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Title:
OPTOELECTRONIC COMPONENT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2020/165164
Kind Code:
A1
Abstract:
In at least one embodiment, the optoelectronic component (300) comprises an optoelectronic semiconductor chip (100) and a reflective housing (200). The optoelectronic semiconductor chip comprises a semiconductor layer sequence (1) having an active layer (10) which generates primary radiation during the intended operation, and multiple conversion elements (21, 22). The conversion elements (21, 22) are designed to convert the primary radiation into a secondary radiation. The conversion elements (21, 22) are respectively designed as a nanorod or microrod. The conversion elements (21, 22) are embedded in the semiconductor layer sequence (1). The semiconductor chip (100) is mounted in a recess of the housing (200) and surrounded laterally by reflective inner surfaces (205) of the housing (200).

Inventors:
HERRMANN SIEGFRIED (DE)
Application Number:
PCT/EP2020/053460
Publication Date:
August 20, 2020
Filing Date:
February 11, 2020
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
International Classes:
H01L33/50; H01L25/075; H01L33/20
Domestic Patent References:
WO2010146390A22010-12-23
Foreign References:
DE102013200509A12014-07-17
EP2242120A12010-10-20
EP2571065A12013-03-20
DE102016101442A12017-07-27
JP2009009978A2009-01-15
DE102019103492A2019-02-12
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Optoelektronisches Bauelement (300), umfassend:

- einen optoelektronischen Halbleiterchip (100),

- ein Gehäuse (200), wobei

- der Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), die im bestimmungsgemäßen Betrieb eine Primärstrahlung erzeugt, und mehrere

Konversionselemente (21, 22) umfasst,

- die Konversionselemente (21, 22) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu

konvertieren,

- die Konversionselemente (21, 22) jeweils monolithisch mit der Halbleiterschichtenfolge (1) verbunden sind,

- die Konversionselemente (21, 22) in der

Halbleiterschichtenfolge (1) eingebettet sind,

- der Halbleiterchip (100) in einer Ausnehmung des Gehäuses (200) montiert ist und lateral von reflektierenden

Innenflächen (205) des Gehäuses (200) umgeben ist.

2. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 1, wobei

- die Konversionselemente (21, 22) des Halbleiterchips (100) erste Konversionselemente (21) und zweite Konversionselemente (22) umfassen,

- die ersten Konversionselemente (21) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung in eine erste Sekundärstrahlung zu konvertieren,

- die zweiten Konversionselemente (22) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung in eine zweite Sekundärstrahlung zu konvertieren,

- die erste und zweite Sekundärstrahlung verschieden

voneinander sind. 3. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 2, wobei

- der Halbleiterchip (100) eine Emissionsseite (101)

aufweist,

- die Emissionsseite (101) einen ersten Abschnitt (21a) und einen zweiten Abschnitt (22a) umfasst,

- der erste Abschnitt (21a) und der zweite Abschnitt (22a) jeweils einfach zusammenhängend ausgebildet sind und nicht miteinander überlappen,

- dem ersten Abschnitt (21a) nur erste Konversionselemente (21) zugeordnet sind und dem zweiten Abschnitt (22a) nur zweite Konversionselemente (22) zugeordnet sind.

4. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 3, wobei

- die Emissionsseite (101) mehrere erste Abschnitte (21a) und/oder mehrere zweite Abschnitte (22a) umfasst,

- die ersten Abschnitte (21a) und die zweiten Abschnitte (22a) jeweils einfach zusammenhängend ausgebildet sind und nicht miteinander überlappen,

- den ersten Abschnitten (21a) jeweils nur erste

Konversionselemente (21) zugeordnet sind und den zweiten Abschnitten (22a) jeweils nur zweite Konversionselemente (22) zugeordnet sind.

5. Optoelektronisches Bauelement (300) nach einem der

vorhergehenden Ansprüche, wobei

- zusätzlich zu dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) ein weiterer solcher optoelektronischer Halbleiterchip (100) in der Ausnehmung des Gehäuses (200) montiert ist.

6. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 5, wobei - der optoelektronische Halbleiterchip (100) ausschließlich erste Konversionselemente (21) umfasst, - der weitere optoelektronische Halbleiterchip (100)

ausschließlich zweite Konversionselemente (22) umfasst.

7. Optoelektronisches Bauelement (300) nach einem der

vorhergehenden Ansprüche,

wobei das optoelektronische Bauelement (300) eine Vielzahl von Pixeln (15) umfasst, die einzeln und unabhängig

voneinander ansteuerbar sind, wobei ein angesteuertes Pixel (15) elektromagnetische Strahlung emittiert.

8. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 7, wobei

- das optoelektronische Bauelement (300) eine Vielzahl der optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst, die in der Ausnehmung des Gehäuses (200) montiert sind,

- jedem Pixel (15) ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) zugeordnet ist.

9. Optoelektronisches Bauelement (300) nach Anspruch 7, wobei

- der optoelektronische Halbleiterchip (100) ein pixelierter Halbleiterchip ist,

- jedem Pixel (15) eine Teilfläche einer Emissionsseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) zugeordnet ist.

10. Optoelektronisches Bauelement (300) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei

- der optoelektronische Halbleiterchip (100) die Ausnehmung des Gehäuses (200) nur teilweise ausfüllt,

- die Ausnehmung mit einem Verguss (230) aufgefüllt ist, der den Halbleiterchip (100) umformt.

Description:
Beschreibung

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement mit einem präzise einstellbaren Farbort anzugeben.

Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des unabhängigen Anspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und

Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen

Patentansprüche .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst dieses einen optoelektronischen

Halbleiterchip. Unter einem Halbleiterchip wird hier und im Folgenden ein separat handhabbares und elektrisch

kontaktierbares Element verstanden. Ein Halbleiterchip entsteht bevorzugt durch Vereinzelung aus einem Waferverbund. Insbesondere weisen Seitenflächen eines solchen

Halbleiterchips dann zum Beispiel Spuren aus dem

Vereinzelungsprozess des Waferverbunds auf. Ein

Halbleiterchip umfasst bevorzugt genau einen ursprünglich zusammenhängenden Bereich der im Waferverbund gewachsenen Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips ist bevorzugt zusammenhängend ausgebildet. Eine laterale Ausdehnung des Halbleiterchips, gemessen parallel zur Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge beziehungsweise des Halbleiterchips, ist beispielsweise höchstens 5 % oder höchstens 10 % größer als die laterale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge. Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das optoelektronische Bauelement weiter ein Gehäuse, zum Beispiel ein reflektierendes Gehäuse. Beispielsweise kann das Gehäuse einen elektrisch isolierenden Gehäusekörper, zum Beispiel aus Kunststoff oder Epoxid oder Silikon, umfassen, in dem

reflektierende Partikel, wie Titandioxid-Partikel,

eingebettet sind. Beispielsweise umfasst das Gehäuse ferner einen Leiterrahmen, insbesondere einen zweipoligen

Leiterrahmen, über den das Bauelement elektrisch

kontaktierbar ist. Der Leiterrahmen kann in dem Gehäusekörper eingebettet sein. Die Pole des Leiterrahmens können durch den Gehäusekörper elektrisch voneinander isoliert sein.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge ist bevorzugt zusammenhängend, insbesondere einfach

zusammenhängend, ausgebildet. Die Halbleiterschichtenfolge basiert zum Beispiel auf einem III-V-

Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial, wie Al n In ] __ n-m Ga m N, oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial , wie Al n In ] __ n _ m Ga m P, oder um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial , wie Al n In ] __ n-m Ga m As oder Al n In ] __ n-m Ga m AsP, oder um ein Antimonid- Verbindungshalbleitermaterial , wie Al n In ] __ n-m Ga m Sb, oder um ein Antimonid-Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial , wobei jeweils 0 < n < 1, 0 < m < 1 und m + n < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht, die im

bestimmungsgemäßen Betrieb eine Primärstrahlung erzeugt. Die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine QuantentopfStruktur in Form eines einzelnen

Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer

MultiquantentopfStruktur, kurz MQW. Die aktive Schicht kann im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische

Primärstrahlung im blauen oder grünen oder roten

Spektralbereich oder im UV-Bereich oder im IR-Bereich

erzeugen. Die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge kann zusammenhängend ausgebildet sein. Eine laterale

Ausdehnung der aktiven Schicht beträgt beispielsweise

zumindest 95 % der lateralen Ausdehnung der

Halbleiterschichtenfolge .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip mehrere Konversionselemente. Die Konversionselemente sind bevorzugt aus Halbleitermaterial gebildet, zum Beispiel aus einem der oben genannten III-V- Verbindungshalbleitermaterialien oder aus einem II-VI- Verbindungshalbleitermaterial . Beispielsweise weisen die Konversionselemente jeweils einen aktiven Bereich auf. Neben dem aktiven Bereich können die Konversionselemente jeweils zwei Halbleiterabschnitte umfassen, zwischen denen der aktive Bereich angeordnet ist. Die Halbleiterabschnitte auf

unterschiedlichen Seiten des aktiven Bereichs können

unterschiedlich dotiert sein. Der aktive Bereich der Konversionselemente ist zum Beispiel jeweils dreidimensional geformt. Eine Grenzfläche zwischen dem aktiven Bereich und einem angrenzenden Halbleiterabschnitt ist zum Beispiel nicht durchgehend eben, sondern beispielsweise gekrümmt oder weist Kanten auf. Die Grenzfläche hat zum Beispiel die Form der Mantelfläche eines Kegels oder eines Kegelstumpfes oder einer Pyramide oder eines Pyramidenstumpfes.

Bevorzugt hängen die Konversionselemente untereinander nicht zusammen, sondern sind voneinander getrennt und beabstandet angeordnet. Beispielsweise sind die Konversionselemente oder eine Teilmenge der Konversionselemente in einer Ebene

parallel zu einer Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge nebeneinander angeordnet. Die

Konversionselemente können dabei beispielsweise regelmäßig oder unregelmäßig entlang dieser Ebene angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Konversionselemente dazu eingerichtet, die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung umfassen unterschiedliche

Wellenlängenbereiche. Bei der Konversion absorbieren die Konversionselemente die Primärstrahlung. Bei einer

Rekombination der aus der Absorption entstehenden Elektron- Loch-Paare, beispielsweise in dem aktiven Bereich, wird die Sekundärstrahlung emittiert. Beispielsweise ist das

Intensitätsmaximum der emittierten Sekundärstrahlung bei einer Wellenlänge, die mindestens 50 nm oder mindestens 100 nm oder mindestens 150 nm oder mindestens 200 nm länger ist als die Wellenlänge, bei welcher die Primärstrahlung ihr Intensitätsmaximum aufweist. Beispielsweise ist die

Primärstrahlung sichtbares Licht im blauen Spektralbereich und die Sekundärstrahlung sichtbares Licht im grünen oder gelben oder orangen oder roten Spektralbereich.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Konversionselemente monolithisch mit der

Halbleiterschichtenfolge verbunden. Insbesondere können die Konversionselemente jeweils als Nanorod oder als Mikrorod, zu Deutsch Nanostab oder Mikrostab, ausgebildet sein. Die

Konversionselemente sind also beispielsweise längliche

Strukturen mit einem Aspektverhältnis von zumindest 1 oder zumindest 1,3 oder zumindest 2, wobei das Aspektverhältnis das Verhältnis von Länge zu Durchmesser definiert. Das

Aspektverhältnis ist zum Beispiel höchstens 10 oder höchstens 5. Nanorods haben einen Durchmesser von zum Beispiel

zumindest 10 nm und höchstens 1 gm. Mikrorods haben zum

Beispiel einen Durchmesser von mehr als 1 gm und zum Beispiel höchstens 10 pm. Die Nanostäbe oder Mikrostäbe können jeweils die Form eines viereckigen oder sechseckigen Obelisken oder einer Pyramide oder eines Kegels oder eines Zylinders

aufweisen. Längsachsen der Konversionselemente verlaufen beispielsweise im Rahmen der Herstellungstoleranz alle parallel zueinander. Die Längsachsen der Konversionselemente verlaufen im Rahmen der Herstellungstoleranz bevorzugt senkrecht zur Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Konversionselemente in der Halbleiterschichtenfolge

eingebettet oder vergraben. Insbesondere sind die

Konversionselemente epitaktisch mit der

Halbleiterschichtenfolge überwachsen. Die Konversionselemente sind beispielsweise in alle lateralen Richtungen parallel zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge oder in alle Raumrichtungen vollständig von der

Halbleiterschichtenfolge umgeben .

