel- lung von OLEDs anzugeben, das mit einer verminderten Anzahl von Prozess kammern auskommt.

[0009] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Er findung, wobei die Unter ansprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der im Hauptanspruch angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lö- sungen der Aufgabe sind.

[0010] Erfindungsgemäß werden zumindest einige der mehreren Beschich tungsschritte in nur einer Prozesskammer eines OVPD-Reaktors durchgeführt. Dem Abscheideverfahren geht eine Vorbereitung des Substrates voraus. Zur Vorbereitung des Substrates gehört eine Strukturierung der Substratoberfläche mit einer Vielzahl von Emissionsfeldern. Mit dem erfindungsgemäßen Verfah ren erhält jedes Emissionsfeld bei den erfindungsgemäßen Behandlungsschrit ten drei OLED-Schichtstrukturen, die vertikal übereinander angeordnet sind, wobei zwischen den OLED-Schichtstrukturen Metallisierungen angeordnet sind. Diese werden von optisch durchsichtigen Metallschichten ausgebildet. Unter dem Begriff Metallisierung oder Metallschichten wird im Rahmen dieser Offenbarung eine dünne Lage aus elektrisch leitfähigem Material verstanden.

Es handelt sich um eine transparente elektrisch leitfähige Schicht, die neben einer Komposition aus Metallen gegebenenfalls auch organische Anteile enthal ten kann. Bei Bedarf kann die transparente elektrisch leitende Schicht auch po lymerisierte organische Anteile enthalten. Die Grundstruktur des Substrates enthält eine Vielzahl von Emissionsfeldern, die jeweils von einem Isolator um geben sein können und schachbrettartig auf dem Substrat angeordnet sind. Je dem Emissionsfeld sind darüber hinaus vier Kontaktflächen zugeordnet. Das Emissionsfeld kann eine rechteckige und insbesondere quadratische Form be sitzen. Die Kontaktflächen können sich parallel zu den Rändern des Emissions feldes erstrecken. Es kann vorgesehen sein, dass sich ein erstes Paar Kontaktflä chen gegenüberliegt, die einen ersten, geringen Abstand zum Isolator besitzen. Es kann ferner vorgesehen sein, dass ein zweites Paar Kontaktflächen sich ge genüberliegt, die einen zweiten, größeren Abstand jeweils zum Isolator oder Emissionsfeld besitzen. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass zwei Kontakt flächen mit geringem Abstand jeweils zum Isolator oder Emissionsfeld über Eck benachbart angeordnet sind und zwei Kontaktflächen mit einem großen Abstand jeweils zum Isolator oder Emissionsfeld ebenfalls über Eck benachbart angeordnet sind. Erfindungsgemäß werden von den folgenden Behandlungs schritten zumindest zwei Schritte in derselben Prozesskammer eines OVPD- Reaktors unmittelbar aufeinander folgend durchgeführt:

[0011] Aufbringen einer ersten OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines in zumindest einem ersten Dampferzeuger erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; Anordnen der Schattenmaske in eine zweite Positi on und Aufbringen einer ersten Metallisierung auf die erste OLED- Schichtstruktur durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; Anordnen der Schattenmaske in eine dritte Position und Auf bringen einer zweiten OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines in zumin dest einem zweiten Dampferzeuger erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; Anordnen der Schattenmaske in eine vierte Position und Auf bringen einer zweiten Metallisierung auf die zweite OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; An ordnen der Schattenmaske in eine fünfte Position und Aufbringen einer Isolati- onsschicht auf die zweite Metallisierung durch Einspeisen eines auf dem Sub strat zu einem Isolator kondensierenden Dampfes; Anordnen der Schattenmas ke in eine sechste Position und Aufbringen einer dritten Metallisierung auf die Isolationsschicht durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; Anordnen der Schattenmaske in eine siebte Position und Auf bringen einer dritten OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines in zumin dest einem dritten Dampferzeuger erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat; Anordnen der Schattenmaske in eine achte Position und Auf- bringen einer vierten Metallisierung auf die dritte OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat. Unter Dampferzeuger wird im Rahmen der Offenbarung jede Quelle angesehen, die in der Lage ist, einen Dampf zu erzeugen, also insbesondere solche Quellen, bei denen ein Festkörper oder eine Flüssigkeit durch Erhitzen oder durch Ände- rungen anderer thermodynamischer Parameter in eine Gasform gebracht wird. Es werden auch solche Vorrichtungen darunter verstanden, bei denen ein Aero sol durch Zufuhr von Energie verdampft wird.

