VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN

HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein Verfahren zur Herstellung von relativ kleinen optoelektronischen Halbleiterchips mit einer hohen Effizienz anzugeben.

Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips. Bei den fertigen Halbleiterchips handelt es sich insbesondere um Leuchtdiodenchips, kurz LED-Chips. Alternativ können Laserdiodenchips hergestellt werden, beispielsweise oberflächenemittierende Laserdiodenchips oder auch kantenemittierende Laserdiodenchips. Weiterhin ist es möglich, dass es sich bei den optoelektronischen Halbleiterchips um Detektorchips, insbesondere Fotodioden, handelt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Wachsens einer Halbleiterschichtenfolge. Insbesondere wird die Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat entlang einer Wachstumsrichtung gewachsen. Bei dem Aufwachssubstrat handelt es sich insbesondere um ein GaAs-Substrat .

Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Besonders bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf dem Phosphid-Materialsystem AlInGaAsP. Dabei umfasst die Halbleiterschichtenfolge sowohl Al als auch In, Ga und P. As bildet einen optionalen Bestandteil der Halbleiterschichtenfolge. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Alternativ zu AlInGaAsP oder AlInGaP kann die Halbleiterschichtenfolge auch auf AlInGaN oder AlInGaAs basieren. Die nachstehenden Ausführungen für AlInGaAsP oder AlInGaP können für AlInGaN oder AlInGaAs entsprechend gelten, wobei dann an die Stelle von P jeweils N oder As zu setzen ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Zone. Die aktive Zone ist bevorzugt zur Strahlungserzeugung eingerichtet, kann alternativ aber zur Strahlungsdetektion gestaltet sein. Die aktive Zone ist insbesondere eine MultiquantentopfStruktur, englisch: multi quantum well structure oder kurz MQW. In der aktiven Zone sind Quantentopfschichten und Barriereschichten einander abwechselnd angeordnet. Insbesondere besteht die aktive Zone aus den abwechselnd angeordneten Quantentopfschichten und Barriereschichten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Erzeugens einer strukturierten Maskierungsschicht. Die Maskierungsschicht kann ein Teil der Halbleiterschichtenfolge sein und kann in den fertigen Halbleiterchips damit noch vorhanden sein. Alternativ handelt es sich bei der Maskierungsschicht um eine speziell zu diesem Zweck hergestellte Schicht, beispielsweise um eine Weichmaske wie eine Fotolackschicht oder um eine Hartmaske wie eine Oxidschicht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des bereichsweisen Durchmischens der Quantentopfschichten und der Barriereschichten. Das Durchmischen wird mittels Applizieren eines Durchmischungshilfsstoffs durchgeführt. Der Durchmischungshilfsstoff, insbesondere Zink, wird durch Öffnungen der Maskierungsschicht hindurch in die aktive Zone eingebracht, sodass sich der Durchmischungshilfsstoff in mindestens einem Durchmischungsgebiet befindet. Durch den Durchmischungshilfsstoff wird ein Durchmischen von Kristallkomponenten der Halbleiterschichtenfolge, insbesondere von Al, Ga und/oder In, induziert. Beim Durchmischen liegt bevorzugt eine Temperatur deutlich oberhalb von Raumtemperatur und auch einer späteren bestimmungsgemäßen Betriebstemperatur der fertigen Halbleiterchips an.

Das Durchmischen kann homogen über alle Quantentopfschichten erfolgen. Alternativ erfolgt das Durchmischen inhomogen. Das Durchmischungsgebiet reicht bevorzugt vollständig durch die aktive Zone hindurch bis in einen n-dotierten Bereich. Zwar liegt bevorzugt pro aktiver Zoner oder pro Seitenflanke einer aktiven Zone nur ein einziges Durchmischungsgebiet vor, jedoch können pro aktiver Zoner oder pro Seitenflanke auch mehrere Durchmischungsgemiete vorliegen, die entlang der Wachstumsrichtung von einem undurchmischten Gebiet unterbrochen sein können.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Vereinzeins der Halbleiterschichtenfolge in Teilgebiete für die Halbleiterchips. Das Vereinzeln erfolgt zum Beispiel mittels Ätzen, kann alternativ aber auch mittels Sägen oder Ritzen und Brechen erfolgen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Barriereschichten aus [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] _- _Z gewachsen.

Dabei gilt bevorzugt x > 0,5 oder x > 0,6 oder x > 0,7 oder x > 0,8 oder x > 0,9. Es ist möglich, dass x = 1 gilt und dass somit die Barriereschichten, wie gewachsen, frei oder im Wesentlichen frei von Ga sind.

In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und umfasst die folgenden Schritte, besonders bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:

A) Wachsen einer AlInGaAsP-Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat entlang einer Wachstumsrichtung, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Zone zur

Strahlungserzeugung umfasst und die aktive Zone aus mehreren, sich einander abwechselnden Quantentopfschichten und Barriereschichten zusammengesetzt ist,

B) Erzeugen einer strukturierten Maskierungsschicht,

C) bereichsweises Durchmischen der Quantentopfschichten und der Barriereschichten mittels Applizieren eines Durchmischungshilfsstoffs durch Öffnungen der Maskierungsschicht hindurch in die aktive Zone in mindestens einem Durchmischungsgebiet, und

D) Vereinzeln der Halbleiterschichtenfolge in Teilgebiete für die Halbleiterchips, wobei die Barriereschichten im Schritt A) aus [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] __ _Z mit x k 0,5 oder, bevorzugt, mit x > 0,6 gewachsen werden.

Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es möglich, speziell bei LED-Chips mit geringen Kantenlängen an Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge insbesondere eine nichtstrahlende Ladungsträgerrekombination und damit einen Verlustkanal zu reduzieren oder zu beseitigen. Somit sind Halbleiterchips mit kleinen lateralen Abmessungen und mit einer hohen Effizienz erzeugbar .

Eine lokale Eindiffusion von Verunreinigungen und ein nachfolgendes Durchmischen von Quantentöpfen, auch als Quantum Well Intermixing bezeichnet, ist eine mögliche Methode, um speziell ein Kleinstromverhalten von optoelektronischen Halbleiterchips zu verbessern. Dies gilt insbesondere für Leuchtdiodenchips mit kleinen Abmessungen, auch als pLEDs bezeichnet, speziell mit einer Emission im roten Spektralbereich. Dabei sind ausreichend lange Diffusionszeiten einzuhalten, insbesondere in einem MOVPE- Reaktor, um ein signifikantes Ausmaß einer Durchmischung auf einem Wafer mit dicht gepackten pLEDs zu erreichen.

Allerdings ist das Ausmaß der Durchmischung nicht nur abhängig von der Diffusionszeit, sondern auch von einem Packungsfaktor der pLEDs. Dabei nimmt tendenziell das Ausmaß des Durchmischens ab, wenn der Packungsfaktor ansteigt. Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es möglich, einen Zeitaufwand während des Herstellens, insbesondere die Diffusionszeit, zu reduzieren und/oder ein erhöhtes Ausmaß des Durchmischens in der aktiven Zone bei auf einem Wafer dicht gepackten, insbesondere rot emittierenden pLEDs zu erzielen .

Die lokale Eindiffusion von Verunreinigungen, wie Zink, in Kombination mit einem Durchmischen der Quantentöpfe und der Barriereschichten, induziert durch die Verunreinigungen, erfolgt beispielsweise zur Effizienzverbesserung in pLEDs, die auf dem Materialsystem AlInGaAsP basieren. In üblichen LED-Strukturen weisen dabei die Barriereschichten einen Aluminiumanteil, ausgedrückt durch die Variable x in [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] __ _Z , von ungefähr 50 % auf. Der Grund für einen solchen vergleichsweise niedrigen Aluminiumgehalt ist, dass mit einem höherem Aluminiumgehalt üblicherweise eine Einsatzspannung steigt, speziell bei aktiven Zonen mit mehreren 10 Barriereschichten und Quantentopfschichten. Bei dem hier beschriebenen Verfahren werden dagegen Barriereschichten mit einem deutlich höheren Aluminiumanteil von mindestens 60 %, bevorzugt von mindestens 80 %, gewachsen .

Bei AlGalnP-basierten pLEDs ist eine Anzahl der

Quantentopfschichten und der Barriereschichten in der aktiven

Zone üblicherweise auf höchstens 50 begrenzt.

Nichtsdestotrotz hat eine Stromeinprägung in die aktive Zone homogen über die Quantentopfschichten hinweg zu erfolgen. Falls ein Durchmischungsschritt angewandt wird, ist ein Design der Schichten in der aktiven Zone sorgfältig zu wählen. Typische Potentialbarrieren, um Rekombinationszentren für eine nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern an Seitenwänden einer pLED zu vermeiden und um damit eine Effizienzerniedrigung ebenso zu vermeiden, liegen bei ungefähr 65 meV für Barrieren mit einem Aluminiumanteil x von 50 %. Dieser Wert liegt bei 140 meV für Barriereschichten mit einem Aluminiumanteil x von 85 %.

Dies gilt für gleiche Prozesszeiten. Das heißt, die gleiche Prozesszeit resultiert aufgrund des höheren Aluminiumanteils in einem verstärkten Durchmischen und somit in einer verbesserten Effizienz der fertigen Halbleiterchips. Außerdem ist eine Durchmischung im Herstellungsprozess von pLEDs generell schwierig, sodass das Durchmischen bei solchen pLEDs mit dem hier beschriebenen Verfahren generell verbesserbar ist. Außerdem weist ein Durchmischungsgebiet, das mit Barrieren mit einem hohen Aluminiumanteil x erzeugt wird, eine Bandlücke mit einem indirekten Übergang auf. Das heißt, nicht nur die strahlende, sondern auch die nichtstrahlende Rekombination in dem Durchmischungsgebiet mit dem Durchmischungshilfsstoff kann erheblich reduziert werden, wodurch sich eine Effizienz der fertigen Leuchtdioden erhöht.

Weiterhin ist es mit dem hier beschriebenen Verfahren möglich, insbesondere bei pLEDs, durch eine über die aktive Zone hinweg längs der Wachstumsrichtung variierende Gestaltung der Barriereschichten Einfluss auf eine Homogenität der Stromeinprägung in die Quantentopfschichten zu nehmen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Maskierungsschicht durch eine Kontaktschicht, insbesondere durch eine p-Kontaktschicht, der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Alternativ kommt eine separate Maskierungsschicht, beispielsweise in Form einer entsprechend strukturierten permanenten Passivierungsschicht oder in Form einer temporären Schicht, wie eine Fotolackschicht, zum Einsatz. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Kontaktschicht, speziell die p-Kontaktschicht, im Schritt B) vollständig von den Öffnungen durchdrungen. Das heißt, stellenweise wird die Kontaktschicht vollständig entfernt.

