<ナノインプリント用モールド>
 図1は、本発明のナノインプリント用モール ドの一例を示す断面図である。ナノインプリ ント用モールド10は、モールド面に微細凹凸� ��造を有するナノインプリント用モールドで� ��って、後述する表面に微細凹凸構造を有す� ��樹脂成形体ならびにワイヤグリッド型偏光� ��の製造に用いられるモールドである。ナノ� ��ンプリント用モールド10は、前記モールド� �の微細凹凸構造のベースとなる微細凹凸構� �を表面に有する樹脂製のモールドベース12と 、モールドベース12の微細凹凸構造を有する� ��面を微細凹凸構造の形状に沿って被覆した� ��属酸化物層16と、金属酸化物層16の表面を被 覆した離型層18と、モールドベース12の微細� �凸構造が形成された面とは反対側の面に設� �られた支持基板20とを有する。

(微細凹凸構造)
 本発明における微細凹凸構造とは、材料(各 種モールド、成形体等。)の表面に形成され� �微細な凸部および/または凹部を意味する。
 凸部としては、材料の表面に延在する長尺� ��凸条、表面に点在する突起等が挙げられる� ��
 凹部としては、材料の表面に延在する長尺� ��溝、表面に点在する孔等が挙げられる。

 凸条または溝の形状としては、直線、曲線� ��折れ曲がり形状等が挙げられる。凸条また� ��溝は、複数が平行に存在して縞状をなして� ��てもよい。
 凸条または溝の、長手方向に直交する方向� ��断面形状としては、長方形、台形、三角形� ��半円形等が挙げられる。
 突起または孔の形状としては、三角柱、四� ��柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角� ��、円錐半球、多面体等が挙げられる。

 本発明のナノインプリント用モールドのモ� ��ルド面の微細凹凸構造は、モールドベース� ��微細凹凸構造を有する表面を、金属酸化物� ��、離型層で順に被覆して形成される微細凹� ��構造である。
 したがって、本発明のナノインプリント用� ��ールドのモールド面の微細凹凸構造の寸法� ��、モールドベースの微細凹凸構造の寸法と� ��、金属酸化物層および離型層の厚さの分だ� ��異なる。すなわち、本発明のナノインプリ� ��ト用モールドのモールド面の微細凹凸構造� ��各寸法は、金属酸化物層と離型層とを形成� ��た後の寸法である。

 以下の各寸法は、本発明のナノインプリン� ��用モールドのモールド面の微細凹凸構造の� ��法である。
 凸条または溝の幅は、平均で10nm~50μmが好ま しく、15nm~30μmがより好ましく、20nm~1μmがさ� �に好ましく、40nm~500nmが特に好ましい。凸条� ��幅とは、長手方向に直交する方向の断面に� ��ける底辺の長さを意味する。溝の幅とは、� ��手方向に直交する方向の断面における上辺� ��長さを意味する。
 突起または孔の幅は、平均で10nm~50μmが好ま しく、15nm~30μmがより好ましく、20nm~1μmがさ� �に好ましく、40nm~500nmが特に好ましい。突起� ��幅とは、底面が細長い場合、長手方向に直� ��する方向の断面における底辺の長さを意味� ��、その他の場合は、突起の底面における最� ��長さを意味する。孔の幅とは、開口部が細� ��い場合、長手方向に直交する方向の断面に� ��ける上辺の長さを意味し、その他の場合は� ��孔の開口部における最大長さを意味する。

 凸部の高さは、平均で5nm~5μmが好ましく、10 nm~1μmがより好ましく、30~500nmが特に好ましい 。
 凹部の深さは、平均で5nm~5μmが好ましく、10 nm~1μmがより好ましく、30~500nmが特に好ましい 。

 微細凹凸構造が密集している領域におい� ��、隣接する凸部(または凹部)間の間隔は、� �均で10nm~10μmが好ましく、15nm~2μmがより好ま� ��く、20~500nmが特に好ましい。隣接する凸部� �の間隔とは、凸部の断面の底辺の終端から� �隣接する凸部の断面の底辺の始端までの距� �を意味する。隣接する凹部間の間隔とは、� �部の断面の上辺の終端から、隣接する凹部� �断面の上辺の始端までの距離を意味する。

 凸部の最小寸法は、5nm~1μmが好ましく、20~50 0nmがより好ましい。最小寸法とは、凸部の幅 、長さおよび高さのうち最小の寸法を意味す る。
 凹部の最小寸法は、5nm~1μmが好ましく、20~50 0nmがより好ましい。最小寸法とは、凹部の幅 、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味す る。

 図1における微細凹凸構造は、後述するワイ ヤグリッド型偏光子の凸条に対応する、互い に平行にかつ一定のピッチで形成された複数 の溝14からなるものである。
 溝14のピッチPpは、溝14の幅Dpと、溝14の間に 形成される凸条の幅との合計である。溝14の� ��ッチPpは、30~300nmが好ましく、40~200nmがより� ��ましい。ピッチPpが300nm以下であれば、ナノ インプリント用モールドを用いて製造される ワイヤグリッド型偏光子が充分に高い反射率 、および、400nm程度の短波長領域においても� ��い偏光分離能を示す。また、回折による着� ��現象が抑えられる。ピッチPpが30nm以上であ� ��ば、ナノインプリント用モールドの微細凹� ��構造が充分な強度を示すため、生産性、お� ��び転写精度が良好となる。

 溝14の幅DpとピッチPpの比(Dp/Pp)は、0.1~0.6� �好ましく、0.4~0.55がより好ましい。Dp/Ppが0.1� ��上であれば、ナノインプリント用モールド� ��用いて製造されるワイヤグリッド型偏光子� ��偏光分離能が充分に高くなる。Dp/Ppが0.6以� �であれば、干渉による透過光の着色が抑え� �れる。

 溝14の深さHpは、50~500nmが好ましく、100~300 nmがより好ましい。Hpが50nm以上であれば、ナ� ��インプリント用モールドを用いて製造され� ��ワイヤグリッド型偏光子の凸条上への金属� ��線の選択的な形成が容易となる。Hpが500nm以 下であれば、ナノインプリント用モールドを 用いて製造されるワイヤグリッド型偏光子の 偏光度の入射角度依存性が小さくなる。

