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Patent Searching and Data


Title:
PERFECT ABSORBER
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2018/176270
Kind Code:
A1
Abstract:
A perfect absorber, comprising: a substrate layer having two opposing surfaces, a metal layer and a dielectric layer sequentially stacked from one surface of the substrate outward, and a metal nanoarray stacked on a surface of the dielectric layer, wherein the metal nanoarray is any of a cylinder array, 3D helical array, prism array, or right frustum array. The perfect absorber does not have the drawback of polarization sensitivity, enables solar energy absorption in a wide optical spectrum, and achieves an absorption rate of 90% or above for wavelengths in the 0.5-1.8 μm range, thus significantly improving the utilization efficiency of solar energy.

Inventors:
ZHANG ZHAOYU (CN)
HAN XU (CN)
HE KEBO (CN)
Application Number:
PCT/CN2017/078603
Publication Date:
October 04, 2018
Filing Date:
March 29, 2017
Export Citation:
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Assignee:
THE CHINESE UNIV OF HONGKONG SHENZHEN (CN)
International Classes:
G02B5/00
Domestic Patent References:
WO2005088355A12005-09-22
Foreign References:
CN104849783A2015-08-19
CN204575880U2015-08-19
CN103984047A2014-08-13
CN104656170A2015-05-27
US20150205021A12015-07-23
Attorney, Agent or Firm:
SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE (CN)
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Claims:
权利要求书

[权利要求 1] 一种完美吸收体, 其特征在于: 包括具有两相对表面的基材层以及自 所述基材层一表面向外依次叠设的金属层、 介质层, 还包括叠设于所 述介质层表面的金属纳米阵列;

其中, 所述金属纳米阵列为圆柱体阵列、 3D螺旋阵列、 棱柱阵列、 正棱台阵列中的任一种。

[权利要求 2] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述金属纳米阵列的 阵列周期为 450~500nm, 所述金属纳米阵列的高度为 100~140nm。

[权利要求 3] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述圆柱体的直径为 2

80~320nm, 所述圆柱体的高度为 100~140nm。

[权利要求 4] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述 3D螺旋阵列中, 螺旋体的中径为 250~350nm, 直径为 40~60nm, 高度为 100~140nm。

[权利要求 5] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述金属层为钨层; 所述金属纳米阵列为钨金属阵列, 所述介质层为二氧化硅层或氮化硅 层。

[权利要求 6] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述金属纳米阵列的 阵列周期为 500nm, 所述圆柱体的直径为 300nm, 所述圆柱体的高度 为 100nm。

[权利要求 7] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述金属层的厚度为 2

OOnm以上, 所述介质层的厚度为 60~80nm。

[权利要求 8] 如权利要求 1所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述基材层为石英、 硅片、 镍、 铜、 钨中的任一种。

[权利要求 9] 如权利要求 8所述的完美吸收体, 其特征在于: 所述基材层的厚度为 5

00~1000μηι。

Description:
完美吸收体 技术领域

[0001] 本发明属于电磁波吸收结构技术领域, 特别涉及一种完美吸收体。

背景技术

[0002] 基于人工合成材料的一种电磁波吸收结构, 它的电磁波参数和周围环境的电磁 参数可实现阻抗匹配, 在特定波段下的吸收率为 100%, 因此人们称这种电磁波 吸收结构为完美吸收体。

[0003] 现有完美吸收体用于太阳能电池前端吋, 可以将光谱太阳能转化为热能, 转化 的热能可以被传导给后端的发射体并辐射出于 电池带隙相匹配的窄带辐射谱, 使太阳能得到较大限度的利用。 现有的单节太阳能电池因为受到肖克利-奎色 限的限制, 其所能实现的最大效率不会超过理论单节电池 最大效率的 41%。 单节 电池只能转化为太阳光中能量大于其带隙能量 的光, 而对于能量更大的光子, 高能带隙的能量又会以热的形式耗散掉, 从而极大的降低了对太阳光的全光谱 利用。 同吋, 现有的完美吸收体由于结构复杂, 存在对偏振敏感的缺陷。 因此 , 有必要提出一种新的完美吸收体。

技术问题

[0004] 针对目前完美吸收体存在的偏振敏感缺陷、 对可见光和近红外光尤其是 0.5μηι~ 1.8μηι吸收效果差等问题, 本发明提供一种完美吸收体。

问题的解决方案

技术解决方案

[0005] 为了实现上述发明目的, 本发明的技术方案如下:

[0006] 一种完美吸收体, 包括具有两相对表面的基材层以及自所述基材 层一表面向外 依次叠设的金属层、 介质层, 还包括叠设于所述介质层表面的金属纳米阵列 ;