Dabei umfasst die Kontaktschicht bevorzugt Al _v Ga _] __ _v As oder besteht hieraus. Es gilt insbesondere v < 0,35 oder v < 0,1. Alternativ oder zusätzlich gilt v > 0, insbesondere v > 0,01 oder v > 0,05. Die Kontaktschicht kann auch eine Kombination aus GaAs-Schichten und aus solchen AlGaAs-Schichten gebildet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Durchmischen im Schritt C) entlang der Wachstumsrichtung vollständig durch die aktive Zone hindurch. Das heißt, das Durchmischungsgebiet durchdringt die aktive Zone hin zum Aufwachssubstrat vollständig. Alternativ reicht das Durchmischungsgebiet zwar durch die aktive Zone, reicht aber nicht oder nur stellenweise bis zum Aufwachssubstrat.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Vereinzeln im Schritt D) nur in dem mindestens einen

Durchmischungsgebiet. Dies gilt insbesondere in Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere in Draufsicht auf die Kontaktschicht, gesehen. Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge, die beim Vereinzeln entstehen, sind damit mindestens teilweise oder auch vollständig durch das mindestens eine Durchmischungsgebiet gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Quantentopfschichten im Schritt A) aus

[(Al _a Ga _] __ _a )pln^-p] _C P _] __ _C gewachsen. Dabei gilt insbesondere 0 < a d 0,3 oder 0,05 < a < 0,2. Über den Aluminiumanteil in den Quantentopfschichten lässt sich insbesondere eine Emissionswellenlänge maximaler Intensität der aktiven Zone einstellen. Es ist möglich, dass alle Quantentopfschichten nominell gleich gewachsen werden, also sich im Rahmen der Herstellungstoleranzen hinsichtlich ihrer

Materialzusammensetzung und auch hinsichtlich ihrer Dicke nicht voneinander unterscheiden. Alternativ ist es möglich, dass unterschiedlich aufgebaute Quantentopfschichten gewachsen werden, sodass beispielsweise ein Dickenverlauf oder ein Verlauf im Aluminiumgehalt der Quantentopfschichten entlang der Wachstumsrichtung in der aktiven Zone erreicht wird. Solche Quantentopfschichten mit variierenden Eigenschaften werden auch als chirped MQW bezeichnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt 0,47 < y d 0,53 sowie 0,47 < z < 0,53 und/oder 0,47 < b d 0,53 sowie 0,47 < c d 0,53 oder auch 0,48 < y d 0,52 und 0,48 < z < 0,52 und/oder 0,48 < b d 0,52 sowie 0,48 < c d 0,52 für die Quantentopfschichten aus [(Al _a Ga _] __ _a )pln^-p] _C P _] __ _C und für die Barriereschichten aus [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] _- _Z . Bevorzugt gilt zudem c < 0,5 sowie z < 0,5 und/oder b > 0,5 sowie y > 0,5.

Die vorgenannten Werte für b, c, y und z gelten insbesondere im Falle eines gitterangepassten oder quasi- gitterangepassten Wachstums der Halbleiterschichtenfolge auf einem GaAs-Aufwachssubstrat. Alternativ kann die aktive Zone gezielt verspannt gewachsen werden, sodass gezielt von den oben genannten Bereichen verschiedene Werte für y, z und/oder für b, c herangezogen werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet der Schritt C) eine Temperaturbehandlung der Halbleiterschichtenfolge. Beispielsweise liegt für eine Zeitdauer von mindestens 0,2 Stunden oder 0,5 Stunden und/oder von höchstens 10 Stunden oder 2 Stunden eine erhöhte Temperatur an. Die erhöhte Temperatur beträgt beispielsweise mindestens 400 °C oder 500 °C und/oder höchstens 700 °C oder 600 °C. Insbesondere liegt diese Temperatur zwischen einschließlich 500 °C und 540 °C.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die aktive Zone zwischen einem ersten Halbleiterbereich und einem zweiten Halbleiterbereich. Der erste und/oder der zweite Halbleiterbereich können jeweils aus einer oder aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein. Insbesondere umfasst der zweite Halbleiterbereich mehrere Teilschichten. Zum Beispiel ist der erste Halbleiterbereich n-dotiert und der zweite Halbleiterbereich p-dotiert. Dabei kann die p-Kontaktschicht diejenige Teilschicht des zweiten Halbleiterbereichs sein, die sich nach dem Schritt A) am weitesten von der aktiven Zone entfernt befindet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform reichen die Öffnungen zu mindestens 50 nm oder zu mindestens 100 nm durch die Kontaktschicht in Richtung hin zur aktiven Zone in den übrigen zweiten Halbleiterbereich hinein. Dabei enden diese Öffnungen in einem Abstand zur aktiven Zone. Dieser Abstand zur aktiven Zone beträgt bevorzugt mindestens 150 nm oder 250 nm oder 300 nm. Eine Gesamtdicke des zweiten Halbleiterbereichs liegt insbesondere bei mindestens 0,3 gm oder 0,4 gm. Alternativ oder zusätzlich kann die Gesamtdicke bei beispielsweise höchstens 10 pm oder 1 pm oder 0,6 pm liegen. Dabei weist die p-Kontaktschicht bevorzugt nur eine relativ geringe Dicke auf, beispielsweise eine Dicke von höchstens 50 nm oder 20 nm und/oder von mindestens 4 nm oder 8 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die im Schritt D) erzeugten Teilgebiete der Halbleiterschichtenfolge für die Halbleiterchips in Draufsicht gesehen je eine mittlere Kantenlänge von höchstens 150 gm oder 100 pm oder 70 pm oder 30 pm oder 10 pm auf. Somit sind die fertigen Halbleiterchips pLEDs. Sind die Teilgebiete in Draufsicht gesehen nicht quadratisch oder rechteckig, so kann anstelle der mittleren Kantenlänge ein mittlerer Durchmesser der Teilgebiete treten.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform reicht das mindestens eine Durchmischungsgebiet nach dem Schritt D) in Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung zu mindestens 0,1 pm oder 0,2 pm in die aktive Zone hinein. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Wert bei höchstens 1,5 pm oder 1 pm oder 0,5 pm oder 0,3 pm. Das heißt, nur ein vergleichsweise kleiner Anteil der aktiven Zone, gesehen in Draufsicht, wird durchmischt. Das bedeutet, in Draufsicht gesehen ist das Durchmischungsgebiet relativ zur aktiven Zone vergleichsweise klein und beträgt insbesondere höchstens 3 % oder 1 % oder 0,2 % der Fläche der aktiven Zone, wiederum in Draufsicht gesehen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform reicht das mindestens eine Durchmischungsgebiet in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung vollständig durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch. Das heißt, das Durchmischungsgebiet kann bis zum Aufwachssubstrat oder auch in das Aufwachssubstrat hinein reichen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die aktive Zone nach dem Schritt A) mindestens 2 oder 3 oder 4 der Quantentopfschichten . Alternativ oder zusätzlich liegt die Anzahl der Quantentopfschichten bei höchstens 50 oder 30 oder 20 oder 10 oder 5.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Quantentopfschichten je eine Dicke von mindestens 2 nm oder 4 nm auf. Alternativ oder zusätzlich liegen die Dicken der Quantentopfschichten je bei höchstens 15 nm oder 10 nm oder 7 nm oder 4 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Barriereschichten je eine Dicke von mindestens 2 nm oder 3 nm oder 5 nm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt die Dicke der Barriereschichten je bei höchstens 353 nm oder 25 nm oder 15 nm oder 10 nm. Insbesondere liegt die Dicke der Barriereschichten bei 7 nm, zum Beispiel mit einer Toleranz von höchstens 1 nm oder 2 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die aktive Zone zur Erzeugung einer Emissionswellenlänge maximaler Intensität von mindestens 560 nm oder 590 nm oder 610 nm oder 620 nm eingerichtet. Alternativ oder zusätzlich liegt die Emissionswellenlänge maximaler Intensität bei höchstens 670 nm oder 655 nm oder 635 nm. Das heißt, die fertigen Halbleiterchips sind insbesondere zur Erzeugung von rotem Licht eingerichtet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Barriereschichten so gewachsen, dass einige oder alle Barriereschichten nach dem Schritt A) und zumindest noch vor dem Schritt C) verschiedene Aluminiumanteile aufweisen.

