本実施の形態を説明するための全図にお� ��て同一機能を有するものは同一の符号を付� ��ようにし、その繰り返しの説明は原則とし� ��省略する。以下、本発明の実施の形態を図� ��に基づいて詳細に説明する。

 なお、本実施の形態では、蛍光体を用い� ��表示装置の例としてPDPを例に取り上げて説� ��する。

 <PDPの基本構造>
 まず、図1を用いて本実施の形態のPDPの構造 の一例について交流面放電型のPDPを例に説明 する。図1は本実施の形態のPDPの要部を拡大� �て示す要部拡大組み立て斜視図である。

 図1において、PDP1は前面基板構造体(第1基 板構造体)11と背面基板構造体(第2基板構造体) 12とを有している。前面基板構造体11と背面� �板構造体12とは対向配置された状態で重ね合 わされ、その間に放電空間24を有している。� ��まり、前面基板構造体11と背面基板構造体12 とは放電空間24を介して対向配置されている� ��

 前面基板構造体11はPDP1の表示面を有し、� ��にガラスで構成される前面基板13を有して� �る。前面基板13の内面側にはPDP1の表示電極� �あるX電極(維持電極、サステイン電極)14と、 Y電極(走査電極、スキャン電極)15とがそれぞ� ��複数形成されている。

 X電極14およびY電極15は維持放電(表示放電 、サステイン放電)を行うための一対の表示� �極対を構成し、例えば、行方向DXに沿って帯 状に延在するようにそれぞれ交互に配置され ている。この一対のX電極14とY電極15とがPDP1� �おける行方向DXの表示ラインを構成する。な お、図1では、二対のX電極14およびY電極15を� �大して示しているが、PDP1は、この表示ライ� ��の行数に応じて複数のX電極14およびY電極15� ��有している。

 このX電極14およびY電極15は一般に例えば、I TO(Indium Tin Oxide)やSnO ₂ などの透明な電極材料で構成されるX透明電� �14a、Y透明電極15aと、例えば、Ag(銀)、Au(金)� �Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Cr(クロム)、ある� �はこれらの積層体(例えばCr/Cu/Crの積層体)な� ��からなるXバス電極(金属電極部)14b、Yバス電 極(金属電極部)15bとで構成される。

 図1では、X透明電極14a、Y透明電極15aが帯� ��に延びる形状を示しているが、X透明電極14a 、Y透明電極15aの電極構造はこれに限定され� �い。例えば、維持放電の安定化や放電効率� �向上のため、一対の電極対間の最短距離(放� ��ギャップと呼ばれる)がセルに対応して近づ くようにXバス電極14b、Yバス電極15bと重なる� ��置からそれぞれ対向する方向に突出部を形� ��する構造としても良い。また、電極構造を� ��わゆるALIS(Alternate Lighting of Surface Method)と 呼ばれる構造としても良い。

 これらの電極群(X電極14、Y電極15)は、主にSi O ₂ などのガラス材料で構成される誘電体層17で� ��覆されている。この誘電体層17は、前面基� �13の第2の面13b側に形成され、第2の面13aと対� ��する第3の面17aと、第3の面17aの反対側に位� �する第4の面17bとを有している。

 また、誘電体層17の表面には、MgOなどの� �属酸化物で構成される保護膜18が形成されて いる。保護膜18は誘電体層17の一方の表面を� �うように形成されている。

 一方、背面基板構造体12は、主にガラス� �構成される背面基板(基板)19を有している。� ��面基板19の前面基板構造体11と対向する面(� �側面)上には、複数のアドレス電極(第2電極)2 0が形成されている。各アドレス電極20は、X� �極14およびY電極15が延在する方向と交差する (略直交する)列方向DYに沿って延在するよう� �形成されている。また、各アドレス電極20は 、互いに略平行となるように所定の配置間隔 を持って配置されている。