Beispielsweise ist die Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat gewachsen. Das Aufwachssubstrat ist dabei Teil des Halbleiterchips. Zum Beispiel sind dann die

Konversionselemente zwischen der aktiven Schicht des

Halbleiterchips und dem Aufwachssubstrat der

Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Dann handelt es sich bei dem Halbleiterchip zum Beispiel um einen sogenannten

Saphirchip oder einen Flip-Chip.

Alternativ ist der Halbleiterchip frei von einem

Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge. Nach dem

Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf einem

Aufwachssubstrat ist das Aufwachssubstrat also abgelöst worden. Bei dem Halbleiterchip handelt es sich in diesem Fall insbesondere um einen Dünnfilmchip. Der Halbleiterchip kann dann zum Beispiel einen Träger umfassen, auf dem die

Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Der Träger

unterscheidet sich von dem Aufwachssubstrat. Der Träger stabilisiert insbesondere die Halbleiterschichtenfolge. Der Träger kann elektrisch leitend sein. Bei dem Träger kann es sich um einen Siliziumträger oder Kunststoffträger oder

Keramikträger handeln. Der Träger kann auch eine Anzahl

Metalle umfassen oder aus einer Mischung aus Metall und

Kunststoff hergestellt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

optoelektronische Halbleiterchip in einer Ausnehmung des Gehäuses montiert. Lateral, also in lateraler Richtung, ist der Halbleiterchip von reflektierenden Innenflächen des

Gehäuses umgeben, bevorzugt vollständig umgeben. Der Halbleiterchip ist zum Beispiel auf einer Montagefläche des Gehäuses, welche eine Bodenfläche der Ausnehmung bildet, montiert und elektrisch angeschlossen. Die Innenflächen verlaufen bevorzugt quer oder senkrecht zur Montagefläche.

Beispielsweise hat die Ausnehmung die Form eines

Rotationskörpers, wie eines Kegelstumpfs. In diesem Fall sind Innenflächen der Ausnehmung im Rahmen der

Herstellungstoleranz flach ausgebildet und definieren die Mantelfläche des Kegelstumpfs. Alternativ können die

Innenflächen konkav gekrümmt sein. Dann hat die Ausnehmung zum Beispiel die Form eines Rotationsparaboloids . Die

gekrümmten Innenflächen können sphärisch oder asphärisch gekrümmt sein.

Der Halbleiterchip ist bevorzugt vollständig in der

Ausnehmung angeordnet. Die Ausnehmung ist zum Beispiel tiefer als der Halbleiterchip hoch oder dick ist. Bevorzugt überragt das Gehäuse dann den Halbleiterchip in Richtungen senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips.

Die reflektierenden Innenflächen der Ausnehmung sind dem Halbleiterchip zugewandt. Beispielsweise sind die

Innenflächen in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip beabstandet. Elektromagnetische Strahlung, die von dem

Halbleiterchip emittiert wird, wird von den Innenflächen der Ausnehmung zurückgeworfen. Beispielsweise beträgt der

Reflexionsgrad der Innenflächen für die von dem

Halbleiterchip emittierte Strahlung mindestens 60 % oder mindestens 70 % oder mindestens 80 % oder mindestens 90 %.

Die Innenflächen können zum Beispiel mit einer Beschichtung versehen sein. Beispielsweise umfasst die Beschichtung ein Metall, etwa Aluminium, Silber, Chrom oder Nickel oder eine metallische Legierung mit zumindest einem dieser Materialien.

Die reflektierenden Innenflächen sind dazu eingerichtet, Strahlung, die durch den Halbleiterchip, insbesondere durch Seitenflächen des Halbleiterchips, in lateraler Richtung emittiert wird, zu reflektieren und umzulenken. Die

Innenflächen sind dabei insbesondere so ausgebildet, dass ein Großteil der reflektierten Strahlung die Ausnehmung des

Gehäuses verlässt, ohne erneut auf das Gehäuse zu treffen.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement einen optoelektronischen

Halbleiterchip und ein reflektierendes Gehäuse. Der

optoelektronische Halbleiterchip umfasst eine

Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die im bestimmungsgemäßen Betrieb eine Primärstrahlung erzeugt und mehrere Konversionselemente. Die Konversionselemente sind dazu eingerichtet, die Primärstrahlung in eine

Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Konversionselemente sind jeweils als Nanorod oder Mikrorod ausgebildet. Die

Konversionselemente sind in der Halbleiterschichtenfolge eingebettet. Der Halbleiterchip ist in einer Ausnehmung des Gehäuses montiert und lateral von reflektierenden

Innenflächen des Gehäuses umgeben.

Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere die Idee zugrunde, einen Halbleiterchip, bei dem Konversionselemente in der Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips

eingebettet sind, in einem Gehäuse zu montieren. Dank des Gehäuses kann die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung gerichtet abgestrahlt werden. Durch Einstellung der Dichte und Anordnung der

Konversionselemente kann die Intensität und/oder der Farbort des optoelektronischen Bauelements präzise eingestellt werden. Durch die Anordnung der Konversionselemente kann beispielsweise unerwünschte Reabsorption von bereits

umgewandelter Primärstrahlung verringert werden, wobei gleichzeitig eine gute Durchmischung der Primär- und

Sekundärstrahlung erreicht wird. Auch für die thermischen Eigenschaften ist das Einbetten der Konversionselemente vorteilhaft .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfassen die Konversionselemente erste

Konversionselemente und zweite Konversionselemente. Dabei sind die ersten Konversionselemente dazu eingerichtet, die Primärstrahlung in eine erste Sekundärstrahlung zu

konvertieren. Die zweiten Konversionselemente sind dazu eingerichtet, die Primärstrahlung in eine zweite

Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die erste und zweite

Sekundärstrahlung sind verschieden voneinander.

