以下、本発明の一実施の形態におけるPDP� ��ついて図面を用いて説明する。

 (実施の形態)
 図1は本発明の実施の形態におけるPDPの構造 を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般 的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示� �ように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる 前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背 面板10とが対向して配置されている。PDP1の外 周部はガラスフリットなどからなる封着材に よって気密封着されている。封着されたPDP1� �部の放電空間16には、NeおよびXeなどの放電� �スが400Torr~600Torrの圧力で封入されている。

 前面板2の前面ガラス基板3上には、走査� �極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表 示電極6とブラックストライプ(遮光層)7が互� �に平行にそれぞれ複数列配置されている。� �面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7と� �覆うようにコンデンサとしての働きをする� �電体層8が形成されている。さらに、誘電体� ��8の表面に酸化マグネシウム(MgO)などからな� ��保護層9が形成されている。

 また、背面板10の背面ガラス基板11上には 、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交 する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が� ��いに平行に配置されている。そして、アド� ��ス電極12を下地誘電体層13が被覆している。 さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13� �には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14� ��形成されている。隔壁14間の溝にアドレス� �極12毎に、紫外線によって赤色、緑色および 青色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗� ��して形成されている。走査電極4および維持 電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放 電セルが形成され、表示電極6方向に並んだ� �色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セ ルがカラー表示のための画素になる。

 図2は、このように構成されるPDP全体の概 略平面図であり、図2に示すように、前面板2� ��背面板10との間の外周部は、ガラスフリッ� �からなるシール材17により封着されており、 これにより放電空間16を封止している。また� ��シール材17の内側には、表示を行うための� �示領域18と、この表示領域18とシール材17と� �間の非表示領域19とが設けられている。また 、詳細は後述するが、凝集粒子92を付着させ� ��領域を、その領域の外縁部Aで示している。

 図3は、本発明の一実施の形態におけるPDP1� �前面板2の構成を示す断面図であり、図3は図 1と上下反転させて示している。図3に示すよ� ��に、フロート法などにより製造された前面� ��ラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりな� ��表示電極6と遮光層7がパターン形成されて� �る。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジ ウムスズ酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO ₂ )などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a� �5a上に形成された金属バス電極4b、5bとによ� �構成されている。金属バス電極4b、5bは透明� ��極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的 として用いられ、銀(Ag)材料を主成分とする� �電性材料によって形成されている。

 誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成� �れたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4 b、5bと遮光層7を覆うように設けた第1誘電体� ��81と、第1誘電体層81上に形成された第2誘電� ��層82の少なくとも2層構成としている。さら� ��第2誘電体層82上に保護層9を形成している。 保護層9は、誘電体層8上に形成された下地膜9 1と、その下地膜91上に付着させた凝集粒子92� ��ら構成している。

 次に、PDPの製造方法について説明する。� ��ず、前面ガラス基板3上に、走査電極4およ� �維持電極5と遮光層7とを形成する。これらの 透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォ� ��リソグラフィ法などを用いてパターニング� ��て形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセ スなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5 bは銀(Ag)材料を含むペーストを所定の温度で� ��成して固化している。また、遮光層7も同様 に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印 刷する方法や、黒色顔料をガラス基板の全面 に形成した後、フォトリソグラフィ法を用い てパターニングし、焼成する方法により形成 される。

 次に、走査電極4、維持電極5および遮光� �7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペ ーストをダイコート法などにより塗布して誘 電体ペースト層(誘電体材料層)を形成する。� ��電体ペーストを塗布した後、所定の時間放� ��することによって塗布された誘電体ペース� ��表面がレベリングされて平坦な表面になる� ��その後、誘電体ペースト層を焼成固化する� ��とにより、走査電極4、維持電極5および遮� �層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、誘 電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料 、バインダおよび溶剤を含む塗料である。次 に、誘電体層8上に酸化マグネシウム(MgO)から なる保護層9を真空蒸着法により形成する。� �上のステップにより前面ガラス基板3上に所� ��の構成物、すなわち走査電極4、維持電極5� �遮光層7、誘電体層8、保護層9が形成され、� �面板2が完成する。