[0012] Während des Abschneidens der OLED-Schichtstrukturen liegt eine Randkante einer Öffnung der Schattenmaske, durch die das Beschichtungsma terial in Richtung des Substrates, insbesondere durch Diffusion, transportiert wird, berührend auf der darunter liegenden Schicht, beispielsweise Metallisie rung, oder dem Isolator auf. Die Fläche der OLED-Schichtstrukturen stimmt dadurch mit der Fläche der Öffnung der Schattenmaske überein. Die Öffnung kann geringfügig größer sein als der von einem Rand, beispielsweise von einem Isolator, begrenzte Innenraum des Emissionsfeldes. Der Rand der Öffnung kann beim Abscheiden der OLED-Schichtstrukturen auf der Fläche des Isola tors liegen, sodass die OLED-Schichtstruktur sich nicht nur über das Emissions feld, sondern auch über einen Abschnitt des Isolators erstreckt. Die Positionen der Schattenmaske beim Abscheiden der drei OLED-Schichtstrukturen können dieselben sein, sodass die OLED-Schichtstrukturen vertikal übereinander abge schieden werden. Die OLED-Schichtstrukturen können in der folgenden Rei henfolge abgeschieden werden rot, blau, grün. Beim Abscheiden der Metallisie rung und/ oder der Isolationsschicht kann die Schattenmaske vom Substrat ab gehoben werden, sodass zwischen der Randkante der Öffnung der Schatten maske und der darunterliegenden Schicht oder dem darunterliegenden Isolator ein Spalt entsteht. Durch diesen Spalt kann der zum Abscheiden der Metallisie rung oder der Isolationsschicht verwendete Dampf unter den Steg der Schat tenmaske diffundieren. Dies hat die Abscheidung einer vergrößerten Fläche zur Folge. Die Schattenmaske wird beim Abscheiden der Metallisierung derart an geordnet, dass sich die Metallisierung über einen wesentlichen Bereich der Oberfläche der OLED-Schichtstruktur erstreckt und zusätzlich über eine Kon taktfläche. Die Schattenmaske wird hierzu bevorzugt diagonal zu den Rand kanten des Emissionsfeldes verlagert, sodass zwei über Eck aneinander angren- zende Randkanten der Metallisierung etwa entlang des äußeren Randes des Emissionsfeldes beziehungsweise des inneren Randes des Isolators verlaufen und ein Randbereich der Metallisierung über eine Kontaktfläche verläuft. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung verbindet die erste Metallisie rung eine gering dem Isolator beabstandete Kontaktfläche mit der Oberfläche einer OLED-Schichtstruktur. Die zweite Metallisierung, die auf die zweite OLED-Schichtstruktur abgeschieden wird, kann ebenfalls zwei über Eck anei nander angrenzende Ränder besitzen, die etwa auf dem inneren Rand des Isola tors beziehungsweise dem Rand des Emissionsfeldes verlaufen. Ein Randbe reich der Metallisierung liegt auf einer Kontaktfläche auf, die einen geringen Abstand zum Akkumulator beziehungsweise zum Emissionsfeld besitzt. Diese Kontaktfläche wird mit der Oberfläche der OLED-Schichtstruktur verbunden. Die erste Metallisierung bildet eine Elektrode, für zwei OLED-Strukturen. Die Abscheidung der ersten und der zweiten OLED-Schichtstrukturen und der ers ten und zweiten Metallisierung erfolgt bevorzugt in einer einzigen Prozess kammer mit derselben Schattenmaske in unmittelbar aufeinanderfolgenden Prozessschritten. An diesem Prozessschritt kann sich die Abscheidung einer Isolationsschicht anschließen. Diese Abscheidung kann in derselben Prozess kammer mit derselben Schattenmaske erfolgen. Die Isolationsschicht besitzt eine Größe, die durch den Abstand der Maske vom Substrat eingestellt wird, die ausreichend groß ist, um die beiden ersten und zweiten Metallisierungen zu überdecken, nicht jedoch die beiden, insbesondere sich gegenüberliegenden, weiter vom Isolator beabstandeten Kontaktflächen. Der Abstand dieser zweiten Kontaktflächen vom Isolator oder vom Emissionsfeld ist größer als die Breite der ersten Kontaktflächen, die nahe am Isolator angeordnet sind. In einer weite ren Folge von Prozessschritten, die in einer anderen Prozesskammer, bevorzugt aber in derselben Prozesskammer, in der die vorherigen Prozessschritte durch geführt worden sind, durchgeführt werden, wird auf die Isolationsschicht zu nächst eine dritte Metallisierung, dann eine dritte OLED-Schichtstruktur und dann eine vierte Metallisierung abgeschieden. Auch hier werden die dritten und vierten Metallisierungen derart abgeschieden, dass ein Randabschnitt der Metallisierung sich über eine der zwei freiliegenden Kontaktflächen erstreckt. Die Metallisierungen können zwei über Eck aneinandergrenzende Randkanten aufweisen, die sich entlang des inneren Randes des Emissionsfeldes erstrecken. Das Ergebnis des zuvor beschriebenen Verfahrens ist ein Schichtenstapel aus transparenten Schichten, bei dem rotes, grünes und blaues Licht emittierende OLED-Schichtstrukturen vertikal übereinander angeordnet sind, wobei jede OLED separat und unabhängig von benachbarten OLEDs elektrisch angesteuert werden kann. Hierzu sind jeweils zwei Elektroden vorgesehen, die durch die Metallisierungen gebildet sind. Eine Metallisierung bildet jeweils eine Anode und eine andere Metallisierung jeweils eine Katode. Die Elektroden werden derart abgeschieden, dass sie einen elektrischen Kontakt mit einer Ansteuer elektronik, die von der elektronischen Funktionsschicht gebildet ist, besitzen. Um die Metallisierung herzustellen, wird eine Metallquelle verwendet. Bei dem OVPD-Reaktor handelt es sich um einen Vakuum-Reaktor, dessen Gaseinlass organ auf eine Dampftemperatur des Metalls aufgeheizt werden kann. Über ein Trägergas kann verdampftes Metall durch das Gaseinlassorgan, bei dem es sich um einen Showerhead handeln kann, in die Prozesskammer eingespeist wer den. Dort liegt das Substrat auf einem gekühlten Substrathalter, sodass das verdampfte Metall auf dem Substrat und insbesondere unter den Öffnungen der Schattenmaske kondensieren kann. Der Metalldampf diffundiert dabei un ter die Stege der Maske. Das Substrat wird, bevor es in die Prozesskammer ge bracht und auf den Substrathalter gelegt wird, mit einer Vielzahl von Emissi onsfeldern strukturiert, wobei jedes Missionsfeld eine elektronische Funktions einheit besitzt. Letztere kann von einer elektronischen Funktionsschicht gebil det sein. Das Emissionsfeld wird von einem Isolator umgeben. Mit der Funkti onseinheit sind vier Kontaktflächen verbunden, die jeweils mit einer Metallisie rung verbunden sind. In einem ersten Prozessschritt wird eine rote OLED- Schichtstruktur abgeschieden, wobei der Abstand der Maske zum Substrat kleiner als 10 gm, bevorzugt 0 gm ist. Danach wird die Schattenmaske angeho- ben und parallel zur Substratebene und insbesondere diagonal zu den Schen keln des Isolators verschoben. Beim Abscheiden der Metallisierung kann der Abstand von Schattenmaske zum Substrat größer als 10 gm sein. Die nächste OLED-Schichtstruktur wird unmittelbar auf die Metallisierung abgeschieden, wobei hierzu der Abstand der Scheibenmaske zum Substrat bevorzugt kleiner als 10 gm, bevorzugt 0 gm ist. Danach wird die Schattenmaske angehoben und parallel zur Substratebene und insbesondere diagonal zu den Schenkeln des Isolators verschoben. Beim Abscheiden der nächsten Metallisierung kann der Abstand von Schattenmaske zum Substrat größer als 10 gm sein. Die Maske wird erneut parallel zur Erstreckungsebene des Substrates verschoben und auf einen Abstand von größer 10 gm, bevorzugt größer 20 gm und bevorzugt grö ßer 50 gm angehoben. In dieser Position wird die Isolationsschicht abgeschie den. Anschließend wird die Maske gegebenenfalls angehoben und erneut in der Erstreckungsebene des Substrates verschoben. Sie kann auf einen Abstand von größer 10 gm abgesenkt werden. Es wird eine weitere transparente leitfähige Schicht als Metallisierung abgeschieden. Nachfolgend wird die Maske gegebe nenfalls angehoben, verschoben und abgesenkt, bis der Abstand der Schatten maske zum Substrat kleiner 10 gm, bevorzugt 0 gm ist. In dieser Abstandslage wird die nächste OLED-Schichtstruktur abgeschieden. Nachfolgend wird die Maske angehoben, wieder verschoben und bei einem Abstand von größer 10 gm eine transparente leitfähige Schicht als Metallisierung auf das Substrat abgeschieden. Die Metallisierungen werden derart abgeschieden, dass sie elektrisch voneinander isoliert sind. Es wird als vorteilhaft angesehen, wenn sich zwei OLED-Schichtstrukturen einen gemeinsamen Kontakt teilen. Die Schichtdicke der Metallisierung oder der Isolationsschicht kann in dem Bereich, in dem sie unterhalb der Stege der Schattenmaske liegt, geringer sein, als im Bereich der Öffnung der Schattenmaske. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist vorgesehen, dass die Schattenmaske während des Abscheidens einer der zuvor beschriebenen Schichten in einen der zuvor beschriebenen Pro- zessschritte derart lateral verlagert wird, dass sich die wirksame Größe der Öff- nung der Schatenmaske vergrößert. Hierdurch können in einer alternativen Verfahrensweise Flächen unterschiedlicher Größe abgeschieden werden. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Metallisierungen jeweils auf eine andere Kontaktfläche aufgebracht werden, wobei die Kontaktflächen sich entlang eines anderen Randes des Emissionsfeldes erstrecken.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0013] Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf einen Ausschnitt eines vorbe reiteten Substrates mit einer Vielzahl von Emissionsfeldern 2,

