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Patent Searching and Data


Title:
METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF TRANSFERABLE COMPONENTS, AND COMPOSITE COMPONENT MADE OF COMPONENTS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/166194
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for producing a composite component (100) and to a composite component (100) made of a plurality of components (10), a removable sacrificial layer (4), a retaining structure (3), and a common intermediate support (90). Each of the components has a semiconductor element (2) with an active zone (23), and the components are designed to generate coherent electromagnetic radiation and are arranged on the common intermediate support. The sacrificial layer is arranged between the intermediate support and the components in the vertical direction. The retaining structure has a plurality of retaining elements (3A, 3B), and the retaining structure and the sacrificial layer form a mechanical connection between the intermediate support and the components. Without the sacrificial layer, the components are mechanically connected to the intermediate support solely via the retaining elements. Under a mechanical load, the retaining elements are designed to release the components such that the components can be detached from the intermediate support and are thus designed to be transferable.

Inventors:
HALBRITTER HUBERT (DE)
BEHRINGER MARTIN RUDOLF (DE)
Application Number:
PCT/EP2019/052775
Publication Date:
September 06, 2019
Filing Date:
February 05, 2019
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
International Classes:
H01S5/183
Foreign References:
US20130285086A12013-10-31
US20030189212A12003-10-09
DE10042947A12002-03-21
DE102018104785A2018-03-02
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von

transferierbaren Bauteilen (10) auf einem gemeinsamen

Zwischenträger (90), wobei die Bauteile zur Erzeugung

kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind und jeweils einen Halbleiterkörper (2) mit einer aktiven Zone (23) aufweisen, mit folgenden Schritten:

- Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (20) auf dem

Zwischenträger, wobei die Halbleiterstruktur in eine

Mehrzahl von Halbleiterkörpern der Bauteile zertrennbar ist und wobei eine Opferschicht (4) in vertikaler Richtung zwischen der Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger angeordnet ist;

- Ausbilden einer Haltestruktur (3) mit einer Mehrzahl von Halteelementen (3A, 3B) ; und

- Entfernen der Opferschicht, wodurch die Bauteile nur noch über die Haltestruktur mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind, wobei die Halteelemente die Bauteile unter mechanischer Belastung freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind.

2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,

bei dem die Halbleiterstruktur (20) auf einem

Aufwachssubstrat (9) angeordnet ist, wobei das

Aufwachssubstrat teilweise oder vollständig von der

Halbleiterstruktur entfernt wird, bevor die

Halbleiterstruktur in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) der Bauteile (10) vereinzelt wird.

3. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Aufwachssubstrat (9) vollständig von der

Halbleiterstruktur (20) entfernt wird, und die Bauteile (10) als substratlose oberflächenemittierende Laserdioden (VCSEL) ausgeführt sind.

4. Bauteilverbund (100) aus einer Mehrzahl von Bauteilen (10), einer entfernbaren Opferschicht (4), einer

Haltestruktur (3) und einem gemeinsamen Zwischenträger (90), wobei

- die Bauteile jeweils einen Halbleiterkörper (2) mit einer aktiven Zone (23) aufweisen, zur Erzeugung kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet und auf dem gemeinsamen Zwischenträger angeordnet sind,

- die Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen dem

Zwischenträger und den Bauteilen angeordnet ist,

- die Haltestruktur eine Mehrzahl von Halteelementen (3A,

3B) aufweist, wobei die Haltestruktur und die Opferschicht eine mechanische Verbindung zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen vermitteln, und

- die Bauteile ohne die Opferschicht nur noch über die

Halteelemente mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind, wobei die Halteelemente unter mechanischer Belastung derart ausgebildet sind, dass diese die Bauteile

freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind.

5. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der

vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Halteelemente (3A, 3B) Haltegurte (3A) umfassen, die sich seitlich der Bauteile (10) befinden und beim

Abnehmen der Bauteile unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar ausgeführt sind.

6. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Halteelemente (3A, 3B) Haltesäulen (3B) umfassen, die sich unterhalb der Bauteile (10) befinden, in vertikaler Richtung ausschließlich zwischen dem Zwischenträger (90) und den Bauteilen (10) angeordnet und beim Abnehmen der Bauteile unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar

ausgeführt sind.

7. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der

vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Halteelemente (3A, 3B) aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet sind und beim Pressen des zugehörigen Bauteils (10) brechbar ausgeführt sind.

8. Verfahren oder Bauteilverbund Anspruch 6,

wobei die Haltesäulen (3B) aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sind und mit rückseitigen Kontaktschichten (61) oder Spiegelschichten (1) der Bauteile elektrisch leitend verbunden sind.

9. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der

vorhergehenden Ansprüche, wobei

- die Opferschicht (4) eine gemeinsame Grenzschicht zwischen dem Zwischenträger (90) und den Bauteilen (10) bildet, und

- ohne die Opferschicht ein Hohlraum (4H) zwischen dem

Zwischenträger und den Bauteilen gebildet ist, wobei die Halteelemente (3A, 3B) stellenweise unmittelbar an den Hohlraum angrenzen oder in dem Hohlraum angeordnet sind.

10. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der

vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Bauteile (10) jeweils einen Laserresonator (7) mit einem Bragg-Spiegel-Paar aus einem ersten Bragg-Spiegel (71) und einem zweiten Bragg-Spiegel (72) aufweisen, wobei der Halbleiterkörper (2) des jeweiligen Bauteils in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Bragg-Spiegel und dem zweiten Bragg-Spiegel angeordnet ist, und

- der erste Bragg-Spiegel elektrisch leitfähig ausgebildet ist .

11. Verfahren oder Bauteilverbund nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei sowohl der erste Bragg-Spiegel (71) als auch der zweite Bragg-Spiegel (72) des Bragg-Spiegel-Paars

elektrisch leitfähig ausgebildet sind.

12. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der Ansprüche 10 bis 11, wobei der zweite Bragg-Spiegel (72) elektrisch leitfähig ausgebildet ist und zur Formung einer Apertur (60) des Bauteils (10) innere isolierende Bereiche (720) aufweist.

13. Verfahren oder Bauteilverbund nach Anspruch 10, wobei der zweite Bragg-Spiegel (72) elektrisch isolierend ausgebildet ist .

14. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei der erste Bragg-Spiegel (71) und der zweite Bragg-Spiegel (72) desselben Bragg-Spiegel-Paars in

Draufsicht unterschiedliche Querschnitte aufweisen.

15. Verfahren oder Bauteilverbund nach einem der Ansprüche 10 bis 14, bei dem die Bauteile (10) jeweils eine rückseitige elektrisch leitfähige Spiegelschicht (1) aufweisen, wobei

die Spiegelschicht über eine erste Kontaktschicht (61) mit dem ersten Bragg-Spiegel (71) elektrisch verbunden ist, - die erste Kontaktschicht unmittelbar an den ersten Bragg- Spiegel angrenzt und diesen zur gezielten lokalen

Stromeinprägung nur teilweise bedeckt,

- die erste Kontaktschicht in lateralen Richtungen von einer ersten Isolierungsschicht (81) vollumfänglich umgeben ist, und

- die erste Isolierungsschicht in vertikaler Richtung

zwischen dem ersten Bragg-Spiegel und der Spiegelschicht angeordnet ist und in Draufsicht Überlappungen sowohl mit dem ersten Bragg-Spiegel als auch mit der Spiegelschicht aufweist .

16. Verfahren oder Bauteilverbund nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Spiegelschicht (1) bezüglich ihrer vertikalen Schichtdicke derart ausgeführt ist, dass sie als mechanisch stabilisierende Schicht und somit als Träger des zugehörigen Bauteils dient.

17. Bauteil (10), das nach einem Verfahren gemäß einer der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist oder von dem

gemeinsamen Träger (90) des Bauteilverbunds (100) gemäß einer der Ansprüche 4 bis 16 abgelöst ist, wobei das Bauteil eine oberflächenemittierende Laserdiode ist, die frei von einem Aufwachssubstrat ist.

18. Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von elektronischen Geräten mit folgenden Schritten:

- Bereitstellen des Bauteilverbunds (100) gemäß einem der Ansprüche 4 bis 16;

- Entfernen der Opferschicht (4);

- Abnehmen eines oder einer Mehrzahl von Bauteilen (10) mit Hilfe eines oder einer Mehrzahl von Stempeln, wobei die Halteelemente (3A, 3B) unter mechanischer Belastung des Stempels oder der Stempel die Bauteile freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger (90) abgelöst werden;

- Drucken des Bauteils oder der Mehrzahl von Bauteilen (10) auf eine Leiterplatte des herzustellenden elektronischen Geräts oder auf eine Mehrzahl von Leiterplatten der herzustellenden elektronischen Geräte; und

- Trennen des Stempels oder der Stempel von dem Bauteil oder von den Bauteilen. 19. Verfahren nach Anspruch 18 zur Herstellung einer Mehrzahl von Erkennungskameras, wobei die Bauteile (10)

oberflächenemittierende Laserdioden sind.

Description:
Beschreibung

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON TRANSFERIERBAREN BAUTEILEN UND BAUTEILVERBUND AUS BAUTEILEN

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von transferierbaren und insbesondere druckbaren Bauteilen angegeben. Des Weiteren wird ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben, wobei die Bauteile

insbesondere transferierbar und somit bevorzugt druckbar ausgeführt sind.

Herkömmliche oberflächenemittierende Laserdioden oder

VCSEL (Englisch : vertical-cavity surface-emitting laser) weisen in der Regel ein Aufwachssubstrat auf, auf dem

Halbleiterschichten aufgewachsen sind. Die Gesamtbauhöhe einer solchen Laserdiode wird im Wesentlichen von der Höhe des Aufwachssubstrats bestimmt. Der gesamte thermische

Widerstand der Laserdiode hängt maßgeblich von dem

thermischen Widerstand des Aufwachssubstrats ab. Es hat sich herausgestellt, dass solche Bauteile insbesondere im Array nur mit großem Aufwand auf flexible Substrate montiert werden können. Die Montage einer großen Anzahl von Bauteilen ist außerdem zeitaufwendig und kostenintensiv.

Eine Aufgabe ist es, Bauteile anzugeben, die auf einer vorgegebenen Zielfläche schnell und vereinfacht montierbar sind. Des Weiteren wird ein zuverlässiges und

kosteneffizientes Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von solchen Bauteilen angegeben.

Diese Aufgaben werden durch das Verfahren und den

Bauteilverbund gemäß den unabhängigen Ansprüchen und/oder in Zusammenhang mit einem solchen Verfahren beziehungsweise mit einem solchen Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen des

Verfahrens oder des Bauteilverbunds oder des Bauteils sind Gegenstand der weiteren Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterstruktur auf einem Zwischenträger

bereitgestellt. Der Zwischenträger ist insbesondere

verschieden von einem Aufwachssubstrat, auf dem die

Halbleiterstruktur etwa epitaktisch aufgewachsen ist. Die Halbleiterstruktur kann in eine Mehrzahl von

Halbleiterkörpern zertrennt werden, wobei die

Halbleiterkörper insbesondere Hauptkörper von Bauteilen des herzustellenden Bauteilverbunds bilden. Die

Halbleiterstruktur weist insbesondere eine aktive Zone auf, die im Betrieb des herzustellenden Bauteils oder des

Bauteilverbunds zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Zum Beispiel ist das Bauteil, insbesondere die aktive Zone, zur Erzeugung kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet, etwa im ultravioletten, sichtbaren oder im infraroten Spektralbereich.

Insbesondere zielt das Verfahren auf die Herstellung einer Mehrzahl von transferierbaren Bauteilen auf dem gemeinsamen Zwischenträger ab, wobei die Bauteile insbesondere von dem Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind und etwa mittels eines Stempels oder mehrerer Stempel nacheinander oder gruppenweise auf eine Zielfläche, insbesondere auf eine

Leiterplatte gedruckt werden können. Die Zielfläche oder die Leiterplatte kann eine Oberfläche oder eine

Kontaktierungsebene eines Trägers eines elektronischen Geräts sein. Der Träger des elektronischen Geräts kann Transistoren, etwa Dünnfilmtransistoren und/oder elektrische Schaltungen etwa zur Ansteuerung des Bauteils oder der Bauteile

aufweisen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist eine Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen der

Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger angeordnet. Zum Beispiel ist die Opferschicht aus einem Material wie

Germanium oder Silizium gebildet. Die Opferschicht kann auf dem Zwischenträger ausgebildet werden, bevor die

Halbleiterstruktur auf dem Zwischenträger befestigt wird. Im Hinblick auf den Zwischenträger und auf die

Halbleiterstruktur kann die Opferschicht aus einem selektiv entfernbaren Material gebildet sein. Zum Beispiel wird das Material der Opferschicht derart gewählt, dass dieses etwa durch ein Ätzverfahren ohne Beschädigung des Zwischenträgers und/oder der Halbleiterstruktur aufgelöst werden kann. Es ist auch möglich, dass die Opferschicht zunächst auf der

Halbleiterstruktur gebildet wird, bevor die

Halbleiterstruktur mit der Opferschicht auf dem

Zwischenträger befestigt wird.

Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere parallel zu einer Haupterstreckungsfläche des Zwischenträgers und/oder des Bauteils verläuft. Zum

Beispiel verläuft die laterale Richtung parallel zu der

Opferschicht. Unter einer vertikalen Richtung wird eine

Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu der

Haupterstreckungsfläche des Zwischenträgers und/oder des Bauteils gerichtet ist. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind etwa orthogonal zueinander. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Haltestruktur mit einer Mehrzahl von Halteelementen erzeugt. Die Haltestruktur ist insbesondere derart

ausgebildet, dass die Bauteile insbesondere nach dem

Entfernen der Opferschicht nur noch über die Haltestruktur mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind. Mit anderen Worten können die Bauteile nach dem Entfernen der

Opferschicht ausschließlich über die Halteelemente der

Haltestruktur mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sein .

Die Halteelemente sind bevorzugt derart ausgeführt, dass diese die Bauteile insbesondere unter mechanischer Belastung freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind. Die mechanische Belastung kann eine auf die Haltestruktur und/oder auf die Halteelemente ausgeübte Zugkraft oder

Druckkraft sein. Zum Beispiel sind die Halteelemente

bezüglich deren Geometrien und/oder deren Materialien derart ausgebildet, dass sie unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar ausgeführt sind. Zum Beispiel sind die

Halteelemente derart ausgebildet, dass sie beim Abnehmen des zugehörigen Bauteils abbrechen oder abreißen. Insbesondere in diesem Sinne ist das Halteelement mechanisch brechbar ausgebildet. Ein mechanischer Bruch ist etwa innerhalb einer Schicht desselben Materials erzielbar. Ist das Halteelement ablösbar ausgebildet, findet das Ablösen des Halteelements von dem Bauteil oder von dem Zwischenträger etwa an einer Grenzfläche zwischen dem Halteelement und dem Bauteil oder dem Zwischenträger, in der Regel insbesondere an einer

Grenzfläche zwischen zwei Schichten verschiedener

Materialien, statt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Haltestruktur zumindest bereichsweise in der Opferschicht enthalten. Die Haltestruktur kann Haltesäulen umfassen, die in lateralen Richtungen etwa von der Opferschicht

vollumfänglich umschlossen sind. Insbesondere sind die

Haltesäulen unterhalb der Bauteile angeordnet. In Draufsicht auf den Zwischenträger können die Bauteile die ihnen

zugeordneten Haltesäulen bedecken, bevorzugt vollständig bedecken. Die Haltesäulen sind in der vertikalen Richtung insbesondere zwischen der Halbleiterstruktur und dem

Zwischenträger angeordnet.

Zusätzlich oder alternativ kann die Haltestruktur Haltegurte enthalten, die insbesondere seitlich der Bauteile angeordnet sind. Die Halteelemente können aus einem elektrisch

isolierenden Material gebildet sein. Bevorzugt sind die

Halteelemente beim Pressen des zugehörigen Bauteils zum

Zwischenträger hin brechbar ausgeführt. Die Haltegurte können auf unterschiedlichen Seitenflächen eines Bauteils oder des Halbleiterkörpers eines Bauteils angeordnet sein. Die

Haltegurte können von den Seitenflächen des Bauteils oder des Halbleiterkörpers räumlich beabstandet sein.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauteilverbunds wird eine

Halbleiterstruktur auf einem gemeinsamen Zwischenträger bereitgestellt. Der herzustellende Bauteilverbund weist eine Mehrzahl von transferierbaren Bauteilen auf dem

Zwischenträger auf, wobei die Bauteile insbesondere zur

Erzeugung kohärenter elektromagnetischer Strahlung

eingerichtet sind und jeweils einen Halbleiterkörper mit einer aktiven Zone aufweisen. Die Halbleiterstruktur ist in einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern der Bauteile zertrennbar. Insbesondere ist eine Opferschicht in der vertikalen Richtung zwischen der Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger angeordnet. Es wird eine Haltestruktur mit einer Mehrzahl von Halteelementen ausgebildet. Die

Opferschicht wird entfernt, wodurch die Bauteile nur noch über die Haltestruktur mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind, wobei die Halteelemente die Bauteile unter mechanischer Belastung freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind .

Durch die Haltestruktur werden die Bauteile geordnet und ausreichend stabil auf dem Zwischenträger gehalten, bevor sie einzeln oder gruppenweise für weitere Verarbeitungsschritte gezielt und sicher von dem Zwischenträger abgenommen werden können. Die Bauteile sind somit einzeln oder gruppenweise druckbar ausgeführt. Mit anderen Worten können die Bauteile einzeln oder gruppenweise insbesondere durch Brechen und/oder durch Ablösen der Halteelemente von dem Zwischenträger abgenommen und etwa in demselben Produktionsprozeß zum

Beispiel mit Hilfe eines Stempels oder mehrerer Stempel auf eine Zielmontagefläche transferiert und darauf mechanisch und/oder elektrisch befestigt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Halbleiterstruktur auf einem Aufwachssubstrat angeordnet. Insbesondere weist die Halbleiterstruktur eine Mehrzahl von Halbleiterschichten auf, die auf dem Aufwachssubstrat etwa epitaktisch aufgewachsen sind. Die Halbleiterstruktur

befindet sich etwa in der vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Zwischenträger. Bevorzugt wird das Aufwachssubstrat teilweise oder vollständig von der

Halbleiterstruktur entfernt, bevor die Halbeiterstruktur in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern der Bauteile vereinzelt wird. Zum Beispiel wird das Aufwachssubstrat entfernt, nachdem die Halbleiterstruktur auf dem Zwischenträger

befestigt wird. Es ist möglich, dass das Substrat vollständig von der Halbleiterstruktur entfernt wird. Die Bauteile mit den Halbleiterkörpern aus der Halbleiterstruktur können als substratlose Bauteile, insbesondere als substratlose

oberflächenemittierende Laserdioden ausgeführt sein. Mit anderen Worten kann das Bauteil oder der Bauteilverbund frei von einem Aufwachssubstrat sein.

Im Vergleich mit einem Bauteil mit einem Aufwachssubstrat kann das Bauteil ohne das Aufwachssubstrat eine geringere Bauteilhöhe aufweisen. Der thermische Widerstand des Bauteils kann insgesamt reduziert werden. Die Montage der Bauteile etwa auf flexiblen Leiterplatten kann ohne das

Aufwachssubstrat vereinfacht durchgeführt werden. Ohne das Aufwachssubstrat, dessen Volumen einen Großteil des

Gesamtvolumens des Bauteils ausmacht, kann das Bauteil außerdem auf einfache Art und Weise von dem Zwischenträger abgenommen und etwa auf eine Zielmontagefläche transferiert werden. Ein kostengünstiger Massentransfer von Bauteilen etwa für die Bildung von Pixeln einer Leuchtfläche kann erzielt werden. Auch eine Montage der Bauteile mit einem beliebigen Pitch kann vereinfacht realisiert werden.

In mindestens einer Ausführungsform eines Bauteilverbunds weist dieser eine Mehrzahl von Bauteilen, eine entfernbare Opferschicht, eine Haltestruktur und einen Zwischenträger auf. Die Bauteile sind insbesondere auf dem gemeinsamen

Zwischenträger angeordnet. Die Bauteile können jeweils einen Halbleiterkörper mit einer aktiven Zone aufweisen, wobei die Bauteile insbesondere zur Erzeugung kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind. Die

Opferschicht ist zweckmäßig in der vertikalen Richtung zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen angeordnet. Die Haltestruktur kann eine Mehrzahl von Halteelementen

aufweisen. Die Haltestruktur und die Opferschicht können eine mechanische Verbindung zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen vermitteln. Insbesondere ist der Bauteilverbund derart ausgeführt, dass die Bauteile ohne die Opferschicht nur noch über die Halteelemente mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind, wobei die Halteelemente unter mechanischer Belastung derart ausgebildet sind, dass diese die Bauteile freigeben, sodass die Bauteile von dem

Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind .

Ein solcher Bauteilverbund enthält eine Mehrzahl von

ablösbaren und somit transferierbaren und insbesondere druckbaren Bauteilen, wobei die Opferschicht bei Bedarf von dem Bauteilverbund entfernt werden kann. In der Anwesenheit der Opferschicht sind die Bauteile jedoch weiterhin

mechanisch stabil auf dem Zwischenträger gehalten, sodass der Transport eines solchen Bauteilverbunds ohne großes

Bruchrisiko durchgeführt werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds umfassen die Halteelemente Haltegurte, die sich seitlich der Bauteile befinden und beim Abnehmen der Bauteile unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar ausgeführt sind. Insbesondere sind die Haltegurte etwa bezüglich deren Geometrien und/oder Materialien derart ausgebildet, dass diese unter Druckeinwirkung abbrechen. Zum Beispiel sind die Halteelemente aus einem elektrisch

isolierenden Material, etwa aus einem plastischen Material gebildet. Zum Beispiel sind die Halteelemente aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder aus Benzocyclobuten (BCB) gebildet. Die Halteelemente sind bevorzugt derart gebildet, dass sie beim Pressen des zugehörigen Bauteils brechbar, das heißt mechanisch brechbar, ausgeführt sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds umfassen die Halteelemente Haltesäulen, die sich unterhalb der Bauteile befinden. Die Haltesäulen sind in der vertikalen Richtung insbesondere ausschließlich zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen angeordnet. Die

Haltesäule kann aus einem Material gebildet sein, das

ätzresistenter ist als das Material der Opferschicht. Zum Beispiel sind die Haltesäulen aus einem elektrisch

isolierenden Material, etwa aus Siliziumdioxid, Plastik oder aus einem anderen Kunststoff gebildet.

Es ist auch möglich, dass die Haltesäulen aus einem

elektrisch leitfähigen Material, etwa aus einem Metall wie Kupfer, Aluminium, Nickel, Chrom, Platin oder Legierungen davon gebildet sind. Die Bauteile des Bauteilverbunds können jeweils eine Kontaktschicht oder eine insbesondere elektrisch leitfähige Spiegelschicht aufweisen, die etwa auf einer

Rückseite des zugehörigen Bauteils angeordnet ist. Die

Haltesäulen können mit den rückseitigen Kontaktschichten und/oder rückseitigen Spiegelschichten der Bauteile

elektrisch leitend verbunden sein. Über die Haltesäulen können die Bauteile bereits auf dem Zwischenträger elektrisch kontaktiert werden, bevor sie von dem Zwischenträger

abgenommen werden. Dies bietet die Möglichkeit, dass die Bauteile bereits im Bauteilverbund etwa im Hinblick auf ihre Funktionsfähigkeit einzeln oder gruppenweise geprüft werden können. Es ist auch denkbar, dass die seitlichen Haltegurte aus einem elektrisch leitfähigen Material, etwa aus einem Metall, gebildet sind. In diesem Fall sind die Haltegurte bevorzugt von den Seitenflächen des Bauteils oder der

Bauteile elektrisch isoliert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds bildet die Opferschicht eine gemeinsame

Grenzschicht zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen. Ohne die Opferschicht, etwa nach der Entfernung der

Opferschicht, ist insbesondere ein Zwischenraum, etwa ein Hohlraum zwischen dem Zwischenträger und den Bauteilen gebildet. Die Halteelemente, etwa die Haltesäulen und/oder die Haltegurte, können stellenweise unmittelbar an den

Hohlraum angrenzen oder in dem Hohlraum angeordnet sein. Die Halteelemente sind insbesondere von dem Hohlraum umgeben, sodass die Halteelemente bei Krafteinwirkung oder bei

Druckeinwirkung leichter mechanisch gebrochen werden können.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds weisen die Bauteile jeweils einen