 支持基板20を除くナノインプリント用モ� �ルド10の最小厚さHは、0.5~1000μmが好ましく、 1~40μmがより好ましい。Hが0.5μm以上であれば� ��モールドベース12を構成する樹脂の強度が� �型時の剥離強度に対して大きくなるため転� �耐久性が充分となる。Hが1000μm以下であれば 、離型時のモールド変形に由来するクラック 発生が抑制されるため転写耐久性が充分とな る。最小厚さHとは、溝14が形成された部分に おける支持基板20を除くナノインプリント用� ��ールド10の厚さである。

(モールドベース)
 モールドベースを構成する樹脂としては、� ��透過性樹脂が好ましい。光透過性とは、光� ��透過することを意味する。
 モールドベースを構成する樹脂としては、� ��硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂� ��成物などの硬化物が挙げられ、生産性およ� ��転写精度の点から、光硬化性樹脂組成物の� ��化物が好ましい。
 熱硬化性樹脂としては、ポリイミド(PI)、エ ポキシ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
 熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン(PP) 、ポリエチレン(PE)、ポリエチレンテレフタ� �ート(PET)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、 シクロオレフィンポリマー(COP)、シクロオレ� ��ィンコポリマー(COC)、透明フッ素樹脂等が� �げられる。

 光硬化性樹脂組成物の硬化物としては、生� ��性の点から、光硬化性樹脂組成物の光重合� ��より硬化したものが好ましい。
 光硬化性樹脂組成物の硬化物としては、厚� ��200μmにおける波長360nmの紫外線透過率が92%� �上のものが好ましく、92.5%以上のものがより 好ましい。該紫外線透過率が92%以上であれば 、モールドとして用いた場合に生産性が向上 する。
 紫外線透過率は、積分式光線透過率測定器� ��用い、360nmの全光量T1とサンプル透過光T2と� ��比(T2×100/T1)により求める。

 光硬化性樹脂組成物の硬化物の引張強度は3 0Pa以上が好ましく、35Pa以上がより好ましい� �引張強度が30Pa以上であれば、機械的強度が� ��くなり、転写の耐久性が充分となる。
 引張強度は、JIS K7113に準拠して求める。

 光硬化性樹脂組成物の硬化物の水に対する� ��触角は、80゜以下が好ましく、75゜以下がよ り好ましい。該接触角が80゜以下であれば、� ��ールドベース12と金属酸化物層16との密着性 が良好となる。
 光硬化性樹脂組成物の硬化物の水に対する� ��触角は、JIS K6768に準拠し、接触角測定装置 を用いて、モールドベース12の微細凹凸構造� ��形成されていない部分にて測定する。

 前記特性を満たす光硬化性樹脂組成物の硬� ��物としては、下記の光硬化性樹脂組成物(A)� ��光重合により硬化したものが挙げられる。
 光硬化性樹脂組成物(A):光重合可能なモノマ ーの99~90質量%および光重合開始剤の1~10質量%� ��含み、かつ実質的に溶剤を含まず、25℃に� �ける粘度が1~2000mPa・sである光硬化性樹脂組� ��物。

 光重合可能なモノマーとしては、重合性基� ��有するモノマーが挙げられ、アクリロイル� ��またはメタクリロイル基を有するモノマー� ��ビニル基を有するモノマー、アリル基を有� ��るモノマー、環状エーテル基を有するモノ� ��ー、メルカプト基を有するモノマーなどが� ��ましく、アクリロイル基またはメタクリロ� ��ル基を有するモノマーがより好ましい。
 光重合可能なモノマーにおける重合性基の� ��は、1~6個が好ましく、2または3個がより好� �しく、2個が特に好ましい。重合性基が2個で あれば、重合収縮がそれほど大きくないため マスターモールドの微細凹凸構造の転写精度 が良好であり、また、光硬化性樹脂組成物の 硬化物は充分な強度を発現できる。

 光重合可能なモノマーとしては、(メタ)� �クリル酸、(メタ)アクリレート、(メタ)アク� ��ルアミド、ビニルエーテル、ビニルエステ� ��、アリルエーテル、アリルエステル、スチ� ��ン系化合物が好ましく、(メタ)アクリレー� �が特に好ましい。ここで、(メタ)アクリル酸 は、アクリル酸およびメタクリル酸の総称で あり、(メタ)アクリレートは、アクリレート� ��よびメタクリレートの総称であり、(メタ)� �クリルアミドは、アクリルアミドおよびメ� �クリルアミドの総称である。

 (メタ)アクリレートの具体例としては、下� �の化合物が挙げられる。
 モノ(メタ)アクリレート:フェノキシエチル( メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレ ート、ステアリル(メタ)アクリレート、ラウ� ��ル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(� �タ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)ア� �リレート、メトキシエチル(メタ)アクリレー ト、グリシジル(メタ)アクリレート、テトラ� ��ドロフルフリール(メタ)アクリレート、ア� �ル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル( メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(� �タ)アクリレート、N,N-ジエチルアミノエチル (メタ)アクリレート、N,N-ジメチルアミノエチ ル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチ� ��(メタ)アクリレート、メチルアダマンチル(� ��タ)アクリレート、エチルアダマンチル(メ� �)アクリレート、ヒドロキシアダマンチル(メ タ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリ レート、イソボルニル(メタ)アクリレート等� ��
 ジ(メタ)アクリレート:1,3-ブタンジオールジ (メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(� �タ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(� �タ)アクリレート、ジエチレングリコールジ( メタ)アクリレート、トリエチレングリコー� �ジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリ コールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチル� ��リコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキ� �エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、 トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレ� ��ト等。
 トリ(メタ)アクリレート:トリメチロールプ� ��パントリ(メタ)アクリレート、ペンタアエ� �スリトールトリ(メタ)アクリレート等。
 重合性基を4個以上有する(メタ)アクリレー� ��:ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アク� ��レート等。