Zum Beispiel weisen die ersten und zweiten

Konversionselemente unterschiedliche Materialien auf. Die ersten Konversionselemente sind im Rahmen der

Herstellungstoleranz bevorzugt alle gleich aufgebaut. Ebenso können die zweiten Konversionselemente im Rahmen der

Herstellungstoleranz alle gleich aufgebaut sein. Insbesondere sind die erste und die zweite Sekundärstrahlung sowie die Primärstrahlung paarweise verschieden voneinander.

Beispielsweise beträgt der Abstand der Wellenlängen, bei denen die erste Sekundärstrahlung und die zweite

Sekundärstrahlung ihr Intensitätsmaximum aufweisen,

mindestens 50 nm oder mindestens 100 nm oder mindestens 150 nm. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstand mindestens 200 nm betragen. Bei der Primärstrahlung kann es sich

beispielsweise um Licht des blauen Spektralbereichs handeln, bei der ersten Sekundärstrahlung um Licht des grünen

Spektralbereichs und bei der zweiten Sekundärstrahlung um Licht des roten Spektralbereichs.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die kristallin mit der Halbleiterschichtenfolge verbundenen

Konversionselemente einen Streuquerschnitt von höchstens 10 Mikrometer, zum Beispiel von höchstens 2 gm x 5 gm auf.

Insbesondere weisen die Konversionselemente einen solchen Streuquerschnitt für Strahlung auf, die sich teilweise oder vollständig in lateraler Richtung, sprich parallel zur

Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge,

ausbreitet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

optoelektronische Halbleiterchip eine Emissionsseite auf. Beispielsweise erstreckt sich die Emissionsseite im

Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene des

Halbleiterchips. Über die Emissionsseite werden im Betrieb beispielsweise zumindest 25 % oder zumindest 50 % oder zumindest 75 % der von dem Halbleiterchip erzeugten Strahlung emittiert. Die Emissionsseite ist bevorzugt dem Gehäuse, insbesondere der Montagefläche des Gehäuses, abgewandt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Emissionsseite einen ersten Abschnitt und einen zweiten

Abschnitt. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt sind also Teilflächen der Emissionsseite. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt sind jeweils einfach zusammenhängend ausgebildet und überlappen nicht miteinander. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind dem ersten

Abschnitt nur erste Konversionselemente zugeordnet und dem zweiten Abschnitt sind nur zweite Konversionselemente

zugeordnet. „Zugeordnet" meint vorliegend insbesondere, dass in Draufsicht auf die Emissionsseite betrachtet, der erste Abschnitt nur mit ersten Konversionselementen und der zweite Abschnitt nur mit zweiten Konversionselementen überlappt. Beispielsweise sind dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt jeweils zumindest zehn oder zumindest 100

entsprechende Konversionselemente zugeordnet. Zum Beispiel sind einem einzigen ersten Abschnitt alle ersten

Konversionselemente und einem einzigen zweiten Abschnitt alle zweiten Konversionselemente zugeordnet.

Durch die Zuordnung der unterschiedlichen Konversionselemente zu unterschiedlichen Abschnitten der Emissionsseite sind die ersten Konversionselemente räumlich, insbesondere lateral, getrennt von den zweiten Konversionselementen angeordnet. Vorteilhafterweise kann durch die räumlich getrennte

Anordnung der ersten und zweiten Konversionselemente eine Absorption der ersten Sekundärstrahlung durch zweite

Konversionselemente oder umgekehrt verringert oder vermieden werden. Gleichzeitig kann eine gute Durchmischung der

Primärstrahlung, der ersten Sekundärstrahlung und/oder der zweiten Sekundärstrahlung erzielt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Emissionsseite mehrere erste Abschnitte und/oder mehrere zweite Abschnitte. Die ersten Abschnitte und die zweiten Abschnitte sind jeweils einfach zusammenhängend ausgebildet und überlappen nicht miteinander. Insbesondere überlappen die ersten Abschnitte untereinander nicht miteinander, die zweiten Abschnitte überlappen untereinander nicht miteinander und die ersten und zweiten Abschnitte überlappen nicht miteinander. Die Abschnitte sind also paarweise disjunkt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind den ersten

Abschnitten jeweils nur erste Konversionselemente zugeordnet und den zweiten Abschnitten jeweils nur zweite

Konversionselemente zugeordnet. Insbesondere sind jedem ersten Abschnitt zumindest zehn oder zumindest 100 erste Konversionselemente und jedem zweiten Abschnitt zumindest zehn oder zumindest 100 zweite Konversionselemente

zugeordnet. Die ersten und zweiten Abschnitte können in

Draufsicht auf die Emissionsseite betrachtet alternierend angeordnet sein. Beispielsweise bilden die ersten und zweiten Abschnitte ein Streifenmuster oder ein Schachbrettmuster. Dabei können die ersten und zweiten Abschnitte in Draufsicht betrachtet jeweils rechteckig ausgebildet sein. Alternativ können die ersten und zweiten Abschnitte in Draufsicht betrachtet jeweils eine hexagonale Form aufweisen. In diesem Fall können die ersten und zweiten Abschnitte ein hexagonales Muster bilden. Vorteilhaferweise kann durch die Anordnung der ersten und zweiten Abschnitte in Mustern eine besonders gute Durchmischung der Primärstrahlung und der ersten und zweiten Sekundärstrahlung erzielt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Emissionsseite einen Konversionsbereich, wobei dem

Konversionsbereich die Konversionselemente zugeordnet sind. Der Konversionsbereich bildet eine Teilfläche der

Emissionsseite. Beispielsweise beträgt eine laterale

Ausdehnung des Konversionsbereichs wenigstens 50 % oder wenigstens 75 % einer lateralen Ausdehnung der

Emissionsseite. Beispielsweise kann Strahlung, die von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittiert wird über die reflektierenden Innenflächen auf den Konversionsbereich fokussiert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zusätzlich zu dem optoelektronischen Halbleiterchip ein weiterer solcher optoelektronischer Halbleiterchip in der Ausnehmung des Gehäuses montiert. Der weitere optoelektronische