Blöcke unmittelbar aufeinanderfolgenden Barriereschichten können nominell gleich gewachsen sein. Es ist möglich, dass die Barriereschichten paarweise voneinander verschiedene Aluminiumanteile aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist nach dem Schritt A) und vor dem Schritt C) innerhalb der jeweiligen Barriereschicht der betreffende Aluminiumanteil konstant. Das heißt, die einzelnen Barriereschichten werden dann, jeweils gesehen innerhalb der betreffenden Barriereschicht, ohne Gradienten im Aluminiumanteil gewachsen. Alternativ können die einzelnen Barriereschichten bereits im Schritt A) mit einem Aluminiumgradienten bewachsen werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform unterscheiden sich ein minimaler und ein maximaler Aluminiumanteil der Barriereschichten in der aktiven Zone nach dem Schritt A) und bis mindestens vor dem Schritt C) um mindestens einen Faktor 1,05 oder 1,1 oder 1,2. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Faktor bei höchstens 1,7 oder 1,6 oder 1,5 oder 1,4.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen einige oder alle der Barriereschichten voneinander verschiedene Dicken auf. Dabei können Barriereschichten gleicher Dicke blockweise zusammengefasst sein oder alle Barriereschichten weisen paarweise voneinander verschiedene Dicken auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform unterscheiden sich eine minimale und eine maximale Dicke der Barriereschichten in der aktiven Zone um mindestens einen Faktor 1,2 oder 1,5 oder 2 oder 2,5. Alternativ oder zusätzlich beträgt dieser Faktor höchstens 8 oder 6 oder 4 oder 3. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Barriereschichten in der aktiven Zone zumindest nach dem Schritt A) bis vor den Schritt C) hinsichtlich einer Dickenvariation und/oder einer Aluminiumanteilvariation asymmetrisch angeordnet. Das heißt, in der aktiven Zone gibt es keine Symmetrieebene, die senkrecht zur Wachstumsrichtung ausgerichtet ist, hinsichtlich einer Gestaltung der Barriereschichten. Alternativ sind die Barriereschichten symmetrisch verteilt, sodass eine solche Symmetrieebene in der aktiven Zone bezüglich der Barriereschichten existiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem Durchmischungshilfsstoff um Zink. Das Zink wird im Schritt C) insbesondere mittels Gasphasenabscheidung appliziert, beispielsweise in Form von Diethylzink, kurz DEZn, oder als Dimethylzink, kurz DMZn. Alternativ oder zusätzlich zu Zink kann Magnesium genutzt werden, das zum Beispiel mittels Bis (cyclopentadienyl)-Magnesium, kurz Cp2Mg, appliziert wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt D) in einem Schritt E) auf die durchtrennten Durchmischungsgebiete, also auf im Vereinzeln erzeugte Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge, mindestens eine Passivierungsschicht aufgebracht. Die Passivierungsschicht ist beispielsweise aus einem Oxid wie Siliziumdioxid oder aus einem Nitrid wie Siliziumnitrid. Eine Dicke der Passivierungsschicht ist bevorzugt relativ gering und liegt beispielsweise bei mindestens 50 nm und/oder bei höchstens 250 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das Aufwachssubstrat nach dem Schritt C) entfernt, entweder unmittelbar nach dem Schritt C) oder auch erst nach weiteren Zwischenschritten. Insbesondere kann vor dem Entfernen des Aufwachssubstrats ein Ersatzträger an der Halbleiterschichtenfolge angebracht werden. Ein solcher Ersatzträger wird bevorzugt vor dem Vereinzeln in Schritt D) angebracht. Das Vereinzeln, also der Schritt D), kann vor oder nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats durchgeführt werden, je nachdem, wann der optionale Ersatzträger angebracht wird.

