以下、本発明の実施の形態におけるPDPに� ��いて図面を用いて説明する。

 (実施の形態)
 図1は本発明の実施の形態におけるPDPの構造 を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般 的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示� �ように、PDP1は、前面ガラス基板3などよりな る前面板2と背面ガラス基板11などよりなる背 面板10とが対向して配置され、その外周部を� ��ラスフリットなどからなる封着材によって� ��密封着して構成されている。封着されたPDP1 内部の放電空間16には、NeおよびXeなどの放電 ガスが5.3×104Pa~8.0×104Paの圧力で封入されてい る。

 前面板2の前面ガラス基板3上には、走査� �極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表 示電極6と遮光層7が互いに平行にそれぞれ複� ��列配置されている。前面ガラス基板3上には 表示電極6と遮光層7とを覆うようにコンデン� ��としての働きをする誘電体層8が形成され、 さらにその表面にMgOなどからなる保護層9が� �成されている。

 また、背面板10の背面ガラス基板11上には 、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交 する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が� ��いに平行に配置され、これを下地誘電体層1 3が被覆している。さらに、アドレス電極12間 の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る� �定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14� ��の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によっ� �赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する� �光体層15が順次塗布して形成されている。走 査電極4および維持電極5とアドレス電極12と� �交差する位置に放電セルが形成され、表示� �極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体� ��15を有する放電セルがカラー表示のための� �素になる。

 図2は、本発明の実施の形態におけるPDP1� �前面板2の構成を示す断面図であり、図2は図 1と上下反転して示している。図2に示すよう� ��、フロート法などにより製造された前面ガ� ��ス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる� ��示電極6と遮光層7がパターン形成されてい� �。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジウ ムスズ酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO2)などからな� ��透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成� �れた金属バス電極4b、5bとにより構成されて� ��る。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの� �手方向に導電性を付与する目的として用い� �れ、銀(Ag)材料を主成分とする導電性材料に� ��って形成されている。

 誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成� �れたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4 b、5bと遮光層7とを覆って設けた第一誘電体� �81と、第一誘電体層81上に形成された第二誘� ��体層82の少なくとも2層構成とし、さらに第� ��誘電体層82上に保護層9を形成している。

 次に、PDPの製造方法について説明する。� ��ず、前面ガラス基板3上に、走査電極4およ� �維持電極5と遮光層7とを形成する。これらの 透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォ� ��リソグラフィ法などを用いてパターニング� ��て形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセ スなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5 bは銀(Ag)材料を含むペーストを所定の温度で� ��成して固化している。また、遮光層7も同様 に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印 刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に 形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて パターニングし、焼成することにより形成さ れる。

 次に、走査電極4、維持電極5および遮光� �7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペ ーストをダイコート法などにより塗布して誘 電体ペースト層(誘電体材料層)を形成する。� ��電体ペーストを塗布した後、所定の時間放� ��することによって塗布された誘電体ペース� ��表面がレベリングされて平坦な表面になる� ��その後、誘電体ペースト層を焼成固化する� ��とにより、走査電極4、維持電極5および遮� �層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、誘 電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料 、バインダおよび溶剤を含む塗料である。

 次に、誘電体層8上にMgOからなる下地膜91� ��真空蒸着法により形成する。その後、下地� ��91上に金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aが� �個凝集した凝集粒子92を、スクリ-ン印刷な� �を用いて全面に亘ってほぼ均一に分布する� �うに複数個付着させて保護層9を形成してい� ��。