 ビニルエーテルの具体例としては、アルキ� ��ビニルエーテル(エチルビニルエーテル、プ ロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエ ーテル、2-エチルヘキシルビニルエーテル、� ��クロヘキシルビニルエーテル等。)、(ヒド� �キシアルキル)ビニル(4-ヒドロキシブチルビ� ��ルエーテル等。)等が挙げられる。
 ビニルエステルの具体例としては、酢酸ビ� ��ル、プロピオン酸ビニル、(イソ)酪酸ビニ� �、吉草酸ビニル、シクロヘキサンカルボン� �ビニル、安息香酸ビニル等が挙げられる。

 アリルエーテルの具体例としては、アルキ� ��アリルエーテル(エチルアリルエーテル、プ ロピルアリルエーテル、(イソ)ブチルアリル� ��ーテル、シクロヘキシルアリルエーテル等� ��)等が挙げられる。
 アリルエステルの具体例としては、アルキ� ��アリルエステル(エチルアリルエステル、プ ロピルアリルエステル、イソブチルアリルエ ステル等。)等が挙げられる。
 環状エーテル基を有するモノマーとしては� ��グリシジル基、オキセタニル基、オキシラ� ��ル基、スピロオルトエーテル基を有するモ� ��マーが挙げられる。

 メルカプト基を有するモノマーの具体例� ��しては、トリス-[(3-メルカプトプロピオニ� �オキシ)-エチル]-イソシアヌレート、トリメ� ��ロールプロパントリス(3-メルカプトプロピ� ��ネート)、ペンタエリスリトール テトラキ� ��(3-メルカプトプロピオネート)、ジペンタエ リスリトールヘキサ(3-メルカプトプロピオネ ート)等が挙げられる。

 光重合可能なモノマーの数平均分子量は、1 00~800が好ましく、200~600がより好ましい。
 光重合可能なモノマーは、1種を単独で用い てもよく、2種以上を併用してもよい。
 光重合可能なモノマーは、光硬化性樹脂組� ��物(A)の硬化物が高い引張強度を発現する点� ��ら、重合性基を2個以上有する(メタ)アクリ� ��ートを含むことが好ましい。具体的には、1 ,3-ブタンジオールジアクリレート、1,4-ブタ� �ジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオ� ��ルジアクリレート、トリメチロールプロパ� ��トリアクリレート、ペンタエリスリトール� ��リアクリレート、ジペンタエリスリトール� ��キサアクリレート、ジエチレングリコール� ��アクリレート、ネオペンチルグリコールジ� ��クリレート、ポリオキシエチレングリコー� ��ジアクリレート、トリプロピレングリコー� ��ジアクリレート等が挙げられる。中でも、� ��ペンタエリスリトールヘキサアクリレート� ��ネオペンチルグリコールジアクリレート、1 ,6-ヘキサンジオールジアクリレートが好まし い。

 光重合可能なモノマーの割合は、光硬化� ��樹脂組成物(A)(100質量%)のうち、99~90質量%で� ��り、98~91質量%が好ましく、97~92質量%が特に� ��ましい。光重合可能なモノマーの割合が99� �量%以下であれば、光硬化性樹脂組成物(A)に� ��ける光重合可能なモノマーを容易に重合し� ��硬化物を形成でき、加熱等の操作を行う必� ��はない。光重合可能なモノマーの割合が90� �量%以上であれば、光重合開始剤の残渣が少� ��くなり、硬化物の物性を阻害しにくい。

 光重合開始剤は、光によりラジカル反応ま� ��はイオン反応を引き起こす化合物である。
 光重合開始剤としては、下記の光重合開始� ��が挙げられる。
 アセトフェノン系光重合開始剤:アセトフェ ノン、p-(tert-ブチル)-1’,1’,1’-トリクロロ� �セトフェノン、クロロアセトフェノン、2’, 2’-ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシ� ��セトフェノン、2,2-ジメトキシ-2’-フェニル アセトフェノン、2-アミノアセトフェノン、� ��アルキルアミノアセトフェノン等。
 ベンゾイン系光重合開始剤:ベンジル、ベン ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピ ルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル 、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト� ��、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-2-メチ� �プロパン-1-オン、1-(4-イソプロピルフェニル )-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、ベ� �ジルジメチルケタール等。
 ベンゾフェノン系光重合開始剤:ベンゾフェ ノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息 香酸メチル、メチル-o-ベンゾイルベンゾエー ト、4-フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシ� ��ンゾフェノン、ヒドロキシプロピルベンゾ� ��ェノン、アクリルベンゾフェノン、4,4’-ビ ス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン等。
 チオキサントン系光重合開始剤:チオキサン トン、2-クロロチオキサントン、2-メチルチ� �キサントン、ジエチルチオキサントン、ジ� �チルチオキサントン等。
 フッ素原子を含有する光重合開始剤:ペルフ ルオロ(tert-ブチルペルオキシド)、ペルフル� �ロベンゾイルペルオキシド等。
 その他の光重合開始剤:α-アシルオキシムエ ステル、ベンジル-(O-エトキシカルボニル)-α- モノオキシム、アシルホスフィンオキシド、 グリオキシエステル、3-ケトクマリン、2-エ� �ルアンスラキノン、カンファーキノン、テ� �ラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイ� �ブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシド� �ジアルキルペルオキシド、tert-ブチルペルオ キシピバレート、ホウ素系ヨードニウム塩、 リン系ヨードニウム塩、ホウ素系オニウム塩 、リン系オニウム塩等。
 中でも、アセトフェノン系、ベンゾフェノ� ��系、ホウ素系オニウム塩が光重合開始剤と� ��て好ましい。

 光重合開始剤の割合は、光硬化性樹脂組� ��物(A)(100質量%)のうち、1~10質量%であり、2~9� �量%が好ましく、3~8質量%が特に好ましい。光 重合開始剤の割合が1質量%以上であれば、光� ��化性樹脂組成物(A)における光重合可能なモ� ��マーを容易に重合して硬化物を形成でき、� ��熱等の操作を行う必要はない。光重合開始� ��の割合が10質量%以下であれば、光重合開始� ��の残渣が少なくなり、硬化物の物性を阻害� ��にくい。