 一方、背面板10は次のようにして形成さ� �る。まず、背面ガラス基板11上に、銀(Ag)材� �を含むペーストをスクリーン印刷する方法� �、金属膜を全面に形成した後、フォトリソ� �ラフィ法を用いてパターニングする方法な� �によりアドレス電極12の構成物となる材料層 を形成する。そして、その材料層を所定の温 度で焼成することによりアドレス電極12を形� ��する。次に、アドレス電極12が形成された� �面ガラス基板11上にダイコート法などにより アドレス電極12を覆うように誘電体ペースト� ��塗布して誘電体ペースト層を形成する。そ� ��後、誘電体ペースト層を焼成することによ� ��下地誘電体層13を形成する。なお、誘電体� �ーストはガラス粉末などの誘電体材料とバ� �ンダおよび溶剤を含んだ塗料である。

 次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含� �隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状� �パターニングすることにより、隔壁材料層� �形成する。その後、隔壁材料層を焼成する� �とにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘 電体層13上に塗布した隔壁形成用ペーストを� ��ターニングする方法としては、フォトリソ� ��ラフィ法やサンドブラスト法を用いること� ��できる。次に、隣接する隔壁14間の下地誘� �体層13上および隔壁14の側面に蛍光体材料を� ��む蛍光体ペーストを塗布し、焼成すること� ��より蛍光体層15が形成される。以上のステ� �プにより、背面ガラス基板11上に所定の構成 部材を有する背面板10が完成する。

 このようにして所定の構成部材を備えた� ��面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電 極12とが直交するように対向配置して、その� ��囲をガラスフリットで封着し、放電空間16� �Ne、Xeなどを含む放電ガスを封入することに� ��りPDP1が完成する。

 ここで、前面板2の誘電体層8を構成する第1� ��電体層81と第2誘電体層82について詳細に説� �する。第1誘電体層81の誘電体材料は、次の� �料組成より構成されている。すなわち、酸� �ビスマス(Bi ₂ O ₃ )を20重量%~40重量%含み、酸化カルシウム(CaO)� �酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)� ��ら選ばれる少なくとも1種を0.5重量%~12重量%� ��み、酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、二酸化マンガン(MnO ₂ )から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%~7重量% 含んでいる。

 なお、酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、二酸化マンガン(MnO ₂ )に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr ₂ O ₃ )、酸化コバルト(Co ₂ O ₃ )、酸化バナジウム(V ₂ O ₇ )、酸化アンチモン(Sb ₂ O ₃ )から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%~7重量% 含ませてもよい。

 また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO )を0重量%~40重量%、酸化硼素(B ₂ O ₃ )を0重量%~35重量%、酸化硅素(SiO ₂ )を0重量%~15重量%、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )を0重量%~10重量%など、鉛成分を含まない材� �組成が含まれていてもよく、これらの材料� �成の含有量に特に限定はなく、従来技術程� �の材料組成の含有量範囲である。

 これらの組成成分からなる誘電体材料を� ��湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径� ��0.5μm~2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料 粉末を作製する。次に、この誘電体材料粉末 55重量%~70重量%と、バインダ成分30重量%~45重� �%とを三本ロールでよく混練してダイコート� ��、または印刷用の第1誘電体層用ペーストを 作製する。

 バインダ成分はエチルセルロース、また� ��アクリル樹脂1重量%~20重量%を含むターピネ� ��ール、またはブチルカルビトールアセテー� ��である。また、ペースト中には、必要に応� ��て可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタ� ��酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸� ��リブチルを添加し、分散剤としてグリセロ� ��ルモノオレート、ソルビタンセスキオレヘ� ��ト、ホモゲノール(Kaoコーポレーション社製 品名)、アルキルアリル基のリン酸エステル� �どを添加して印刷性を向上させてもよい。

 次に、この第1誘電体層用ペーストを用い 、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3に� ��イコート法あるいはスクリーン印刷法で印� ��して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化� ��より少し高い温度の575℃~590℃で焼成する。

 次に、第2誘電体層82について説明する。第2 誘電体層82の誘電体材料は、次の材料組成よ� ��構成されている。すなわち、酸化ビスマス( Bi ₂ O ₃ )を11重量%~20重量%含み、さらに、酸化カルシ� ��ム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリ ウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を1.6重量 %~21重量%含み、酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%~7重量% 含んでいる。

 なお、酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr ₂ O ₃ )、酸化コバルト(Co ₂ O ₃ )、酸化バナジウム(V ₂ O ₇ )、酸化アンチモン(Sb ₂ O ₃ )、酸化マンガン(MnO ₂ )から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%~7重量% 含ませてもよい。