[0007] 其中, 所述金属纳米阵列为圆柱体阵列、 3D螺旋阵列、 棱柱阵列、 正棱台阵列 中的任一种。

发明的有益效果 有益效果

[0008] 本发明提供的完美吸收体为金属 -介质层-金属三层结构, 实现了对光谱太阳能 的吸收, 而圆柱体阵列、 3D螺旋阵列、 棱柱阵列、 正棱台阵列的周期性排布, 可在顶层和空气层之间激发表面等离子体共振 , 中间介质层可以局域很强的电 磁场形成磁共振, 相邻单元之间又可以产生耦合磁共振, 从而实现 0.5μηι~1.8μιη 的光谱吸收达到 90%及以上, 极大的提高了对太阳能的利用率。

对附图的简要说明

附图说明

[0009] 图 1为本发明实施例提供的完美吸收体立体图;

[0010] 图 2为本发明实施例提供的完美吸收体正视图;

[0011] 图 3为本发明实施例提供的完美吸收体俯视图。

本发明的实施方式

[0012] 为了使本发明要解决的技术问题、 技术方案及有益效果更加清楚明白, 以下结 合实施例, 对本发明进行进一步详细说明。 应当理解, 此处所描述的具体实施 例仅仅用以解释本发明, 并不用于限定本发明。

[0013] 如图 1、 2、 3所示, 本发明实施例提供一种完美吸收体。 该完美吸收体包括具 有两相对表面的基材层 1以及自所述基材层 1一表面向外依次叠设的金属层 2、 介 质层 3, 还包括叠设于所述介质层 3表面的金属纳米阵列 4;

[0014] 其中, 所述金属纳米阵列 4为圆柱体阵列、 3D螺旋阵列、 棱柱阵列、 正棱台阵 列中的任一种。

[0015] 在任一实施例中, 基材 1为石英、 硅片、 镍、 铜、 钨中的任一种, 所述基材 1起 提供生长薄膜的空间的作用。 在基材层 1表面进行沉积处理前, 需要对基材层 1 进行清洗处理, 确保基材层 1的表面洁净, 避免表面附着有杂质而可完美吸收体 性能产生不利影响。

[0016] 优选地, 金属层 2所使用的金属为钨。 由于钨的熔点在所有金属中最高, 当将 钨用于完美吸收体的制造吋, 如果采用其他制造方法, 则钨在蒸镀过程中, 会 熔化光刻胶, 使得光刻胶形成的图形被破坏, 导致不容易剥离光刻胶, 而且剥 离后金属钨的图形发生失真, 会使完美吸收体吸收效率降低。 而且当采用其他 金属吋, 其他金属的熔点由于没有钨金属的高, 因此, 采用其他金属制造的完 美吸收体的效果不如采用钨金属制造的完美吸 收体。

[0017] 进一步优选地, 金属层 2的厚度在 200nm以上, 具体见完美吸收体的制作方法 。 更进一步优选地, 金属层 2的厚度为 200~300nm。

[0018] 优选地, 介质层 3的材料为二氧化硅、 氮化硅、 MgF 2 、 A1 2 0 3 中的任一种。 介 质层 3是产生磁共振的前提。 优选厚度为 60~80nm, 该厚度下可以使得其上和其 下金属层中的自由电子产生相互作用, 也就是互相耦合, 低于或者高于这个厚 度区间会使作用太强或太弱, 不能产生谐振峰。

[0019] 优选地, 上述完美吸收体的金属纳米阵列 4为钨金属阵列, 所述金属纳米阵列 的周期为 450~500nm, 所述金属纳米阵列的高度为 100~140nm。

[0020] 进一步优选地, 当金属纳米阵列 4为圆柱体阵列吋, 所述圆柱体的直径为 280~3 20nm, 所述圆柱体的高度为 100~140nm, 圆柱体在该尺寸范围内, 而且可以在 金属纳米阵列 4和空气之间激发表面等离子体共振, 相邻单元间又可以产生耦合 磁共振, 当将完美吸收体放置于太阳能电池前端吋, 0.5μηι~1.8μιη的光谱吸收达 到 90%及以上。

[0021] 在最优选的方案中, 圆柱体的直径为 300nm, 高度为 100nm, 阵列中圆柱体周 期为 500nm。

[0022] 优选地, 当金属纳米阵列 4为 3D螺旋阵列吋, 所述 3D螺旋阵列中, 螺旋体的中 径为 250~350nm, 直径为 40~60nm, 高度为 100~140nm。 该尺寸范围的 3D螺旋阵 列, 对 0.5μηι~1.8μιη光谱的吸收达到 93%及以上。

[0023] 本发明上述实施例提供的完美吸收体为金属 -介质层-金属三层结构, 无偏振敏 感缺陷, 实现了对光谱太阳能的吸收, 而圆柱体阵列、 3D螺旋阵列、 棱柱阵列 、 正棱台阵列的周期性排布, 可在顶层和空气层之间激发表面等离子体共振 , 中间接枝层可以局域很强的电磁场形成磁共振 , 相邻单元之间又可以产生耦合 磁共振, 从而实现 0.5μηι~1.8μιη的光谱吸收达到 90%及以上, 极大的提高了对太 阳能的利用率。

[0024] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已, 并不用以限制本发明, 凡在本发明的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等, 均应包含在本发明的保 护范围之内。