 以上の工程により前面ガラス基板3上に所 定の構成物(走査電極4、維持電極5、遮光層7� �誘電体層8、保護層9)が形成され、前面板2が� ��成する。

 一方、背面板10は次のようにして形成さ� �る。まず、背面ガラス基板11上に、銀(Ag)材� �を含むペーストをスクリーン印刷する方法� �、金属膜を全面に形成した後、フォトリソ� �ラフィ法を用いてパターニングする方法な� �によりアドレス電極12用の構成物となる材料 層を形成し、それを所定の温度で焼成するこ とによりアドレス電極12を形成する。次に、� ��ドレス電極12が形成された背面ガラス基板11 上にダイコート法などによりアドレス電極12� ��覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電� ��ペースト層を形成する。その後、誘電体ペ� ��スト層を焼成することにより下地誘電体層1 3を形成する。

 なお、前面板2で形成した誘電体層8と同� �に、下地誘電体層13を形成する材料である誘 電体ペーストもガラス粉末などの誘電体材料 とバインダおよび溶剤を含んだ塗料で構成さ れ、バインダの含有割合などを調整すること により、焼成後の下地誘電体層13の空隙率を� ��御することができる。

 本発明に至る実験においては、このバイ� ��ダの含有量を調整し、下地誘電体層13の空� �率を最大50%まで変化させたPDPを試作して評� �した。

 次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含� �隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状� �パターニングすることにより隔壁材料層を� �成し、その後、焼成することにより隔壁14を 形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布� ��た隔壁用ペーストをパターニングする方法� ��しては、フォトリソグラフィ法やサンドブ� ��スト法を用いることができる。次に、隣接� ��る隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14� ��側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを� ��布し、焼成することにより蛍光体層15が形� �される。以上の工程により、背面ガラス基� �11上に所定の構成部材を有する背面板10が完� ��する。

 このようにして所定の構成部材を備えた� ��面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電 極12とが直交するように対向配置して、その� ��囲をガラスフリットで封着し、放電空間16� �Ne、Xeなどを含む放電ガスを封入することに� ��りPDP1が完成する。

 ここで、前面板2の誘電体層8を構成する� �一誘電体層81と第二誘電体層82について詳細� ��説明する。第一誘電体層81の誘電体材料は� �次の材料組成より構成されている。すなわ� �、酸化ビスマス(Bi2O3)を20重量%~40重量%、酸化 カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、� �化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種� �0.5重量%~12重量%、酸化モリブデン(MoO3)、酸化 タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、二酸� ��マンガン(MnO2)から選ばれる少なくとも1種を 0.1重量%~7重量%含んでいる。

 なお、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タング� ��テン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、二酸化マン� �ン(MnO2)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr 2O3)、酸化コバルト(Co2O3)、酸化バナジウム(V2O 7)、酸化アンチモン(Sb2O3)から選ばれる少なく とも1種を0.1重量%~7重量%含ませてもよい。

 また、上記以外の成分として、酸化亜鉛( ZnO)を0重量%~40重量%、酸化硼素(B2O3)を0重量%~35 重量%、酸化硅素(SiO2)を0重量%~15重量%、酸化� �ルミニウム(Al2O3)を0重量%~10重量%など、鉛成� ��を含まない材料組成が含まれていてもよい� ��

 これらの組成成分からなる誘電体材料を� ��湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径� ��0.5μm~2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料 粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55� ��量%~70重量%と、バインダ成分30重量%~45重量%� ��を三本ロールでよく混練してダイコート用� ��または印刷用の第一誘電体層用ペーストを� ��製する。

 バインダ成分はエチルセルロース、また� ��アクリル樹脂1重量%~20重量%を含むターピネ� ��ール、またはブチルカルビトールアセテー� ��である。また、ペースト中には、必要に応� ��て可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタ� ��酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸� ��リブチルを添加し、分散剤としてグリセロ� ��ルモノオレート、ソルビタンセスキオレヘ� ��ト、アルキルアリル基のリン酸エステルな� ��を添加して印刷性を向上させてもよい。

 次に、この第一誘電体層用ペーストを用� ��、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3� �ダイコート法あるいはスクリーン印刷法で� �刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟� �点より少し高い温度の575℃~590℃で焼成する� ��

 次に、第二誘電体層82について説明する� �第二誘電体層82の誘電体材料は、次の材料組 成より構成されている。すなわち、酸化ビス マス(Bi2O3)を11重量%~20重量%、さらに、酸化カ� ��シウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化 バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を1.6 重量%~21重量%、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タ� ��グステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)から選ば� �る少なくとも1種を0.1重量%~7重量%含んでいる 。

 なお、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タング� ��テン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)に代えて、酸� �銅(CuO)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化コバルト(Co2O 3)、酸化バナジウム(V2O7)、酸化アンチモン(Sb2 O3)、酸化マンガン(MnO2)から選ばれる少なくと も1種を0.1重量%~7重量%含ませてもよい。

 また、上記以外の成分として、酸化亜鉛( ZnO)を0重量%~40重量%、酸化硼素(B2O3)を0重量%~35 重量%、酸化硅素(SiO2)を0重量%~15重量%、酸化� �ルミニウム(Al2O3)を0重量%~10重量%など、鉛成� ��を含まない材料組成が含まれていてもよい� ��

 これらの組成成分からなる誘電体材料を� ��湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径� ��0.5μm~2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料 粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55� ��量%~70重量%と、バインダ成分30重量%~45重量%� ��を三本ロールでよく混練してダイコート用� ��または印刷用の第二誘電体層用ペーストを� ��製する。バインダ成分はエチルセルロース� ��またはアクリル樹脂1重量%~20重量%を含むタ� ��ピネオール、またはブチルカルビトールア� ��テートである。また、ペースト中には、必� ��に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル� ��フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、� ��ン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグ� ��セロールモノオレート、ソルビタンセスキ� ��レヘート、アルキルアリル基のリン酸エス� ��ルなどを添加して印刷性を向上させてもよ� ��。

 次にこの第二誘電体層用ペーストを用い� ��第一誘電体層81上にスクリーン印刷法ある� �はダイコート法で印刷して乾燥させ、その� �、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の55 0℃~590℃で焼成する。

 なお、誘電体層8の膜厚としては、可視光 透過率を確保するために、第一誘電体層81と� ��二誘電体層82とを合わせ41μm以下とすること が好ましい。第一誘電体層81は、金属バス電� ��4b、5bの銀(Ag)との反応を抑制するために酸� �ビスマス(Bi2O3)の含有量を第二誘電体層82の� �化ビスマス(Bi2O3)の含有量よりも多くして20� �量%~40重量%としている。そのため、第一誘電 体層81の可視光透過率が第二誘電体層82の可� �光透過率よりも低くなるので、第一誘電体� �81の膜厚を第二誘電体層82の膜厚よりも薄く� ��ている。

 なお、第二誘電体層82において酸化ビス� �ス(Bi2O3)が11重量%以下であると着色は生じに� ��くなるが、第二誘電体層82中に気泡が発生� �やすく好ましくない。また、40重量%を超え� �と着色が生じやすくなり透過率をあげる目� �には好ましくない。

 また、誘電体層8の膜厚が小さいほどPDP輝 度の向上と放電電圧を低減するという効果は 顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない範囲 内であればできるだけ膜厚を小さく設定する のが望ましい。このような観点から、本発明 の実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41μm以 下に設定し、第一誘電体層81を5μm~15μm、第二 誘電体層82を20μm~36μmとしている。

 このようにして製造されたPDPは、表示電� ��6に銀(Ag)材料を用いても、前面ガラス基板3� ��着色現象(黄変)が少なくて、なおかつ、誘� �体層8中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧� ��能に優れた誘電体層8を実現することを確認 している。

 次に、本発明の実施の形態におけるPDPに� ��いて、これらの誘電体材料によって第一誘� ��体層81において黄変や気泡の発生が抑制さ� �る理由について考察する。すなわち、酸化� �スマス(Bi2O3)を含む誘電体ガラスに酸化モリ� ��デン(MoO3)、または酸化タングステン(WO3)を� �加することによって、Ag2MoO4、Ag2Mo2O7、Ag2Mo4O1 3、Ag2WO4、Ag2W2O7、Ag2W4O13といった化合物が580� �以下の低温で生成しやすいことが知られて� �る。

 本発明の実施の形態では、誘電体層8の焼 成温度が550℃~590℃であることから、焼成中� �誘電体層8中に拡散した銀イオン(Ag+)は誘電� �層8中の酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングス� ��ン(WO3)酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2 )と反応して安定な化合物を生成して安定化� �る。すなわち、銀イオン(Ag+)が還元されるこ となく安定化されるために、凝集してコロイ ドを生成することがない。したがって、銀イ オン(Ag+)が安定化することによって、銀(Ag)の コロイド化に伴う酸素の発生も少なくなるた め、誘電体層8中への気泡の発生も少なくな� �。

 一方、これらの効果を有効にするために� ��、酸化ビスマス(Bi2O3)を含む誘電体ガラス中 に酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO 3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化マンガン(MnO2)の� ��有量を0.1重量%以上にすることが好ましいが 、0.1重量%以上7重量%以下がさらに好ましい。 特に、0.1重量%未満では黄変を抑制する効果� �少なく、7重量%を超えるとガラスに着色が起 こり好ましくない。

 すなわち、本発明の実施の形態におけるP DPの誘電体層8は、銀(Ag)材料よりなる金属バ� �電極4b、5bと接する第一誘電体層81では黄変� �象と気泡発生を抑制し、第一誘電体層81上に 設けた第二誘電体層82によって高い光透過率� ��実現している。その結果、誘電体層8全体と して、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過 率の高いPDPを実現することが可能となる。

 なお、背面板10の下地誘電体層13の材料成 分は、前面板2の誘電体層8と同様に鉛成分を� ��有しないガラス材料などによって構成され� ��いるが、銀材料を含むアドレス電極12によ� �着色現象に対しては前面板2の誘電体層8ほど 条件を厳しくする必要はない。

 次に、本発明による保護層9の構成および 製造方法について詳細に説明する。

 図3は本発明の実施の形態におけるPDPの保 護層9部分を拡大して示す説明図である。図3� ��示すように、保護層9は、誘電体層8上にMgO� �らなる下地膜91を形成し、その下地膜91上に� ��金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aが数個凝� ��した凝集粒子92を離散的に全面に亘ってほ� �均一に分布するように付着させて構成して� �る。

 ここで、凝集粒子92とは、図4に示すよう� ��、所定の粒径の一次粒子である結晶粒子92a� ��凝集またはネッキングした状態のものであ� ��。また、凝集粒子92はそれぞれの一次粒子� �固体として大きな結合力を持って結合して� �るのではない。すなわち、静電気やファン� �ルワールス力などによって複数の一次粒子� �集合体の体をなし超音波などの外的刺激に� �り、その一部または全部が一次粒子の状態� �なる程度で結合しているものである。凝集� �子92の粒径としては約1μm程度のものであり� �結晶粒子92aの形状としては、14面体や12面体� ��どの7面以上の面を持つ多面体形状が望まし い。

 また、この結晶粒子92aの一次粒子の粒径� ��、結晶粒子92aの生成条件によって制御でき� ��。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグ� ��シウムなどのMgO前駆体を焼成して生成する� ��合、焼成温度や焼成雰囲気を制御すること� ��粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は7 00℃程度から1500℃程度の範囲で選択できるが 、焼成温度が比較的高い1000℃以上にするこ� �で、一次粒径を0.3μm~2μm程度に制御可能であ る。さらに、結晶粒子92aはMgO前駆体を加熱す ることにより得られるが、その生成過程にお いて、複数個の一次粒子同士が凝集またはネ ッキングと呼ばれる現象により結合した凝集 粒子92を得ることができる。