Halbleiterchip kann dabei alle Merkmale aufweisen, die für den zuvor beschrieben optoelektronischen Halbleiterchip offenbart wurden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip ausschließlich erste

Konversionselemente und der weitere optoelektronische

Halbleiterchip ausschließlich zweite Konversionselemente. Die ersten und zweiten Konversionselemente können dabei die oben beschriebenen Merkmale für die ersten und zweiten

Konversionselemente eines einzigen optoelektronischen

Halbleiterchips aufweisen. Durch die Verwendung von zwei Halbleiterchips kann eine besonders gute räumliche Trennung erster und zweiter Konversionselemente erzielt werden. Somit kann unerwünschte Absorption erster Sekundärstrahlung durch zweite Konversionselemente und/oder Absorption zweiter

Sekundärstrahlung durch erste Konversionselemente weiter vermieden werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement eine Vielzahl von Pixeln, zu Deutsch Emissionsfelder, die einzeln und unabhängig

voneinander ansteuerbar sind. Dabei emittiert ein

angesteuertes Pixel elektromagnetische Strahlung. In diesem Fall handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement beispielsweise um eine pixelierte Strahlungsquelle. Zum

Beispiel umfasst das Bauelement zumindest vier oder zumindest zehn oder zumindest 100 Pixel.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement eine Vielzahl der

optoelektronischen Halbleiterchips, die in der Ausnehmung des Gehäuses montiert sind. Jeder einzelne optoelektronische Halbleiterchip kann dabei die Merkmale aufweisen, die zuvor für den optoelektronischen Halbleiterchip offenbart wurden. Jedem Pixel ist bevorzugt ein optoelektronischer

Halbleiterchip zugeordnet, insbesondere eineindeutig

zugeordnet. Beispielsweise sind die Pixel in lateraler Ebene mit einem Abstand von höchstens 0,5 pm zueinander angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst eine Mehrzahl der optoelektronischen Halbleiterchips kein

Konversionselement. Beispielsweise sind die

optoelektronischen Halbleiterchips ohne Konversionselement benachbart zu den optoelektronischen Halbleiterchips mit Konversionselement angeordnet. Insbesondere kann Strahlung, die von den optoelektronischen Halbleiterchips emittiert wird, das Gehäuse nur in einem Bereich der optoelektronischen Halbleiterchips verlassen, die ein Konversionselement

umfassen. Beispielsweise umfasst das Gehäuse dazu ein oder mehrere Fenster, sodass in Draufsicht auf das Gehäuse nur Halbleiterchips im Bereich eines Fensters liegen, die

Konversionselemente umfassen. Vorteilhafterweise können dadurch besonders hohe Strahlungsdichten bei gleichzeitig guter Entwärmung der optoelektronischen Halbleiterchips erreicht werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip ein pixelierter Halbleiterchip, bei dem jedem Pixel eine

Teilfläche einer Emissionsseite des optoelektronischen

Halbleiterchips zugeordnet, insbesondere eineindeutig

zugeordnet, ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Pixel jeweils einzeln und unabhängig voneinander betreibbar. Beispielsweise können die Pixel über eine geeignete Steuerelektronik, insbesondere einen

Mikrochip, ansteuerbar sein. Vorteilhafterweise kann somit der Farbort eines pixilierten optoelektronischen Bauelements besonders genau vorgegeben werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform füllt der

optoelektronische Halbleiterchip die Ausnehmung des Gehäuses nur teilweise auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Montagefläche des Gehäuses eine laterale Ausdehnung von beispielsweise 102 % oder 105 % der lateralen Ausdehnung der

Halbleiterschichtenfolge auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die

reflektierenden Innenflächen einen Anstellwinkel von maximal 5 ° auf, wobei die laterale Ausdehnung der Montageseite im Rahmen der Herstellungstoleranz der lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge entspricht. Der Anstellwinkel ist dabei der Winkel, den die reflektierenden Innenflächen mit einer Richtung quer zur Montageseite des Gehäuses einnehmen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Ausnehmung mit einem Verguss aufgefüllt, der den Halbleiterchip umformt. Beispielsweise umfasst der Verguss Silikon, insbesondere Klarsilikon, oder ist daraus gebildet. Der Verguss kann ein Matrixmaterial, zum Beispiel Silikon, umfassen, in dem

Konverterpartikel oder Streupartikel eingebettet sind. Die Konverterpartikel sind beispielsweise dazu eingerichtet, Strahlung, die vom Halbleiterchip emittiert wird, in

Strahlung einer längeren Wellenlänge umzuwandeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die durch das optoelektronische Bauelement emittierte Strahlung im Fernfeld eine Abweichung von höchstens 0,5 MacAdams Ellipsen auf, wobei die Abweichung durch den Unterschied des Farbeindrucks in der Mitte eines Beobachtungsbereichs zu dem Farbeindruck am Rand eines Beobachtungsbereichs gegeben ist. Der

Beobachtungsbereich liegt dabei beispielsweise in einer Ebene parallel zur Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge und weist beispielsweise eine laterale Ausdehnung auf, die tausendmal größer ist als die laterale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements haben die Konversionselemente eine Höhe von höchstens 4 gm, gemessen entlang einer Richtung quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge. Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen Dünnfilmchip. Ein solches optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise Anwendung in einem Hochstromsystem finden, wie zum Beispiel bei einem Scheinwerfer, insbesondere bei einem sogenannten m- AFS System. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement zumindest ein optisches Element, wobei das optische Element dem Gehäuse in einer

Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Die Abstrahlrichtung ist dabei die Richtung, in welche Strahlung, die im

optoelektronischen Halbleiterchip erzeugt wird, aus dem

Gehäuse emittiert wird. Beispielsweise weist eine Oberfläche des optischen Elements, welche dem Gehäuse zugewandt ist, eine laterale Ausdehnung auf, die der lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge entspricht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt der Abstand der Konversionselemente zur Montagefläche des Gehäuses höchstens 5 gm oder höchstens 2 gm. Bevorzugt beträgt der Abstand höchstens 1 pm. Der Abstand wird dabei in einer Richtung quer oder senkrecht zur Montagefläche gemessen. Beispielsweise bildet eine Schicht der Halbleiterschichtenfolge, die

Konversionselemente umfasst, eine Seite der

Halbleiterschichtenfolge, die der Montagefläche zugewandt ist. Insbesondere bildet das Gehäuse im Bereich der

Montagefläche eine Wärmesenke. Vorteilhafterweise können Konversionselemente durch einen solchen Abstand besonders gut entwärmt werden. Dadurch ergibt sich ein besonderer Vorteil, dass die Strahlungsleistung des optoelektronischen

Bauelements, insbesondere in Hochstromanwendungen, erhöht werden kann.