Laserresonator auf. Der Laserresonator kann ein Bragg- Spiegel-Paar aus einem ersten Bragg-Spiegel und einem zweiten Bragg-Spiegel aufweisen. Der Halbleiterkörper des jeweiligen Bauteils ist in der vertikalen Richtung etwa zwischen dem ersten Bragg-Spiegel und dem zweiten Bragg-Spiegel

angeordnet. Insbesondere ist zumindest einer der Bragg- Spiegel, etwa der erste Bragg-Spiegel, elektrisch leitfähig ausgebildet. Der Bragg-Spiegel kann aus mehreren dünnen alternierend angeordneten Halbleiterschichten verschiedener Brechungsindizes gebildet sein. Es ist möglich, dass der Laserresonator zumindest einen Bragg-Spiegel aufweist, der elektrisch isolierend ausgeführt ist. Der elektrisch

isolierende Bragg-Spiegel kann eine Mehrzahl aus elektrisch isolierenden und alternierend angeordneten

Isolationsschichten verschiedener Brechungsindizes aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds können sowohl der erste Bragg-Spiegel als auch der zweite Bragg-Spiegel des Bragg-Spiegel-Paars

elektrisch leitfähig ausgeführt sein. Die Halbleiterschichten des Bragg-Spiegels können mittels eines epitaktischen

Verfahrens auf dem Aufwachssubstrat oder auf der

Halbleiterstruktur gebildet werden. Die Halbleiterschichten des elektrisch leitfähigen Bragg-Spiegels können dotiert, n- leitend oder p-leitend ausgeführt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds ist der zweite Bragg-Spiegel elektrisch leitfähig ausgebildet. Zur Formung einer Apertur des

Bauteils, insbesondere zur Stromführung, kann der zweite Bragg-Spiegel innere isolierende Bereiche aufweisen.

Insbesondere sind die isolierenden Bereiche oxidierte

Bereiche des zweiten Bragg-Spiegels. In der vertikalen

Richtung können die isolierenden Bereiche mittig in dem zweiten Bragg-Spiegel angeordnet sein. Im Bereich der Apertur sind die isolierenden Bereiche des zweiten Bragg-Spiegels etwa unterbrochen ausgeführt. Mit anderen Worten befinden sich im Bereich der Apertur des Bauteils insbesondere keine inneren isolierenden Bereiche des zweiten Bragg-Spiegels. Die isolierenden Bereiche des zweiten Bragg-Spiegels verhindern oder vermindern die Stromeinprägung etwa in den Bereichen um die Apertur herum. Elektrische Ladungsträger werden somit bevorzugt und verstärkt in die Regionen des Halbleiterkörpers zugeführt, die sich in Draufsicht mit der Apertur des

zugehörigen Bauteils überlappen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds ist der zweite Bragg-Spiegel elektrisch isolierend ausgebildet. Insbesondere befindet sich eine

Kontaktschicht in der vertikalen Richtung zwischen dem zweiten Bragg-Spiegel und dem Halbleiterkörper des Bauteils, wobei die Kontaktschicht zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet ist. In Draufsicht auf den Halbleiterkörper kann der zweite elektrisch isolierende

Bragg-Spiegel die Apertur vollständig bedecken.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds weisen der erste Bragg-Spiegel und der zweite Bragg-Spiegel desselben Bragg-Spiegel-Paars in Draufsicht unterschiedlich große Querschnitte auf. Insbesondere ist der zweite Bragg-Spiegel derart ausgebildet, dass dieser in

Draufsicht auf den Halbleiterkörper gerade die Apertur des Bauteils vollständig bedeckt. Der erste Bragg-Spiegel kann den Halbleiterkörper des Bauteils vollständig bedecken. Ein Verhältnis der Querschnitte der Bragg-Spiegel kann zwischen einschließlich 1 und 20 sein, etwa zwischen einschließlich 2 und 10 oder zwischen einschließlich 3 und 6.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds weisen die Bauteile jeweils eine rückseitige elektrisch leitfähige Spiegelschicht auf. Insbesondere ist die Spiegelschicht über eine erste Kontaktschicht mit dem ersten Bragg-Spiegel elektrisch leitend verbunden. Die erste Kontaktschicht kann unmittelbar an den ersten Bragg-Spiegel angrenzen. Insbesondere bedeckt die erste Kontaktschicht den ersten Bragg-Spiegel nur teilweise, um eine lokale

Stromeinprägung in den Halbleiterkörper zu erzielen. Die erste Kontaktschicht kann in den lateralen Richtungen von einer ersten Isolierungsschicht vollumfänglich umgeben sein. Insbesondere bedeckt die Kontaktschicht den Halbleiterkörper nur bereichsweise. Der Halbleiterkörper kann die erste

Kontaktschicht und/oder die erste Isolierungsschicht

vollständig bedecken. Die erste Isolierungsschicht ist in der vertikalen Richtung insbesondere zwischen dem ersten Bragg- Spiegel und der Spiegelschicht angeordnet. In Draufsicht kann die erste Isolierungsschicht Überlappungen sowohl mit dem ersten Bragg-Spiegel als auch mit der Spiegelschicht

aufweisen. Die erste Isolierungsschicht kann unmittelbar an den ersten Bragg-Spiegel und/oder unmittelbar an die

Spiegelschicht angrenzen.

Mit einer derartigen Ausgestaltung der ersten Kontaktschicht, der ersten Isolierungsschicht und der Spiegelschicht können elektrische Ladungsträger gezielt in Regionen des

Halbleiterkörpers eingeprägt werden, die in Draufsicht

Überlappungen mit der Apertur des Bauteils aufweisen und im Betrieb des Bauteils zur Erzeugung eines Hauptteils der emittierenden Strahlung eingerichtet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds ist die Spiegelschicht bezüglich ihrer vertikalen Schichtdicke und/oder Materialien derart

ausgeführt, dass sie als mechanisch stabilisierende Schicht und somit als Träger des zugehörigen Bauteils dient. Zum Beispiel weist die Spiegelschicht eine vertikale Schichtdicke von mindestens 10 ym auf. Zum Beispiel ist die vertikale Schichtdicke der Spiegelschicht zwischen einschließlich 10 ym und 200 ym, etwa zwischen einschließlich 30 ym und 200 ym, zwischen einschließlich 50 ym und 200 ym oder zwischen einschließlich 30 ym und 150 ym, zwischen einschließlich 10 ym und 100 ym oder zwischen einschließlich 50 ym und 100 ym. Insbesondere ist die Spiegelschicht als einziger Träger des Bauteils ausgebildet. Wird das Bauteil von dem Zwischenträger entfernt, weist das Bauteil die Spiegelschicht insbesondere als einzigen Träger auf. Mit anderen Worten ist das Bauteil frei von weiteren Trägern, etwa frei von einem

Aufwachssubstrat . Es ist jedoch auch möglich, dass das

Bauteil einen weiteren Träger aufweist, der verschieden von dem Aufwachssubstrat ist und das Bauteil mechanisch

stabilisiert. Insbesondere ist die Spiegelschicht in der vertikalen Richtung zwischen dem weiteren Träger und dem Halbleiterkörper angeordnet. In diesem Fall kann die

Spiegelschicht eine vertikale Schichtdicke zwischen

einschließlich 10 nm und 1 ym aufweisen, etwa zwischen einschließlich 10 nm und 100 nm, etwa um 50 nm.

In mindestens einer Ausführungsform eines Bauteil, das insbesondere nach einem hier beschriebenen Verfahren

hergestellt ist und/oder von dem gemeinsamen Träger des hier beschriebenen Bauteilverbunds abgelöst ist, ist dieses eine oberflächenemittierende Laserdiode. Insbesondere ist das Bauteil frei von einem Aufwachssubstrat . Das Bauteil kann Reste oder Trennspuren von den Halteelementen aufweisen.

Gemäß zumindest eines Verfahrens zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von elektronischen Geräten wird ein hier beschriebener Bauteilverbund bereitgestellt. In einem

nachfolgenden Verfahrensschritt wird die Opferschicht

entfernt. Eines der Bauteile oder eine Mehrzahl von Bauteilen kann mit Hilfe eines oder einer Mehrzahl von Stempeln

abgenommen werden, wobei die Halteelemente unter mechanischer Belastung des Stempels oder der Stempel die Bauteile freigeben, sodass die Bauteile von dem Zwischenträger

abgelöst werden.