 アドレス電極20はXバス電極14b、Yバス電極 15bと同様に、例えば、Ag、Au、Al、Cu、Cr、あ� �いはこれらの積層体(例えばCr/Cu/Crの積層体)� ��どで構成することができる。

 このアドレス電極20と、前面基板構造体11 に形成されたY電極15とは、セル25の点灯/非点 灯を選択するための放電であるアドレス放電 を行うための電極対を構成する。つまり、Y� �極15は維持放電用の電極としての機能とアド レス放電用の電極(走査電極)としての機能と� ��併せ持っている。

 セル25は、アドレス電極20と一対のX電極14 とY電極15との交差に対応して各1個ずつ構成� �れる。つまり、セル25は表示電極対(X電極14� �Y電極15の対)とアドレス電極20の交差毎に形� �される。各セル25は、維持放電によりそれぞ れ赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光を発光し、この R、G、Bの各セル25のセットにより画素(ピクセ ル)が構成される。

 また、アドレス電極20は、誘電体層21で被 覆されている。誘電体層21上には背面基板構� ��体12の厚さ方向に伸びる複数の隔壁22が形成 されている。隔壁22はアドレス電極20が延在� �る列方向DYに沿ってライン状に延在するよう に形成されている。前面基板構造体11と背面� ��板構造体12とは、保護膜18が形成された面と 隔壁22が形成された面とが対向した状態で固� ��されている。隔壁22の平面上の位置は、隣� �合うアドレス電極20の間に配置されている。 隔壁22を隣り合うアドレス電極20の間に配置� �ることにより、各アドレス電極の位置に対� �して誘電体層21の表面を列方向DYに区分けす� ��放電空間24が形成される。

 放電空間24(詳しくは、アドレス電極20上� �誘電体層21の上面、および隔壁22の側面)には 、真空紫外線により励起されてR、G、Bの各色 の可視光を発生する蛍光体部23r、23g、23bが形 成されている。

 また、各放電空間24には、放電ガスと呼� �れる希ガスなどのガスが所定の圧力で封入� �れている。放電ガスとしては、例えばXeの分 圧比が数%~数十%に調整されたXe-Neなどの混合� ��スを用いて、封入されるガスの圧力は例え� ��350torr~500torr(約47kPa~約67kPa)とすることができ る。

 PDP1は、放電空間24内のセル25毎に放電(維� ��放電)を発生させて、放電により発生する(� �しくは放電により励起状態となったイオン� �基底状態に遷移する際に発生する)真空紫外� ��によりR、G、Bの各蛍光体部23を励起して発� �させる構造となっている。放電ガスとしてNe とXeの混合ガスを用いた場合、147nmおよび172nm の真空紫外線が各蛍光体部23を励起する励起� ��として発生する。この真空紫外線(特にエキ シマからの真空紫外線)の波長はある程度の� �を有している場合があるが、147nm~180nmの範囲 に収まる。

 なお、図1では隔壁22を帯状に形成する例� ��ついて示しているが、隔壁の配置はこれに� ��限定されない。例えば列方向DYに沿って延� �する第1隔壁としての隔壁22に加えて、行方� �DXに沿って延在する第2隔壁を配置して放電� �間24を格子状に区画する構造としても良い。 この場合、放電空間24は、隔壁22と第2隔壁と� ��よりセル25毎にボックス状に区画されるの� �、このような隔壁の構造はボックス構造と� �ばれる。また、図1ではアドレス電極20を背� �基板構造体12に形成する例について示したが 、アドレス電極20を前面基板構造体11に形成� �ることもできる。

 <明室コントラストについて>
 次に、図2を用いてPDPの明室コントラストに ついて説明する。図2はPDPに入射される外光� �PDPからの表示光との関係を示す説明図であ� �。なお、図2では外光と表示光との関係を判� ��やすくするため、PDP1、2の構造は単純化し� �モデルで示している。