Vorliegend kann bei der Herstellung des optoelektronische Bauelements insbesondere eine dynamische Farbortanpassung im Fertigungsprozess erfolgen. Dabei werden die

Konversionselemente während einer Olinemessung im

Waferprozess erzeugt. Dazu wird eine Photoluminineszenzmap der Halbleiterchips ausgewertet und entsprechende Konverter- Geometrien werden errechnet. Die so gewonnen Korrekturdaten werden dann für die Herstellung des optoelektronischen

Bauelements herangezogen.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und

Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements ergeben sich aus den folgenden in Zusammenhang mit den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die

Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten.

Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren

Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1A bis IC und 4 bis 7 Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelements in verschiedenen Ansichten,

Figuren 2A und 2B Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Halbleiterchips in verschiedenen Ansichten, und

Figuren 3A und 3B Ausführungsbeispiele der

Konversionselemente in Detailansichten.

Figuren 8A bis 8C Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelements in Detailansichten.

In der Figur 1A ist ein erstes Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 300 in Querschnittsansicht dargestellt. Das optoelektronische Bauelement 300 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 100. Der Halbleiterchip 100 umfasst ein Aufwachssubstrat 3,

beispielsweise ein Saphirsubstrat. Auf dem Aufwachssubstrat 3 ist eine Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer aktiven Schicht 10 gewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge 1 basiert zum Beispiel auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial. Die aktive Schicht 10 erzeugt im Betrieb Primärstrahlung, zum Beispiel im blauen Spektralbereich. Konversionselemente 21, 22, in Form von Nanorods oder Mikrorods, sind in der

Halbleiterschichtenfolge 1 eingebettet. Die

Konversionselemente 21, 22 konvertieren im Betrieb die

Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung. Die

Konversionselemente 21, 22 basieren beispielsweise auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial. Die vom Halbleiterchip 100 im Betrieb erzeugte Strahlung, zum Beispiel eine Mischung aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung, wird größtenteils über eine Emissionsseite 101 aus dem Halbleiterchip

ausgekoppelt .

Weiter umfasst das in der Figur 1A dargestellte

optoelektronische Bauelement 300 ein Gehäuse 200. Der

Halbleiterchip 100 ist in einer Ausnehmung des Gehäuses 200 auf einer Montagefläche des Gehäuses 200 montiert. Das

Gehäuse 200 weist einen Leiterrahmen 201 und einen

Gehäusekörper 202 auf. Der Leiterrahmen 201 ist vorliegend zweipolig ausgebildet. Der Gehäusekörper 202 ist elektrisch isolierend ausgebildet, umformt den Leiterrahmen 201 und trennt die Pole des Leiterrahmens 201 voneinander. Der

Halbleiterchip 100 ist elektrisch leitend an den Leiterrahmen 201 angeschlossen. Der Leiterrahmen 201 umfasst

beispielsweise Kupfer oder besteht aus Kupfer. Der

Gehäusekörper 202 ist zum Beispiel aus Kunststoff. Die

Emissionsseite 101 ist der Montagefläche abgewandt. Des Weiteren umfasst das Gehäuse 200 reflektierende

Innenflächen 205, die die Ausnehmung lateral begrenzen und die den Halbleiterchip 100 lateral umgeben. Die

reflektierenden Innenflächen 205 sind dazu eingerichtet, Strahlung, die insbesondere durch die Seitenflächen des Halbleiterchips 100 austritt, zu reflektieren. Die Strahlung wird dabei in eine Richtung weg von der Montagefläche aus der Ausnehmung hinaus reflektiert.

Abweichend zu der Figur 1A, ist es möglich, dass eine

Grenzfläche zwischen der aktiven Schicht 10 und einer

Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge 1, in der die Konversionselemente 21, 22 eingebettet sind, strukturiert ist. Die Grenzfläche weist zum Beispiel eine Vielzahl von Erhebungen und Vertiefungen auf. Die Erhebungen liegen beispielsweise in einer vertikalen Richtung, senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterleiterschichtenfolge 1, auf einer Linie mit den Längsachsen der Konversionselemente 21, 22.

Weiter ist es möglich, dass die Emissionsseite 101 Strukturen aufweist. Zum Beispiel weist die Emissionsseite 101 die gleichen Strukturen auf wie die Grenzfläche der aktiven

Schicht 10. Alternativ oder zusätzlich kann die

Emissionsseite 101 und/oder die aktive Schicht 10 eine

Vielzahl von Ausnehmungen aufweisen. Bei den Ausnehmungen handelt es sich zum Beispiel um sogenannte „V-Pit- Strukturen" . Die V-Pit-Strukturen können sich bis zur

Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht 10 erstrecken oder können die Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht 10 durchdringen . In der Figur 1B ist ein Ausführungsbeispiel des

optoelektronischen Bauelements 300 gezeigt, bei dem in einer Ausnehmung eines Gehäuses 200 zwei optoelektronische

Halbleiterchips 100 montiert sind.