Das Bauteil oder die Mehrzahl von Bauteilen kann auf eine Zielfläche, etwa auf eine Leiterplatte des herzustellenden elektronischen Geräts oder auf eine Mehrzahl von

Leiterplatten der herzustellenden elektronischen Geräte gedruckt werden. Anschließend kann der Stempel oder die

Mehrzahl von Stempeln von dem Bauteil oder von den Bauteilen getrennt werden. Die Bauteile können somit einzeln oder gruppenweise von dem Bauteilverbund auf eine oder auf mehrere Zielflächen, etwa Leiterplatten, transferiert werden.

Es ist denkbar, dass weitere Komponenten des herzustellenden elektronischen Geräts auf der gleichen Art und Weise auf derselben Zielfläche, etwa auf der Leiterplatte oder auf den Leiterplatten montiert werden. Die elektronischen Geräte können Touchpads, Laserdrucker, Erkennungskameras,

Gesichtserkennungskameras, Displays oder Systeme aus LEDs, Sensoren, Laserdioden und/oder Detektoren sein. Die weiteren insbesondere transferierbaren oder druckbaren Komponenten des elektronischen Geräts können LEDs, Sensoren, Laserdioden und/oder Detektoren sein.

Zum Beispiel ist das hier beschriebene Verfahren zur

Herstellung einer Mehrzahl von Erkennungskameras,

insbesondere von Gesichtserkennungskameras besonders

geeignet, wobei die Bauteile insbesondere

oberflächenemittierende Laserdioden (VCSEL) sind. Die

Erkennungskameras können in der Automobilindustrie eingesetzt werden, etwa zum Zweck des autonomen Fahrens oder Parkens. Solche oberflächenemittierende Laserdioden können sehr schnell ein- und ausgeschaltet werden. Insbesondere mit einen Array von oberflächenemittierenden Laserdioden können anhand eines Beugungsmusters Rauminformationen präzise gewonnen werden .

Das hier beschriebene Verfahren ist für die Herstellung eines hier beschriebenen Bauteils oder Bauteilverbunds oder

elektronischen Geräts besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Bauteil, Bauteilverbund oder mit dem elektronischen Gerät beschriebenen Merkmale können daher auch für das

Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauteils, Bauteilverbunds sowie des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1A bis 5B erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

Figuren 1A, 1B, IC, ID, IE, 1F, IG, 1H und II schematische Darstellungen von Prozessabfolgen zur Herstellung eines

Bauteil V erbunds ,

Figuren 2A, 2B und 2C schematische Darstellungen

verschiedener Ausführungsbeispiele für einen Bauteilverbund,

Figuren 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G, 3H und 31 schematische Darstellungen verschiedener Verfahrensschritte einer

Prozessabfolge zur Herstellung eines Bauteilverbunds,

Figuren 4A, 4B und 4C schematische Darstellungen weiterer Ausführungsbeispiele für einen Bauteilverbund, und

Figuren 5A und 5B schematische Darstellungen weiterer

Ausführungsbeispiele für einen Bauteilverbund in seitlicher Ansicht und in Draufsicht. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur

Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt werden.

In Figur 1A wird ein Verfahrensschritt zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 beziehungsweise zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen 10 schematisch dargestellt.

Gemäß Figur 1A wird eine Halbleiterstruktur 20 auf einem Substrat 9, insbesondere auf einem Aufwachssubstrat 9, bereitgestellt. Insbesondere ist das Substrat 9 ein

Halbleitersubstrat, das etwa auf Galliumarsenid basiert. Die Halbleiterstruktur 20 weist eine erste Halbleiterschicht 21, eine zweite Halbleiterschicht 22 und eine zwischen den

Halbleiterschichten 21 und 22 angeordnete aktive Zone 23 auf. Die aktive Zone 23 ist insbesondere zur Emission

elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Die

Halbleiterstruktur 20 kann auf einem III-V- oder auf einem II-VI-Halbleiterverbindungsmaterial basieren. Zum Beispiel basiert die Halbleiterstruktur 20 auf Galliumnitrid. Die erste Halbleiterschicht 21 ist insbesondere p-seitig

angeordnet. Zum Beispiel ist die erste Halbleiterschicht 21 p-leitend oder p-dotiert ausgebildet. Die zweite

Halbleiterschicht 22 ist insbesondere n-seitig angeordnet und kann n-leitend oder n-dotiert ausgeführt sein. Die aktive Zone 23 ist insbesondere eine pn-Übergangszone .

Die Halbleiterstruktur 20 basiert auf einem Gruppe III-V Verbindungshalbleitermaterial, wenn diese insbesondere zumindest ein Element aus der Hauptgruppe III, wie etwa Al, Ga, In, und ein Element aus der Hauptgruppe V, wie etwa N, P, As, aufweist. Insbesondere umfasst der Begriff „III-V

Halbleiterverbindungsmaterial" die Gruppe der binären, tertiären und quaternären Verbindungen, die zumindest ein Element aus Hauptgruppe III und zumindest ein Element aus Hauptgruppe V enthalten, beispielsweise Nitrid und Phosphid- Verbindungshalbleiter . Sinngemäß analog gilt es für eine auf dem Gruppe-II-VI Verbindungshalbleitermaterial basierende Halbleiterstruktur 20.

Gemäß Figur 1A ist die Halbleiterstruktur 20 in der

vertikalen Richtung zwischen zwei Spiegelanordnungen eines Resonators 7, insbesondere eines Laserresonators 7,

angeordnet. Zum Beispiel umfasst der Laserresonator 7 eine erste Spiegelanordnung 71, die insbesondere ein erster Bragg- Spiegel ist, und eine zweite Spiegelanordnung 72, die ein zweiter Bragg-Spiegel sein kann. Zum Beispiel ist die Anzahl der Schichten des ersten Bragg-Spiegels 71 und/oder des zweiten Bragg-Spiegels 72 zwischen einschließlich 6 und 100, etwa zwischen 10 und 50 oder zwischen einschließlich 10 und 30. Beispielweise basieren/basiert der erste Bragg-Spiegel 71 und/oder der zweite Bragg-Spiegel 72 auf einem III-V- oder I I-VI-Verbindungshalbleitermaterial .

Die Bragg-Spiegel 71 und 72 können jeweils eine Mehrzahl von vergleichsweise dünnen Halbleiterschichten aufweisen, wobei die Halbleiterschichten abwechselnd aufeinander angeordnet sind und wobei benachbarte Halbleiterschichten des ersten und/oder zweiten Bragg-Spiegels unterschiedliche

Brechungsindizes aufweisen. Der erste Bragg-Spiegel 71 und/oder der zweite Bragg-Spiegel 72 können/kann elektrisch leitfähig ausgeführt sein. Es ist möglich, dass die

Halbleiterstruktur 20 und die Bragg-Spiegel 71 und 72 auf demselben Verbindungshalbleitermaterial basieren. Die

Halbleiterschichten der Halbleiterstruktur 20 und des

Laserresonators 7 können mittels eines epitaktischen

Verfahrens auf dem Aufwachssubstrat 9 aufgebracht sein.

In der Figur 1A ist eine Pufferschicht 5 zwischen dem

Aufwachssubstrat 9 und dem zweiten Bragg-Spiegel 72

beziehungsweise zwischen dem Aufwachssubstrat 9 und der

Halbleiterstruktur 20 angeordnet. An der Pufferschicht 5 kann das Aufwachssubstrat 9 in einem späteren Verfahrensschritt von der Halbleiterstruktur 20 entfernt werden. Es ist

möglich, dass das Aufwachssubstrat 9 nicht vollständig, sondern lediglich teilweise von der Halbleiterstruktur 20 entfernt wird. In diesem Fall wird das Aufwachssubstrat 9 lediglich gedünnt. Die Pufferschicht 5 kann jedoch optional sein .

Gemäß Figur 1B wird eine erste Kontaktschicht 61 gebildet.

Die erste Kontaktschicht 61 grenzt insbesondere an den ersten Bragg-Spiegel 71 an. Insbesondere ist die erste

Kontaktschicht 61 zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21 eingerichtet. Der erste Bragg-Spiegel 71 ist in der vertikalen Richtung zwischen der ersten

Kontaktschicht 61 und der ersten Halbleiterschicht 21

angeordnet .