 光硬化性樹脂組成物(A)は、実質的に溶剤� ��含まない。溶剤を含まないため、その使用� ��際しては他工程(溶剤の留去工程等。)を行� �ことなく、硬化できる。また、硬化におけ� �光硬化性樹脂組成物(A)の体積収縮が小さい� �実質的に溶剤を含まないとは、溶剤を含ま� �いか、光硬化性樹脂組成物(A)の調製におい� �用いた溶剤が極力除去されていることをい� �。

 光硬化性樹脂組成物(A)は、モノマー、光� ��合開始剤以外の成分(以下、他の成分と記す 。)を含んでいてもよい。他の成分としては� �界面活性剤、光増感剤、無機材料、炭素材� �等が挙げられる。

 界面活性剤としては、アニオン性界面活性� ��、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤� ��ノニオン性界面活性剤が挙げられる。
 アニオン性界面活性剤としては、石鹸(脂肪 酸ナトリウム、RCOO ^- Na ⁺ )、モノアルキル硫酸塩(ROSO ₃ ^- M ⁺ )、アルキルポリオキシエチレン硫酸塩(RO(CH ₂ CH ₂ O) _m SO ₃ ^- M ⁺ )、アルキルベンゼンスルホン酸塩(RR’CH ₂ CHC ₆ H ₄ SO ₃ ^- M ⁺ )、モノアルキルリン酸塩(ROPO(OH)O ^- M ⁺ )等が挙げられる。
 カチオン性界面活性剤としては、アルキル� ��リメチルアンモニウム塩(RN ⁺ (CH ₃ ) ₃ X ^- )、ジアルキルジメチルアンモニウム塩(RR’N ⁺ (CH ₃ ) ₂ X ^- )、アルキルベンジルジメチルアンモニウム� �(RN ⁺ (CH ₂ Ph)(CH ₃ ) ₂ X ^- )等が挙げられる。
 両性界面活性剤としては、アルキルジメチ� ��アミンオキシド(R(CH ₃ ) ₂ NO)、アルキルカルボキシベタイン(R(CH ₃ ) ₂ N ⁺ CH ₂ COO ^- )等が挙げられる。
 ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキ� ��エチレンアルキルエーテル(RO(CH ₂ CH ₂ O) _m H)、脂肪酸ソルビタンエステル、アルキルポ� ��グルコシド、脂肪酸ジエタノールアミド(RCO N(CH ₂ CH ₂ OH) ₂ )、アルキルモノグリセリルエーテル(ROCH ₂ CH(OH)CH ₂ OH)等が挙げられる。
 ただし、各式中のRは、炭素数1~22の直鎖ま� �は分岐アルキル基であり、R’は、炭素数1~22 の直鎖または分岐アルキル基であり、M ⁺ は、アルカリ金属原子の1価の陽イオンであ� �、X ^- は、ハロゲン原子の1価の陰イオンであり、Ph は、フェニル基であり、mは、1~20の整数であ� ��。

 光増感剤の具体例としては、n-ブチルア� �ン、ジ-n-ブチルアミン、トリ-n-ブチルホス� �ィン、アリルチオ尿素、s-ベンジルイソチウ ロニウム-p-トルエンスルフィネート、トリエ チルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリ レート、トリエチレンテトラミン、4,4’-ビ� �(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げ られる。

 無機材料の具体例としては、ケイ素化合� ��(ケイ素、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化 ケイ素、シリコンゲルマニウム、鉄シリサイ ド等。)、金属(白金、金、ロジウム、ニッケ� ��、銀、チタン、ランタノイド系元素、銅、� ��、亜鉛等。)、金属酸化物(酸化チタン、ア� �ミナ、酸化亜鉛、ITO、酸化鉄、酸化銅、酸� �ビスマス、酸化マンガン、酸化ホフニウム� �酸化イットリウム、酸化スズ、酸化コバル� �、酸化セリウム、酸化銀等。)、無機化合物� ��(チタン酸バリウム等の強誘電体材料、チタ ン酸ジルコン酸鉛等の圧電材料、リチウム塩 等の電池材料等。)、金属合金(フェライト系� ��石、ネオジウム系磁石等の磁性体、ビスマ� ��/テルル合金、ガリウム/砒素合金等の半導� �、窒化ガリウム等の蛍光材料等。)等が挙げ� ��れる。

 炭素材料の具体例としては、フラーレン、� ��ーボンナノチューブ、カーボンナノホーン� ��グラファイト、ダイヤモンド、活性炭等が� ��げられる。
 他の成分の割合は、光重合可能なモノマー� ��対して0~70質量%が好ましく、0~50質量%がより 好ましい。

 光硬化性樹脂組成物(A)の25℃における粘度� �、1~2000mPa・sが好ましく、5~1000mPa・sが特に好 ましい。粘度がこの範囲にあれば、スピンコ ート等の手法により平滑な塗膜を容易に製膜 できる。
 粘度は、回転式粘度計を用い、温度25℃に� �測定する。

(金属酸化物層)
 金属酸化物層は、光透過性であることが好� ��しい。
 金属酸化物としては、光、酸素、または熱� ��対して安定な化合物が好ましく、ZnO、SiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、ZrO ₂ 、SnO ₂ 、CaOが好ましく、転写の耐久性の点から、Si� ��AlおよびZrからなる群から選ばれる少なくと も1種の金属の酸化物がより好ましく、SiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、ZrO ₂ が特に好ましい。

 金属酸化物層の厚さは、平均で1~10nmが好ま� ��く、2~8nmが特に好ましい。金属酸化物層の� �さが1nm以上であれば、金属酸化物層が緻密� �なり、モールドとして用いた際に、転写材� �ある光硬化性樹脂組成物がモールドベース� �侵食することがないため、転写の耐久性が� �上する。金属酸化物層の厚さが10nm以下であ� ��ば、金属酸化物層とモールドベースとの密� ��性が向上し、転写の耐久性が向上する。
 金属酸化物層の厚さは、モールドベースの� ��の間に形成される凸条の上に形成された金� ��酸化物層の高さの最大値とする。