 また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO )を0重量%~40重量%、酸化硼素(B ₂ O ₃ )を0重量%~35重量%、酸化硅素(SiO ₂ )を0重量%~15重量%、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )を0重量%~10重量%など、鉛成分を含まない材� �組成が含まれていてもよく、これらの材料� �成の含有量に特に限定はなく、従来技術程� �の材料組成の含有量範囲である。

 これらの組成成分からなる誘電体材料を� ��湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径� ��0.5μm~2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料 粉末を作製する。次に、この誘電体材料粉末 55重量%~70重量%と、バインダ成分30重量%~45重� �%とを三本ロールでよく混練してダイコート� ��、または印刷用の第2誘電体層用ペーストを 作製する。バインダ成分はエチルセルロース 、またはアクリル樹脂1重量%~20重量%を含むタ ーピネオール、またはブチルカルビトールア セテートである。また、ペースト中には、必 要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル 、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、 リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグ リセロールモノオレート、ソルビタンセスキ オレヘート、ホモゲノール(Kaoコーポレーシ� �ン社製品名)、アルキルアリル基のリン酸エ� ��テルなどを添加して印刷性を向上させても� ��い。

 次に、この第2誘電体層用ペーストを用い て第1誘電体層81上にスクリーン印刷法あるい はダイコート法で印刷して乾燥させ、その後 、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の550 ℃~590℃で焼成する。

 なお、誘電体層8の膜厚については、第1誘� �体層81と第2誘電体層82とを合わせ、可視光透 過率を確保するためには41μm以下が好ましい� ��第1誘電体層81は、金属バス電極4b、5bの銀(Ag )との反応を抑制するために酸化ビスマス(Bi ₂ O ₃ )の含有量を第2誘電体層82の酸化ビスマス(Bi ₂ O ₃ )の含有量よりも多くし、20重量%~40重量%とし� ��いる。そのため、第1誘電体層81の可視光透� ��率が第2誘電体層82の可視光透過率よりも低� ��なるので、第1誘電体層81の膜厚を第2誘電体 層82の膜厚よりも薄くしている。

 なお、第2誘電体層82において酸化ビスマス( Bi ₂ O ₃ )が11重量%以下であると着色は生じにくくな� �が、第2誘電体層82中に気泡が発生しやすく� �ましくない。また、40重量%を超えると着色� �生じやすくなり透過率を上げる目的には好� �しくない。

 また、誘電体層8の膜厚が小さいほどパネ ル輝度の向上と放電電圧を低減するという効 果は顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない 範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定 するのが望ましい。このような観点から、本 発明の実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41 μm以下に設定し、第1誘電体層81を5μm~15μm、� �2誘電体層82を20μm~36μmとしている。

 このようにして製造されたPDPは、表示電� ��6に銀(Ag)材料を用いても、前面ガラス基板3� ��着色現象(黄変)が少なくて、なおかつ、誘� �体層8中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧� ��能に優れた誘電体層8を実現することを確認 している。

 次に、本発明の実施の形態におけるPDPにお� ��て、これらの誘電体材料によって第1誘電体 層81において黄変や気泡の発生が抑制される� ��由について考察する。すなわち、酸化ビス� ��ス(Bi ₂ O ₃ )を含む誘電体ガラスに酸化モリブデン(MoO ₃ )、または酸化タングステン(WO ₃ )を添加することによって、Ag ₂ MoO ₄ 、Ag ₂ Mo ₂ O ₇ 、Ag ₂ Mo ₄ O ₁₃ 、Ag ₂ WO ₄ 、Ag ₂ W ₂ O ₇ 、Ag ₂ W ₄ O ₁₃ といった化合物が580℃以下の低温で生成しや すいことが知られている。本発明の実施の形 態では、誘電体層8の焼成温度が550℃~590℃で� ��ることから、焼成中に誘電体層8中に拡散し た銀イオン(Ag ⁺ )は誘電体層8中の酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、酸化マンガン(MnO ₂ )と反応し、安定な化合物を生成して安定化� �る。すなわち、銀イオン(Ag ⁺ )が還元されることなく安定化されるために� �凝集してコロイドを生成することがない。� �たがって、銀イオン(Ag ⁺ )が安定化することによって、銀(Ag)のコロイ� ��化に伴う酸素の発生も少なくなるため、誘� ��体層8中への気泡の発生も少なくなる。

 一方、これらの効果を有効にするためには� ��酸化ビスマス(Bi ₂ O ₃ )を含む誘電体ガラス中に酸化モリブデン(MoO ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、酸化マンガン(MnO ₂ )の含有量を0.1重量%以上にすることが好まし� ��が、0.1重量%以上7重量%以下がさらに好まし� ��。特に、0.1重量%未満では黄変を抑制する効 果が少なく、7重量%を超えるとガラスに着色� ��起こり好ましくない。