Fig. 2 die Draufsicht auf ein einzelnes Emissionsfeld 2 mit außerhalb eines das Emissionsfeld 2 umgebenden Isolators 5 angeordne ten Kontaktflächen 6, 7, 8, 9,

Fig. 3 den Schnitt gemäß der Linie III-III in Figur 2,

Fig. 4 den Schnitt gemäß der Linie IV-IV in Figur 2,

Fig. 5 eine Darstellung gemäß Figur 2 nach dem Abscheiden einer ers- ten OLED-Schichtstruktur 10 unter Verwendung einer Schat tenmaske 19,

Fig. 6 den Schnitt gemäß der Linie VI-VI in Figur 5,

Fig. 7 den Schnit gemäß Linie VII-VII in Figur 5, Fig. 8 eine Darstellung gemäß Figur 5, jedoch nach Abscheiden einer Metallisierung 11,

Fig. 9 den Schnitt gemäß der Linie IX-IX in Figur 8,

Fig. 10 den Schnitt gemäß der Linie X-X in Figur 8,

Fig. 11 eine Darstellung gemäß Figur 8, jedoch nach Abscheiden einer weiteren OLED-Schichtstruktur 12,

Fig. 12 den Schnitt gemäß der Linie XII-XII in Figur 11,

Fig. 13 den Schnitt gemäß der Linie XIII-XIII in Figur 11,

Fig. 14 eine Darstellung gemäß Figur 11, jedoch nach Abscheiden einer weiteren Metallisierung 13,

Fig. 15 den Schnitt gemäß der Linie XV-XV in Figur 14,

Fig. 16 den Schnitt gemäß der Linie XVI-XVI in Figur 14,

Fig. 17 eine Darstellung gemäß Figur 14, jedoch nach Abscheiden einer Isolationsschicht 14,

Fig. 18 den Schnitt gemäß der Linie XVIII- in Figur 17,

Fig. 19 den Schnitt gemäß der Linie XIX-XIX in Figur 17, Fig. 20 eine Darstellung gemäß Figur 17, jedoch nach Abscheiden einer weiteren Metallisierung 15,

Fig. 21 den Schnitt gemäß der Linie XXI-XXI in Figur 20,

Fig. 22 den Schnitt gemäß der Linie XXII-XXII in Figur 20,

Fig. 23 eine Darstellung gemäß Figur 20, jedoch nach Abscheiden einer weiteren OLED-Schichtstruktur 16,

Fig. 24 den Schnitt gemäß der Linie XXIV-XXIV in Figur 23,

Fig. 25 den Schnitt gemäß der Linie XXV-XXV in Figur 24,

Fig. 26 eine Darstellung gemäß Figur 23, jedoch nach Abscheiden einer weiteren Metallisierung 17,

Fig. 27 den Schnitt gemäß der Linie XXVII-XXVII in Figur 26,

Fig. 28 den Schnitt gemäß der Linie XXVIII-XXVIII in Figur 26 und Fig. 29 schematisch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfah rens.

Beschreibung der Ausführungsformen [0014] Die Figur 29 zeigt eine Vorrichtung, wie sie auch in der eingangs ge nannten DE 10212923 Al beschrieben wird. In einem gasdichten, evakuierbaren Gehäuse 30 eines OVPD-Reaktors befindet sich ein Substrathalter 31 mit Kühl kanälen 32, durch die ein Kühlmittel fließen kann, um den Substrathalter 31 zu kühlen. Auf dem Substrathalter 31 liegt ein zu beschichtendes Substrat 1, wel ches aus Glas oder einem anderen transparenten Material besteht. Oberhalb des Substrates 1 befindet sich eine Prozesskammer 29, in die verschiedene Prozess gase eingespeist werden können. Bei den Prozessgasen handelt es sich um je weils mit einem Trägergas transportierte organische, metallische oder ander weitige Dämpfe, die auf dem Substrat 1 kondensieren können. Oberhalb der Prozesskammer 29 erstreckt sich eine Gasaustrittsfläche 34 eines die Form eines rechteckigen Duschkopfs aufweisenden Gaseinlassorganes 33. Die Gasaustritts fläche 34 besitzt eine Vielzahl siebartig oder gitternetzartig angeordnete Gasaustrittsöffnungen 35, durch die das Prozessgas von einem Gasverteilvolu men des Gaseinlassorganes 33 in die Prozesskammer 29 eintreten kann. Inner halb des Gasverteilvolumens des Gaseinlassorganes 3 können nicht dargestellte Mittel zur Vergleichmäßigung des Prozessgases angeordnet sein. Das Gasver- teilvolumen des Gaseinlassorganes 33 wird mit einer Zuleitung 36 gespeist. In die Zuleitung 36 kann wahlweise ein organischer Dampf, der in einem Dampf erzeuger 40 erzeugt wird, oder ein metallischer Dampf, der in einer Metall- Dampfquelle 37 erzeugt wird, eingespeist werden. In die Metall-Dampfquelle 37 mündet eine Gaszuleitung 41, durch die ein Trägergas, beispielsweise Was serstoff, Stickstoff oder ein anderes Inertgas, eingespeist wird. Mit diesem Trä gergas wird der in der Metallquelle 37 erzeugte Metalldampf zur Zuleitung 36 transportiert. Der Dampferzeuger 38 kann einen Aerosolerzeuger 39 aufweisen, in dem aus organischen Partikeln ein Aerosol erzeugt wird, welches mit einem in eine Gaszuleitung 42 eingespeisten Trägergas zu einem Verdampfer 38 transportiert wird, wo die Aerosolpartikel verdampft werden.

[0015] Der in der Figur 29 mit der Bezugsziffer 40 bezeichnete Dampferzeuger kann auch anders ausgestaltet sein, beispielsweise als Wanne, die einen flüssi gen oder festen Stoff beinhaltet, der durch Energiezufuhr in einen gasförmigen Zustand gebracht wird. Der so erzeugte Dampf gelangt durch die Zuleitung 36 in das Gaseinlassorgan. Dies kann auch mit einem Trägergas erfolgen, das durch eine Gaszuleitung 42 in den Dampferzeuger 40 eingespeist wird. Es kön nen mehrere Dampferzeuger 40 vorgesehen sein, von denen in der Figur 29 der Übersicht halber aber nur einer dargestellt ist.

[0016] Bei der Durchführung des Verfahrens wird in die Prozesskammer 29 ein vorbereitetes Substrat eingeführt. Das Substrat 1 besitzt eine Vielzahl von schachbrettartig oder gitternetzartig angeordneten Emissionsfeldern 2, die je weils von einem quadratischen Isolator 5 umgeben sind. Entlang der Randkante des Isolators 5 erstrecken sich erste und zweite Kontaktflächen 6, 7, 8, 9. Die ersten Kontaktflächen 6, 8 sind unmittelbar angrenzend an eine Randkante des Isolators 5 angeordnet. Beim Ausführungsbeispiel liegen sich zwei erste Kon taktflächen 6, 8 gegenüber. Die zweiten Kontaktflächen 7, 9 sind von einer Randkante des Isolators 5 weiter beabstandet, als die ersten Kontaktflächen 6, 8. Der Abstand, den die zweiten Kontaktflächen 7, 9 zur Randkante des Isolators 5 haben, ist größer, als die Breite der ersten Kontaktflächen 6, 8 und insbesondere größer, als der Abstand des vom Isolator 5 wegweisenden Randes der ersten Kontaktfläche 6, 8 vom Isolator 5. Die Breite der zweiten Kontaktflächen 7, 9 kann der Breite der ersten Kontaktflächen 6, 8 entsprechen. Ein derartig vorbe reitetes Substrat zeigt die Figur 2 am Beispiel eines der vielen Emissionsfelder 2, wie sie die Figur 1 zeigt.