(離型層)
 離型層は離型剤から形成される。離型剤は� ��金属酸化物層の金属酸化物と化学結合しう� ��基を有する化合物を含むことが好ましい。� ��学結合としては、共有結合、イオン結合、� ��位結合のいずれであってもよく、共有結合� ��好ましい。金属酸化物と化学結合しうる基� ��しては、ケイ素原子、チタン原子もしくは� ��ルミニウム原子を含む加水分解性基;カルボ キシル基、アシル基、水酸基、リン酸基、ホ スホノ基、ホスフィノ基、アミノ基またはメ ルカプト基が挙げられ、下式(1)で表される基 が特に好ましい。
 -Si(R ¹ ) _t (R ² ) _3-t  ・・・(1)。
 ただし、R ¹ は、水酸基または加水分解可能な置換基であ り、R ² は、水素原子または1価の炭化水素基であり� �tは、1~3の整数である。

 R ¹ における加水分解可能な置換基としては、ハ ロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基等 が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素 原子が好ましい。アルコキシ基としては、メ トキシ基またはエトキシ基が好ましく、メト キシ基がより好ましい。
 R ² における1価の炭化水素基としては、アルキ� �基、1以上のアリール基で置換されたアルキ� ��基、アルケニル基、アルキニル基、シクロ� ��ルキル基、アリール基等が挙げられ、アル� ��ル基またはアルケニル基が好ましい。R ² がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキ ル基が好ましく、メチル基またはエチル基が より好ましい。R ² がアルケニル基である場合、炭素数2~4のアル ケニル基が好ましく、ビニル基またはアリル 基がより好ましい。

 離型剤は、フルオロアルキル基(エーテル 性酸素原子を有していてもよい。)、シリコ� �ン鎖、または炭素数4~24の長鎖アルキル基を� ��する化合物を含むことが好ましく、フルオ� ��アルキル基を有する化合物を含むことが特� ��好ましい。

 フルオロアルキル基としては、パーフルオ� ��アルキル基、ポリフルオロアルキル基、パ� ��フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
 シリコーン鎖としては、ジメチルシリコー� ��、メチルフェニルシリコーン等が挙げられ� ��。
 炭素数4~24の長鎖アルキル基としては、n-ヘ� ��シル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノ� ��ル基、n-デシル基、n-ドデシル基、ラウリル 基、オクタデシル基等が挙げられる。これら の基は直鎖状であっても分岐状であってもよ い。

 離型剤としては、下式(2)で表される化合� ��が好ましい。

 ただし、Rfは、パーフルオロアルキル基で� �り、Zは、フッ素原子またはトリフルオロメ� ��ル基であり、a、b、c、d、およびeは、それ� �れ0以上の整数であり、a+b+c+d+eは、1以上であ り、a、b、c、d、およびeでくくられた各繰り� ��し単位の存在順序は、式中において限定さ� ��ず、Xは、金属酸化物と化学結合しうる基で ある。
 Xとしては、下式(3)で表される基が好ましい 。

 ただし、Yは、水素原子または炭素数1~4のア ルキル基であり、X’は、水素原子、臭素原� �またはヨウ素原子であり、R ¹ は、水酸基または加水分解可能な置換基であ り、R ² は、水素原子または1価の炭化水素基であり� �kは、0~2の整数であり、mは、1~3の整数であり 、nは、1以上の整数である。

 離型剤としては、下式(4)で表される化合� ��が特に好ましい。

 ただし、pは、1以上の整数であり、Y、X’、 R ¹ 、R ² 、k、m、およびnは、それぞれ上式(3)と同義で ある。

 離型剤の市販品としては、下記のものが挙� ��られる
 フッ素系の離型剤:ゾニールTCコート(デュポ ン社製)、オプツールDSX、オプツールHD2100(ダ� ��キン工業社製)、デュラサーフHD-2101Z(ダイキ ン工業社製)、サイトップCTL-107M(旭硝子社製)� ��サイトップCTL-107A(旭硝子社製)、ノベックEGC -1720(3M社製)等。
 有機物系離型剤:シリコーン系樹脂(ジメチ� �シリコーン系オイルKF96(信越シリコーン社製 )等)、アルカン系樹脂(アルキル系単分子膜を 形成するSAMLAY(日本曹達社製)等。)等。

 離型層の厚さは、平均で1~10nmが好ましく、2 ~8nmが特に好ましい。離型層の厚さが1nm以上� �あれば、金属酸化物層が離型層によって充� �に被覆され、離型性が向上する。離型層の� �さが10nm以下であれば、微細凹凸構造を精度� ��く転写できる。離型層は、離型剤の単分子� ��も含む。
 離型層の厚さは、モールドベースの溝の間� ��形成される凸条の上に形成された金属酸化� ��層の、さらにその上に形成された離型層の� ��さの最大値とする。

 金属酸化物層と離型層の厚さは、それぞ� ��1nm以上であり、両者合計の厚さが溝の幅の0 .4以下であることが好ましい。金属酸化物層� ��離型層の厚さはそれぞれ1nm以上であり、両� ��合計の厚さが溝の幅の0.3以下であることが� ��り好ましい。金属酸化物層と離型層の厚さ� ��これらの条件を満足することによって、転� ��可能な幅が溝として存在するため、モール� ��として機能する。

 離型層の水に対する接触角は、90゜以上が� �ましく、95°以上がより好ましい。該接触角� ��90゜以上であれば、離型性が良好となる。
 離型層の水に対する接触角は、JIS K6768に準 拠し、接触角測定装置を用いて、モールドベ ース12の微細凹凸構造が形成されていない部� ��にて25℃で測定する。

(支持基板)
 支持基板は、必要に応じてモールドベース� ��微細凹凸構造が形成された面とは反対側の� ��に設けられる。
 支持基板は、光透過性であることが好まし� ��。
 支持基板の材料としては、PET、ポリカーボ� ��ート(PC)、ポリ塩化ビニル(PVC)、PMMA、COP、透 明フッ素樹脂等が好ましい。