 図2において、PDP1、2は表示光Pの発光輝度が I _i 、反射率がR _i の表示装置であり、その表示面(前面)側には� ��過率T _i のフィルタFが配置されている。ここで、PDP1� ��表示面側に輝度I ₀ の外光Lを垂直入射したときの明室コントラ� �トをC _i とすると、C _i は以下に示す式(1)で与えられる。

 C _i =I _i /(T _i ×R _i ×I ₀ ) ・・・(1)
 上記式(1)が成立するためには、外光Lがフィ ルタFで反射される項が無視できる程度であ� �ことが必要となるが、これはフィルタFの透� ��率T _i が数十%であれば成立するので、一般的な表� �装置では成立する。

 ここで、2つのPDP1、2(i=1、2)がある場合に� ��このPDP1、2の明室コントラストが同じとす� �と、以下の式(2)が成立する。

 I ₁ /(T ₁ ×R ₁ )=I ₂ /(T ₂ ×R ₂ ) ・・・(2)
 したがってPDP1、2の観察者から見たPDP1、2の 輝度比(T ₁ ×I ₁ )(T ₂ ×I ₂ )に上記(2)式を代入すると以下の(3)式が得ら� �る。

 (T ₁ ×I ₁ )/(T ₂ ×I ₂ )=(I ₁ ² ×R ₁ )/(I ₂ ² ×R ₂ ) ・・・(3)
 したがって、同じ明室コントラストを得る� ��いう条件では、PDP1の表示輝度(観察者から� �た輝度)は反射率の逆数比例で有利になる。� ��まり、外光Lの輝度I ₀ を一定とすると、明室コントラストC _i は発光輝度I _i を高くして、反射率R _i を低くするほど改善することができる。

 ここで、図1に示すPDP1は前面基板構造体11 とその反対側に対向配置される背面基板構造 体12とを重ね合わせた構造となっている。PDP1 において、外光の反射率に対する影響が大き い部材は背面基板構造体12の特に蛍光体部23� �ある。以下蛍光体部23が形成される背面基板 構造体12の反射率の低減手段について説明す� ��。

 図3は図1に示すPDPが有する背面基板構造� �の構造について反射率低減の効果を説明す� �ために単純化したモデルとして示す説明図� �ある。

 図3において、背面構造体12が有する背面� ��板19の上には蛍光体部23が形成されている。 この蛍光体部23はそれぞれ赤、緑、青の可視� ��を発光する蛍光体部23r、23g、23bが区画され� ��配置されている。

 まず、蛍光体部23が白色である場合につ� �て説明する。なお、ここでは説明を判りや� �くするため、白色の蛍光体部23、および背面 基板19は完全反射状態(反射率が100%の状態)で� ��ると仮定する。

 蛍光体部23および背面基板19が完全反射状 態である場合、背面基板構造体12の反射率は1 (100%)となる。また、蛍光体部23から発光され� ��可視光の輝度をIとすると、蛍光体部23から� ��発光も全て反射されるため、背面基板構造� ��12の発光輝度もIとなる。

 次に、蛍光体部23の色調が各蛍光体部23r� �23g、23bが発光する可視光と同系列の色調で� �る場合を検討する。この場合、背面基板構� �体12の各蛍光体部23r、23g、23bでの反射率を平 均すると、平均反射率を1/3(約33%)とすること� ��できる。一方、背面基板構造体12の発光輝� �は、理想的には蛍光体部23から発光される可 視光が全て反射される状態となりIとなる。

 したがって、明室コントラストを一定と� ��た場合、蛍光体部23の色調を各蛍光体部23r� �23g、23bが発光する可視光と同系列の色調と� �ることにより、背面基板構造体12の表示輝度 (観察者から見た輝度)を3倍(蛍光体部23が白色 である場合に対して)の高輝度とすることが� �きる。

 図1に示すPDP1において、上記技術を適用� �る場合、赤、緑、青の各色調を有する無機� �料粒子と略白色の蛍光体粒子とを混合した� �合物である蛍光体を蛍光体部23として用いる こととなる。