 すなわち、本発明の実施の形態におけるP DPの誘電体層8は、銀(Ag)材料よりなる金属バ� �電極4b、5bと接する第1誘電体層81では黄変現� ��と気泡発生を抑制し、第1誘電体層81上に設� ��た第2誘電体層82によって高い光透過率を実� ��している。その結果、誘電体層8全体として 、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過率の 高いPDPを実現することが可能となる。

 次に、本発明の実施の形態におけるPDPの� ��徴である保護層の構成及び製造方法につい� ��説明する。

 本発明の実施の形態におけるPDPでは、図4 に示すように、保護層9は、誘電体層8上に、A lを不純物として含有するMgOからなる下地膜91 を形成するとともに、その下地膜91上に、金� ��酸化物であるMgOの結晶粒子92aが複数個凝集� ��た凝集粒子92を離散的に散布させ、全面に� �ってほぼ均一に分布するように付着させる� �とにより構成している。

 また、この凝集粒子92は、図2において、� ��の凝集粒子92を付着させる領域の外縁部Aが� ��示領域18とシール材17との間に設けられた非 表示領域19に位置するようにシール材17の内� �の領域に付着させている。このように凝集� �子92を付着させる領域の外縁部Aを限定して� �るため、凝集粒子92がシール材17で封着する� ��分に付着することはない。したがって、凝� ��粒子92が前面板2と背面板10との封着部分に� �在しないので、凝集粒子92によって放電ガス のリークが生じることはない。

 ここで、凝集粒子92とは、図5に示すよう� ��、所定の一次粒径の結晶粒子92aが凝集また� ��ネッキングした状態のもので、固体として� ��きな結合力を持って結合しているのではな� ��、静電気やファンデルワールス力などによ� ��て複数個の一次粒子が集合体の体をなして� ��るものである。すなわち、結晶粒子92aが、� ��音波などの外的刺激により、その一部また� ��全部が一次粒子の状態になる程度で結合し� ��いるものである。凝集粒子92の粒径として� �、約1μm程度のもので、結晶粒子92aとしては� ��14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多� �体形状を有するのが望ましい。

 また、このMgOの結晶粒子92aの一次粒子の� ��径は、結晶粒子92aの生成条件によって制御� ��きる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化� ��グネシウムなどのMgO前駆体を焼成して生成� ��る場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御する� ��とで、粒径を制御できる。一般的に、焼成� ��度は700度程度から1500度程度の範囲で選択で きるが、焼成温度が比較的高い1000度以上に� �ることで、一次粒径を0.3~2μm程度に制御可能 である。さらに、結晶粒子92aを、MgO前駆体を 加熱することにより得ることにより、生成過 程において、複数個の一次粒子同士が凝集ま たはネッキングと呼ばれる現象により、結合 した凝集粒子92を得ることができる。

 次に、本発明の実施の形態による保護層� ��有するPDPの効果を確認するために行った実� ��結果について説明する。

 まず、構成の異なる保護層を有するPDPを� ��作した。試作品1は、MgOによる保護層のみを 形成したPDPである。試作品2は、Al、Siなどの� ��純物をドープしたMgOによる保護層を形成し� ��PDPである。試作品3は、MgOによる保護層上に 金属酸化物からなる結晶粒子の一次粒子のみ を散布し、付着させたPDPである。試作品4は� �本発明品で、MgOによる下地膜上に、上述し� �ように、複数個の結晶粒子を凝集させた凝� �粒子を全面に亘ってほぼ均一に分布するよ� �に付着させたPDPである。なお、試作品3、4に おいて、金属酸化物としては、MgOの単結晶粒 子を用いている。また、この本発明による試 作品4について、下地膜上に付着させた結晶� �子について、カソードルミネッセンスを測� �したところ、図6に示すような特性を有して� ��た。なお、発光強度は相対値で表示してい� ��。

 これらの4種類の保護層の構成を有するPDP について、その電子放出性能と電荷保持性能 を調べた。

 なお、電子放出性能は、大きいほど電子� ��出量が多いことを示す数値で、放電の表面� ��態及びガス種とその状態によって定まる初� ��電子放出量をもって表現する。初期電子放� ��量については表面にイオン、あるいは電子� ��ームを照射して表面から放出される電子電� ��量を測定する方法で測定できるが、パネル� ��前面板表面の評価を非破壊で実施すること� ��困難を伴う。そこで、特開2007-48733号公報に 記載されているように、放電時の遅れ時間の うち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生し やすさの目安となる数値を測定している。そ して、その数値の逆数を積分することで、初 期電子放出量と線形に対応する数値が得られ る。ここではこのようにして得られた数値を 用いて初期電子放出量を評価している。この 放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がり から放電が遅れて行われる放電遅れの時間を 意味する。放電遅れは、放電が開始される際 にトリガーとなる初期電子が保護層表面から 放電空間中に放出されにくいことが主要な要 因として考えられている。

 また、電荷保持性能は、その指標として� ��PDPとして作製した場合に電荷放出現象を抑� ��るために必要とする、走査電極に印加する� ��圧(以下、「Vscn点灯電圧」と呼称する)の電� ��値を用いた。すなわち、Vscn点灯電圧の低い 方が、電荷保持性能が高いことを示す。この ことは、PDPのパネル設計上でも低電圧で駆動 できるため、利点となる。すなわち、PDPの電 源や各電気部品として、耐圧および容量の小 さい部品を使用することが可能となる。現状 の製品において、走査電圧を順次パネルに印 加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング 素子には、耐圧150V程度の素子が使用されて� �る。そのため、Vscn点灯電圧としては、温度� ��よる変動を考慮し、120V以下に抑えるのが望 ましい。

 これらの電子放出性能と電荷保持性能に� ��いて調べた結果を図7に示している。この図 7から明らかなように、MgOによる下地膜上にMg Oの単結晶粒子を凝集させた凝集粒子を散布� �、全面に亘ってほぼ均一に分布するように� �着させた本発明による試作品4は、電荷保持� ��能の評価において、Vscn点灯電圧を120V以下� �することができ、しかも電子放出性能は6以� ��の良好な特性を得ることができる。

 すなわち、一般的にはPDPの保護層の電子� ��出性能と電荷保持性能は相反する。例えば� ��保護層の製膜条件を変更したり、また、保� ��層中にAlやSi、Baなどの不純物をドーピング� ��て製膜することにより、電子放出性能を向� ��することは可能であるが、副作用としてVscn 点灯電圧も上昇してしまう。

 本発明の実施の形態による保護層を形成� ��たPDPにおいては、電子放出性能としては、6 以上の特性で、電荷保持性能としてはVscn点� �電圧が120V以下のものを得ることができる。� ��たがって、高精細化により走査線数が増加� ��、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるP DPの保護層に対して、電子放出性能と電荷保� ��性能の両方を満足させることができる。

 次に、本発明の実施の形態によるPDPの保� ��層に用いた結晶粒子の粒径について説明す� ��。なお、以下の説明において、粒径とは平� ��粒径を意味し、平均粒径とは体積累積平均� ��(D50)のことを意味している。

 図8は、上記図7で説明した本発明の試作� �4において、MgOの結晶粒子の粒径を変化させ� ��電子放出性能を調べた実験結果を示すもの� ��ある。なお、図8において、MgOの結晶粒子の 粒径は、結晶粒子をSEM観察することで測長し た。

 この図8に示すように、粒径が0.3μm程度に 小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほ ぼ0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得 られることがわかる。

 ところで、放電セル内での電子放出数を� ��加させるためには、保護層上の単位面積あ� ��りの結晶粒子数は多い方が望ましい。本発� ��者らの実験によれば、前面板の保護膜と密� ��に接触する背面板の隔壁の頂部に相当する� ��分に結晶粒子が存在することで、隔壁の頂� ��を破損させることになる。その結果、その� ��料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当� ��るセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が� ��生することがわかった。この隔壁破損の現� ��は、結晶粒子が隔壁頂部に対応する部分に� ��在しなければ発生しにくいことから、付着� ��せる結晶粒子数が多くなれば、隔壁の破損� ��生確率が高くなる。

 図9は、上記図7で説明した本発明の実施� �形態における試作品4において、単位面積当� ��りに粒径の異なる同じ数の結晶粒子を散布� ��、隔壁破損の関係を実験した結果を示す図� ��ある。

 この図9から明らかなように、結晶粒子径 が2.5μm程度に大きくなると、隔壁破損の確率 が急激に高くなるが、2.5μmより小さい結晶粒 子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さ く抑えることができることがわかる。