In der Figur 1B ist insbesondere lediglich ein Abschnitt der Halbleiterstruktur 20 schematisch dargestellt. Insbesondere entspricht dieser Abschnitt der Halbleiterstruktur 20 einem Halbleiterkörper 2 des Bauteils 10. In Draufsicht auf das Aufwachssubstrat 9 bedeckt die erste Kontaktschicht 61 den ersten Bragg-Spiegel 71, den Halbleiterkörper 2 und/oder den zweiten Bragg-Spiegel 72 nur teilweise. Dadurch kann erzielt werden, dass elektrische Ladungsträger möglichst nur in dem sich mit der ersten Kontaktschicht 61 überlappenden Bereich des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper 2 eingeprägt werden .

Abweichend von der Figur 1B kann eine Mehrzahl von lateral beabstandeten ersten Kontaktschichten 61 auf dem ersten

Bragg-Spiegel 71 oder auf der Halbleiterstruktur 20 gebildet werden. Die Halbleiterstruktur 20 kann in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 vereinzelt werden, wobei jede erste

Kontaktschicht 61 insbesondere genau einem der

Halbleiterkörper 2 zugeordnet ist und umgekehrt. Die Anzahl der ersten Kontaktschichten 61 kann somit die Anzahl der Halbleiterkörper 2 festlegen. Die ersten Kontaktschichten 61 können strukturiert auf der Halbleiterstruktur 20 aufgebracht werden. Alternativ ist es möglich, dass zunächst eine

gemeinsame Kontaktschicht großflächig auf die

Halbleiterstruktur 20 aufgebracht und in einem nachfolgenden Verfahrensschritt in eine Mehrzahl von ersten

Kontaktschichten 61 strukturiert wird. Die erste

Kontaktschicht 61 kann aus einem Metall, wie Kupfer,

Aluminium, Gold oder Silber, gebildet sein.

Gemäß Figur IC wird die erste Kontaktschicht 61 seitlich passiviert. Insbesondere ist die erste Kontaktschicht 61 in lateralen Richtungen durch eine erste Isolierungsschicht 81 vollumfänglich umgeben. Freie Bereiche des ersten Bragg- Spiegels 71 und/oder der Halbleiterstruktur 20 oder des Halbleiterkörpers 2, die zuvor in Draufsicht von der ersten Kontaktschicht 61 oder von den Kontaktschichten 61 nicht bedeckt sind, können von der ersten Isolierungsschicht 81 bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt, werden. Die

Passivierung der ersten strukturierten Kontaktschicht 61 durch die erste Isolierungsschicht 81 führt insbesondere zur Formung einer Apertur zur Stromführung im Bauteil 10.

Abweichend von den Figuren 1B und IC ist es denkbar, dass die erste Kontaktschicht 61 derart großflächig ausgebildet ist, dass diese in Draufsicht den Halbleiterkörper 2 im

Wesentlichen vollständig bedeckt oder vollständig bedeckt.

Die Formung der Apertur des Bauteils 10 kann in diesem Fall ausschließlich an der Seite des zweiten Bragg-Spiegels 72, also n-seitig, durchgeführt werden.

Gemäß Figur ID wird eine Spiegelschicht 1 auf die erste

Kontaktschicht 61 und auf die erste Isolierungsschicht 81 aufgebracht. In Draufsicht kann die Spiegelschicht 1 den Halbleiterkörper 2 vollständig bedecken. Insbesondere ist die erste Spiegelschicht 1 elektrisch leitfähig ausgeführt. Zum Beispiel grenzt die Spiegelschicht 1 unmittelbar an die erste Kontaktschicht 61 an. Bevorzugt ist die Spiegelschicht 1 aus einem Metall wie Aluminium oder Silber gebildet. Die

vertikale Schichtdicke der Spiegelschicht 1 kann derart eingestellt werden, dass die Spiegelschicht 1 nach dem

Entfernen des Aufwachssubstrats 9 als einzige Trägerschicht des Bauteils 10 ausgeführt ist. Die Spiegelschicht 1 aus einem Metall weist in der Regel einen viel geringeren

thermischen Widerstand auf als ein Substrat etwa aus einem Halbleitermaterial. Mit der als Trägerschicht ausgebildeten Spiegelschicht können die mechanische Stabilität des Bauteils und zugleich die Wärmeverteilung im Bauteil oder die

Wärmeabfuhr aus dem Bauteil verbessert werden.

Gemäß Figur ID wird die Halbleiterstruktur 20 über eine

Opferschicht 4 mit einem Zwischenträger 90 mechanisch

befestigt. Zum Beispiel grenzt die Opferschicht 4 unmittelbar an den Zwischenträger 90 und/oder an die Spiegelschicht 1 an. Zum Beispiel ist die Opferschicht 4 aus einem entfernbaren Material, etwa aus einem ätzbaren Material, gebildet.

Hinsichtlich der Materialien der Spiegelschicht 1 und des Zwischenträgers 90 oder der Halbleiterstruktur 20 ist das Material der Opferschicht 4 bevorzugt selektiv entfernbar.

Wie in der Figur ID dargestellt, kann die Opferschicht 4 Öffnungen aufweisen, die von einem Material einer

Haltestruktur 3 aufgefüllt sind. Die Haltestruktur 3 weist somit in den Öffnungen der Opferschicht 4 insbesondere eine Mehrzahl von Haltesäulen 3B auf. Die Haltesäulen 3B

vermitteln jeweils eine mechanische Verbindung insbesondere zwischen dem Zwischenträger 90 und der Spiegelschicht 1 oder der Halbleiterstruktur 20. Bezüglich der Geometrien und der Materialien sind die Halteelemente 3B oder die Haltesäulen 3B bevorzugt derart ausgebildet, dass sie nach der Entfernung der Opferschicht 4 unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar ausgeführt sind. Die Halteelemente 3B oder die

Haltesäulen 3B können aus einem elektrisch isolierenden

Material oder aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein. Insbesondere weist das Material der

Halteelemente 3B eine geringere Ätzrate auf als ein Material der Opferschicht 4, zum Beispiel eine mindestens 5-mal, 10- mal, 20-mal oder 100-mal geringere Ätzrate.

Gemäß Figur IE wird das Aufwachssubstrat 9 insbesondere an der Pufferschicht 5 von der Halbleiterstruktur 20 entfernt. Die Pufferschicht 5 kann teilweise oder vollständig von der Halbleiterstruktur 20 entfernt werden.

Das in der Figur 1F dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht dem in der Figur IE dargestellten Ausführungsbeispiel für einen Verfahrensschritt zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 mit einer Mehrzahl von Bauteilen 10 auf einem gemeinsamen Zwischenträger 90. Im Vergleich zu der Figur IE ist der Bauteilverbund 100 in der Figur 1F lediglich entlang der vertikalen Richtung umgedreht.

Gemäß Figur IG wird der zweite Bragg-Spiegel 72 strukturiert. Im Bereich des jeweiligen Halbleiterkörpers 2 bedeckt der strukturierte Bragg-Spiegel 72 den darunterliegenden

Halbleiterkörper 2 lediglich teilweise. In Draufsicht auf den Halbleiterkörper 2 kann der strukturierte Bragg-Spiegel 72 die erste Kontaktschicht 61 vollständig bedecken.

Insbesondere bedeckt der strukturierte Bragg-Spiegel 72 die erste Isolierungsschicht 81 teilweise. Zur Strukturierung des zweiten Bragg-Spiegels 72 kann ein Ätzverfahren Anwendung finden .

Gemäß Figur 1H wird der strukturierte zweite Bragg-Spiegel 72 seitlich passiviert. In den lateralen Richtungen ist der zweite Bragg-Spiegel 72 insbesondere von einer zweiten

Isolierungsschicht 82 vollumfänglich umgeben. Oberflächen des Halbleiterkörpers 2, die durch die Strukturierung des zweiten Bragg-Spiegels freigelegt werden, können von der zweiten Isolierungsschicht 82 bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt, werden.