In der Figur IC ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 300 in perspektivischer

Ansicht dargestellt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind wie in Figur 1B zwei optoelektronische Halbleiterchips 100 in einer Ausnehmung eines Gehäuses 200 montiert. Die

reflektierenden Innenflächen 205 des Gehäuses 200 umgeben die Halbleiterchips 100 in lateraler Richtung vollständig. Die Halbleiterchips 100 weisen unterschiedliche

Konversionselemente 21, 22 auf. Der in der Figur rechts dargestellte optoelektronische Halbleiterchip 100 umfasst nur erste Konversionselemente 21. Der andere optoelektronische Halbleiterchip 100 umfasst nur zweite Konversionselemente 22. Die ersten Konversionselemente 21 unterscheiden sich von den zweiten Konversionselementen 22 hinsichtlich der

Konversionseigenschaften. Die ersten Konversionselemente 21 konvertieren die Primärstrahlung in eine erste

Sekundärstrahlung und die zweiten Konversionselemente 22 konvertieren die Primärstrahlung in eine zweite

Sekundärstrahlung. Die erste Sekundärstrahlung und die zweite Sekundärstrahlung sind verschieden voneinander.

Beispielsweise handelt es sich bei der ersten

Sekundärstrahlung um Licht im grünen Spektralbereich und bei der zweiten Sekundärstrahlung um Licht im roten

Spektralbereich .

Die Figuren 2A und 2B zeigen ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 100 in Seitenansicht und perspektivischer Ansicht. Bei dem Halbleiterchip 100 handelt es sich beispielsweise um einen Halbleiterchip 100, wie er in den Figuren 1A bis IC gezeigt ist.

In der Figur 3A ist eine Detailansicht eines ersten

Konversionselements 21 gezeigt. Das erste Konversionselement 21 umfasst einen ersten Halbleiterabschnitt 211 in Form eines Kerns. Der erste Halbleiterabschnitt 211 ist mit einem aktiven Bereich 210 ummantelt. Der aktive Bereich 210 dient zur Absorption und/oder Emission von elektromagnetischer Strahlung. Der aktive Bereich 210 ist von einem zweiten

Halbleiterabschnitt 212 in Form einer Schicht ummantelt.

Außerdem sind in der vorliegenden Figur die Reste einer Maske 25 gezeigt, die zum Wachstum des ersten Konversionselements 21 verwendet wurde.

In der Figur 3B sind verschiedene Ausführungsbeispiele für die Konversionselemente dargestellt. Die Konversionselemente können Kern-Hülle-Stäbe sein, die zum Beispiel

zylinderförmig, pyramidenförmig oder obeliskenförmig

ausgebildet sind. Die aktiven Bereiche 210 der

Konversionselemente sind jeweils zwischen einer ersten

Halbleiterschicht 211 und einer zweiten Halbleiterschicht 212 angeordnet. Die aktiven Bereiche 210 der Konversionselemente können jeweils in Form eines Multiquantentopfs ausgebildet sein .

In der Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 300 in Draufsicht gezeigt.

Zwei optoelektronische Halbleiterchips 100 sind in einer in Draufsicht runden Ausnehmung des Gehäuses 200 angebracht. Beide Halbleiterchips 100 umfassen jeweils erste

Konversionselemente 21 und zweite Konversionselemente 22, die die in den Halbleiterchips 100 erzeugte Primärstrahlung in unterschiedliche Sekundärstrahlungen konvertieren. Die

Emissionsseiten 101 der Halbleiterchips 100 umfassen erste Abschnitte 21a und zweite Abschnitte 22a. Die ersten

Abschnitte 21a und die zweiten Abschnitte 22a sind dabei Teilflächen der Emissionsseite 101. Die Emissionsseite 101 des in der Figur oberen abgebildeten Halbleiterchips 100 umfasst genau einen ersten Abschnitt 21a und genau einen zweiten Abschnitt 22a. Der erste Abschnitt 21a und der zweite Abschnitt 22a sind jeweils einfach zusammenhängend

ausgebildet und überlappen nicht miteinander. Alle ersten Konversionselemente 21 sind dem ersten Abschnitt 21a

zugeordnet und alle zweiten Konversionselemente 22 sind dem zweiten Abschnitt 22a zugeordnet.

Der in der vorliegenden Figur untere Halbleiterchip 100 umfasst jeweils zwei erste Abschnitte 21a und zwei zweite Abschnitte 22a. Den ersten Abschnitten 21a sind nur erste Konversionselemente 21 zugeordnet und den zweiten Abschnitten 22a sind nur zweite Konversionselemente zugeordnet. Die

Abschnitte 21a, 22a weisen eine rechteckige Kontur auf und sind in einem Streifenmuster angeordnet. Ferner sind die einzelnen Abschnitte 21a, 22a jeweils einfach zusammenhängend ausgebildet und überlappen nicht miteinander.

In der Figur 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 300 in Draufsicht gezeigt. Wie in Figur 4 gezeigt, sind vorliegend zwei Halbleiterchips 100 in der Ausnehmung des Gehäuses 200 montiert. Bei beiden

Halbleiterchips 100 ist die Emissionsseite 101 in einen ersten Abschnitt 21a und einen zweiten Abschnitt 22a

unterteilt. Dabei sind bei beiden Halbleiterchips 100 alle ersten Konversionselemente 21 dem jeweils ersten Abschnitt 21a und alle zweiten Konversionselemente 22 dem jeweils zweiten Abschnitt 22a zugeordnet. In dem vorliegenden

Beispiel ist der erste Abschnitt 21a eines Halbleiterchips 100 gegenüber dem ersten Abschnitt 21a des weiteren

Halbleiterchips 100 angeordnet. Die zweiten Abschnitte 22a der Halbleiterchips 100 sind voneinander abgewandt. Dadurch wird eine räumliche Trennung erster und zweiter

Konversionselemente 21, 22 im gesamten optoelektronischen Bauelement 300 erzielt. Vorteilhafterweise kann so

Reabsorption von bereits konvertierter Primärstrahlung weiter verringert werden.

In der Figur 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 300 in Querschnittsansicht gezeigt. Die Figur 6 zeigt im Wesentlichen dieselben Merkmale wie die Figur 1A mit dem Unterschied, dass der Halbleiterchip 100 von einem Verguss 230 umformt ist. Beispielsweise umfasst der Verguss 230 ein Matrixmaterial, wie Silikon, in dem

Konverterpartikel eingebettet sind. Die Konverterpartikel sind dazu eingerichtet, Strahlung, die von dem Halbleiterchip 100 emittiert wird, in Strahlung längerer Wellenlänge zu konvertieren .