Darüber hinaus wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip wird bevorzugt mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Halbleiterchips sind daher auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine AlInGaAsP- Halbleiterschichtenfolge, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst und die aktive Zone aus mehreren, sich einander abwechselnden Quantentopfschichten und Barriereschichten zusammengesetzt ist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst eine strukturierte Maskierungsschicht, insbesondere die p-Kontaktschicht. Die Quantentopfschichten und die Barriereschichten sind in der aktiven Zone in einem Durchmischungsgebiet bereichsweise durchmischt und in dem Durchmischungsgebiet liegt ein Durchmischungshilfsstoff, insbesondere Zink, vor. Das Durchmischungsgebiet erstreckt sich in Draufsicht gesehen bevorzugt in einer geschlossenen Bahn ringsum um die Halbleiterschichtenfolge herum. Die Barriereschichten sind außerhalb des Durchmischungsgebiets aus [ (Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] __ _Z mit x > 0,5 oder x > 0,8 oder x > 0,9 oder x = 1.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterchips rot emittierende Leuchtdiodenchip mit einer mittleren Kantenlänge von höchstens 50 gm. Das Durchmischungsgebiet reicht in Richtung senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge zu mindestens 0,1 gm und/oder zu höchstens 0,5 pm in die aktive Zone hinein.

Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1 bis 5 schematische Schnittdarstellungen von

Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchips,

Figuren 6 und 7 schematische Schnittdarstellungen von

Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchips, Figur 8 eine schematische Schnittdarstellung eines

Verfahrensschritts eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchips,

Figur 9 eine schematische Draufsicht eines

Verfahrensschritts eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchips,

Figur 10 eine schematische Darstellung eines Verlaufs eines Aluminiumanteils in einer Abwandlung eines Halbleiterchips, und

Figuren 11 bis 14 schematische Darstellungen von

Aluminiumverläufen für Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip.

In den Figuren 1 bis 5 ist ein Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens für optoelektronische Halbleiterchips 1 illustriert. Gemäß Figur 1 wird entlang einer Wachstumsrichtung G an einem Aufwachssubstrat 2 eine Halbleiterschichtenfolge 3 epitaktisch gewachsen.

Die Halbleiterschichtenfolge 3 umfasst unmittelbar an dem Aufwachssubstrat 2 einen ersten Halbleiterbereich 31, beispielsweise einen n-dotierten Bereich. In den Figuren ist der erste Halbleiterbereich 31 jeweils als nur eine Schicht gezeichnet. Abweichend hiervon kann der erste Halbleiterbereich 31 aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein. Insbesondere weist der erste Halbleiterbereich 31 hin zum Aufwachssubstrat 2 eine nicht gezeichnete Pufferschicht und/oder eine nicht gezeichnete n- Kontaktschicht auf.

In Richtung weg von dem Aufwachssubstrat 2 folgt dem ersten Halbleiterbereich 31 eine aktive Zone 33 zur

Strahlungserzeugung nach. Die aktive Zone 33 umfasst mehrere Quantentopfschichten 61 und Barriereschichten 62, die alternierend angeordnet sind. Insbesondere wird in der aktiven Zone 33 im Betrieb der fertigen Halbleiterchips 1 oranges oder rotes Licht erzeugt.

Entlang der Wachstumsrichtung G folgt der aktiven Zone 33 ein zweiter Halbleiterbereich 32 nach. Der zweite Halbleiterbereich 32 ist beispielsweise p-dotiert. Als oberste Schicht, die am weitesten vom Aufwachssubstrat 2 entfernt ist, umfasst der zweite Halbleiterbereich 32 eine p- Kontaktschicht 34. Somit befindet sich ein übriger zweite Halbleiterbereich 35 zwischen der p-Kontaktschicht 34 und der aktiven Zone 33.

Die Halbleiterschichtenfolge 3 basiert auf dem Materialsystem AlGalnAsP. Dabei sind die Quantentopfschichten bevorzugt aus [(Al _a Ga _] __ _a )pln^-p] _C P _] __ _C mit 0,1 < a d 0,3, abhängig von der zu erzeugenden Wellenlänge. Die Barriereschichten sind aus [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] __ _Z mit x h 0,6, insbesondere x h 0,8.

Somit weisen die Barriereschichten einen relativ hohen Aluminiumanteil x auf. Die p-Kontaktschicht 34 ist insbesondere aus Al _v Ga _] __ _v As mit v < 0,2. Für die Parameter b, c, y und z gilt insbesondere, dass diese Parameter um 0,5 liegen, speziell bei 0,51 beziehungsweise 0,49.