 以上説明した本発明のナノインプリント� ��モールドにあっては、モールドベースと離� ��層との間に金属酸化物層を有しているため� ��耐久性が高い。また、離型層が金属酸化物� ��の表面に形成されているため、モールドベ� ��スが樹脂であっても微細凹凸構造を精度よ� ��転写できる。また、モールドベースが樹脂� ��あるため、安価である。

<ナノインプリント用モールドの製造方法&g t;
 本発明のナノインプリント用モールドの製� ��方法は、下記の工程(i)~(vii)を有する。
 (i)支持基板の表面に光硬化性樹脂組成物の� ��を形成する工程。
 (ii)モールド面に微細凹凸構造を有するマス ターモールドと支持基板を重ねて、マスター モールドのモールド面と支持基板の表面との 間に光硬化性樹脂組成物を挟持する工程。
 (iii)光硬化性樹脂組成物が挟持された状態� �光硬化性樹脂組成物を硬化させて、モール� �面の微細凹凸構造が反転した微細凹凸構造� �表面に有するモールドベースを形成する工� �。
 (iv)モールドベースとマスターモールドとを 分離する工程。
 (v)モールドベースの微細凹凸構造を有する� ��面に金属酸化物層を形成する工程。
 (vi)金属酸化物層の表面に離型層を形成する 工程。
 (vii)必要に応じて、モールドベースから支� �基板を分離する工程。

 以下、工程(i)~(vii)を、ナノインプリント� ��モールド10を例にとり、図2~図6を参照しな� �ら説明する。

(工程(i))
 図2に示すように、光硬化性樹脂組成物30を� ��持基板20上に塗布し、支持基板20の表面に光 硬化性樹脂組成物30の層を形成する。
 塗布法としては、ポッティング法、スピン� ��ート法、ロールコート法、ダイコート法、� ��プレーコート法、キャスト法、ディップコ� ��ト法、スクリーン印刷、転写法等が挙げら� ��る。中でも、スピンコート法、ダイコート� ��、ロールコート法が塗布法として好ましい� ��
 光硬化性樹脂組成物30の塗膜の厚さは、0.5~1 000μmが好ましく、1~40μmがより好ましい。

(工程(ii))
 図3に示すように、複数の凸条42からなる微� ��凹凸構造を表面に有するマスターモールド4 0を、微細凹凸構造が光硬化性樹脂組成物30に 接するように、光硬化性樹脂組成物30に押し� ��け、マスターモールド40と支持基板20を重ね て、マスターモールド40のモールド面と支持� ��板20の表面との間に光硬化性樹脂組成物30を 挟持する。
 マスターモールド40の材料としては、石英� �シリコン、ニッケル等が好ましい。支持基� �20が光透過性ではない場合、マスターモール ド40の材料としては、石英等の光透過性のも� ��が好ましい。
 マスターモールド40を光硬化性樹脂組成物30 に押しつける際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0 超10MPa(ゲージ圧)以下が好ましく、0.2~9MPaがよ り好ましい。

(工程(iii))
 図4に示すように、マスターモールド40のモ� ��ルド面と支持基板20の表面との間に光硬化� �樹脂組成物30が挟持された状態で光硬化性樹 脂組成物30に光(紫外線等。)を照射し、光硬� �性樹脂組成物30を硬化させて、マスターモー ルド40の微細凹凸構造(凸条42)が反転した微細 凹凸構造(溝14)を表面に有するモールドベー� �12を形成する。
 光の照射は、支持基板20およびマスターモ� �ルド40が光透過性の場合は、支持基板20側か� ��行ってもよく、マスターモールド40側から� �ってもよい。支持基板20およびマスターモー ルド40の一方が光透過性であり、他方が光透� ��性でない場合は、光透過性の側から行う。
 光の照射による硬化と加熱による硬化とを� ��用してもよい。
 光照射の光源としては、高圧水銀灯等が用� ��られる。
 深部硬化性、表面硬化性ともに良好で、有� ��材料を劣化させないことから、365nmの波長� �光を250~1200mJ照射するのが好ましい。

(工程(iv))
 図5に示すように、モールドベース12とマス� ��ーモールド40とを分離する。

(工程(v))
 図6に示すように、モールドベース12の微細� ��凸構造を有する表面に金属酸化物層16を形� �する。
 金属酸化物層16の形成方法としては、蒸着� �、スパッタ法、めっき法等が挙げられ、金� �酸化物層16を均一に形成できる点から、スパ ッタ法が好ましい。
 また、スパッタ法によれば、粒子の平均自� ��工程が蒸着に比べ短いため、複雑な微細凹� ��構造の全てを平均的に被覆できる。また、� ��パッタ法によれば、粒子の衝突エネルギー� ��大きいため、金属酸化物層16の膜質が緻密� �なり、また、金属酸化物層16とモールドベー ス12との密着性が向上し、結果として、転写� ��耐久性が向上する。
 スパッタ法としては、金属酸化物をターゲ� ��トに用いる方法;または、金属をターゲット に用い、堆積した金属層を酸素イオン照射に より酸化して金属酸化物層とする方法(反応� �スパッタ法)が挙げられる。

(工程(vi))
 金属酸化物層16の表面を離型剤で処理して� �金属酸化物層16の表面に離型層18を形成し、� ��1に示すナノインプリント用モールド10を得� ��。
 離型剤で処理する方法としては、ウエット� ��ート法またはドライコート法が挙げられる� ��ウエットコート法としては、スピンコート� ��、ディップコート法、スプレーコート法等� ��挙げられ、離型層18の均一性の点から、デ� �ップコート法が好ましい。
 ドライコート法としては、CVD法または蒸着� ��が好ましい。
 ウエットコート法においては、離型剤を溶� ��に溶解または分散させることが好ましい。� ��媒としては、フッ素系溶媒が好ましく、CT-S olv.100、CT-Solv.180(旭硝子社製);HFE-700(ダイキン� ��製);ノベック-HFE(3M社製)が挙げられる。
 溶媒中の離型剤の濃度は、0.001~10質量%が好� ��しく、0.01~1質量%がより好ましい。濃度が低 すぎると緻密な離型層が形成されず、離型能 が低下するおそれがある。濃度が高すぎると 離型層が単分子層にならず厚くなりすぎ、転 写精度が低下する。