Das Ausführungsbeispiel der Figur 7 zeigt ein weiteres optoelektronisches Bauelement 300, bei dem die Ausnehmung im Gehäusekörper 200 zusätzlich noch mit einem Verguss 230 aufgefüllt ist. Bei dem Verguss 230 kann es sich

beispielsweise um Silikon, zum Beispiel Klarsilikon, handeln. Auf dem Verguss 230 ist eine Konverterschicht 231

aufgebracht. Die Konverterschicht 231 kann beispielsweise ein Matrixmaterial umfassen, in welchem Konverterpartikel

eingebettet sind. Alternativ ist die Konverterschicht 231 beispielsweise durch ein Konverterplättchen gebildet. In der Figur 8A ist ein Ausführungsbeispiel des

optoelektronischen Bauelements 300 in Detailansicht

schematisch gezeigt. Das optoelektronische Bauelement 300 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 100, welcher eine Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer ersten

Halbleiterschicht 11, einer zweiten Halbleiterschicht 12 und einer aktiven Schicht 10 umfasst. Die erste Halbleiterschicht 11 ist vorliegend beispielsweise eine n-leitende Schicht und die zweite Halbleiterschicht 12 ist beispielsweise eine p- leitende Schicht. Weiter umfasst die Halbleiterschichtenfolge 1 erste 21 und zweite Konversionselemente 22.

Des Weiteren umfasst das optoelektronische Bauelement 300 ein Gehäuse 200. Vorliegend sind reflektierende Innenflächen 205 des Gehäuses 200 nicht dargestellt. Das Gehäuse umfasst einen Gehäusekörper 202, welcher beispielsweise aus Silizium oder einer Keramik gebildet ist. Außenflächen des Gehäusekörpers 202 können zumindest stellenweise reflektierend ausgebildet sein .

Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip 100 eine erste Elektrode 410, die elektrisch leitend mit einem ersten Kontaktelement 41 verbunden ist. Das erste Kontaktelement 41 ist vorliegend Teil des Gehäuses 200 und ist an der Seite des Gehäusekörpers 202 angeordnet, die dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 gegenüber liegt. Über Durchkontaktierungen 411 kann der erste Halbleiterabschnitt 11 mittels der ersten Elektrode 410 bestromt werden. Eine Spiegelschicht 7 fungiert als eine zweite Elektrode 420, die elektrisch leitend mit einem zweiten Kontaktelement 42 verbunden ist, und über die die zweite Halbleiterschicht 12 bestromt werden kann. Mittels eines Kontaktdrahts 43 ist das zweite Kontaktelement 42 mit dem zweiten Kontaktelement 421 des Gehäuses 200 elektrisch leitend verbunden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das zweite Kontaktelement 421 an der dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 zugewandten Seite des Gehäusekörpers 202 ausgebildet. Des Weiteren trennt eine elektrisch isolierende Isolationsschicht 8 die erste Elektrode 410 von der zweiten Elektrode 420.

Der optoelektronische Halbleiterchip 100 des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist beispielsweise ein Dünnfilmchip, der frei von einem Aufwachssubstrat ist. Insbesondere kann das optoelektronische Bauelement 300 des Ausführungsbeispiels in einem Scheinwerfer, wie beispielsweise einem

Fahrzeugscheinwerfer, Anwendung finden.

Das Ausführungsbeispiel der Figur 8B zeigt im Wesentlichen die gleichen Merkmale wie die Figur 8A mit dem Unterschied, dass das zweite Kontaktelement 421 des Gehäuses 200 an der Seite des Gehäuses angeordnet ist, die dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 abgewandt ist.

In der Figur 8C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 300 gezeigt. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der Figur 8B ist die zweite Elektrode 42 an einer dem Gehäuse 200 zugewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge 1 angeordnet. Des Weiteren umfasst der optoelektronische Halbleiterchip 100 ein Saphirsubstrat 232. Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 um einen Saphir-Flip-Chip . Ferner umfasst das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements 300 einen Verguss 230, der vorliegend dazu eingerichtet ist Strahlung, die den optoelektronischen Halbleiterchip 100 durch eine Seite quer zur Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge verlässt, zu reflektieren. Der Verguss umfasst dazu beispielsweise ein Matrixmaterial, wie Silikon, in dem reflektierende Partikel, zum Beispiel

Titandioxid-Partikel, eingebettet sind. Wie im

Ausführungsbeispiel der Figur 8B sind das erste

Kontaktelement 41 und das zweite Kontaktelement 421 an einer Seite des Gehäusekörpers 202 angebracht, die dem

optoelektronischen Halbleiterchip 100 abgewandt ist. Das Bauteil ist daher oberflächenmontierbar. Ein

optoelektronisches Bauelement 300 gemäß des vorliegenden Ausführungsbeispiels findet beispielsweise bei einem

Scheinwerfer, insbesondere bei einem Scheinwerfer für

Fahrzeuge, Anwendung.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere die Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019103492.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugszeichenliste

I Halbleiterschichtenfolge

3 Aufwachssubstrat

7 Spiegel

8 Isolationsschicht

10 aktive Schicht

II erste Halbleiterschicht

12 zweite Halbleiterschicht

21 erstes Konversionselement

21a erster Abschnitt

22 zweites Konversionselement

22a zweiter Abschnitt

25 Maske

41 erstes Kontaktelement

42 zweites Kontaktelement

43 Kontaktdraht

100 optoelektronischer Halbleiterchip

101 Emissionsseite

200 Gehäuse

201 Leiterrahmen

202 Gehäusekörper

205 reflektierende Innenfläche

210 aktiver Bereich

211 erster Halbleiterabschnitt

212 zweiter Halbleiterabschnitt

230 Verguss

231 Konverterschicht

232 Saphirsubstrat

300 optoelektronisches Bauelement 400 erste Elektrode

411 Durchkontaktierung

420 zweite Elektrode 421 zweites Kontaktelement des Gehäuses