Beispielsweise umfasst die aktive Zone 33 zwischen einschließlich 5 und 15 der Quantentopfschichten 62. Im Verfahrensschritt der Figur 2 ist gezeigt, dass durch die p-Kontaktschicht 34 hindurch mehrere Öffnungen 50 erzeugt werden. Die Öffnungen 50 reichen bis in den übrigen zweiten Halbleiterbereich 35 hinein. Eine Tiefe der Öffnungen 50 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 50 nm und 200 nm. Ein Abstand zwischen den Öffnungen 50 und der aktiven Zone 33 beträgt bevorzugt mindestens 300 nm. Der übrige zweite Halbleiterbereich 35 weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 300 nm und 600 nm auf. Eine Dicke der p-Kontaktschicht 34 beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 5 nm und 20 nm.

Die p-Kontaktschicht 34 dient somit gleichzeitig als Maskierungsschicht 5 für einen nachfolgenden Prozessschritt, siehe Figur 3. Optional ist in den Schritten der Figuren 2 und 3 neben den Öffnungen auf der p-Kontaktschicht 34 eine nicht gezeichnete weitere Maskierungsschicht angebracht, beispielsweise eine Fotolackschicht. Jedoch kann eine solche weitere Maskierungsschicht, mit der die Öffnungen 50 in der p-Kontaktschicht 34 erzeugt werden, auch bereits vor dem Verfahrensschritt der Figur 3 entfernt werden.

In Figur 3 ist illustriert, dass ein gasförmiger Precursor 56 an die Halbleiterschichtenfolge 3 herangebracht wird. Der Precursor 56 ist beispielsweise DMZn oder DEZn. Somit wird über den Precursor 56 als Durchmischungshilfsstoffs 55 Zink bereitgestellt. Alternativ zu einer Bereitstellung aus der Gasphase heraus kann auch eine FeststoffSchicht für den Durchmischungshilfsstoff 55 abgeschieden werden, zum Beispiel eine wenige nm dicke Zinkschicht.

Bevorzugt bei einer erhöhten Temperatur von beispielsweise ungefähr 550 °C diffundiert der Durchmischungshilfsstoff 55 in die Halbleiterschichtenfolge 3 hinein. Dabei ist die AlGaAs-p-Kontaktschicht 34 undurchlässig für den Durchmischungshilfsstof f 55.

Somit bilden sich an den Öffnungen 50 jeweils Durchmischungsgebiete 51, in denen der Durchmischungshilfsstoff 55 vorliegt. In den Durchmischungsgebieten 51 erfolgt eine Durchmischung der Materialien der Barriereschichten 62 und der

Quantentopfschichten 61. Dies ist weiter unten in Verbindung mit den Figuren 11 bis 14 dargestellt.

Die Durchmischungsgebiete 51 reichen beispielsweise zu mindestens 0,2 gm oder 0,5 gm unter die p-Kontaktschicht 34 hinein. Entsprechendes kann auch für alle anderen Ausführungsbeispiele gelten.

Im Verfahrensschritt der Figur 4 ist illustriert, dass die Halbleiterschichtenfolge 3 im Bereich der Öffnungen 50 zu Teilgebieten 39 für die Halbleiterchips 1 vereinzelt wird. Dieses Vereinzeln erfolgt beispielsweise mittels Ätzen. Somit entstehen Vereinzelungsgräben 8 zwischen den Teilgebieten 39. Abweichend von der Darstellung in Figur 4 können die Vereinzelungsgräben 8 auch bis in das Aufwachssubstrat 2 reichen. Eine Kantenlänge des Teilgebiete 39, in Draufsicht gesehen, ist dabei bevorzugt klein und liegt unterhalb von 100 pm oder 50 pm.

Die Vereinzelungsgräben 8 befinden sich jeweils im Bereich der Durchmischungsgebiete 51. Durch die Vereinzelungsgräben 8 resultieren Seitenwände der Halbleiterschichtenfolge 3, die gemäß Figur 4 jeweils nur teilweise durch die Durchmischungsgebiete 51 gebildet sind. In Richtung hin zum Aufwachssubstrat 2 beginnen die Durchmischungsgebiete 51 an einer der aktiven Zone 33 zugewandten Seite der p- Kontaktschicht 34. Bevorzugt erstrecken sich die Durchmischungsgebiete 51 wie gezeichnet unter die p- Kontaktschicht 34 hinein.

Außerdem ist in Figur 4 illustriert, dass mehrere zweite Elektroden 42 auf der p-Kontaktschicht 34 aufgebracht werden sowie dass eine Passivierungsschicht 7 erzeugt wird. Maskierungsschichten zum Erzeugen der zweiten Elektrode 42 und/oder zum Erzeugen der Passivierungsschicht 7 sind nicht gezeichnet .

In Figur 5 ist ferner als Option dargestellt, dass das Aufwachssubstrat von den Teilgebieten entfernt ist. An den ersten Halbleiterbereich 31 ist eine erste Elektrode 41 angebracht. Die Passivierungsschicht 7 ist weitgehend von der zweiten Elektrode 42 entfernt. Damit handelt es sich bei dem Halbleiterchip 1 bevorzugt um einen Leuchtdiodenchip zur Erzeugung von rotem Licht.

Die Elektroden 41, 42 sind in Figur 5 nur schematisch angedeutet. Die Elektroden 41, 42, die zumindest ein Metall und/oder ein transparentes leitfähiges Oxid umfassen, sind beispielsweise gestaltet, wie in Figur 3 und in den Absätzen 59 bis 62 der Druckschrift US 2012/0248494 Al beschrieben.

Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift, insbesondere Figur 3 und die Absätze 59 bis 62, wird durch Rückbezug mit aufgenommen .

In den Figuren 6 und 7 ist ein weiteres Herstellungsverfahren gezeigt, wobei nur einige Verfahrensschritte illustriert sind. Die übrigen Verfahrensschritte können analog zu den Figuren 1 bis 5 erfolgen.

Gemäß Figur 6 wird durch die Öffnungen 50 hindurch der Durchmischungshilfsstoff 55 appliziert und die Durchmischungsgebiete 51 werden erzeugt. Dabei kommt eine separate Maskierungsschicht 5 zum Einsatz, die keine Teilschicht der Halbleiterschichtenfolge 3 ist.

Beispielsweise handelt es sich bei der Maskierungsschicht 5 um eine Hartmaske, etwa aus Siliziumnitrid oder aus Siliziumdioxid. Damit können die Durchmischungsgebiete 51 bis an die Maskierungsschicht 5 heranreichen.

Ferner ist in Figur 6 gezeigt, dass die Durchmischungsgebiete 51 die Halbleiterschichtenfolge 3 vollständig durchdringen und somit bis zum Aufwachssubstrat 2 reichen. Eine entsprechende Gestaltung der Durchmischungsgebiete 51 ist auch im Verfahren der Figuren 1 bis 5 möglich.

Gemäß Figur 7 werden die Vereinzelungsgräben 8 erzeugt, die mindestens bis an das Aufwachssubstrat 2 reichen. Somit können Seitenwände der Halbleiterschichtenfolge 3 und damit der Vereinzelungsgräben 8 in Gebieten unterhalb der Maskierungsschicht 5 vollständig durch die Durchmischungsgebiete 51 gebildet sein.

Es ist möglich, dass die Maskierungsschicht 5 auch als Maske zum Erzeugen der Vereinzelungsgräben 8 dient. Das heißt, die Vereinzelungsgräben 8 und die Öffnungen 50 können in Draufsicht gesehen deckungsgleich miteinander verlaufen, abweichend von der Darstellung in den Figuren 1 bis 5. Entsprechende Vereinzelungsgräben 8 können alternativ auch beim Verfahren, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 5 illustriert, herangezogen werden.

Beim Verfahren der Figur 8 ist illustriert, dass wiederum die p-Kontaktschicht 34 als Maskierungsschicht 5 dient. Dabei sind auch in diesem Fall die Vereinzelungsgräben 8 und die Öffnungen 50 in Draufsicht gesehen deckungsgleich angeordnet. Jedoch ist es nicht zwingend erforderlich, dass die vom Vereinzeln betroffenen Durchmischungsgebiete 51 auch nach dem Vereinzeln noch bis zum Aufwachssubstrat 2 reichen. Beispielsweise reichen die Durchmischungsgebiete 51 nur in Gebiete bis zum Aufwachssubstrat 2, die durch das Vereinzeln nachfolgend entfernt werden. Eine entsprechende Anordnung ist auch in den Verfahren der Figuren 1 bis 5 sowie der Figuren 6 und 7 möglich.

In Figur 9 ist schematisch eine Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge 3 nach dem Vereinzeln dargestellt, insbesondere wie in den Verfahren der Figuren 6 und 7 sowie im Verfahren der Figur 8 gezeigt. Das heißt, die Vereinzelungsgräben 8 und die Öffnungen 50 verlaufen deckungsgleich. Eine entsprechende Struktur mit Vereinzelungsgräben 8, die schmäler sind als die Öffnungen 50, kann genauso verwendet werden.

Die Durchmischungsgebiete 51 umlaufen jeweils ringsum in einer geschlossenen Bahn die Teilgebiete 39 der Halbleiterschichtenfolge 3. Die Teilgebiete 39 für die Halbleiterchips 1 sind jeweils näherungsweise quadratisch oder auch rechteckig gestaltet. Kantenlängen der Teilgebiete 39 liegen unterhalb von 100 pm. Ein Abstand zwischen benachbarten Teilgebieten 39 und damit eine Breite der Öffnungen 50 und der Vereinzelungsgräben 8 ist bevorzugt relativ gering und liegt beispielsweise bei höchstens 10 % oder 5 % oder 2 % einer mittleren Kantenlänge der Teilgebiete 39. Insbesondere weisen die Öffnungen 50 und/oder die Vereinzelungsgräben 8 eine Breite von höchstens 5 mpi oder 3 mpi oder 1 mpiund/oder von mindestens 0,5 mpi oder 1 mpi auf. Das heißt, die Teilgebiete 39 sind auf dem Aufwachssubstrat 2 dicht gepackt angeordnet, sodass für ein Eindiffundieren des Durchmischungshilfsstoffs 55 vergleichsweise wenig Platz bleibt.

In Figur 10 ist eine Abwandlung 10 eines Halbleiterchips dargestellt. Aufgetragen ist dabei über die Wachstumsrichtung G ein Verhältnis aus einem Aluminiumanteil zu einer Summe aus dem Aluminiumanteil und einem Galliumanteil, angegeben in Prozent. Der linke Figurenteil bezieht sich auf ein undurchmischtes Gebiet 52 der aktiven Zone 33, wohingegen der rechte Figurenteil auf das Durchmischungsgebiet 51 der aktiven Zone 33 abstellt. Die gleiche Darstellung wird auch in den Figuren 11 bis 14 verwendet.