 ウエットコート法またはドライコート法で� ��理した後の処理は、モールド表面の金属酸� ��膜と離型剤の官能基とが反応して化学結合� ��形成する条件であれば特に制約を受けない� ��60℃以上に加熱することにより反応を促進� �せることができる。また、高湿度下で処理� �ることにより、より反応を加速させること� �できる。
 離型層18を形成する方法としては、離型剤� �含む溶液を金属酸化物層の表面に接触させ� �その後、金属酸化物層の表面を洗浄液で洗� �して乾燥する方法が好ましい。

(工程(vii))
 支持基板20を除くナノインプリント用モー� �ド10の最小厚さHが充分に厚い場合は、モー� �ドベース12から支持基板20を分離して、支持� ��板20のないナノインプリント用モールドと� �てもよい。

 以上説明した本発明のナノインプリント� ��モールドの製造方法にあっては、前記工程( i)~(vi)を有する方法、すなわち光インプリン� �法でモールドベースを形成し、その後、金� �酸化物層および離型層を順に形成する方法� �あるため、微細凹凸構造を精度よく転写で� �、安価で、かつ耐久性が高いナノインプリ� �ト用モールドを生産性よく製造できる。

<表面に微細凹凸構造を有する樹脂成形体� �製造方法>
 本発明の表面に微細凹凸構造を有する樹脂� ��形体(以下、単に「樹脂成形体」とも記す。 )の製造方法は、下記の工程(a)~(d)を有する。
 (a)支持基板の表面に光硬化性樹脂組成物の� ��を形成する工程。
 (b)本発明のナノインプリント用モールドと� ��持基板を重ねて、微細凹凸構造を有するモ� ��ルド面と支持基板の表面との間に光硬化性� ��脂組成物を挟持する工程。
 (c)光硬化性樹脂組成物が挟持された状態で� ��硬化性樹脂組成物を硬化させて、モールド� ��の微細凹凸構造が反転した微細凹凸構造を� ��面に有する樹脂成形体を形成する工程。
 (d)樹脂成形体とモールドとを分離する工程� ��

 樹脂成形体としては、ワイヤグリッド型偏� ��子の光透過性基板、プリズム、導光板、モ� ��アイ等の光学部材用の光透過性基板、バイ� ��センサー用支持基板、細胞培養シート用パ� ��ーニング基板、半導体用途部材作製のため� ��プロセス部材、磁気ディスク用途部材作製� ��ためのプロセス部材等が挙げられる。
 以下、ワイヤグリッド型偏光子を例にとり� ��本発明の樹脂成形体の製造方法を詳細に説� ��する。

<ワイヤグリッド型偏光子>
 図7は、本発明の製造方法で得られるワイヤ グリッド型偏光子の一例を示す断面図である 。ワイヤグリッド型偏光子50は、複数の凸条5 2が互いに平行にかつ一定のピッチPpで表面に 形成された、光硬化性樹脂組成物の硬化物か らなる光透過性基板54と、光透過性基板54の� �条52上に形成された金属細線56とを有する。

(光透過性基板)
 凸条52のピッチPpは、凸条52の幅Dpと、凸条52 間に形成される溝の幅との合計である。凸条 52のピッチPpは、300nm以下が好ましく、40~200nm� ��より好ましい。ピッチPpを300nm以下とするこ とにより、ワイヤグリッド型偏光子50が充分� ��高い反射率、および、400nm程度の短波長領� �においても高い偏光分離能を示す。また、� �折による着色現象が抑えられる。

 凸条52の幅DpとピッチPpの比(Dp/Pp)は、0.1~0. 6が好ましく、0.4~0.55がより好ましい。Dp/Ppを0 .1以上とすることにより、ワイヤグリッド型� ��光子50の偏光分離能が充分に高くなる。Dp/Pp を0.6以下とすることにより、干渉による透過 光の着色が抑えられる。

 凸条52の高さHpは、50~500nmが好ましく、100~ 300nmがより好ましい。高さHpを50nm以上とする� ��とにより、凸条52上への金属細線56の選択的 な形成が容易となる。高さHpを500nm以下とす� �ことにより、ワイヤグリッド型偏光子50の偏 光度の入射角度依存性が小さくなる。

 光透過性基板は、光硬化性樹脂組成物の硬� ��物からなる基板である。
 光硬化樹脂性組成物としては、生産性の点� ��ら、光重合可能なモノマーを含む組成物が� ��ましい。

 光硬化性樹脂組成物の硬化物の水に対す� ��接触角は、90°以上が好ましく、95°以上が� �り好ましい。該接触角が90°以上であれば、� ��インプリント法により凸条52を形成する際� �モールドとの離型性がよくなり、精度の高� �転写が可能となり、得られるワイヤグリッ� �型偏光子50が目的とする性能を充分に発揮で きる。

(金属細線)
 金属細線56の高さHmは、30~300nmが好ましく、1 00~150nmがより好ましい。高さHmを30nm以上とす� ��ことにより、ワイヤグリッド型偏光子50が� �分に高い反射率および偏光分離能を示す。� �さHmを300nm以下とすることにより、光の利用� ��率が上がる。

 金属細線56の幅Dmと凸条52の幅Dpとの比(Dm/Dp)� ��、1.0~3.0が好ましく、1.1~2.0がより好ましい� �Dm/Dpを1.0以上とすることにより、s偏光の透� �率を低くすることができ、偏光分離能が向� �する。Dp/Ppを2.0以下とすることにより、p偏� �が高い透過率を示す。
 金属細線56の幅Dmは、凸条52の幅Dpよりも大� �くなる場合が多い。よって、金属細線56の幅 Dmは、凸条52の上に形成された金属細線56の幅 の最大値とする。