 ところが、蛍光体粒子と一般に顔料とし� ��用いられる無機顔料粒子とを単に混合した� ��みでは、上記した表示輝度を向上させる効� ��が得られない。

 例えば、蛍光体粒子の表面が、無機顔料� ��子で覆われている場合、無機顔料粒子が蛍� ��体粒子に照射される励起光を吸収してしま� ��。このため、PDP1の励起源である真空紫外線 のように物質への透過長が無機顔料粒子の平 均粒子径と同程度以下の励起源である場合、 無機顔料粒子による励起エネルギーの吸収が 発生し、その分のロスが蛍光体部23の発光輝� ��の低下を引き起こす原因の一つとなる。ま� ��、励起光が蛍光体粒子に届いても、蛍光体� ��子から発光する可視光がその表面を覆った� ��機顔料粒子により吸収される。この結果、� ��光体部23の発光輝度が低下する。

 一方、無機顔料粒子の表面が蛍光体粒子� ��覆われている場合、発光輝度の低下は抑制� ��ることができる。しかし、無機顔料粒子の� ��面に形成された蛍光体粒子層の層厚が厚す� ��ると、蛍光体粒子層に照射された外光Lの散 乱が発生し、この散乱に起因して反射率が上 昇する。特に、蛍光体粒子の平均粒子径を1~5 μmとすると、この散乱に起因する反射成分だ けで反射率は10%以上上昇する。このため、蛍 光体部23の反射率を十分に低下させることが� ��きず、結果として、上記した表示輝度を向� ��させる効果が得られなくなる。

 本発明者は、発光輝度あるいは表示輝度� ��低下を抑制しつつ、外光の反射率を低減さ� ��る技術について検討を行い、励起光のエネ� ��ギーよりも大きいバンドギャップと、バン� ��ギャップ内に形成された不純物準位とを有� ��る結晶母体を有し、不純物準位のHOMO準位か ら、結晶母体の伝導帯までのエネルギー幅が 励起光のエネルギーと異なる無機顔料粒子を 蛍光体粒子と混合して蛍光体部23を形成する� ��成を見出した。以下蛍光体部23の具体的な� �成について説明する。

 <蛍光体の詳細構成>
 図4は本実施の形態の蛍光体部の詳細な構成 を示す要部拡大断面図、図5は図4に示す蛍光� ��部を構成する無機顔料のエネルギーバンド� ��示すバンド図である。なお、図4に示す蛍光 体部23の構造は赤用の蛍光体部23r、緑用の蛍� ��体部23g、青用の蛍光体部23bに共通する構造� ��ある。

 図4において、蛍光体部23は蛍光体粒子(蛍 光体)31と、この蛍光体粒子31と混合される無� ��顔料粒子(無機顔料)32とを有している。図4� �は、蛍光体粒子31と無機顔料粒子32との区別� ��判りやすく示すため、これらを円形の断面� ��状を有する粒子として示しているが、蛍光� ��粒子31および無機顔料粒子32の構造はこれに 限定されない。例えば、蛍光体粒子31および� ��機顔料粒子32の断面形状が扁平した構造と� �っている場合もある。また、例えば、PDP1(図 1参照)の製造工程には種々の加熱工程がある� ��、この加熱工程によって、蛍光体粒子31と� �機顔料粒子32の一部、蛍光体粒子31同士、無� ��顔料粒子32同士の一部が固着して一体化す� �場合がある。蛍光体部23は蛍光体と無機顔料 の混合物であれば良く、このように各粒子の 一部が固着して一体化した構造であっても良 い。

 蛍光体粒子31を構成する材料は、例えば、� �用の蛍光体粒子31rには(Y,Gd) ₂ O ₃ :Eu、緑用の蛍光体粒子31gにはZn ₂ SiO ₄ :Mn、YBO ₃ :Tb、青用の蛍光体粒子31bにはBaMgAl ₁₀ O ₁₇ :Eu ²⁺ を例示することができる。この蛍光体粒子31r 、31g、31bは、励起源である励起光(本実施の� �態では、波長が147nmおよび172nmの真空紫外線) に励起されることにより、それぞれ赤色、緑 色、青色の光を発光する。