Wie in der Figur 1H dargestellt, kann der zweite Bragg- Spiegel 82 zur Formung einer Apertur 60 des Bauteils 10 innere isolierende Bereiche 720 aufweisen. Die inneren isolierenden Bereiche 720 können oxidierte Bereiche des

Bragg-Spiegels 72 sein. Die oxidierten Bereiche des Bragg- Spiegels 72 können Aluminiumoxid aufweisen. Insbesondere werden die inneren isolierenden Bereiche 720 des zweiten Bragg-Spiegels 72 erst nach dessen Strukturierung zum

Beispiel durch einen Oxidationsprozess gebildet. Die Apertur 60 ist insbesondere durch ein Fenster der isolierenden

Bereiche 720 vorgegeben. Die Apertur 60 des Bauteils 10 ist somit durch insbesondere die Form der inneren isolierenden Bereiche 720 des zweiten Bragg-Spiegels 72 und/oder durch die Position der strukturierten ersten Kontaktschicht 61

definiert. In Draufsicht auf den Halbleiterkörper 2 überlappt sich das Fenster der isolierenden Bereiche 720 insbesondere vollständig mit der ersten Kontaktschicht 61.

Gemäß Figur 1H wird eine zweite Kontaktschicht 62

bereichsweise auf der zweiten Isolierungsschicht 82 und bereichsweise auf dem zweiten Bragg-Spiegel 72 gebildet. Die zweite Kontaktschicht 62 steht insbesondere mit dem zweiten Bragg-Spiegel 72 im elektrischen Kontakt, insbesondere im direkten elektrischen Kontakt. Im Bereich der Apertur 60 des Bauteils 10 weist die zweite Kontaktschicht 62 eine Öffnung auf. Insbesondere ist die zweite Kontaktschicht 62 aus einem Metall gebildet. Die zweite Kontaktschicht 62 kann aus einem strahlungsundurchlässigen Material gebildet sein. Die Öffnung der zweiten Kontaktschicht 62 im Bereich der Apertur 60 stellt sicher, dass die im Betrieb des Bauteils 10 erzeugte elektromagnetische Strahlung im Bereich der Apertur 60 aus dem Bauteil 10 ausgekoppelt wird. Abweichend von der Figur 1H ist es möglich, dass die zweite Kontaktschicht 62 aus einem strahlungsdurchlässigen elektrisch leifähigen Material, insbesondere aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid, gebildet ist. Solche zweite Kontaktschicht 62 kann den zweiten Bragg-Spiegel 72 und/oder die zweite

Isolierungsschicht 82 vollständig bedecken. Gemäß Figur II wird die Halbleiterstruktur 20 in eine

Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 vereinzelt. Hierfür können mehrere Trenngräben 4T durch die zweite Isolierungsschicht 82, die Halbleiterstruktur 20, den ersten Bragg-Spiegel 71, die erste Isolierungsschicht 81, die Opferschicht 4 und/oder die Spiegelschicht 1 hindurch erzeugt werden. Die

Halbleiterkörper 2 und somit die Bauteile 10 sind in den lateralen Richtungen somit durch die Trenngräben 4T

voneinander getrennt.

Auch nach der Vereinzelung können die Bauteile 10 weiterhin auf demselben Zwischenträger 90 mechanisch befestigt sein.

Ein Bauteilverbund 100 mit einer Mehrzahl von

transferierbaren Bauteilen 10 auf einem gemeinsamen

Zwischenträger 90 ist in der Figur II schematisch

dargestellt. Über die Opferschicht 4 und die Haltestruktur 3 mit den Halteelementen 3B sind die Bauteile 10 weiterhin geordnet auf dem gemeinsamen Zwischenträger 90 platziert, wobei die Bauteile 10 etwa durch Entfernen der Opferschicht 4 und insbesondere durch Brechen oder Ablösen der Halteelemente 3B einzeln oder gruppenweise von dem Zwischenträger 90 abgelöst werden können. Abweichend von der Figur II ist es möglich, dass die Trenngräben 4T lediglich bis zu der

Opferschicht 4 erzeugt werden. In diesem Fall können die den Bauteilen 10, insbesondere allen Bauteilen 10 zugeordneten Opferschichten 4 weiterhin eine gemeinsame zusammenhängende Opferschicht 4 des Bauteilverbunds 100 bilden.

Das in der Figur 2A dargestellte Ausführungsbeispiel für einen Bauteilverbund 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur II dargestellten Ausführungsbeispiel für einen Bauteilverbund 100. Im Unterschied hierzu wird die

Opferschicht 4 entfernt, insbesondere weggeätzt. Anstelle der Opferschicht 4 befindet sich ein Hohlraum 4H zwischen dem Bauteil 10 und dem Zwischenträger 90. Insbesondere ist das Bauteil 10 nach dem Entfernen der Opferschicht 4

ausschließlich durch die Halteelemente 3B, in diesem Fall durch die Haltesäulen 3B, mit dem Zwischenträger 90

mechanisch verbunden.

Bevorzugt sind die Halteelemente 3B aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet. Es ist möglich, dass der Zwischenträger 90 Leiterbahnen aufweisen, die im elektrischen Kontakt mit den Halteelementen 3B stehen. Die Bauteile 10 können in diesem Fall bereits auf dem gemeinsamen

Zwischenträger 90 auf ihre Funktionsfähigkeit getestet werden, wenn die Bauteile 10 etwa über die elektrisch

leitfähigen Halteelemente 3B und die zweiten Kontaktschichten 62 elektrisch kontaktiert werden.

Wie in der Figur 2A schematisch dargestellt, werden

elektrische Ladungsträger bevorzugt in den

Überlappungsbereichen der ersten Kontaktschicht 61 und des Fensters der isolierenden Bereiche 720 in den

Halbleiterkörper 2 eingeprägt, sodass elektromagnetische Strahlung R insbesondere ausschließlich in den Bereichen der aktiven Zone 23 unterhalb der Apertur 60 erzeugt und durch die Apertur 60 aus dem Bauteil 10 ausgekoppelt wird.

Das in der Figur 2B dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2A dargestellten Ausführungsbeispiel für einen Bauteilverbund 100. Im

Unterschied hierzu weist die Haltestruktur 3 eine Mehrzahl von Halteelementen 3A auf, die seitlich der Bauteile 10 angeordnet sind. Die seitlich angeordneten Halteelemente 3A sind in diesem Fall als seitliche Haltegurte 3A des Bauteils 10 gebildet. Entlang der vertikalen Richtung kann sich ein solcher Haltegurt 3A von der zweiten Isolierungsschicht 82 bis zu dem Zwischenträger 90 erstrecken. Es ist allerdings auch möglich, dass die Haltegurte 3A nur in unmittelbarer Umgebung des Zwischenträgers 90 gebildet sind und sich nicht bis zu der zweiten Isolierungsschicht 82 erstrecken. Ein Bauteil 10 kann eine Mehrzahl von Haltegurten 3A aufweisen, etwa mindestens zwei, drei, vier oder mindestens sechs solche Haltegurte 3A.

Nach dem Entfernen der Opferschicht 4 kann ein Hohlraum 4H zwischen dem Bauteil 10 und dem Zwischenträger 90 gebildet sein. Die Haltegurte 3A können hinsichtlich deren Geometrien und Materialien derart gebildet sein, dass sie beim Pressen des zugehörigen Bauteils 10 mechanisch abbrechen und/oder beim Anheben des Bauteils 10 zerreißen. Mit anderen Worten können die Halteelemente 3A, insbesondere die Haltegurte 3A, unter mechanischer Belastung derart ausgebildet sein, dass die Halteelemente 3A die Bauteile 10 freigeben, sodass die Bauteile 10 einzeln oder gruppenweise von dem Zwischenträger 90 ablösbar und somit transferierbar oder druckbar ausgeführt sind .

Wie in der Figur 2B dargestellt, kann sich der Hohlraum 4H ebenfalls in der lateralen Richtung zwischen dem Bauteil 10 und den Halteelementen 3A befinden. Mit anderen Worten kann der Halbleiterkörper 2, der Bragg-Spiegel 71 oder die

Spiegelschicht 1 von dem Haltegurt 3A oder von den

Haltegurten 3A räumlich beabstandet sein. Abweichend von der Figur 2B ist es möglich, dass Haltestruktur 3 mit den

Halteelementen 3A etwa an die Seitenflächen des Bauteils 10 oder des Halbleiterkörpers 2 angrenzt, insbesondere

unmittelbar angrenzt. In diesem Fall kann die Haltestruktur 3 Sollbruchstellen aufweisen, die insbesondere durch die

Halteelemente 3A gebildet sind, welche sich etwa in der Höhe des Hohlraums 4H zwischen der Spiegelschicht 1 und dem

Zwischenträger 90 befinden (Figur 5A) .