 金属細線の材料としては、可視光に対する� ��射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ� ��い導電率を有する点から、銀、アルミニウ� ��、クロム、マグネシウムが好ましく、アル� ��ニウムが特に好ましい。
 金属細線の断面形状としては、正方形、長� ��形、台形、円形、楕円形、その他様々な形� ��が挙げられる。

<ワイヤグリッド型偏光子の製造方法>
 本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方� ��は、下記の工程(a)~(f)を有する。
 (a)支持基板の表面に光硬化性樹脂組成物の� ��を形成する工程。
 (b)モールド面に、互いに平行にかつ一定の� ��ッチで形成された複数の溝からなる微細凹� ��構造が形成された本発明のナノインプリン� ��用モールドと支持基板を重ねて、溝を有す� ��モールド面と支持基板の表面との間に光硬� ��性樹脂組成物を挟持する工程。
 (c)光硬化性樹脂組成物が挟持された状態で� ��光硬化性樹脂組成物を硬化させて、モール� ��面の溝に対応する複数の凸条を有する光透� ��性基板を形成する工程。
 (d)光透過性基板と本発明のナノインプリン� ��用モールドとを分離する工程。
 (e)光透過性基板の凸条上に金属層を形成す� ��工程。
 (f)必要に応じて、光透過性基板から支持基� ��を分離する工程。

 以下、工程(a)~(f)を、ワイヤグリッド型偏 光子50を例にとり、図8~図12を参照しながら説 明する。

(工程(a))
 図8に示すように、光硬化性樹脂組成物60を� ��持基板58上に塗布し、支持基板58の表面に光 硬化性樹脂組成物60の層を形成する。
 支持基板58の材料としては、無機材料(石英� ��ガラス、金属等。)、樹脂(ポリジメチルシ� �キサン、透明フッ素樹脂等。)等が挙げられ� ��。
 塗布法としては、ポッティング法、スピン� ��ート法、ロールコート法、ダイコート法、� ��プレーコート法、キャスト法、ディップコ� ��ト法、スクリーン印刷、転写法等が挙げら� ��る。中でも、スピンコート法、ダイコート� ��、ロールコート法が塗布法として好ましい� ��
 光硬化性樹脂組成物60の塗膜の厚さは、0.5~1 000μmが好ましく、1~40μmがより好ましい。

(工程(b))
 図9に示すように、表面に、互いに平行にか つ一定のピッチで形成された複数の溝14から� ��る微細凹凸構造が形成されたナノインプリ� ��ト用モールド10を、溝14を有するモールド面 が光硬化性樹脂組成物60に接するように、光� ��化性樹脂組成物60に押しつけ、ナノインプ� �ント用モールド10と支持基板58を重ねて、溝1 4を有するモールド面と支持基板58の表面との 間に光硬化性樹脂組成物60を挟持する。
 ナノインプリント用モールド10を光硬化性� �脂組成物60に押しつける際のプレス圧力(ゲ� �ジ圧)は、0超10MPa以下が好ましく、0.2~5MPaが� �り好ましい。

 なお、ナノインプリント用モールドをロ� ��ル状とすることにより、ロールを回転させ� ��がらモールドを光硬化性樹脂組成物に押し� ��け、光硬化性樹脂組成物を硬化でき、連続� ��に溝に対応する凸条を転写できるため、ワ� ��ヤグリッド型偏光子を大面積化できる。

(工程(c))
 図10に示すように、溝14を有するモールド面 と支持基板58の表面との間に光硬化性樹脂組� ��物60が挟持された状態で光硬化性樹脂組成� �60に光(紫外線等。)を照射し、光硬化性樹脂� ��成物60を硬化させて、モールド面の溝14に対 応する複数の凸条52を有する光透過性基板54� �形成する。
 光の照射は、支持基板58およびナノインプ� �ント用モールド10が光透過性の場合は、支持 基板58側から行ってもよく、ナノインプリン� ��用モールド10側から行ってもよい。支持基� �58およびナノインプリント用モールド10の一� ��が光透過性であり、他方が光透過性でない� ��合は、光透過性の側から行う。
 深部硬化性、表面硬化性ともに良好で、有� ��材料を劣化させないことから、365nmの波長� �光を250~1200mJ照射するのが好ましい。

(工程(d))
 図11に示すように、光透過性基板54とナノイ ンプリント用モールド10とを分離する。なお� ��工程(d)の前に、工程(f)を行ってもよい。

(工程(e))
 図12に示すように、光透過性基板54の凸条52� ��に金属細線56を形成する。なお、工程(e)の� �に、工程(f)を行ってもよい。
 金属細線56の形成方法としては、蒸着法、� �パッタ法、めっき法等が挙げられ、凸条52上 に金属細線56を選択的に形成する点から、斜� ��蒸着法が好ましい。本発明のようにピッチP pが狭く、かつ凸条52が高い場合、斜方蒸着を 充分低い角度から行うことにより、凸条52上� ��選択的に金属の層を形成することができる� ��また、薄い金属の層を斜方蒸着法により形� ��し、その後めっき法で他の金属の層をその� ��に重ねて、所望の厚さの金属細線を形成す� ��こともできる。

(工程(f))
 光透過性基板54から支持基板58を分離し、図 7に示すワイヤグリッド型偏光子50を得る。
 なお、支持基板58が透光材料からなる場合� �支持基板58を分離することなく、光透過性基 板54と支持基板58とを一体化させたものを、� �イヤグリッド型偏光子として用いてもよい� �

 以上説明した本発明のワイヤグリッド型� ��光子の製造方法にあっては、前記工程(a)~(f) を有する方法、すなわち光インプリント法で あるため、ワイヤグリッド型偏光子を生産性 よく製造できる。また、微細凹凸構造を精度 よく転写できる本発明のナノインプリント用 モールドを用いているため、モールドの微細 凹凸構造が精度よく転写されたワイヤグリッ ド型偏光子を製造できる。また、耐久性が高 い本発明のナノインプリント用モールドを用 いているため、モールドを繰り返し用いるこ とができ、その結果、低コストでワイヤグリ ッド型偏光子を製造できる。