 一方、無機顔料粒子32は、例えば、赤色の� �機顔料粒子32rには、ルビー(Al ₂ O ₃ :Cr)、緑色の無機顔料粒子31gにはグリーンサ� �ァイア(Al ₂ O ₃ :Fe)、青色の無機顔料粒子32bにはブルーサフ� �イア(Al ₂ O ₃ :Ti)を用いている。これらはいずれもコラン� �ムと呼ばれる結晶体であり、結晶母体であ� �アルミナ(Al ₂ O ₃ )に不純物として3d遷移金属であるCr、Fe(鉄)、 Ti(チタン)がそれぞれ導入されたものである� �

 無機顔料粒子32の結晶母体であるアルミナ� �、図5に示すように伝導帯(Conduction band)CBと� �電子帯(valence band)VBとの間に約10eVのバンド� �ャップW1を有している。一方、PDP1の励起源� �ある波長が147nm、172nmの真空紫外線はそれぞ� ��約8.4eV、約7.2eVとなっており、アルミナのバ ンドギャップW1は励起光のエネルギーよりも� ��きい。前述した蛍光体部23を構成する無機� �料粒子による励起光の遮光は、無機顔料粒� �に励起光のエネルギーが吸収される(価電子� ��VBの電子が励起光に励起されて伝導帯CBに遷 移する)ことにより発生する。本実施の形態� �用いるアルミナは励起光のエネルギーより� �大きいバンドギャップW1を有するので、励起 光が照射されても価電子帯VBの電子が伝導体C Bに遷移せず、励起光の吸収率が低い。つま� �、励起光である真空紫外線に対して透明で� �る。このように真空紫外線に対する透過率� �高い特性を有する材料としてスピネル(MgAl ₂ O ₄ )を用いることもできるが、アルミナはスピ� �ルよりも励起光である147nm、172nmの波長光(真 空紫外光)に対する透過率が高いのでより好� �しい。

 また、蛍光体部23の外光に対する反射率は� �無機顔料粒子32の可視光の吸収特性によって 決定される。無機顔料32の可視光吸収特性は� ��下のように決定される。アルミナに3d遷移� �属元素を導入すると、3d遷移金属イオンがア ルミナのAl ³⁺ イオンと置換される。例えば、3d遷移元素と� ��てCrを導入すると、Cr ³⁺ イオンが一部のAl ³⁺ イオンと置換して、置換されたサイトでは、 結晶母体であるアルミナのバンドギャップW1� ��間に図5に示すような不純物準位が形成され る。Cr ³⁺ イオンの3d電子の軌道であって、5重に縮退し ていた3d軌道はCr ³⁺ イオンの周囲の配位子場の影響により縮退が 解けてエネルギーの低いt _2g 軌道(3重縮退)と、エネルギーの高いe _g 軌道(2重縮退)に分裂し、これが不純物準位と なる。

 このエネルギーの低いt _2g 軌道とエネルギーの高いe _g 軌道とのエネルギー幅W2が無機顔料粒子32の� �視光吸収特性を決定する要因となる。例え� �、ルビーの場合、エネルギー幅W2は約2.3eVで� ��り、ここに外光(簡単のため白色光とする)� �照射されると、紫や黄緑の波長域の可視光� �エネルギーの低いt _2g 軌道につまっている電子の遷移エネルギーと して吸収される(この結果、ルビーは補色で� �る赤色を呈する)。このため、無機顔料粒子3 2により外光が吸収されるのでPDP1(図1参照)の� ��射率を低減することができる。

 アルミナに3d遷移金属を導入すると、可� �光領域に強い光吸収特性を有する不純物準� �が形成されるので、不純物は上記したCr、Fe� ��Tiの他、Sc(スカンジウム)、V(バナジウム)、M n(マンガン)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、Cu(� ��)、Zn(亜鉛)などを導入することもできる。� �た、2種以上の3d遷移金属を導入することも� �きる。例えば、青色の色調を呈するサファ� �アには、不純物としてFeおよびTiが導入され� ��いるものもある。また、不純物準位には、� ��晶母体であるアルミナ中に形成された欠陥� ��位も含まれるが、この欠陥準位が可視光吸� ��特性を有する場合、不純物を導入した場合� ��同様に外光を吸収することができる。

 ただし、前述したように、蛍光体粒子31r� ��31g、31bが発光する色調と同系列の色調を有� ��る無機顔料粒子32r、32g、32bをそれぞれ蛍光� ��粒子31r、31g、31bと混合した場合、蛍光体粒� ��31が発光する可視光の吸収を抑制すること� �できる。したがって、蛍光体部23の発光輝度 の低下を抑制することができる。したがって 、赤、緑、青の色調を有する(蛍光体粒子31の 発光色の補色となる色調に可視光吸収特性を 有する)Cr、Fe、あるいはTiのいずれか1種また� ��2種以上の不純物を導入して不純物準位を形 成するのが特に好ましい。

 ここで、アルミナに導入した不純物により� ��成される不純物準位は、可視光の吸収特性� ��他、励起光である真空紫外線の吸収特性に� ��影響を与える。詳しく説明すると、エネル� ��ーの低いt _2g 軌道のうち電子によって占拠されている最も エネルギーの高い軌道(HOMO;Highest Occupied Molec ular Orbital)のエネルギー準位(以下HOMO準位と� �す)から結晶母体であるアルミナの伝導帯CB� �でのエネルギー幅W3が励起光である真空紫外 線のエネルギーと等しい場合、HOMO準位の軌� �を占拠する電子は真空紫外線を励起エネル� �ーとして吸収し、アルミナの伝導帯CBに遷移 する。したがって、真空紫外線の吸収を防止 するためには、エネルギー幅W3と真空紫外線� ��エネルギーとを異なるものとする必要があ� ��。図5に示すルビーの場合、アルミナの価電 子帯VBからHOMO準位までのエネルギー幅W4は約0 .9eVであり、エネルギー幅W3は9.1eVとなる。こ� ��ようにエネルギー幅W3が励起光のエネルギ� �よりも大きいので、不純物準位に起因する� �起光の吸収も防止ないしは抑制することが� �きる。

 なお、実際の励起状態では、可視光の吸収� ��より電子が励起されるので田辺・菅野ダイ� ��グラムで説明されるように複雑であるが、� ��発明者は、エネルギーの低いt _2g 軌道のエネルギー準位のうち、最も高いエネ ルギー準位(HOMO準位)からアルミナの伝導帯CB� ��でのエネルギー幅W3が真空紫外線のエネル� �ーと異なっていれば、励起光の吸収による� �光輝度の低下は実効上無視できる程度まで� �止することができることを確認した。

 また、図4で示した緑色の無機顔料粒子31gで あるグリーンサファイア(Al ₂ O ₃ :Fe)および青色の無機顔料粒子32bあるブルー� �ファイア(Al ₂ O ₃ :Ti)についても、アルミナの価電子帯VBからHOM O準位までのエネルギー幅W4は1eVより小さい。 したがって、エネルギー幅W3は9eV以上と励起� ��のエネルギーよりも大きいので、不純物準� ��に起因する励起光の吸収も防止することが� ��きる。

 このように、本実施の形態によれば、蛍� ��体粒子31と混合する無機顔料粒子32の結晶母 体を、励起光のエネルギーよりも大きいバン ドギャップW1を有するアルミナとすることに� ��り、励起光の吸収を防止ないしは抑制する� ��とができる。また、バンドギャップW1内に� �純物準位(可視光吸収特性を有する不純物準� ��)を形成することにより、蛍光体部に照射さ れた外光を吸収して反射率を低減することが できる。また、不純物準位のHOMO準位から、� �晶母体の伝導帯までのエネルギー幅W3を励起 光のエネルギーと異なるものとすることによ り、HOMO準位から伝導帯への電子の遷移を防� �ないしは抑制することができる。したがっ� �、不純物準位に起因する励起光の吸収を防� �ないしは抑制することができる。

 <蛍光体粒子と無機顔料粒子との粒子径の 関係>
 ところで、蛍光体粒子の粒子径は一般に1~10 μm程度である。これに対し、一般的な無機顔 料粒子の粒子径はインクなど液体に混合して も分散させられるように1μm以下、典型的に� �5~500nmである。つまり、無機顔料粒子の粒子� ��は一般に蛍光体粒子の粒子径よりも小さい� ��

 例えば、前記特許文献1に記載される赤色顔 料(堺化学工業株式会社製:「FRO-3」)の粒子径� ��100nm程度である。また、緑色顔料(日精化工� ��株式会社製:「TMグリーン#3340」)の比表面積� ��100m ² /gであり、その粒子径は10~20nm程度である。ま た、青色顔料(旭日産業株式会社製:「アサヒ� ��ーパーブルーCR」)の粒子径は200nm程度であ� �。

 しかし、本実施の形態では、図4に示すよ うに、無機顔料粒子32の粒子径(平均粒子径)� �蛍光体粒子31の粒子径(平均粒子径)よりも大� ��い。以下、無機顔料粒子32の粒子径を蛍光� �粒子31の粒子径(平均粒子径)よりも大きくす� ��ことにより得られる効果について説明する� ��

 本実施の形態で無機顔料粒子32の結晶母� �として用いるアルミナは、バンドギャップW1 (図5参照)が10eVと可視光域のエネルギーより� �大きい。したがって、アルミナ自体は、励� �光だけでなく、可視光に対しても透明であ� �。無機顔料粒子32はバンドギャップW1内に例� ��ば不純物を導入して不純物準位を形成する� ��とにより、可視光吸収特性を得るものであ� ��。

 しかし、アルミナ中のAl ³⁺ イオンの全てを不純物イオンに置換できる訳 ではなく、不純物を導入する割合には限界が ある。したがって、本実施の形態で用いる無 機顔料粒子32は上記したような一般に用いら� ��る無機顔料と比較して単位表面積当りの可� ��光吸収量が低くなる。

 そこで、本実施の形態では、無機顔料粒� ��32の粒子径(平均粒子径)を蛍光体粒子31の粒� ��径(平均粒子径)よりも大きいものとした。� �れにより、図1に示す蛍光体部23における無� �顔料粒子32が占める表面積率を大きくするこ とができるので、蛍光体部23全体としては、� ��分に外光を吸収することができる。したが� ��て、蛍光体部23の反射率を低減することが� �きる。

 <PDPの製造方法>
 次に、本実施の形態のPDPの製造方法につい� ��説明する。PDP1の製造工程は大きく分けると 図1に示す前面基板構造体11および背面基板構 造体12を準備する工程と、この前面基板構造� ��11と背面基板構造体12とを放電空間24を介し� ��対向配置して組み立てる工程とがある。本� ��施の形態では、背面基板構造体12に形成さ� �た放電空間24に蛍光体部23を形成する工程に� ��いて詳細に説明する。

 図6は本実施の形態のPDPが有する蛍光体部 23の製造フローを示す説明図である。図1に示 す蛍光体部23は例えば以下のように形成され� ��。

 (a)まず、ステップS1に示す準備の工程で� �光体粒子31と、平均粒子径が蛍光体粒子31の� ��均粒子径よりも大きい無機顔料粒子32とを� �れぞれ準備する。この工程では、無機顔料� �子32のバンドギャップW1(図5参照)内には不純� ��準位が形成されている。