 以上の結果に基づくと、本発明の実施の� ��態におけるPDPの保護層においては、凝集粒� ��として、粒径が0.9μm以上2.5μm以下のものが� ��ましいと考えられる。しかしPDPとして実際� ��量産する場合には、結晶粒子の製造上での� ��らつきや保護層を形成する場合の製造上で� ��ばらつきを考慮する必要がある。

 このような製造上でのばらつきなどの要� ��を考慮するために、粒度分布の異なる結晶� ��子を用いて実験を行った。図10は本発明に� �るPDPにおいて、凝集粒子の粒度分布の一例� �示す特性図である。縦軸の頻度(%)は、横軸� �示されている凝集粒子の粒径の範囲を分割� �、それぞれの範囲に存在する凝集粒子の量� �全体に対する割合(%)を示している。実験の� �果、図10に示すように、平均粒径が0.9μm以上 2.5μm以下の範囲にある凝集粒子を使用すれば 、上述した本発明の効果を安定的に得られる ことがわかった。

 以上のように本発明の実施の形態におけ� ��保護層を形成したPDPでは、電子放出性能と� ��ては、6以上の特性で、電荷保持性能として はVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることが� ��きる。すなわち、高精細化により走査線数� ��増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向� ��あるPDPの保護層として、電子放出性能と電� ��保持性能の両方を満足させることができる� ��これにより高精細で高輝度の表示性能を備� ��、かつ低消費電力のPDPを実現することがで� ��る。

 次に、本発明の実施の形態によるPDPにお� ��て、保護層を形成する製造ステップについ� ��、図11を用いて説明する。

 図11に示すように、第1誘電体層81と第2誘� ��体層82との積層構造からなる誘電体層8を形� ��する誘電体層形成ステップA1を行う。その� �、次の下地膜蒸着ステップA2において、アル ミニウムAlを含むMgOの焼結体を原材料とした� ��空蒸着法によって、MgOからなる下地膜を誘� ��体層8の第2誘電体層82上に形成する。

 その後、下地膜蒸着ステップA2において� �成した未焼成の下地膜上に、複数個の凝集� �子を離散的に付着させるステップを行う。

 このステップにおいては、まず、所定の� ��度分布を持つMgOの単結晶粒子を樹脂成分と� ��もに溶剤に混合した結晶粒子ペーストを準� ��する。そして、ペースト膜形成ステップA3� �おいて、その結晶粒子ペーストをスクリー� �印刷法などの印刷により、未焼成の下地膜� �に塗布して結晶粒子ペースト膜を形成する� �この結晶粒子ペースト膜を形成した後、結� �粒子ペースト膜を乾燥させる乾燥ステップA4 を行う。

 その後、下地膜蒸着ステップA2において� �成した未焼成の下地膜と、結晶粒子ペース� �膜形成ステップA3において形成し、乾燥ステ ップA4を実施した結晶粒子ペースト膜とを、� ��百度の温度で加熱焼成する焼成ステップA5� �おいて、同時に焼成を行う。この焼成ステ� �プA5において、結晶粒子ペースト膜に残って いる溶剤や樹脂成分を除去することにより、 下地膜91上に金属酸化物からなる複数個の結� ��粒子92aが凝集した凝集粒子92を付着させた� �護層9を形成することができる。

 この方法によれば、下地膜91に複数個の� �集粒子92を全面に亘って均一に分布するよう に付着させることが可能である。

 なお、以上の説明では、保護層として、MgO� ��例に挙げたが、下地に要求される性能はあ� ��までイオン衝撃から誘電体を守るための高� ��耐スパッタ性能を有することであり、高い� ��荷保持性能である。すなわちあまり電子放� ��性能が高くなくてもよい。従来のPDPでは、� ��定以上の電子放出性能と耐スパッタ性能と� ��う二つを両立させるため、MgOを主成分とし� ��保護層を形成する場合が非常に多かった。� ��かし、電子放出性能が金属酸化物単結晶粒� ��によって主に制御される構成を取るため、M gOである必要は全くなく、Al ₂ O ₃ 等の耐衝撃性に優れる他の材料を用いても全 く構わない。

 また、本実施の形態では、単結晶粒子と� ��てMgO粒子を用いて説明したが、この他の単� ��晶粒子でもよい。すなわち、MgO同様に高い� ��子放出性能を持つSr,Ca,Ba,Al等の金属の酸化� �による結晶粒子を用いても同様の効果を得� �ことができる。したがって、粒子種として� �MgOに限定されるものではない。