Das in der Figur 2C dargestellte Ausführungsbeispiel für einen Bauteilverbund 100 entspricht im Wesentlichen den in den Figuren 2A und 2B dargestellten Ausführungsbeispielen für einen Bauteilverbund 100. Im Unterschied hierzu weist der Bauteilverbund 100 sowohl seitliche Haltegurte 3A als auch Haltesäulen 3B auf. Die Haltegurte 3A können seitlich der Bauteile 10 in den Bereichen der Trenngräben 4T gebildet sein. Die Ausbildung der seitlichen Haltegurte 3A erfolgt somit insbesondere nach der Vereinzelung der

Halbleiterstruktur 20 in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2. Die Ausbildung der Haltesäulen 3B kann vor der

Vereinzelung der Halbleiterstruktur 20 durchgeführt werden.

Die in den Figuren 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G, 3H und 31 dargestellten Verfahrensschritte zur Herstellung eines

Bauteilverbunds 100 entspricht im Wesentlichen den in den Figuren 1A bis II dargestellten Verfahrensschritten zur

Herstellung eines Bauteilverbunds 100. Im Unterschied hierzu kann der zweite Bragg-Spiegel 72 elektrisch isolierend ausgeführt sein.

Das in der Figur 3A dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel jedoch ohne den zweiten Bragg-Spiegel 72.

Ganz analog zu der Figur 1B wird gemäß Figur 3B eine oder eine Mehrzahl von ersten Kontaktschichten 61 gebildet. Analog zu dem in der Figur IC dargestellten Ausführungsbeispiel wird die erste Kontaktschicht 61 gemäß Figur 3C durch die erste Isolierungsschicht 81 seitlich passiviert.

Die in den Figuren 3D, 3E und 3F dargestellten

Verfahrensschritte entsprechen im Wesentlichen den in den Figuren ID, IE beziehungsweise 1F dargestellten

Verfahrensschritten, bei denen eine Spiegelschicht 1 und eine Opferschicht 4 mit der Haltestruktur 3 zwischen dem ersten Bragg-Spiegel 71 und dem Zwischenträger 90 gebildet werden, bevor das Aufwachssubstrat 9 teilweise oder vollständig von der Halbleiterstruktur 20 entfernt wird.

Gemäß Figur 3G wird die zweite Isolierungsschicht 82 auf der Halbleiterstruktur 20 gebildet. Die zweite Isolierungsschicht 82 kann eine Öffnung oder eine Mehrzahl von Öffnungen

aufweisen. In der Öffnung oder in den Öffnungen der zweiten Isolierungsschicht 82 kann die Halbleiterstruktur 2,

insbesondere die zweite Halbleiterschicht 22, bereichsweise freigelegt sein. Zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22 oder der Halbleiterstruktur 20 wird eine zweite Kontaktschicht 62 gebildet, wobei sich die zweite Kontaktschicht 62 in die Öffnung oder in die Öffnungen der zweiten Isolierungsschicht 82 hinein erstreckt. Außerhalb der Öffnung oder der Öffnungen der zweiten Isolierungsschicht 82 kann die zweite Kontaktschicht 62 die zweite

Isolierungsschicht 82 bedecken, insbesondere vollständig bedecken .

In den Bereichen der Öffnung oder der Öffnungen der zweiten Isolierungsschicht 82 kann die zweite Kontaktschicht 62 im direkten elektrischen Kontakt mit der Halbleiterstruktur 20 oder mit der zweiten Halbleiterschicht 22 stehen. Die Öffnung der zweiten Isolierungsschicht 82 kann somit die Apertur 60 des Bauteils 10 definieren (Figur 31) . Die zweite Kontaktschicht 62 ist bevorzugt aus einem

strahlungsdurchlässigen und elektrisch leitfähigen Material gebildet. Zum Beispiel ist die zweite Kontaktschicht aus einem transparenten und elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) gebildet .

Der zweite Bragg-Spiegel 72 kann auf die zweite

Kontaktschicht 62 aufgebracht werden. In der vertikalen

Richtung ist die zweite Kontaktschicht 62 etwa zwischen dem zweiten Bragg-Spiegel 72 und dem Halbleiterkörper 2

angeordnet. Der zweite Bragg-Spiegel 72 kann zunächst flächig ausgebildet und in einem nachfolgenden Verfahrensschritt derart strukturiert werden, dass der zweite Bragg-Spiegel 72 eine Mehrzahl von lateral beabstandeten Teilschichten

aufweisen, die jeweils in Draufsicht eine Öffnung der zweiten Isolierungsschicht 82 bedecken, insbesondere vollständig bedecken. Ein solcher strukturierter zweiter Bragg-Spiegel 72 ist etwa in der Figur 3H dargestellt. Der zweite Bragg- Spiegel 72 kann aus dielektrischen Materialien gebildet sein. Der zweite Bragg-Spiegel 72 weist zum Beispiel eine Mehrzahl aus alternierend angeordneten Siliziumnitrid- und/oder

Siliziumoxidschichten auf.

Ganz analog zu dem in der Figur II dargestellten

Ausführungsbeispiel für einen Verfahrensschritt zur

Vereinzelung der Halbleiterstruktur 20 wird gemäß Figur 31 eine Mehrzahl von Trenngräben 4T gebildet. Durch die

Trenngräben 4T wird die Halbleiterstruktur 20 in eine

Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 vereinzelt.

Die in den Figuren 31, 4A, 4B und 4C dargestellten

Ausführungsbeispiele für einen Bauteilverbund 100 entsprechen im Wesentlichen den in den Figuren II, 2A, 2B und 2C

dargestellten Ausführungsbeispielen für einen Bauteilverbund 100. Die Bauteilverbunde 100 in den Figuren 31, 4A, 4B und 4C unterscheiden sich von den Bauteilverbunden 100 in den

Figuren II, 2A, 2B und 2C insbesondere in den Ausgestaltungen der zweiten Kontaktschicht 62, der zweiten Isolierungsschicht 82 und des zweiten Bragg-Spiegels 72. Die übrigen in den Figuren II, 2A, 2B und 2C im Zusammenhang mit dem Bauteil 10 oder Bauteilverbund 100 beschriebenen Merkmale können auch für die in den Figuren 31, 4A, 4B und 4C beschriebenen

Ausführungsbeispiele herangezogen werden.

Gemäß Figur 5A ist ein Bauteilverbund 100 in Seitenansicht dargestellt. Die Haltestruktur 3 mit den Haltegurten 3A kann eine Seitenfläche oder alle Seitenflächen des zugehörigen Bauteils 10 bedecken, insbesondere vollständig bedecken. Die Haltegurte 3A sind insbesondere strukturierte Bereiche der Haltestruktur 3. Die Haltegurte 3A befinden sich etwa auf der vertikalen Höhe der Opferschicht 4 oder des Hohlraums 4H.

Gemäß Figur 5B ist ein Bauteilverbund 100 mit einer Mehrzahl von Bauteilen 10 in Draufsicht auf den gemeinsamen

Zwischenträger 90 dargestellt. Jedes Bauteil 10 weist eine Mehrzahl von Haltegurten 3A auf. In lateralen Richtungen ragen die Haltegurte 3A seitlich über die Seitenflächen des jeweiligen Bauteils 10 hinaus. Die Haltestruktur 3 kann eine Mehrzahl von Haltesäulen 3B aufweisen, wobei die Haltesäulen 3B in Draufsicht von den Bauteilen 10 vollständig bedeckt sind .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 104 785.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

100 Bauteilverbund

10 Bauteil

1 Spiegelschicht

2 Halbleiterkörper

20 Halbleiterstruktur

21 erste Halbleiterschicht

22 zweite Halbleiterschicht

23 aktive Zone

3 Haltestruktur

3A Halteelement, Haltegurt

3B Halteelement, Haltesäule

4 Opferschicht

4H Hohlraum

4T Trenngraben

5 Pufferschicht

60 Apertur

61 erste Kontaktschicht

62 zweite Kontaktschicht

7 Laserresonator

71 erster Bragg-Spiegel

72 zweiter Bragg-Spiegel

720 isolierende Bereiche des Bragg-Spiegels

81 erste Isolierungsschicht

82 zweite Isolierungsschicht

9 Aufwachssubstrat

90 Zwischenträger

R Strahlung