 以上のように、本発明の実施の形態にお� ��る保護層9は、誘電体層8上にMgOにより構成� �た下地膜91を形成するとともに、下地膜91に� ��属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集� ��た凝集粒子92を全面に亘って分布するよう� �複数個付着させて構成している。このよう� �構成することにより、電子放出特性として� �放電遅れ(ts)を改善し、さらには電荷保持特� ��をも改善することができるものである。そ� ��結果、高精細化により走査線数が増加し、� ��つセルサイズが小さくなる傾向にあるPDPで� ��っても、電子放出能力と電荷保持能力の両� ��を満足させて、高画質で低電圧駆動のPDPを� ��現することが可能となる。

 一方、前述のように、MgOの凝集粒子92を� �護層の下地膜91上に形成したPDPにおいても、 近年の高精細で高輝度の表示性能を備えたPDP においては、長時間の放電によってイオン衝 撃により下地膜91のスパッタが促進され、放� ��電圧の上昇や画像のチラツキが発生すると� ��った課題があった。

 これらの下地膜91の放電によるスパッタ� �は、放電空間に存在する水分量に影響され� �水分量が多い場合にスパッタ量が多くなる� �とがわかった。特に背面板10を構成する下地 誘電体層13からの水分の放電空間16への放出� �影響が大きく、下地誘電体層13の空隙率を制 御して放電空間16への水分の持込と放電中の� ��電空間16への水分拡散を制御することが重� �であることがわかった。

 そこで本発明の実施の形態では、下地誘� ��体層13に着目し、下地誘電体層13の空隙率を 変えたPDPを作製して、それぞれについて電子 放出特性と所定時間放電させた後の下地膜91� ��スパッタ量とについて調べた。なお、下地� ��電体層13の空隙率は下地誘電体層13を形成す る際のペーストにおける樹脂成分の調合割合 などを調整することによって変えている。

 図5は本発明の実施の形態におけるPDPにお いて、下地誘電体層13の空隙率と下地膜91の� �パッタ量および放電特性との関係を示す図� �ある。図5において、横軸は下地誘電体層13� �空隙率であり、縦軸は下地膜91のスパッタ量 と放電特性としての放電遅れ(ts値)の変化量� �示している。

 ここで、下地誘電体層13の空隙率は下地� �電体層13の断面SEM写真を画像処理することに より測定した。また、所定時間放電させた後 の下地膜91のスパッタ量についても断面SEM写� ��からその掘り込み量を測定した。なお、実� ��は加速ライフ試験として2万時間相当の放電 を行い、その結果としての下地膜91のスパッ� ��量と、放電初期の放電遅れ(ts値)からの変化 量とを測定した。

 また、電子放出特性としての放電遅れ(ts� ��)は、特開2007-48733号公報に記載されている� �法を用い、放電時の遅れ時間のうち、統計� �れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目� �となる数値を測定してその逆数を積分する� �とで評価している。この放電時の遅れ時間� �は、パルスの立ち上がりから放電が遅れて� �われる放電遅れ時間(以下、ts値と呼称する)� ��意味する。

 図5に示すように、下地誘電体層13の空隙� ��によって、下地膜91のスパッタ量と放電遅� �の変化量が大きく変化することがわかる。� �なわち、下地誘電体層13の空隙率の上昇につ れて下地膜91のスパッタ量が増加し、空隙率� ��20%を超えるとその増加傾向が顕著になるこ� ��がわかる。このことは、下地誘電体層13か� �放出される水分の量が大きくなることによ� �てスパッタが促進される結果である。

 一方、放電遅れ(ts値)の変化、すなわち放 電初期に比べて2万時間相当の加速ライフ放� �をした後の放電遅れは、下地誘電体層13の空 隙率が小さければ小さいほどその変化が大き いことわかる。これは、下地誘電体層13の空� ��率が小さくなりすぎると、放電空間内に放� ��される水分量が減少して、保護層9の表面に 存在するOH基による欠陥準位が安定的に供給� ��れなくなり、その結果として保護層9表面か らの2次電子放出が小さくなり放電が遅れる� �のと考えられる。

 表示装置の寿命として10万時間を必要と� �る場合、2万時間の加速ライフ放電によるス� ��ッタ量としては200nm以下、ts変化量としては 5倍以内が要求される。したがって、下地誘� �体層13の空隙率が2%から20%の範囲内であれば� ��命10万時間を確保することができる。

 次に、本発明の実施の形態におけるPDPの� ��護層9に用いた結晶粒子92aの粒径について説 明する。なお、以下の説明において、粒径と は平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累 積平均径(D50)のことを意味している。図6は、 凝集粒子92を構成するMgOの結晶粒子92aの粒径� ��変化させて電子放出性能を調べた実験結果� ��示す図である。なお、図6および図7におい� �、MgOの結晶粒子92aの粒径は、結晶粒子92aをSE M観察することで測長した。電子放出性能は� �述と同様の放電遅れを測定し、粒径が0.1μm� �場合を基準として示している。

 図6に示すように、結晶粒子92aの粒径が0.6 μm以下の領域では電子放出性能が急激に低下 し、0.9μm以上であれば高い電子放出性能が得 られることがわかる。

 ところで、放電セル内での電子放出数を� ��加させるためには、保護層9上の単位面積あ たりの結晶粒子92aの数は多い方が望ましい。 しかしながら、本発明者らの実験によれば、 前面板2の保護層9と密接に接触する背面板10� �隔壁14の頂部に相当する部分に結晶粒子92aが 存在することで、隔壁14の頂部を破損させ、� ��の材料が蛍光体層15の上に乗るなどによっ� �、該当するセルが正常に点灯消灯しなくな� �現象が発生することがわかった。この隔壁� �損の現象は、結晶粒子92aが隔壁14の頂部に対 応する部分に存在しなければ発生しにくいこ とから、付着させる結晶粒子92aの数が多くな れば、隔壁14の破損発生確率が高くなる。

 図7は、単位面積当たりに粒径の異なる同 じ数の結晶粒子を散布し、隔壁破損の関係を 実験した結果を示す図である。図7から明ら� �なように、結晶粒子92aの粒径が2.5μm程度に� �きくなると隔壁破損の確率が急激に高くな� �が、2.5μmより小さい結晶粒子径であれば、� �壁破損の確率は比較的小さく抑えることが� �きることがわかる。

 以上の結果より、結晶粒子が凝集した凝� ��粒子92としては粒径が0.9μm以上2.5μm以下の� �のが望ましいと考えられるが、PDPとして実� �に量産する場合には、結晶粒子の製造上で� �ばらつきや保護層を形成する場合の製造上� �のばらつきを考慮し、平均粒径が0.9μm~2μmの 範囲にある凝集粒子を使用すれば、上述した 本発明の効果を安定的に得られることがわか った。

 以上のように本発明の実施の形態におけ� ��PDPによれば、下地膜のスパッタを抑制して� ��電子放出性能と電荷保持特性が良好なPDPを� ��ることができ、高精細で高輝度の表示性能� ��備え、低消費電力で長寿命のPDPを実現する� ��とができる。

 なお、以上の説明では、下地膜としてMgO� ��主成分とする場合を例としたが、電子放出� ��能が金属酸化物の単結晶粒子によって支配� ��に制御される構成を取るため、MgOである必� ��はなくAl2O3などの耐衝撃性に優れる他の材� �を用いても構わない。また、本発明の実施� �形態では、単結晶粒子としてMgO粒子を用い� �説明したが、この他の単結晶粒子でも、MgO� �様に高い電子放出性能を持つSr,Ca,Ba,Alなどの 金属の酸化物による結晶粒子を用いても同様 の効果を得ることができるため、粒子種とし てはMgOに限定されるものではない。