[0017] Die Schnittdarstellungen der Figuren 3 und 4 zeigen den Isolator 5 im Querschnitt. Der Isolator 5 ist schematisch als Rechteck-Querschnittstruktur dargestellt. Er kann aber auch eine im Querschnitt wulstartige Form aufweisen oder eine im Querschnitt trapezförmige Form. Innerhalb des Emissionsfeldes 2 erstreckt sich eine elektrisch leitende Schicht 4, die im Ausführungsbeispiel eine Anode sein kann. Diese ist mit einer elektronischen Funktionsschicht 3 verbun den. Die Kontaktflächen 6, 7, 8, 9 sind ebenfalls mit der elektronischen Funkti onsschicht 3 verbunden. Über die elektronische Funktionsschicht 3 kann die elektrisch leitende Schicht 4 und können die Kontaktflächen 6 bis 9 individuell mit elektrischer Spannung versorgt werden, sodass jedes der Vielzahl von fertig prozessierten Emissionsfeldern 2 ein Pixel eines Displays ausbilden kann, wel ches in einer beliebigen Farbe Licht aussendet.

[0018] In einem ersten Prozessschritt wird das vorbereitete Substrat 1 in die Prozesskammer 29 des OVPD-Reaktors gebracht und auf den Substrathalter 31 aufgelegt. Innerhalb der Prozesskammer 29 befindet sich eine in der Figur 29 nicht dargestellte Schattenmaske 19, die eine Vielzahl von schachbrettartig an geordneten, jeweils durch einen Steg von einer benachbarten Öffnung getrenn ten Öffnungen 20 aufweist. Die Flächen der Öffnungen 20 sind geringfügig größer als die Fläche eines Emissionsfeldes 2, sodass der Rand 21 der Öffnung 20 in dem in den Figuren 5 bis 7 dargestellten Prozessschritt auf dem Isolator 5 aufliegt.

[0019] Von einem Dampferzeuger 40 wird ein organischer Dampf erzeugt, der mit einem Trägergas durch das Gaseinlassorgan 33 hindurch in die Prozess kammer 29 transportiert wird. Die Temperatur des Gaseinlassorgans 33 und der Zuleitung 36 ist größer als die Kondensationstemperatur des Dampfes. Der Dampf kondensiert unter Ausbildung einer organischen Schicht 10 auf der Anode 4, wobei sich ein Randbereich der organischen Schicht 10 über einen Randbereich des Isolators 5 erstreckt. Der Substrathalter 31 wird hierzu auf eine Temperatur unterhalb der Kondensationstemperatur gekühlt. Eine derartig ab geschiedene organische Schicht 10, die beispielsweise rotes Licht emittieren kann, ist in den Figuren 6 und 7 schematisch dargestellt.

[0020] Die Figuren 8-10 zeigen einen zweiten Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine erste elektrisch leitende Schicht auf die zuvor abgeschiedene organische Schicht 11 abgeschieden wird. Hierzu wird die Maske 19 angehoben, sodass sich ein Spalt 18 zwischen einem Steg der Maske 19 und dem Substrat beziehungsweise der Kontaktfläche 8 ausbildet. In dieser Position wird ein metallischer Dampf aus der Metallquelle 37 zusammen mit einem Trägergas durch das Gaseinlassorgan 30 in die Prozesskammer 29 gefördert. Die Temperatur der Zuleitung 36 und des Gaseinlassorgans 33 ist auch hier größer als die Kondensationstemperatur des Metalls. Die Maske 19 ist ausgehend von der in den Figuren 5 bis 7 dargestellten Richtung lateral sowohl in X-Richtung als auch in Y-Richtung verschoben. Zusätzlich wurde die Maske 19 in Z-Richtung angehoben.

[0021] In dieser Position der Maske wird ein metallischer Dampf aus der Me tallquelle 37 zusammen mit einem Trägergas durch das Gaseinlassorgan 30 in die Prozesskammer 29 gefördert. Die Temperatur der Zuleitung 36 und des Ga seinlassorgans 23 ist hierbei größer als die Kondensationstemperatur des Me talls. Als Metall wird ein Metall verwendet, dessen Kondensationstemperatur unterhalb von 450°C, bevorzugt unterhalb von 400°C, liegt. Als Metall kommt beispielsweise Zink in Betracht. Der Dampf diffundiert durch die Öffnung 20 hindurch und auf die bereits abgeschiedene organische Schicht 10. Der Dampf diffundiert ferner unter die Stege zwischen den Öffnungen 20 der Schattenmas ke 19, sodass die abgeschiedene Metallschicht 11 eine größere Fläche aufweist als die darunter liegende organische Schicht 10. Wegen des lateralen Versatzes der Schattenmaske 19 wird die Schicht über die Kontaktfläche 8 abgeschieden. Die bei diesem Schritt abgeschiedene Schicht 11 bildet eine Elektrode der orga nischen Schichtenfolge 10.

[0022] Die Figuren 11 bis 13 zeigen einen dritten Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske eine zweite organische Schicht 12 auf die zuvor abgeschiedene Metallisierung 11 abgeschieden wird. Die Schatten maske 19 wird hierzu etwa in dieselbe Position gebracht, in der die erste orga- nische Schicht 10 abgeschieden worden ist (Figur 8). Die Schattenmaske 19 wird so weit abgesenkt, dass der Rand 21 auf der Metallisierung 11 aufliegt. Mit ei ner weiteren Dampfquelle eines Dampferzeugers 40 wird ein anderer organi scher Ausgangsstoff bereitgestellt, der zu einer beispielsweise blauen OLED kondensieren kann. Die bei diesem Prozessschritt abgeschiedene organische Schicht, die auch eine Schichtenfolge sein kann, ist in den Figuren 12 und 13 mit der Bezugsziffer 12 bezeichnet. Die zweite organische Schicht 12 wird dabei derart abgeschieden, dass einer ihrer Ränder unmittelbar auf einem Rand der ersten organischen Schicht 10 unmittelbar liegt. [0023] Die zuvor abgeschiedene leitende Schicht 11 bildet ebenfalls eine Elekt rode für die im zweiten Prozessschritt abgeschiedene organische Schichtenfolge

12.

[0024] Die Figuren 14 bis 16 zeigen einen vierten Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine zweite elektrisch leitende Schicht auf die zuvor abgeschiedene organische Schicht 12 abgeschieden wird. Hierzu wird die Maske 19 angehoben, sodass sich ein Spalt 18 zwischen dem Rand 21 der Öffnung 20 der Maske 19 und der darunterliegenden Schicht aus bildet. Die Maske ist, ausgehend von der in den Figuren 11 bis 13 dargestellten Stellung, sowohl in X-Richtung als auch in Y-Richtung verschoben worden. Zu- sätzlich wird die Maske 19 in Z-Richtung angehoben.

[0025] In dieser Position wird ein metallischer Dampf, bei dem es sich um denselben Dampf handeln kann, der im zweiten Prozessschritt verwendet wor den ist, aus der Metallquelle 37 zusammen mit einem Trägergas durch das Ga seinlassorgan 30 in die Prozesskammer 29 gefördert. Wegen des Spaltes 18 zwi- sehen dem Rand 21 der Öffnung 20 der Maske 19 und der darunterliegenden Schicht diffundiert der Dampf nicht nur auf die organische Schicht 12, sondern auch über den Kontakt 8. Die metallische Schicht 13 bildet somit eine Elektrode, die den Kontakt 8 mit der organischen Schicht 12 verbindet.

[0026] Die Figuren 17 bis 19 zeigen einen fünften Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine isolierende Schicht 14 auf die zuvor abgeschiedene Metallisierung 13 abgeschieden wird. Hierzu wird die Maske 19 sowohl in X-Richtung als auch in Z-Richtung derart verlagert, dass die Mitte der Öffnung 20 etwa über dem Zentrum des Emissionsfeldes 2 liegt. Die Maske 19 wird in Z-Richtung so weit verlagert, dass sich ein Spalt 18 zwi schen dem Steg der Maske 19 und der darunterliegenden Schicht ausbildet, dass ein durch das Gaseinlassorgan 33 eingespeister Dampf, der als Isolator kondensieren kann, nicht nur auf der zuletzt abgeschiedenen Metallisierung 13 kondensiert, sondern auch auf der zuvor abgeschiedenen Metallisierung 11. Die Isolationsschicht 14 überdeckt somit die beiden sich gegenüber liegenden Kon taktflächen 6 und 8, nicht jedoch die sich gegenüber liegenden, weiter als die Kontaktflächen 6, 8 vom Emissionsfeld 2 entfernt liegenden Kontaktflächen 7 und 9. Bevorzugt werden dabei alle Metallisierungen 11, 13 und OLED- Schichtstrukturen 10, 12 vollständig überdeckt.

[0027] Die Figuren 20 bis 22 zeigen einen sechsten Prozessschritt, bei dem un ter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine dritte elektrisch leitende Schicht 15 auf die zuvor abgeschiedene Isolationsschicht 14 abgeschieden wird. Hierzu wird die Maske 19 in X-Richtung, Y-Richtung und Z-Richtung verlagert. Der Rand 21 der Öffnung 20 ist von der darunter liegenden Isolationsschicht 14 um einen Spalt 18 beabstandet. Ein in die Prozesskammer 29 in der zuvor be schriebenen Weise eingespeister metallischer Dampf diffundiert auf die Ober- fläche der Isolationsschicht 14 und unter die Ränder 21, sodass die dritte elektrisch leitende Schicht als Elektrode einer weiteren organischen Schicht letz tere mit der Kontaktfläche 7 verbindet. [0028] Die Figuren 23 bis 25 zeigen einen siebten Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine dritte organische Schicht bezie hungsweise Schichtenfolge 16 auf die dritte elektrisch leitende Schicht 15 abge schieden wird. Die Schattenmaske 19 wird hierzu in eine Position gebracht, bei der die Ränder 21 der Öffnung 20 auf einer darunter liegenden Schicht auflie gen, sodass auch hier, wie im ersten und dritten Prozessschritt, eine organische Schicht 16 auf die zuvor abgeschiedene Elektrode aufgebracht wird, deren Flä che nur wenig größer ist als die Fläche innerhalb des Isolators 5. Der organische Dampf wird von einer anderen Dampfquelle bereitgestellt. Es wird beispiels weise eine grüne OLED abgeschieden.

[0029] Die Figuren 26 bis 28 zeigen einen achten Prozessschritt, bei dem unter Verwendung derselben Schattenmaske 19 eine vierte elektrisch leitende Schicht 17 auf die zuvor abgeschiedene organische Schicht 16 abgeschieden wird. Hier zu wird die Maske 19 in X-Richtung, Y-Richtung und Z-Richtung derart verla gert, dass sich die elektrisch leitende Schicht 17 nicht nur über die dritte organi sche Schicht 16 erstreckt, sondern auch über die Kontaktfläche 7, sodass die elektrisch leitende Schicht 17 eine Elektrode für die grüne OLED bildet.

[0030] Beim Ausführungsbeispiel besitzt das Emissionsfeld 2 einen quadrati schen Grundriss. Es sind aber auch andere Ausführungsformen vorgesehen, bei denen der Grundriss des Emissionsfeldes 2 von der Form eines Quadrates ab weicht. Beim Ausführungsbeispiel hat die Öffnung 20 der Schattenmaske 19 einen quadratischen Grundriss. Es sind aber auch Ausführungsformen vorge sehen, bei denen der Grundriss der Öffnung 20 der Schattenmaske 19 einen von der quadratischen Form abweichenden Grundriss aufweist. Beim Ausfüh rungsbeispiel haben sämtliche abgeschiedenen Schichten den Grundriss eines Quadrates. Es können aber auch Ausführungsbeispiele vorgesehen sein, bei denen der Grundriss der abgeschiedenen Schichten von der Quadratform ab weicht.

[0031] Die Größe der Flächen der abgeschiedenen Schichten ist voneinander verschieden. Die OLED-Schichtstrukturen 10, 12, 16 haben die geringste Flä- chengröße. Die Fläche der OLED-Schichtstrukturen 10, 12, 16 entspricht der Fläche der Öffnung 20. Die Flächen der Metallisierungen 11, 13, 15, 17 können gleich groß sein. Sie sind größer als die Flächen der OLED-Schichtstrukturen 10, 12, 16. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Länge einer Randkante einer Metallisierung 11 mindestens eine Länge besitzt, die die Summe der Kanten- länge des Emissionsfeldes 2 der Breite des Isolators 5, des Abstandes der zuge ordneten Kontaktfläche 6, 7, 8, 9 vom Isolator 5 und der Breite der Kontaktflä che 6, 7, 8, 9 ist. Die Größen der unter der Isolationsschicht 14 liegenden Metal lisierungen 11, 13 können geringer sein als die Größen der oberhalb der Isolati onsschicht liegenden Metallisierungen 15, 17. Die Isolationsschicht kann die größte Fläche aufweisen. Die Fläche der Isolationsschicht 14 ist insbesondere größer als die Flächen der Metallisierungen 11, 13, 15, 17.

[0032] Um diese Flächenverhältnisse zu erzielen, ist der Abstand 18 beim Ab scheiden der Isolationsschicht 14 größer als der Abstand 18 beim Abscheiden der Metallisierungen 11, 13, 15, 17. Der Abstand 18 ist beim Abscheiden der über der Isolationsschicht 14 angeordneten Metallsierungen 15, 17 größer als der Abstand 18 beim Abscheiden der unter der Isolationsschicht 14 liegenden Metallisierungen 11, 13.

[0033] In den Figuren besitzt die Maske 19 eine Vielzahl von über die gesamte Fläche der Maske regelmäßig verteilte Öffnungen 20. Die Ränder 21 der Öff- nung 20 können scharfkantig oder gerundet sein. Die Maske kann während ei nes der beschriebenen Prozessschritte ihre Position nicht ändern. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass sie zur Vergrößerung der Fläche der abgeschiede nen Schicht während des Abscheidens einer Schicht in Erstreckungsrichtung der Maske linear verlagert wird. Hierzu kann die Halterung der Maske einen Antrieb, beispielsweise einen Schrittmotor aufweisen, mit dem die Maske mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit während des Einspeisens des Dampfes in die Prozesskammer verlagert wird. Eine Öffnung 20 mit einem quadrati schen Grundriss kann so eine Schicht mit einem länglichen Grundriss erzeugen. Durch die Verschiebung der Maske während einer Abscheidung befindet sich die Öffnung gewissermaßen nicht mehr symmetrisch über der Abscheidungs- fläche. Bei einer derartigen Verfahrens durchführung bilden die Figuren 9, 10,

15, 16, 18, 19, 21, 22, 27, 28 lediglich Momentaufnahmen einer Position der Schattenmaske 19, die während des Abscheidens der jeweiligen Schicht in ihre Erstreckungsrichtung bewegt wird. Hierdurch kann der Abstand der Schatten maske 19 gegenüber dem Substrat 1 beziehungsweise die Weite des Spaltes 18 gegenüber einer Prozessführung, bei der die Schattenmaske 19 nicht bewegt wird, vermindert werden.

[0034] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän- dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio nen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0035] Ein Verfahren, das gekennzeichnet ist durch Anordnen der Schatten maske 19 in eine erste Position und Aufbringen einer ersten OLED- Schichtstruktur 10 durch Einspeisen eines in zumindest einem ersten Dampfer- zeuger 40 erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1; An ordnen der Schattenmaske 19 in eine zweite Position und Aufbringen einer ers- ten Metallisierung 11 auf die erste OLED-Schichtstruktur 10 durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozess kammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1; Anordnen der Schattenmaske 19 in eine dritte Position und Aufbringen einer zweiten OLED- Schichtstruktur 12 durch Einspeisen eines in zumindest einem zweiten Dampf erzeuger erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1; An ordnen der Schattenmaske in eine vierte Position und Aufbringen einer zweiten Metallisierung 13 auf die zweite OLED-Schichtstruktur durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1; Anordnen der Schat tenmaske 19 in eine fünfte Position und Aufbringen einer Isolationsschicht 14 auf die zweite Metallisierung 13 durch Einspeisen eines auf dem Substrat 1 zu einem Isolator kondensierenden Dampfes; Anordnen der Schattenmaske 19 in eine sechste Position und Aufbringen einer dritten Metallisierung 15 auf die Isolationsschicht 14 durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1; Anordnen der Schattenmaske 19 in eine siebte Position und Aufbringen einer dritten OLED-Schichtstruktur 16 durch Einspeisen eines in zumindest einem dritten Dampferzeuger erzeugten organischen Dampfes zu sammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1 oder Anordnen der Schattenmaske 19 in eine achte Position und Aufbringen einer vierten Metallisierung 17 auf die dritte OLED- Schichtstruktur 16 durch Einspeisen eines Dampfes eines Metalls zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer 29 und Kondensieren des Dampfes auf dem Substrat 1.

[0036] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Randkante 21 einer Öffnung 20 der Schattenmaske 19 beim Abscheiden der ersten bis dritten OLED-Schichtstrukturen 10, 12, 16 berührend auf der darunter liegenden Schicht aufliegt.

[0037] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schattenmaske 19 beim Abscheiden der Metallisierungen und/ oder der Isolationsschicht in ihrer Erstreckungsrichtung bewegt wird.

[0038] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Randkante 21 einer Öffnung 20 der Schattenmaske 19 beim Abscheiden der ersten bis vierten Metallisierung 11, 13, 15, 17 und/ oder der Isolationsschicht 14 durch einen Spalt 18 von der darunter liegenden Schicht oder dem Isolator 5 beabstandet ist. [0039] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste OLED-

Schichtstruktur 10 auf eine elektrisch leitende Anode 4 abgeschieden wird, die das vorbereitete Substrat 1 aufweist oder die in einem vorangehenden Behand lungsschritt in derselben Prozesskammer 29 abgeschieden wird.

[0040] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest eine der ersten bis dritten OLED-Schichtstruktur jeweils eine Mehrzahl organischer Schichten aufweist, die hintereinander insbesondere ohne einen Wechsel der Position der Schattenmaske 19 abgeschieden werden.

[0041] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schattenmaske 19 bei ihrer Verlagerung in ihre zweite, vierte, fünfte, sechste und achte Position sowohl parallel zur Erstreckungsebene des Substrates 1, also auch senkrecht dazu, in Richtung weg vom Substrat 1 verlagert wird.

[0042] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schattenmaske 19 bei ihrer Verlagerung in die dritte und siebte Position sowohl parallel zur Erstreckungsebene des Substrates 1 als auch senkrecht dazu in Richtung auf das Substrat 1 verlagert wird.

[0043] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest das Abscheiden der ersten OLED-Schichtstruktur 10, der ersten Metallisierung 11, der zweiten OLED-Schichtstruktur und der zweiten Metallisierung 13 und/ oder das Abscheiden der dritten Metallisierung 15, der dritten OLED- Schichtstruktur 16 und der vierten Metallisierung 17 und/ oder der Isolations schicht 14 in einer einzigen Prozesskammer 29 in unmittelbar aufeinanderfol genden Schritten durchgeführt wird. [0044] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass sämtliche Behand lungsschritte unmittelbar aufeinanderfolgend in einer einzigen Prozesskammer 29 durchgeführt werden.

[0045] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Substrat 1 ei nen die Funktionsschicht 3 umgebenden Isolator 5 aufweist, wobei sich die Kontaktflächen 6, 7, 8, 9 entlang des von der Funktionsschicht 3 weg weisenden Randes des Isolators 5 erstrecken.

[0046] Eine Schichtstruktur, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Kontakt flächen 6, 7, 8, 9 sich mit unterschiedlichen Abständen zum Rand der Funkti onsschicht 3 entlang jeweils eines Randes der Funktionsschicht 3 erstrecken. [0047] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Kontaktflächen

6, 7, 8, 9 erste Kontaktflächen 6, 8 ausbilden, die dem Emissionsfeld 2 geringer beabstandet sind als zweite Kontaktflächen 7, 8 und/ oder dass erste Kontakt flächen 6, 7 einen ersten Abstand zum Emissionsfeld 2 oder zu einem das Emis sionsfeld 2 umgebenden Isolator 5 aufweisen und zweite Kontaktflächen 6, 8 einen zweiten Abstand zum Emissionsfeld 2 oder zu dem Isolator 5 aufweisen, wobei der zweite Abstand mindestens die Summe aus erstem Abstand und ei ner in Richtung des Abstandes gemessenen Breite der ersten Kontaktflächen 6,

7 ist. [0048] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An- meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön- nen.

Liste der Bezugszeichen

1 Substrat 35 Gasaustritsöffnung/ OVPD-

2 Emissionsfeld Reaktor

3 elektronische Funktionsschicht 36 Zuleitung

4 Anode 37 Metallquelle

5 Isolator 38 Verdampfer

6 Kontaktfläche 39 Aerosolerzeuger

7 Kontaktfläche 40 Dampferzeuger

8 Kontaktfläche 41 Gaszuleitung

9 Kontaktfläche 42 Gaszuleitung

10 rote OLED

11 Metallisierung

12 blaue OLED

13 Metallisierung

14 Isolationsschicht

15 Metallisierung

16 grüne OLED

17 Metallisierung

18 Spalt

19 Schattenmaske

20 Öffnung

21 Rand

29 Prozesskammer

30 Gehäuse

31 Substrathalter

32 Kühlkanal

33 Gaseinlassorgan

34 Gasaustrittsfläche