Die Barriereschichten 62 weisen einen relativ geringen Aluminiumanteil auf. Dadurch entsteht in den Durchmischungsgebieten 51 nach dem Durchmischen ein vergleichsweise flacher Verlauf des Aluminiumanteils und damit eine vergleichsweise geringe Erhöhung einer Bandlücke gegenüber den Quantentopfschichten 61. Damit lassen sich Rekombinationsverluste von Ladungsträgern an den Seitenwänden der Teilgebiete 39 und damit der Halbleiterchips 1 nur relativ schlecht reduzieren. In herkömmlichen LEDs spielen solche Randeffekte kaum eine Rolle, da eine Randlinie relativ zur Gesamtfläche einer aktiven Zone nur eine untergeordnete Rolle spielt. Bei den hier beschriebenen pLEDs dagegen sind aufgrund der geringen Kantenlänge der Teilgebiete 39 entsprechende Effekte an den Seitenwänden ein potentiell maßgeblicher Verlustkanal.

In Figur 11 ist ein Verlauf des Aluminiumanteils für ein Ausführungsbeispiel des Halbleiterchips 1 dargestellt. Die Barriereschichten 62 weisen einen signifikant höheren Aluminiumanteil von ungefähr 85 % auf als in Figur 10. Daraus resultiert in dem Durchmischungsgebiet 51 ein deutlich höherer Bandabstand zwischen den Quantentopfschichten 61 in dem undurchmischten Gebiet 52 und der durchmischten Struktur in dem Durchmischungsgebiet 51.

Gemäß Figur 11 sind alle Quantentopfschichten 51 und Barriereschichten 62 gleich gewachsen und damit in dem undurchmischten Gebiet 52 entlang der Wachstumsrichtung G unverändert vorhanden. Demgegenüber weisen die Barriereschichten 62 gemäß der Figuren 12 bis 14 jeweils zumindest einen Gradienten hinsichtlich Dicke und/oder Materialzusammensetzung auf.

So sind gemäß Figur 12 die Barriereschichten 62 entlang der Wachstumsrichtung G mit einem abnehmenden Aluminiumanteil gestaltet. Gemäß Figur 13 ist der Aluminiumanteil der Barriereschichten 62 entlang der Wachstumsrichtung G gleichbleibend, jedoch nimmt eine Dicke der Barriereschichten 62 ab. Figur 14 ist eine Kombination der Gestaltungen aus den Figuren 12 und 13, sodass entlang der Wachstumsrichtung G sowohl der Aluminiumanteil abnimmt als auch eine Dicke der Barriereschichten kleiner wird.

In den Figuren 11 bis 14 sind jeweils nur zur Vereinfachung der Darstellung fünf Quantentopfschichten 61 dargestellt. Es können jeweils mehr oder weniger als die dargestellten Quantentopfschichten in der aktiven Zone 33 vorliegen.

Die Barriereschichten 62 der Figuren 12 bis 14 sind asymmetrisch in der aktiven Zone 33 angeordnet, sodass die aktive Zone 33 keine Symmetrieebene aufweist, zu der die Barriereschichten 62 spiegelsymmetrisch gestaltet sind. Alternativ sind auch symmetrische Abfolgen von Barriereschichten 62 möglich, sodass beispielsweise analog zur Figur 12 ein Aluminiumgehalt der Barriereschichten 62 entlang der Wachstumsrichtung G zuerst ansteigt und dann im gleichen Maße abfällt. Entsprechendes gilt für Ausführungsformen gemäß der Figuren 13 und 14.

Ebenso ist es abweichend von der Darstellung der Figuren 12 bis 14 jeweils möglich, dass die Wachstumsrichtung G nicht von links nach rechts, sondern von rechts nach links verläuft. Weiterhin sind jeweils asymmetrische Kombinationen aus anwachsenden und abfallenden Aluminiumgehalt sowie ansteigender und abfallender Schichtdicke und entsprechenden Kombinationen hieraus möglich. Das heißt, es können asymmetrisch verteilt Barriereschichten 62 mit zuerst ansteigendem und dann abfallendem Aluminiumgehalt vorhanden sein oder auch mit zuerst abfallendem und dann ansteigendem Aluminiumgehalt, entlang der Wachstumsrichtung G gesehen. Entsprechendes gilt hinsichtlich der Dicken, vergleiche Figur 13, oder für die Kombination aus Dickenvariation und Aluminiumgehaltvariation, vergleiche Figur 14.

Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander, sofern nicht anders kenntlich gemacht. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind bevorzugt voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben, soweit nicht anders kenntlich gemacht.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019126506.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugszeichenliste

1 optoelektronischer Halbleiterchip

2 Aufwachssubstrat

3 Halbleiterschichtenfolge

31 erster Halbleiterbereich (n-Bereich)

32 zweiter Halbleiterbereich (p-Bereich)

33 aktive Zone

34 p-Kontaktschicht, insbesondere Al _v Ga _] __ _v As

35 übriger zweiter Halbleiterbereich

39 Teilgebiet der Halbleiterschichtenfolge

41 erste Elektrode

42 zweite Elektrode

5 Maskierungsschicht

50 Öffnung

51 Durchmischungsgebiet der Halbleiterschichtenfolge

52 undurchmischtes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge

55 Durchmischungshilfsstoff

56 Precursor für den Durchmischungshilfsstoff

61 QuantentopfSchicht, insbesondere [(Al _a Ga _] __ _a )pln^-p] _C P _] __ _C

62 Barriereschicht, insbesondere [(Al _x Ga _] __ _x )yln _] __y] _Z P _] _- _Z

7 Passivierungsschicht

8 Vereinzelungsgraben

10 Abwandlung eines Halbleiterchips

G Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge