以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。

 図1は、本発明の一実施形態におけるプラ ズマディスプレイパネル(以下、PDPとも称す� �)の要部を示している。図中の矢印D1は、第1� ��向D1を示し、矢印D2は、第1方向D1に画像表示 面に平行な面内で直交する第2方向D2を示して いる。PDP10は、画像表示面を構成する前面基� ��部12と、前面基板部12に対向する背面基板部 14とにより構成されている。前面基板部12と� �面基板部14の間(より詳細には、背面基板部14 の凹部)に放電空間DSが形成される。

 前面基板部12は、ガラス基材FS(第1基板)の ガラス基材RS(第2基板)に対向する面上(図では 下側)に間隔を置いて配置された複数のバス� �極対BEpを有している。各バス電極対BEpは、� �電ギャップDGを挟んで第1方向D1に延在するX� �ス電極Xb(第1バス電極)およびYバス電極Yb(第2� ��ス電極)により構成されている。

 Xバス電極Xbには、Xバス電極Xbから放電ギ� ��ップDGが形成される領域と反対側に第2方向D 2に延在するX突起電極Xp(第1突起電極)が接続� �れている。また、Yバス電極Ybには、Yバス電� ��Ybから放電ギャップDGが形成される領域と反 対側に第2方向D2に延在するY突起電極Yp(第2突� ��電極)が接続されている。例えば、X電極XE(� �持電極)は、Xバス電極XbおよびX突起電極Xpに� ��り構成され、Y電極YE(走査電極)は、Yバス電� ��YbおよびY突起電極Ypにより構成されている� �そして、互いに対をなすX電極XEおよびY電極Y E間で繰り返して放電(サステイン放電)を発生 させる。

 ここで、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X突起電極XpおよびY突起電極Ypは、ITO膜等� ��形成された可視光を透過する透明電極であ� ��。なお、突起電極XpおよびYpは、それぞれが 接続されるバス電極XbおよびYbとガラス基材FS との間に全面に配置されてもよい。電極Xb、X p、Yb、Ypは、誘電体層DL1に覆われており、誘� ��体層DL1の表面は、保護層PLに覆われている� �例えば、保護層PLは、放電を容易に発生させ るために、陽イオンの衝突による2次電子の� �出特性の高いMgO膜で形成される。

 放電空間DSを介して前面基板部12に対向す る背面基板部14は、ガラス基材RS上に、バス� �極Xb、Ybの直交方向(第2方向D2)に延在する複� �のアドレス電極AEが設けられている。例えば 、アドレス電極AEは、金属材料等で形成され� ��不透明な電極である。アドレス電極AEは、� �電体層DL2に覆われ、誘電体層DL2上には、第2� ��向D2に延在する複数の隔壁(バリアリブ)BRが� ��成されている。すなわち、隔壁BRは、ガラ� �基材RSのガラス基材FSに対向する面上に間隔� ��置いて配置されている。例えば、隔壁BRは� �互いに隣接するアドレス電極AEの間に配置さ れている。

 隔壁BRにより、セルの側壁が構成される� �さらに、隔壁BRの側面と、互いに隣接する隔 壁BRの間のガラス基材RS上とには、紫外線に� �り励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光を� �生する蛍光体PHr、PHg、PHbが、それぞれ塗布� �れている。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、後述する図2� �示すように、互いに隣接する一対の隔壁BRで 挟まれる領域において、互いに対をなす突起 電極Xp、Ypを含む領域に形成される。このよ� �に、PDP10は、画像を表示するためにセルをマ トリックス状に配置し、かつ互いに異なる色 の光を発生する複数種のセルを交互に配列し て構成されている。特に図示していないが、 バス電極Xb、Ybに沿って形成されたセルによ� �、表示ラインが構成される。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PLと隔壁BRが互いに接するように貼 り合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに 封入することで構成される。

 図2は、図1に示したPDP10の概要を示してい る。なお、図2は、画像表示面側(図1の上側)� �ら見た電極Xb、Xp、Yb、Yp、AEおよび隔壁BRの� �態を示している。

 図の例では、互いに隣接するバス電極対B Epは、一方のバス電極対BEpのバス電極Xbと、� �方のバス電極対BEpのバス電極Xbとが隣接する ように配置されている。換言すれば、互いに 隣接するバス電極対BEpは、一方のバス電極対 BEpのバス電極Ybと、他方のバス電極対BEpのバ� ��電極Ybとが隣接するように配置されている� �

 上述したように、突起電極Xp、Ypは、各バ ス電極対BEpのバス電極Xb、Ybから放電ギャッ� �DGが形成される領域と反対側に第2方向D2に沿 ってそれぞれ突出している。そして、互いに 対をなす突起電極Xp、Ypは、互いに隣接する� �対の隔壁BR間に形成される表示列領域RA毎に� ��各バス電極対BEpのバス電極Xb、Ybにそれぞれ 設けられ、表示列領域RAを形成する一対の隔� ��BRの一方および他方にそれぞれ隣接して配� �されている。すなわち、互いに対をなす突� �電極Xp、Ypは、互いに異なる隔壁BRにそれぞ� �隣接している。

 例えば、維持電極XEおよび走査電極YE間に 電圧を印加することにより、先ず、放電ギャ ップDGを介して対向するバス電極Xb、Yb間で放 電が発生し、この放電が互いに対をなす突起 電極Xp、Ypの方まで広がる。そして、放電に� �り発生する紫外線を受けた蛍光体(例えば、� ��述した図1に示した蛍光体PHr)は、可視光(例� ��ば、赤の可視光)を発生する。すなわち、こ の実施形態では、1つのセルC1(一色の画素)は� ��上述したように、表示列領域RAにおいて、� �いに対をなす突起電極Xp、Ypを含む領域(図の 破線で囲んだ領域)に形成される。

 各表示列領域RAでは、互いに隣接するセ� �C1の一方のセルC1の突起電極Xp(またはYp)およ� ��他方のセルC1の突起電極Xp(またはYp)は、第1� ��向D1で互いの距離を確保するために、表示� �領域RAを形成する一対の隔壁BRの一方および� ��方にそれぞれ隣接して配置されている。す� ��わち、互いに異なるバス電極対BEpに設けら� ��、表示列領域RA内で互いに隣接する突起電� �XpまたはYpは、表示列領域RAを形成する一対� �隔壁BRの一方および他方にそれぞれ隣接して 配置されている。

 例えば、表示列領域RA内では、突起電極Xp 、Ypは、互いに隣接する突起電極Xp間の最短� �離S1および突起電極Yp間の最短距離S1が放電� �ャップDGを形成するバス電極Xb、Yb間の距離S2 より大きくなるように配置されている。例え ば、突起電極Xp間(または突起電極Yp間)の最短 距離S1は、200μm程度であり、バス電極Xb、Yb間 の距離S2は、100μm程度である。これにより、� ��の実施形態では、例えば、表示列領域RA内� �互いに隣接するセルC1の一方のセルC1の電極X E、YE間で発生したサステイン放電が、他方の セルC1の電極YE(またはXE)まで広がることを防� ��できる。

 また、表示列領域RA内で互いに隣接する� �ルC1では、一方のセルC1の電極XE(またはYE)と� ��方のセルC1の電極XE(またはYE)とが隣接して� �る。すなわち、一方のセルC1の電極XE(または YE)は、他方のセルC1の電極YE(またはXE)から離� ��て配置されている。これにより、この実施� ��態では、表示列領域RA内で互いに隣接する� �ルC1の一方のセルC1の電極XE、YE間でサステイ ン放電を発生させる際に、一方のセルC1の電� ��XE(またはYE)と他方のセルC1の電極YE(またはXE )との間で誤放電が発生することを防止でき� �。

 また、この実施形態では、表示列領域RA� �で互いに隣接するセルC1の突起電極Xp間(およ び突起電極Yp間)の距離が主に第1方向D1で確保 されるため、互いに隣接するセルC1間の第2方 向D2の距離を小さくできる。すなわち、この� ��施形態では、互いに隣接するセルC1間に形� �される非発光領域を小さくでき、画像の輝� �を高くできる。換言すれば、この実施形態� �は、互いに対をなす突起電極Xp、Ypを含む発� ��領域(セルC1)を大きくでき、画像の輝度を高 くできる。特に、この実施形態では、誤放電 を防止しつつ、画像の輝度を高くできる。

 アドレス電極AEは、互いに隣接する隔壁BR の間に配置されている。なお、図の例では、 アドレス電極AEは、各セルC1の突起電極Xp、Yp� ��を通って第2方向D2に延在して配置されてい� ��。これにより、アドレス電極AEと走査電極YE (突起電極Yp)との間に電圧を印加することに� �り、着目するセルC1でアドレス放電を発生さ せることができる。

 図3は、図1に示したPDP10を用いて構成され たプラズマディスプレイ装置の一例を示して いる。プラズマディスプレイ装置(以下、PDP� �置とも称する)は、PDP10、PDP10の画像表示面16� ��(光の出力側)に設けられる光学フィルタ20、 PDP10の画像表示面16側に配置された前筐体30、 PDP10の背面18側に配置された後筐体40およびベ ースシャーシ50、ベースシャーシ50の後筐体40 側に取り付けられ、PDP10を駆動するための回� ��部60、およびPDP10をベースシャーシ50に貼り� ��けるための両面接着シート70を有している� �回路部60は、複数の部品で構成されるため、 図では、破線の箱で示している。光学フィル タ20は、前筐体30の開口部32に取り付けられる 保護ガラス(図示せず)に貼付される。なお、� ��学フィルタ20は、電磁波を遮蔽する機能を� �してもよい。また、光学フィルタ20は、保護 ガラスではなく、PDP10の画像表示面16側に直� �貼付されてもよい。

 図4は、図1に示したPDP10を駆動するための 回路部60の概要を示している。回路部60は、X� ��ライバXDRV、YドライバYDRV、アドレスドライ� ��ADRV、電源部PWRおよび制御部CNTを有している 。ドライバXDRV、YDRV、ADRVは、PDP10を駆動する� ��動部として動作する。例えば、XドライバXDR Vは、バス電極Xbに共通のパルスを印加し、Y� �ライバYDRVは、バス電極Ybに選択的にパルス� �印加し、アドレスドライバADRVは、アドレス� ��極AEに選択的にアドレスパルスを印加する� �電源部PWRは、ドライバYDRV、XDRV、ADRVに供給� �る電源電圧Vsc、Vs/2、-Vs/2、Vbx、Vsa等を生成� �る。

 制御部CNTは、ドライバXDRV、YDRV、ADRVの動� ��を制御する。例えば、制御部CNTは、画像デ� ��タR0-7、G0-7、B0-7に基づいて使用するサブフ� ��ールドを選択し、ドライバYDRV、XDRV、ADRVに� ��御信号YCNT、XCNT、ACNTを出力する。ここで、� ��ブフィールドは、PDP10の1画面を表示するた� ��の1フィールドが分割されたフィールドであ り、サブフィールド毎にサステイン放電の回 数が設定されている。そして、画素を構成す るセルC1毎に、使用するサブフィールドを選� ��することにより、多階調の画像が表示され� ��。

 図5は、図1に示したPDPに画像を表示する� �めのサブフィールドの放電動作の一例を示� �ている。図中の星印は、放電の発生を示し� �いる。この例では、各サブフィールドSFは、 リセット期間RSTと、アドレス期間ADRと、サス テイン期間SUSとを有している。

 まず、リセット期間RSTでは、緩やかに下� ��する負の電圧(鈍波)が、維持電極XEに印加さ れ、正の電圧が、走査電極YEに印加される(図 5(a))。そして、維持電極XEは、負の書き込み� �圧に維持され、緩やかに上昇する正の書き� �み電圧(書き込み鈍波)が走査電極YEに印加さ� ��る(図5(b))。これにより、セルの発光を抑え� ��がら維持電極XEと走査電極YEに正と負の壁電 荷がそれぞれ蓄積される。次に、維持電極XE� ��正の調整電圧が印加され、負の調整電圧(調 整鈍波)が走査電極YEに印加される(図5(c))。こ れにより、維持電極XEと走査電極YEにそれぞ� �蓄積された正と負の壁電荷の量が減るとと� �に、全てのセルの壁電荷の量が調整される� �なお、例えば、正の調整電圧は、電圧Vs/2よ� ��低い電圧であり、負の調整電圧の最小値は� ��電圧-Vs/2より高い電圧である。

 アドレス期間ADRでは、アドレス放電時に� ��極となるバイアス電圧Vbxが維持電極XEに印� �され、アドレス放電時に陰極となるスキャ� �パルス(電圧-Vs/2)が走査電極YEに印加され、� �ドレス放電時に陽極となるアドレスパルス(� ��圧Vsa)が、点灯するセルに対応するアドレス 電極AEに印加される(図5(d))。スキャンパルス� ��アドレスパルスにより選択されたセルでは� ��走査電極YEとアドレス電極AE間で一時的に放 電が発生(アドレス放電)し、この放電をトリ� ��にして、維持電極XEと走査電極YE間で一時的 に放電(アドレス放電)が発生する。これによ� ��、サステイン期間SUSに点灯させるセルが選� ��される。なお、例えば、バイアス電圧Vbxは� ��リセット期間RSTに維持電極XEに印加された� �の調整電圧と同じ電圧である。

 また、他の表示ラインのセルを選択する� ��、選択対象以外の表示ラインの走査電極YE� �は、例えば、電圧-Vs/2と電圧Vscとの差電圧で あるバイアス電圧Vbyが印加されている。なお 、アドレス電極AEの波形に示される2回目のア ドレスパルスは、他の表示ラインのセルを選 択するために印加される(図5(e))。

 サステイン期間SUSでは、負および正のサ� ��テインパルス(電圧-Vs/2、電圧Vs/2)が、維持� �極XEおよび走査電極YEにそれぞれ印加される( 図5(f))。これにより、アドレス期間ADRに選択� ��れたセル(点灯させるセル)では、維持電極XE と走査電極YE間で放電(サステイン放電)が発� �する。次に、正および負のサステインパル� �(電圧Vs/2、電圧-Vs/2)が、維持電極XEおよび走� ��電極YEにそれぞれ印加され(図4(g))、点灯し� �セルの放電状態が維持される。互いに極性� �異なるサステインパルスが、維持電極XEおよ び走査電極YEに繰り返して印加されることに� ��り、サステイン期間SUSに点灯したセルの放� ��(サステイン放電)が繰り返し行われる。

 以上、この実施形態では、突起電極Xp、Yp は、各バス電極対BEpのバス電極Xb、Ybから放� �ギャップDGが形成される領域と反対側に第2� �向D2に沿ってそれぞれ突出している。また、 表示列領域RA内では、互いに隣接するセルC1� �突起電極Xp間(および突起電極Yp間)の距離は� �主に第1方向D1で確保される。この結果、こ� �実施形態では、誤放電を防止しつつ、互い� �隣接するセルC1間の第2方向D2の距離を小さく できる。すなわち、この実施形態では、誤放 電を防止しつつ、互いに隣接するセルC1間に� ��成される非発光領域を小さくでき、画像の� ��度を高くできる。

 図6は、別の実施形態におけるPDP10の概要� ��示している。なお、図6は、画像表示面側(� �1の上側)から見た電極Xb、Xp2、Yb、Yp2、AEおよ び隔壁BRの状態を示している。この実施形態� ��は、上述した図1-図2に示した突起電極Xp、Yp の代わりに、突起電極Xp2、Yp2が形成されてい る。その他の構成は、図1-図4で説明した実施 形態と同じである。また、PDP10に画像を表示� ��るための放電動作は、電圧値(例えば、上述 した図5に示した電圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて� ��図5と同じである。図1-図5で説明した要素と 同一の要素については、同一の符号を付し、 これ等については、詳細な説明を省略する。

 突起電極Xp2およびYp2は、バス電極Xbおよ� �Ybと同じ材料(金属材料等)で、バス電極Xbお� �びYbと一体に形成され、一部が隔壁BR上に位� ��するように配置されている。この実施形態� ��は、突起電極Xp2、Yp2がバス電極Xb、Ybと一体 に形成されるため、電極XE、YEを形成するた� �の工程を簡略化でき、製造コストを低減で� �る。

 また、この実施形態では、突起電極Xp2、Y p2の一部を隔壁BR上に位置させることにより� �蛍光体の発光を遮光する突起電極Xp2、Yp2の� �を細くすることなく、可視光を透過しない� �起電極Xp2、Yp2による非発光領域を小さくで� �る。これにより、この実施形態では、突起� �極Xp2、Yp2の幅をある程度の大きさ(例えば、4 0μm程度)に確保でき、突起電極Xp2、Yp2が断線� ��ることを防止できる。すなわち、この実施� ��態では、突起電極Xp2、Yp2が断線することを� ��止しつつ、発光領域を大きくできる。なお� ��突起電極Xp2、Yp2は、突起電極Xp2、Yp2の一方( 例えば、突起電極Xp2)の一部のみが、隔壁BR上 に位置するように配置されてもよい。以上、 この実施形態においても、上述した図1-図5で 説明した実施形態と同様の効果を得ることが できる。また、この実施形態では、突起電極 Xp2、Yp2が断線することを防止できるため、PDP の製造歩留まり、あるいは、PDPの信頼性を向 上できる。

 図7は、別の実施形態におけるPDP10の概要� ��示している。なお、図7は、画像表示面側(� �1の上側)から見た電極Xb、Xp、Yb、Yp、AE2およ� ��隔壁BRの状態を示している。この実施形態� �は、上述した図1-図2に示したアドレス電極AE の代わりに、アドレスパッドApを有するアド� ��ス電極AE2が形成されている。その他の構成� ��、図1-図4で説明した実施形態と同じである� ��また、PDP10に画像を表示するための放電動� �は、電圧値(例えば、上述した図5に示した電 圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて、図5と同じである� ��図1-図5で説明した要素と同一の要素につい� ��は、同一の符号を付し、これ等については� ��詳細な説明を省略する。

 アドレス電極AE2は、上述した図1に示した ガラス基材RS上に、第2方向D2に延在して設け� ��れている。すなわち、アドレス電極AE2は、� ��ラス基材RSのガラス基材FSに対向する面上に 設けられ、第2方向D2に延在し、突起電極Ypと� ��起電極Xpとの間に配置されている。そして� �アドレス電極AE2は、画像表示面側から見て� �突起電極Xp、Ypの一方の突起電極Ypに向かっ� �第1方向D1に突出するアドレスパッドApを有し ている。

 例えば、アドレスパッドApは、セルC1毎に 、アドレス電極AE2と同じ材料(金属材料等)で� ��アドレス電極AE2と一体に形成される。また� ��図の例では、アドレスパッドApは、画像表� �面側から見た場合、一部が突起電極Ypと重な るように配置されている。なお、アドレスパ ッドApは、画像表示面側から見た場合、突起� ��極Ypと重ならない程度に、突起電極Ypに向か って突出して形成されてもよい。この実施形 態では、上述した図1-図5で説明した実施形態 に比べて、アドレス電極AE2(より詳細には、� �ドレスパッドAp)と突起電極Ypとの距離が近い ため、アドレス電極AE2および突起電極Yp間の� ��電開始電圧を低くできる。これにより、こ� ��実施形態では、アドレス電極AE2を駆動する� ��めの回路(例えば、上述した図4のドライバAD RV)の消費電力を小さくできる。

 ここで、アドレス電極AE2と突起電極Ypと� �距離を近くするために、アドレス電極AE2の� �を全体的に太くする構成が、本発明の過程� �考えられた。しかし、この構成では、アド� �ス電極AE2の配線容量が大きくなり、アドレ� �電極AE2を駆動するための回路の消費電力が� �きくなる。

 これに対し、この実施形態では、アドレ� ��電極AE2の幅を全体的に太くする構成に比べ� ��、アドレスパッドApが設けられる部分を除� �た部分のアドレス電極AE2の配線幅を細くで� �、アドレス電極AE2の配線容量を小さくでき� �。したがって、この実施形態では、アドレ� �電極AE2を駆動するための回路の消費電力を� �さくできる。以上、この実施形態において� �、上述した図1-図5で説明した実施形態と同� �の効果を得ることができる。

 図8は、別の実施形態におけるPDP10の概要� ��示している。なお、図8は、画像表示面側(� �1の上側)から見た電極Xb、Xp3、Yb、Yp3、AEおよ び隔壁BRの状態を示している。この実施形態� ��は、突起電極Xp3、Yp3の形状が上述した図1-� �2に示した突起電極Xp、Ypの形状と相違してい る。その他の構成は、図1-図4で説明した実施 形態と同じである。また、PDP10に画像を表示� ��るための放電動作は、電圧値(例えば、上述 した図5に示した電圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて� ��図5と同じである。図1-図5で説明した要素と 同一の要素については、同一の符号を付し、 これ等については、詳細な説明を省略する。

 突起電極Xp3、Yp3は、先端が面取りされた� ��状に形成されている。すなわち、突起電極X p3、Yp3は、先端に面取りされた面取り部TAを� �している。例えば、表示列領域RA内で互いの 先端が隣接する突起電極Xp3(またはYp3)では、� ��方の突起電極Xp3(またはYp3)の面取り部TAは、 他方の突起電極Xp3(またはYp3)の面取り部TAに� �向している。すなわち、互いに異なるバス� �極対BEpに設けられ、かつ、表示列領域RA内で 互いに隣接する突起電極Xp3(またはYp3)では、� ��方の突起電極Xp3(またはYp3)の面取り部TAは、 他方の突起電極Xp3(またはYp3)の面取り部TAに� �向している。

 これにより、この実施形態では、上述し� ��図1-図5で説明した実施形態に比べて、互い� ��隣接する突起電極Xp3間の最短距離S1および� �起電極Yp3間の最短距離S1を大きくできる。し たがって、この実施形態では、表示列領域RA� ��で互いに隣接するセルC1の一方のセルC1の電 極XE、YE間でサステイン放電を発生させる際� �、一方のセルC1の電極XE(またはYE)と他方のセ ルC1の電極YE(またはXE)との間で誤放電が発生� ��ることを確実に防止できる。以上、この実� ��形態においても、上述した図1-図5で説明し� ��実施形態と同様の効果を得ることができる� ��

 図9は、別の実施形態におけるPDP10の概要� ��示している。なお、図9は、画像表示面側(� �1の上側)から見た電極Xb、Xp3、Yb、Yp3、AEおよ び隔壁BRの状態を示している。この実施形態� ��は、突起電極Xp3、Yp3の先端の位置が上述し� ��図8に示した構成と相違している。その他の 構成は、図8で説明した実施形態と同じであ� �。また、PDP10に画像を表示するための放電動 作は、電圧値(例えば、上述した図5に示した� ��圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて、図5と同じであ� �。図1-図5および図8で説明した要素と同一の� ��素については、同一の符号を付し、これ等� ��ついては、詳細な説明を省略する。

 表示列領域RA内で互いの先端TP1、TP2が隣� �する突起電極Xp3(またはYp3)では、一方の突起 電極Xp3(またはYp3)の先端TP1は、他方の突起電� ��Xp3(またはYp3)の先端TP2より、他方の突起電� �Xp3(またはYp3)が接続されるバス電極Xb(または Yb)側に位置している。すなわち、互いに異な るバス電極対BEpに設けられ、かつ、表示列領 域RA内で互いに隣接する突起電極Xp3(またはYp3 )では、一方の突起電極Xp3(またはYp3)の先端TP1 は、他方の突起電極Xp3(またはYp3)の先端TP2よ� ��、他方の突起電極Xp3(またはYp3)が接続され� �バス電極Xb(またはYb)側に位置している。

 これにより、この実施形態では、上述し� ��図8の構成に比べて、互いに隣接するセルC1� ��に形成される非発光領域を小さくでき、画� ��の輝度を高くできる。換言すれば、この実� ��形態では、互いに対をなす突起電極Xp3、Yp3� ��含む発光領域(図の破線で囲んだ領域、セル C1)を大きくでき、画像の輝度を高くできる。

 なお、各突起電極Xp3、Yp3の面取り部TAは� �表示列領域RA内で互いに隣接する突起電極Xp3 間(および突起電極Yp3間)の距離S1が放電ギャ� �プDGを形成するバス電極Xb、Yb間の距離S2より 大きくなるように形成されている。これによ り、この実施形態では、表示列領域RA内で互� ��に隣接するセルC1の一方のセルC1の電極XE、Y E間でサステイン放電を発生させる際に、一� �のセルC1の電極XE(またはYE)と他方のセルC1の� ��極YE(またはXE)との間で誤放電が発生するこ� ��を防止できる。以上、この実施形態におい� ��も、上述した図1-図5および図8で説明した実 施形態と同様の効果を得ることができる。

 図10は、別の実施形態におけるPDP10の概要 を示している。なお、図10は、画像表示面側( 図1の上側)から見た電極Xb、Xp、Yb、Yp、AEおよ び隔壁BRの状態を示している。この実施形態� ��は、バス電極Xb、Ybの並び順およびアドレス 電極AEの配置が上述した図1-図2に示した構成� ��相違している。その他の構成は、図1-図2に� ��した構成と同じである。図1-図2で説明した� ��素と同一の要素については、同一の符号を� ��し、これ等については、詳細な説明を省略� ��る。

 図の例では、電極XE(od)およびYE(od)は、奇� ��番目の表示ラインに対応する維持電極XEお� �び走査電極YEをそれぞれ示し、電極XE(ev)およ びYE(ev)は、偶数番目の表示ラインに対応する 維持電極XEおよび走査電極YEをそれぞれ示し� �いる。なお、以下、奇数および偶数を区別� �ない場合等、電極XE(od)、XE(ev)を電極XE(ある� �は維持電極XE)とも称し、電極YE(od)、YE(ev)を� �極YE(あるいは走査電極YE)とも称する。

 互いに隣接するバス電極対BEpは、一方の� ��ス電極対BEpのバス電極Xbと、他方のバス電� �対BEpのバス電極Ybとが隣接するように配置さ れている。すなわち、奇数番目の表示ライン の維持電極XE(od)は、偶数番目の表示ラインの 走査電極YE(ev)に隣接し、奇数番目の表示ライ ンの走査電極YE(od)は、偶数番目の表示ライン の維持電極XE(ev)に隣接している。

 このため、各表示列領域RAでは、互いに� �接するセルC1の一方のセルC1の突起電極Xpお� �び他方のセルC1の突起電極Ypは、第1方向D1で� ��いの距離を確保するために、表示列領域RA� �形成する一対の隔壁BRの一方および他方にそ れぞれ隣接して配置されている。すなわち、 互いに異なるバス電極対BEpに設けられ、表示 列領域RA内で互いに隣接する突起電極Xpまた� �Ypは、表示列領域RAを形成する一対の隔壁BR� �一方および他方にそれぞれ隣接して配置さ� �ている。

 例えば、表示列領域RA内では、突起電極Xp 、Ypは、互いに隣接する突起電極Xp、Yp間の最 短距離S1が放電ギャップDGを形成するバス電� �Xb、Yb間の距離S2より大きくなるように配置� �れている。例えば、突起電極Xp間(または突� �電極Yp間)の最短距離S1は、200μm程度であり、 バス電極Xb、Yb間の距離S2は、100μm程度である 。これにより、この実施形態では、表示列領 域RA内で互いに隣接するセルC1の一方のセルC1 の電極XE、YE間でサステイン放電を発生させ� �際に、一方のセルC1の維持電極XE(突起電極Xp) と他方のセルC1の走査電極YE(突起電極Yp)との� ��で誤放電が発生することを防止できる。

 また、この実施形態では、表示列領域RA� �で互いに隣接するセルC1の突起電極Xp、Yp間� �距離が主に第1方向D1で確保されるため、互� �に隣接するセルC1間の第2方向D2の距離を小さ くできる。すなわち、この実施形態では、互 いに隣接するセルC1間に形成される非発光領� ��を小さくでき、画像の輝度を高くできる。� ��言すれば、この実施形態では、互いに対を� ��す突起電極Xp、Ypを含む発光領域(セルC1)を� �きくでき、画像の輝度を高くできる。特に� �この実施形態では、誤放電を防止しつつ、� �像の輝度を高くできる。

 図の例では、アドレス電極AEは、各セルC1 の突起電極Xp、Yp間を通って第2方向D2に延在� �、突起電極Ypに隣接して配置されている。な お、アドレス電極AEは、画像表示面側から見� ��場合、一部が突起電極Ypと重なるように配� �されてもよい。また、アドレス電極AEは、上 述した図1で説明したように、ガラス基材RS上 に設けられている。すなわち、アドレス電極 AEは、図1に示した誘電体層DL1とガラス基材RS� ��の間に設けられ、第2方向D2に延在し、突起� ��極Xp、Ypの一方の突起電極Ypに隣接して配置� ��れている。

 この実施形態では、アドレス電極AEと突� �電極Ypとが隣接しているため、アドレス電極 AEおよび突起電極Yp間の放電開始電圧を低く� �き、アドレス電極AEを駆動するための回路(� �えば、後述する図11のドライバADRV)の消費電� ��を小さくできる。

 図11は、図10に示したPDP10を駆動するため� ��回路部62の概要を示している。回路部62は、 上述した図4に示した回路部60のXドライバXDRV� ��よび制御部CNTの代わりにXドライバXDRV2およ� ��制御部CNT2がそれぞれ設けられている。その 他の構成は、図4に示した回路部60と同じであ る。図4で説明した要素と同一の要素につい� �は、同一の符号を付し、これ等については� �詳細な説明を省略する。また、図10に示した PDP10を用いて構成されたPDP装置は、図4に示し た回路部60の代わりに回路部62が設けられる� �外、上述した図3の構成と同じである。

 XドライバXDRV2は、例えば、後述する図12� �示すように、アドレス期間ADRに、奇数番目� �表示ラインと偶数番目の表示ラインとに分� �てバイアス電圧Vbxをバス電極Xb(維持電極XE)� �印加する。XドライバXDRV2のその他の動作は� �上述した図4に示したXドライバXDRVと同じで� �る。制御部CNT2は、例えば、後述する図12に� �すように、奇数番目の表示ラインと偶数番� �の表示ラインとに分けて点灯させるセルを� �択するように、ドライバXDRV2、YDRV、ADRVの動� ��を制御する。制御部CNT2のその他の動作は、 上述した図4に示した制御部CNTと同じである� �

 図12は、図10に示したPDP10に画像を表示す� ��ためのサブフィールドの放電動作の一例を� ��している。この実施形態の放電動作は、ア� ��レス期間ADRの波形が上述した図5に示した波 形と相違している。その他の期間(リセット� �間RST、サステイン期間SUS)の放電動作は、図5 に示した放電動作と同じである。図5で説明� �た要素と同一の要素については、同一の符� �を付し、これ等については、詳細な説明を� �略する。図中の星印は、放電の発生を示し� �いる。

 アドレス期間ADRでは、先ず、奇数番目の� ��示ラインのセルを選択するため、バイアス� ��圧Vbxが奇数番目の表示ラインに対応する維� ��電極XE(od)に印加され、接地電圧GNDが偶数番� ��の表示ラインに対応する維持電極XE(ev)に印� ��される。例えば、アドレス放電時に陽極と� ��るバイアス電圧Vbxが維持電極XE(od)に印加さ� ��、アドレス放電時に陰極となるスキャンパ� ��ス(電圧-Vs/2)が走査電極YE(od)に印加され、ア ドレス放電時に陽極となるアドレスパルス(� �圧Vsa)が、点灯するセルに対応するアドレス� ��極AEに印加される(図12(h))。

 スキャンパルスとアドレスパルスにより� ��択されたセルでは、走査電極YE(od)とアドレ� ��電極AE間で一時的に放電が発生(アドレス放� ��)し、この放電をトリガにして、維持電極XE( od)と走査電極YE(od)間で一時的に放電(アドレ� �放電)が発生する。これにより、サステイン� ��間SUSに点灯させる偶数番目の表示ラインの� ��ルが選択される。

 なお、バイアス電圧Vbxより低い接地電圧G NDが維持電極XE(ev)に印加されているため、維� ��電極XE(ev)と走査電極YE(od)間の電圧は、維持� ��極XE(od)と走査電極YE(od)間の電圧より小さい� ��これにより、この実施形態では、走査電極Y E(od)とアドレス電極AE間で放電が発生した祭� �、維持電極XE(ev)と走査電極YE(od)間で誤放電� �発生することを防止できる。

 また、他の奇数番目の表示ラインのセル� ��選択する際、選択対象以外の奇数番目の表� ��ラインの走査電極YE(od)には、例えば、電圧- Vs/2と電圧Vscとの差電圧であるバイアス電圧Vb yが印加されている。なお、アドレス電極AEの 波形に示される2回目のアドレスパルスは、� �の奇数番目の表示ラインのセルを選択する� �めに印加される(図12(i))。

 次に、偶数番目の表示ラインのセルを選� ��するため、バイアス電圧Vbxが維持電極XE(ev)� ��印加され、接地電圧GNDが維持電極XE(od)に印� ��される。例えば、アドレス放電時に陽極と� ��るバイアス電圧Vbxが維持電極XE(ev)に印加さ� ��、アドレス放電時に陰極となるスキャンパ� ��ス(電圧-Vs/2)が走査電極YE(ev)に印加され、ア ドレス放電時に陽極となるアドレスパルス(� �圧Vsa)が、点灯するセルに対応するアドレス� ��極AEに印加される(図12(j))。

 スキャンパルスとアドレスパルスにより� ��択されたセルでは、走査電極YE(ev)とアドレ� ��電極AE間で一時的に放電が発生(アドレス放� ��)し、この放電をトリガにして、維持電極XE( ev)と走査電極YE(ev)間で一時的に放電(アドレ� �放電)が発生する。これにより、サステイン� ��間SUSに点灯させる奇数番目の表示ラインの� ��ルが選択される。なお、接地電圧GNDが維持� ��極XE(od)に印加されているため、走査電極YE(e v)とアドレス電極AE間で放電が発生しても、� �持電極XE(od)と走査電極YE(ev)間で誤放電は、� �生しない。

 また、他の偶数番目の表示ラインのセル� ��選択する際、選択対象以外の偶数番目の表� ��ラインの走査電極YE(ev)には、例えば、バイ� ��ス電圧Vbyが印加されている。なお、アドレ� ��電極AEの波形に示される最後のアドレスパ� �スは、他の偶数番目の表示ラインのセルを� �択するために印加される(図12(k))。なお、奇� ��番目および偶数番目の表示ラインに拘わら� ��、選択対象以外の表示ラインの走査電極YE� �、バイアス電圧Vbyが印加されてもよい。ま� �、セルの選択順序を奇数番目の表示ライン� �偶数番目の表示ラインとで逆にしてもよい� �例えば、偶数番目の表示ラインのセルが選� �された後に、奇数番目の表示ラインのセル� �選択されてもよい。

 以上、この実施形態においても、上述し� ��図1-図5で説明した実施形態と同様の効果を� ��ることができる。さらに、この実施形態で� ��、アドレス電極AEは、上述した図7に示した� ��ドレスパッドAp等を設けることなく、突起� �極Ypに隣接して配置されている。この結果、 この実施形態では、アドレス電極AEを駆動す� ��ための回路の消費電力を小さくできる。

 図13は、別の実施形態におけるPDP10の概要 を示している。なお、図13は、画像表示面側( 図1の上側)から見た電極Xb、Xp、Yb、Yp、AEおよ び隔壁BRの状態を示している。この実施形態� ��は、突起電極Ypおよびアドレス電極AEの配置 が上述した図10に示した構成と相違している� ��その他の構成は、図10-図11で説明した実施� �態と同じである。また、PDP10に画像を表示す るための放電動作は、電圧値(例えば、上述� �た図5に示した電圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて、 図12と同じである。図1-図5、図10-図12で説明� �た要素と同一の要素については、同一の符� �を付し、これ等については、詳細な説明を� �略する。

 アドレス電極AEは、隔壁BRと突起電極Ypと� ��間を通って第2方向D2に延在し、突起電極Yp� �隣接して配置されている。なお、突起電極Yp は、画像表示面側から見た場合、一部がアド レス電極AEと重なるように配置されてもよい� ��この実施形態では、アドレス電極AEと突起� �極Ypとが隣接しているため、アドレス電極AE� ��よび突起電極Yp間の放電開始電圧を低くで� �、アドレス電極AEを駆動するための回路(例� �ば、上述した図11のドライバADRV)の消費電力� ��小さくできる。以上、この実施形態におい� ��も、上述した図10-図12で説明した実施形態� �同様の効果を得ることができる。

 図14は、別の実施形態におけるPDP10の要部 を示している。この実施形態では、アドレス 電極AEが前面基板部12に設けられている点が� �述した図13で説明した実施形態と相違してい る。また、この実施形態の背面基板部14は、� ��述した図1に示した構成から誘電体層DL2が省 かれて構成されている。その他の構成は、図 13で説明した実施形態と同じである。すなわ� ��、画像表示面側(図14の上側)から見た電極Xb� ��Xp、Yb、Yp、AEおよび隔壁BRの状態は、上述し た図13と同じである。

 また、PDP10に画像を表示するための放電� �作は、電圧値(例えば、上述した図5に示した 電圧Vs/2、-Vs/2、Vsa)を除いて、図12と同じであ る。図1-図5、図10-図13で説明した要素と同一� ��要素については、同一の符号を付し、これ� ��については、詳細な説明を省略する。

 アドレス電極AEは、誘電体層DL1上(図では� ��側)に、第2方向D2に延在して設けられている 。また、アドレス電極AEは、画像表示面側(図 14の上側)から見た場合、上述した図13に示し� ��ように、隔壁BRと突起電極Ypとの間に配置さ れている。なお、アドレス電極AEは、一部が� ��壁BR上に配置されてもよい。また、突起電� �Ypは、一部がアドレス電極AE上に配置されて� ��よい。

 アドレス電極AEおよび誘電体層DL1は、保� �層PLに覆われている。例えば、この実施形態 では、誘電体層DL1は、CVD法により形成された 二酸化シリコン膜等の絶縁膜である。放電空 間DSを介して前面基板部12に対向する背面基� �部14は、ガラス基材RS上に、アドレス電極AE� �沿って延在する隔壁BRを有している。すなわ ち、隔壁BRは、ガラス基材RSのガラス基材FSに 対向する面上に間隔を置いて配置され、第2� �向D2に延在している。以上、この実施形態に おいても、上述した図13で説明した実施形態� ��同様の効果を得ることができる。

 なお、上述した実施形態では、1つの画素 が、3つのセル(赤(R)、緑(G)、青(B))により構成 される例について述べた。本発明はかかる実 施形態に限定されるものではない。例えば、 1つの画素を4つ以上のセルにより構成しても� ��い。あるいは、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、 青(B)以外の色を発生するセルにより構成され てもよく、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)� �外の色を発生するセルを含んでもよい。

 上述した実施形態では、第2方向D2が、第1 方向D1に直交する例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、第2方向D2は、第1方向D1と、ほぼ直� ��方向(例えば、90度±5度)に交差してもよい。 この場合にも、上述した実施形態と同様の効 果を得ることができる。

 上述した図1-図9で説明した実施形態では� ��互いに隣接するバス電極対BEpが、一方のバ� ��電極対BEpのバス電極Xbと、他方のバス電極� �BEpのバス電極Xbとが隣接するように配置され る例について述べた。本発明はかかる実施形 態に限定されるものではない。例えば、互い に隣接するバス電極対BEpは、一方のバス電極 対BEpのバス電極Xbと、他方のバス電極対BEpの� ��ス電極Ybとが隣接するように配置されても� �い。この場合にも、上述した図1-図9で説明� �た実施形態と同様の効果を得ることができ� �。

 上述した図1-図5、図7-図14で説明した実施 形態では、突起電極Xp(Xp3)、Yp(Yp3)がITO膜等の� ��視光を透過する材料で形成される例につい� ��述べた。本発明はかかる実施形態に限定さ� ��るものではない。例えば、突起電極Xp(Xp3)、 Yp(Yp3)は、バス電極Xb、Ybと同じ材料(金属材料 等)で、バス電極Xb、Ybと一体に形成されても� ��い。この場合、電極XE、YEを形成するための 工程を簡略化でき、製造コストを低減できる 。この場合にも、上述した図1-図5、図7-図14� �説明した実施形態と同様の効果を得ること� �できる。

 上述した図1-図6、図8-図13で説明した実施 形態では、アドレス電極AEがガラス基材RS上� �設けられる例について述べた。本発明はか� �る実施形態に限定されるものではない。例� �ば、アドレス電極AEは、上述した図14に示し� ��ように、電極Xb、Xp、Yb、Ypを覆う誘電体層DL 1上に設けられてもよい。この場合にも、上� �した図1-図6、図8-図13で説明した実施形態と� ��様の効果を得ることができる。

 以上、本発明について詳細に説明してき� ��が、上記の実施形態およびその変形例は発� ��の一例に過ぎず、本発明はこれに限定され� ��ものではない。本発明を逸脱しない範囲で� ��形可能であることは明らかである。