 (b)次にステップS2に示す混合の工程で無� �顔料粒子32と蛍光体粒子31とを混合して、蛍� ��体混合物33を得る。本工程では無機顔料粒� �32と蛍光体粒子31とが分散するように混合す� ��。したがって、各粒子を分散混合させるこ� ��ができれば、種々の混合方法を用いること� ��できる。例えば、ミキサなどを用いて混合� ��ることができる。また、例えば、溶液中に� ��光体粒子31と無機顔料粒子32とを分散させて 混合することができる。

 また、本工程では、最終的に形成される� ��光体部23における無機顔料粒子32の表面積率 を制御するため、この被覆の工程では、添加 する無機顔料粒子32、および蛍光体粒子31の� �面積の総和を測定して添加量を決定するこ� �が好ましい。混合する段階で各粒子の表面� �の総和を管理することにより、蛍光体部23に おける無機顔料粒子32の表面積率を容易に制� ��することができる。この結果、蛍光体部23� �外光に対する反射率を制御することができ� �。

 また、蛍光体部23r、23g、23b(図1参照)それ� ��れに異なる無機顔料粒子32r、32g、32b(図4参� �)を含有させる場合には、赤用の蛍光体粒子3 1rと赤色の無機顔料粒子32rを、緑用の蛍光体� ��子31gと緑色の無機顔料粒子32gを、青用の蛍� ��体粒子31bと青色の無機顔料粒子32bをそれぞ� ��別個に混合する。

 (c)次に、ステップS3に示すペースト化の� �程で有機溶剤、および有機バインダ剤など� �構成されるビヒクル中に蛍光体混合物33を混 合して蛍光体ペースト34を得る。

 このペースト化工程では、蛍光体混合物3 3が蛍光体ペースト34中に分散されていれば良 く、混合方法は特に限定されない。

 (d)次にステップS4に示す蛍光体ペースト� �布の工程で、蛍光体ペースト34を図1に示す� �光体部23が形成される領域に蛍光体ペースト 34を塗布する。詳しくは、予め図3に示す背面 基板19の表面に複数のアドレス電極20を形成� �、次に、アドレス電極20を覆うように誘電体 層21を形成し、次に、誘電体層21の表面に複� �の放電空間24を規定する隔壁22を形成してお� ��。ステップS4では、この隔壁22で仕切られた 放電空間24(底面および側壁)に蛍光体ペース� �34を、例えばスクリーン印刷法やディスペン ス法により塗布する。

 なお、図1に示す蛍光体部23r、23g、23bを形 成するため、それぞれ赤、緑、青用の蛍光体 ペースト34を塗り分けることは言うまでもな� ��。

 (e)次にステップS5に示す乾燥、焼成の工� �で蛍光体ペースト34中に含まれる有機化合物 成分(有機溶剤および有機バインダ剤)を取り� ��き、蛍光体部23が得られる。

 このようにして得られた蛍光体部23は、� �機顔料粒子32、蛍光体粒子31の各1次粒子が分 散された状態で形成されるため、ステップS2� ��示す混合の工程で設定したときの表面積率� ��反映される。

 また、本工程では、蛍光体ペースト34を� �熱するため、前述したように蛍光体粒子31と 無機顔料粒子32の一部、蛍光体粒子31同士、� �機顔料粒子32同士の一部が固着して一体化す る。

 このように本実施の形態では、ステップS 2に示す蛍光体粒子31と無機顔料粒子32とを混� ��する工程で、蛍光体粒子31および無機顔料� �子32の表面積を測定し、各粒子の添加量を決 定することにより、蛍光体部23の外光に対す� ��反射率を安定的に低減することができる。

 以上、本発明者によってなされた発明を� ��施の形態に基づき具体的に説明したが、本� ��明は前記発明の実施の形態に限定されるも� ��ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種� ��変更可能である。

 例えば、表示装置の適用例としてPDPにつ� ��て説明したが、光で蛍光体を励起して画像� ��表示する表示装置であれば、広く適用する� ��とができる。