TAUBER KATHARINA (AT)
GEIER ROMAN (AT)
US5396034A | 1995-03-07 | |||
US20050263867A1 | 2005-12-01 | |||
DE102006000935A1 | 2007-07-19 |
Patentansprüche 1. Substrat, aufweisend einen keramischen Grundkörper (1) und eine organische Oberflächenstruktur (2) auf mindestens einer ersten Außenfläche (9) des keramischen Grundkörpers (1) , wobei in die organische Oberflächenstruktur (2) äußere Umverdrahtungen (3) integriert sind. 2. Substrat nach Anspruch 1, wobei die organische Oberflächenstruktur (2) eine Vielzahl von organischen Schichten umfasst. 3. Substrat nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die organischen Schichten der organischen Oberflächenstruktur (2) jeweils unterschiedliche organische Materialien als Hauptbestandteil enthalten, die ausgewählt sind aus einer Gruppe, umfassend Fotolacke und gefüllte Polymere . 4. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mindestens auf der ersten Außenfläche (9) des keramischen Grundkörpers (1) eine Passivierungsschicht (12) und eine organische Oberflächenstruktur (2) aufgebracht ist, wobei sich die Passivierungsschicht (12) zwischen der ersten Außenfläche (9) des keramischen Grundkörpers (1) und der organischen Oberflächenstruktur (2) befindet und als Hauptbestandteil ein anorganisches Material enthält, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, umfassend, Si02, A1N, SiN und Gläser. 5. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der keramische Grundkörper (1) eine thermische Leitfähigkeit von mehr als 8 W/m-K aufweist. 6. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Hauptbestandteil des keramischen Grundkörpers (1) ausgewählt ist aus einer Gruppe, umfassend ZnO-Bi, ZnO-Pr, AI2O3 und A1N. 7. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der keramische Grundkörper (1) eine Funktionskeramik enthält, die ausgewählt ist aus einer Gruppe, umfassend Varistorkeramiken, NTC-Keramiken und PTC-Keramiken . 8. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der keramische Grundkörper innere Umverdrahtungen (6) und Vias (4) aufweist. 9. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der keramische Grundkörper (1) einen integrierten Überspannungsschutz (7) aufweist. 10. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die organische Oberflächenstruktur (2) einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem des keramischen Grundkörpers (1) mit einer Abweichung von maximal ± 1 ppm/K entspricht. 11. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der keramische Grundkörper (1) eine Vielzahl von keramischen Schichten umfasst. 12. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der keramische Grundkörper (1) ganz oder teilweise in eine organische Leiterplatte (8) eingebettet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der organischen Leiterplatte (8) , dem des keramischen Grundkörpers (1) mit einer Abweichung von maximal ± 1 ppm/K entspricht. 13. Substrat nach Anspruch 12, wobei der keramische Grundkörper (1) und die organische Leiterplatte (8) an mindestens einer Außenfläche (11) eine organische Oberflächenstruktur (2) mit integrierten äußeren Umverdrahtungen (3) aufweisen. 14. Substrat nach Anspruch 12 oder 13, wobei der organische Grundkörper (1) und die organische Leiterplatte (8) mittels äußerer Umverdrahtungen (3) und/oder innere Umverdrahtungen (6) leitend miteinander verbunden sind . 15. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die äußeren Umverdrahtungen (2) aus einem ersten Metall und die inneren Umverdrahtungen (6) aus einem zweiten Metall bestehen, wobei sich das erste Metall von dem zweiten Metall unterscheidet . 16. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das erste Metall und das zweite Metall ausgewählt sind aus einer Gruppe von Metallen, umfassend Kupfer und Silber. |
SUBSTRAT
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat, das einen keramischen Grundkörper umfasst.
Substrate sind weitverbreitete Komponenten in der
industriellen Fertigung, um mikroelektronische Bauteile, wie integrierte Schaltkreise, und Leistungshalbleiter, wie LEDs darauf anzuordnen und zu kontaktieren. Die so verbauten mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter können anschließend auf einfache Weise in weitere elektronische Bauteile integriert werden.
Aufgrund stetig steigender Anforderungen bezüglich der
Miniaturisierung und Leistungsfähigkeit der weiteren
elektronischen Bauteile, ist es notwendig die Anzahl der mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter, die auf einer gegebenen Fläche eines Substrats verbaut werden können, zu erhöhen. Daraus resultieren steigende Anforderungen an das Substrat bezüglich der Anzahl an Umverdrahtungen auf der gegebenen Fläche des Substrats und thermischen
Leitfähigkeiten von Substratmaterialien. Insbesondere die thermische Leitfähigkeit des Substratmaterials ist ein wichtiger Faktor. Bei steigender Anzahl an
mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleitern, die auf der gegebenen Fläche des Substrats verbaut werden müssen, muss die von den mikroelektronischen Bauteilen und
Leistungshalbleitern erzeugte Wärme zunehmend effizienter abgeleitet werden, um ein Überhitzen der Bauteile zu
verhindern . Herkömmliche Substrate bestehen oft aus polymerbasierten Verbundmaterialien, die zwar eine ausreichend hohe Anzahl an Umverdrahtungen ermöglichen, aber eine sehr geringe
Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Dadurch ist die Anzahl an mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleiter, die, trotz der ausreichend hohen Anzahl an Umverdrahtungen, auf dem Substrat verbaut werden können begrenzt und eine weitere Miniaturisierung wird erschwert.
Als ausreichend hohe Anzahl an Umverdrahtungen wird hier und im Folgenden eine Anzahl an Umverdrahtungen bezeichnet, die es ermöglicht die Anzahl an mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleitern, die auf der gegeben Fläche des
Substrats verbaut werden können, soweit zu erhöhen, dass eine Miniaturisierung und/oder Leistungssteigerung der weiteren Bauteile erreicht werden kann.
Um eine Verbesserung der thermischen Leitfähigkeit zu
erreichen werden herkömmlicherweise Substrate verwendet, die metallische Einlagen aufweisen. Bauartbedingt erlauben solche Substrate im Bereich der metallischen Einlagen keine
Durchkontaktierungen und Umverdrahtungen innerhalb des
Substrats, was zu einer Verringerung der Anzahl an
mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleitern, die auf der gegebenen Fläche des Substrats verbaut werden können, führt. Dadurch wird eine weitere Miniaturisierung erschwert. Des Weiteren ist die thermische Leitfähigkeit solcher
Substrate auf 7 bis 8 W/m-K limitiert, was ebenfalls eine weitere Miniaturisierung und Leistungssteigerung erschwert.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher das
Bereitstellen eines Substrates, das eine thermische
Leitfähigkeit größer als 8 W/m-K aufweist und es ermöglicht eine ausreichend hohe Anzahl an Umverdrahtungen
bereitzustellen.
Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß durch ein Substrat nach Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen des Substrates sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.
Erfindungsgemäß wird ein Substrat, das einen keramischen Grundkörper und eine organische Oberflächenstruktur an mindestens einer ersten Außenfläche des keramischen
Grundkörpers aufweist, bereitgestellt. In die organische Oberflächenstruktur sind äußere Umverdrahtungen integriert. Die Kombination eines keramischen Grundkörpers mit einer organischen Oberflächenstruktur erlaubt es die Vorteile beider Materialen zu vereinen. So weist der keramische
Grundkörper eine thermische Leitfähigkeit auf, die weitaus höher ist als die eines herkömmlichen polymerbasierten
Substrates. Andererseits erlaubt die organische
Oberflächenstruktur die Herstellung von äußeren
Umverdrahtungen in ausreichend hoher Anzahl, was eine weitere Miniaturisierung und Steigerung der Leistungsfähigkeit ermöglicht .
Ferner kann die organische Oberflächenstruktur des
erfindungsgemäßen Substrats eine Vielzahl von organischen Schichten aufweisen. Ein mehrschichtiger Aufbau der
organischen Oberflächenstruktur ermöglicht es, im Vergleich zu einem einschichtigen Aufbau der organischen
Oberflächenstruktur, die Anzahl der äußeren Umverdrahtungen auf einer gegebenen Fläche des erfindungsgemäßen Substrats weiter zu erhöhen. Dadurch lässt sich die Anzahl an verbauten mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleitern auf der gegebenen Fläche des erfindungsgemäßen Substrats weiter erhöhen, wodurch eine weitere Miniaturisierung ermöglicht wird. Des Weiteren lässt sich durch die höhere Anzahl an mikroelektronischen Bauteilen und Leistungshalbleitern, die auf der gegebenen Fläche des erfindungsgemäßen Substrats verbaut sind, auch die Leistungsfähigkeit von weiteren
Bauteilen verbessern, die das erfindungsgemäße Substrat mit den darauf verbauten mikroelektronischen Bauteilen und
Leistungshalbleitern umfassen. So kann beispielweise die Anzahl an LEDs in einem LED-Modul mit gegebener Fläche erhöht werden, wodurch die Eigenschaften des LED-Moduls verbessert werden können.
Des Weiteren können die organischen Schichten der organischen Oberflächenstruktur des erfindungsgemäßen Substrats jeweils unterschiedliche organische Materialien als Hauptbestandteil enthalten. Mit anderen Worten, jede organische Schicht kann eine andere Zusammensetzung aufweisen. Dadurch lassen sich Eigenschaften der organischen Schichten, wie thermische
Ausdehnung, optische Absorption und Reflektion, so anpassen, dass sie den gewünschten Anforderungen entsprechen.
Insbesondere kann der Hauptbestandteil der organischen
Oberflächenstruktur des erfindungsgemäßen Substrats,
ausgewählt sein aus einer Gruppe, umfassend Fotolacke und gefüllte Polymere.
Ein gefülltes Polymer ist ein Polymer, das einen Füllstoff enthält, der die Eigenschaften des Polymers verbessert. In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats kann der Hauptbestandteil der organischen Oberflächenstruktur ein gefülltes Polymer umfassen, das mit Keramikpartikeln gefüllt ist, um seine thermische Leitfähigkeit zu erhöhen. Dadurch lassen sich die auf dem erfindungsgemäßen Substrat verbauten mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter noch besser vor Überhitzung schützen.
Durch die Verwendung eines Fotolacks kann die organische Oberflächenstruktur des erfindungsgemäßen Substrats sehr einfach und präzise ausgebildet werden. Dadurch können
Abstände zwischen einzelnen Umverdrahtungen so klein
ausgebildet werden, dass eine weitere Miniaturisierung und/oder Leistungssteigerung ermöglicht wird.
In einer vorteilhafteren Ausführungsform kann auf der ersten Außenfläche des keramischen Grundkörpers des
erfindungsgemäßen Substrats eine Passivierungsschicht
aufgebracht sein. Auf dieser Passivierungsschicht ist die organische Oberflächenstruktur ausgebracht. Mit anderen
Worten, die Passivierungsschicht befindet sich zwischen der ersten Außenfläche des keramischen Grundkörpers und der organischen Oberflächenstruktur. Die soeben beschriebene Anordnung der Passivierungsschicht und der organischen
Oberflächenstruktur kann analog für mehr als eine Außenfläche des keramischen Grundkörpers angewendet werden.
Die Passivierungsschicht schützt den keramischen Grundkörper vor möglicher Korrosion, die während der Herstellung der organischen Oberflächenstruktur, beispielsweise durch die verwendeten Lösungsmittel, auftreten kann. Die
Passivierungsschicht kann anorganische Materialien enthalten, die ausgewählt sind aus einer Gruppe, umfassend Si0 2 , SiN,
A1N und Gläser.
Ferner kann die organische Oberflächenstruktur des
erfindungsgemäßen Substrats einen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der dem des keramischen Grundkörpers entspricht. Die Abweichung des thermischen
Ausdehnungskoeffizienten der organischen Oberflächenstruktur bezogen auf den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des keramischen Grundkörpers beträgt maximal ± 1 ppm/K.
Insbesondere kann die organische Oberflächenstruktur einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der in einem Bereich zwischen 2 ppm/K bis 12 ppm/K liegt. Durch die sehr ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der
organischen Oberflächenstruktur und des keramischen
Grundkörpers des erfindungsgemäßen Substrats werden
Spannungen zwischen der organischen Oberflächenstruktur und dem keramischen Grundkörper während einer thermischen
Belastung, zum Beispiel durch die abgegebene Wärme eines Leistungshalbleiters, weitestgehend vermieden. Daraus resultiert eine höhere Lebensdauer des erfindungsgemäßen Substrats .
Weiterhin kann der keramische Grundkörper des
erfindungsgemäßen Substrats eine thermische Leitfähigkeit von mehr als 8 W/m-K aufweisen. In vorteilhafteren
Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Substrats kann der keramische Grundkörper eine thermische Leitfähigkeit von mehr als 20 W/m-K, insbesondere von mehr als 100 W/m-K aufweisen. Solch eine hohe thermische Leitfähigkeit ermöglicht es, die von den auf dem Substrat verbauten mikroelektronischen
Bauteilen und Leistungshalbleitern erzeugte Wärme effizient abzuleiten. Dadurch wird eine Überhitzung der auf dem Träger verbauten Bauteile so gut wie ausgeschlossen, wodurch eine weitere Miniaturisierung und/oder Steigerung der
Leistungsfähigkeit ermöglicht werden kann.
Um eine solch hohe thermische Leitfähigkeit des keramischen Grundkörpers des erfindungsgemäßen Substrats zu ermöglichen, kann der Hauptbestandteil des keramischen Grundkörpers ausgewählt sein aus einer Gruppe umfassend ZnO-Bi, ZnO-Pr, AI2O3 und A1N.
Ferner kann der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats als Hauptbestandteil eine thermisch leitfähige Funktionskeramik enthalten. Funktionskeramiken sind
Keramiken, deren Eigenschaften für eine Anwendung auf einem technischen Gebiet hin optimiert wurden. So kann eine
Funktionskeramik, beispielsweise eine elektrische
Leitfähigkeit aufweisen, die mit steigender Temperatur ansteigt. Der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats kann als Hauptbestandteil eine Funktionskeramik aufweisen, die ausgewählt ist aus einer Gruppe, umfassend Keramiken mit negativen Temperaturkoeffizienten (NTC- Keramiken) , positiven Temperaturkoeffizienten ( PTC-Keramiken) und Varistorkeramiken.
Insbesondere die Verwendung einer Varistorkeramik ermöglicht es, einen Überspannungsschutz innerhalb des keramischen
Grundkörpers des erfindungsgemäßen Substrates zu realisieren. So kann auf die Bereitstellung des Überspannungsschutzes mittels eines diskreten, auf dem Substrat zu montierenden Bauteils verzichtet werden. Dadurch kann das erfindungsgemäße Substrat mitsamt der auf ihm verbauten mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter kompakter konstruiert werden .
Weiterhin kann der keramische Grundkörper des
erfindungsgemäßen Substrats innere Umverdrahtungen und Vias aufweisen. Insbesondere das Vorhandensein von inneren
Umverdrahtungen ermöglicht es, stark beanspruchte Leitungen, wie zum Beispiel Power-Leitungen zu den Leistungshalbleitern oder integrierten Schaltkreisen in den keramischen Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats zu integrieren.
Da der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats eine höhere thermische Leitfähigkeit aufweist als
herkömmliche polymerbasierte Substrate lässt sich die
abgegebene Hitze solcher Leitungen noch effizienter ableiten und eine Überhitzung der auf dem erfindungsgemäßen Substrat verbauten mikroelektronischen Bauteile und
Leistungshalbleiter kann wirksam verhindert werden.
Um die inneren Umverdrahtungen und den in den keramischen Grundkörper integrierten Überspannungsschutz zu realisieren, kann der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen
Substrats eine Vielzahl von keramischen Schichten umfassen.
Ferner kann der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats ganz oder teilweise in eine organische Leiterplatte eingebettet sein. Insbesondere kann der Hauptbestandteil der organischen Leiterplatte beispielsweise einen
Verbundwerkstoff aus Epoxidharz und Glasfasern umfassen.
Insbesondere kann der thermische Ausdehnungskoeffizient der organischen Leiterplatte an den thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des keramischen Grundkörpers
angepasst sein, derart, dass der thermische
Ausdehnungskoeffizient der Leiterplatte maximal ± lppm/K von dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des keramischen Grundkörpers abweicht. Dadurch lassen sich Spannungen, die durch thermische Belastungen, beispielsweise durch eine LED, zwischen dem erfindungsgemäßen Substrat und der organischen Leiterplatte entstehen weitgehend verhindern. Dadurch kann die Lebensdauer des erfindungsgemäßen Substrats, das in die organische Leiterplatte ganz oder teilweise eingebettet ist verlängert werden.
Ferner kann die organische Leiterplatte ebenfalls eine organische Oberflächenstruktur, äußere und innere
Umverdrahtungen aufweisen. Der keramische Grundkörper des erfindungsgemäßen Substrats und die organische Leiterplatte können mittels inneren und äußeren Umverdrahtungen leitend miteinander verbunden sein.
Weiterhin kann das erfindungsgemäße Substrat und/oder die organische Leiterplatte äußere Umverdrahtungen, die aus einem ersten Metall, und innere Umverdrahtungen, die aus einem zweiten Metall bestehen, aufweisen, wobei sich das erste Metall von dem zweiten Metall unterscheidet. Das erste Metall und das zweite Metall können ausgewählt sein aus einer Gruppe von Metallen, umfassend Kupfer und Silber. Die Verwendung unterschiedlicher Metalle ermöglicht es, die
Wärmeausdehnungskoeffizienten der inneren und äußeren
Umverdrahtungen optimal an das Material anzupassen, in dem sie integriert sind. Dadurch werden mechanische Belastungen in dem erfindungsgemäßen Substrat verringert und die
Lebensdauer des erfindungsgemäßen Substrats verbessert.
Die Herstellung des erfindungsgemäßen Substrats kann durch herkömmliche Verfahren erfolgen. Ein solches Verfahren kann beispielsweise die Teilschritte umfassen:
- Bereitstellen eines keramischen Grundkörpers,
-Aufbringen einer Passivierungsschicht auf einer ersten
Außenfläche des keramischen Grundkörpers,
- Aufbringen einer ersten organischen Schicht auf die
Passivierungsschicht, wobei Bereiche auf der Passivierungsschicht, die Teil äußerer Umverdrahtungen werden sollen, nicht beschichtet werden, oder wobei dort die
Beschichtung entfernt wird,
- Aufbringen einer ersten Metallschicht auf die erste
organische Schicht und die Bereiche der Passivierungsschicht, die Teil der äußeren Umverdrahtungen werden sollen,
- Aufbringen einer zweiten organischen Schicht auf die erste Metallschicht, wobei die Bereiche auf der
Passivierungsschicht, die Teil der äußeren Umverdrahtungen werden sollen und Bereiche auf der ersten organischen
Schicht, die ebenfalls Teil der äußeren Umverdrahtungen werden sollen nicht beschichtet werden,
- Aufbringen einer zweiten Metallschicht auf die Bereiche auf der Passivierungsschicht und der ersten organischen Schicht, die die äußeren Umverdrahtungen bilden sollen,
- Entfernen der zweiten organischen Schicht und der ersten Metallschicht um die äußeren Umverdrahtungen zu bilden, wobei die erste Metallschicht nur in den Bereichen entfernt wird, die nicht die äußeren Umverdrahtungen bilden. Ferner werden die Bereiche auf der Passivierungsschicht und der ersten organischen Schicht, die die äußeren Umverdrahtungen bilden, derart ausgebildet, dass ein elektrisch leitender Kontakt zwischen den jeweiligen Bereichen besteht.
Durch Wiederholung der eben aufgeführten Verfahrensschritte gelingt es, eine zweite Ebene oder weitere Ebenen mit
strukturierten Metallisierungen für eine Umverdrahtung herzustellen .
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von
Ausführungsbeispielen und dazugehörigen Figuren näher
beschrieben . Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt einer
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrates.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt einer
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats mit inneren Umverdrahtungen .
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt einer
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats mit inneren Umverdrahtungen und integriertem Überspannungsschutz.
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt einer
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Substrats, wobei das erfindungsgemäße Substrat in einer organischen Leiterplatte eingebettet ist.
Gleiche Elemente, ähnliche oder augenscheinlich gleiche
Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse in den
Figuren sind nicht maßstabsgetreu.
Figur 1 zeigt im schematischen Querschnitt eine
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Substrats, aufweisend einen keramischen Grundkörper 1, eine Passivierungsschicht 12 auf einer ersten Außenfläche 9 und auf einer zweiten
Außenfläche 10 des keramischen Grundkörpers 1. Des Weiteren sind organische Oberflächenstrukturen 2 auf den
Passivierungsschichten 12 ausgebildet. Die
Passivierungsschichten 12 sind beispielsweise 100 nm dick und enthalten zum Beispiel SiN. Die Passivierungsschichten 12 schützen den keramischen Grundkörper 1 vor Korrosion, beispielsweise durch aggressive Lösungsmittel die während der Herstellung der organischen Oberflächenstruktur 2 eingesetzt werden. Ferner sind äußere Umverdrahtungen 3 in die
organischen Oberflächenstrukturen 2 integriert. Aufgrund der organischen Oberflächenstrukturen 2 auf der ersten
Außenfläche 9 und der zweiten Außenfläche 10 ist es möglich, die auf der ersten Außenfläche 9 verbauten
mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter (nicht abgebildet) über Vias 4 mittels Kontakten 5, die auf der zweiten Außenfläche 10 ausgebildet sind, zu kontaktieren. Diese Art der Kontaktierung ermöglicht beispielsweise den Übergang von einer Kontaktierungsebene mit relativ großen Kontaktabständen zu einer Kontaktierungsebene mit relativ kleinen Kontaktabständen. Des Weiteren umfasst der keramische Grundkörper als Hauptbestandteil A1N, das eine thermische Leitfähigkeit von mehr als 100 W/m-K aufweist. Dies
ermöglicht eine hocheffiziente Ableitung der Wärme, die durch auf dem Substrat verbaute mikroelektronische Bauteile und Leistungshalbleiter (nicht abgebildet) abgegeben wird.
Dadurch wird eine Überhitzung selbiger effizient verhindert. In Kombination mit der organischen Oberflächenstruktur 2, die eine ausreichend hohe Anzahl an äußeren Umverdrahtungen 3 ermöglicht, ist es möglich, Abstände zwischen auf dem
Substrat verbauten Bauteilen zu verringern und somit eine weitere Miniaturisierung und Leistungssteigerung zu
ermöglichen .
Figur 2 zeigt im schematischen Querschnitt eine weitere
Ausführungsform eines Substrats. Zusätzlich zur Ausführung nach Figur 1 weist der keramische Grundkörper 1 innere
Umverdrahtungen 6 auf. Durch die inneren Umverdrahtungen 6 ist es möglich, stark beanspruchte Leitungen in den
keramischen Grundkörper 1, der eine bessere thermische
Leitfähigkeit aufweist als herkömmliche polymerbasierte
Substrate, zu integrieren. Dies stellt einen weiteren Schutz der auf dem Substrat verbauten mikroelektronischen Bauteile und Leistungshalbleiter (nicht abgebildet) vor Überhitzung dar. Dadurch ist es möglich die Anzahl der auf dem Substrat verbauten mikroelektronischen Bauteile und
Leistungshalbleiter auf einer gegebenen Fläche des Substrats zu erhöhen. Dadurch wird eine Überhitzung selbiger effektiv verhindert. Dies ermöglicht eine kompaktere Bauweise des Substrats .
Figur 3 zeigt im schematischen Querschnitt eine andere
Ausführungsform eines Substrats. Zusätzlich zum in Figur 2 beschriebenen weist der keramische Grundkörper einen
Überspannungsschutz 7 auf. Zu diesem Zweck umfasst der keramische Grundkörper 1 eine Varistorkeramik, deren
Hauptbestandteil beispielsweise ZnO-Pr ist. Durch die
Integration des Überspannungsschutzes 7 in den keramischen Grundkörper 1 kann auf die Ausbildung des
Überspannungsschutzes 7 als diskretes Bauteil auf der äußeren Oberfläche des Substrats verzichtet werden. Dies schafft mehr Fläche für mikroelektronische Bauteile und
Leistungshalbleiter die auf dem Substrat verbaut werden können .
Figur 4 zeigt im schematischen Querschnitt eine
Ausführungsform eines Substrats, welches ähnlich wie in Figur 3 ausgebildet sein kann, das aber in eine Aussparung einer Oberfläche 11 einer organischen Leiterplatte 8 eingebettet ist. Die Passivierungsschicht 12, die auf der ersten
Außenfläche 9 des keramischen Grundkörpers aufgebracht ist, schließt bündig mit der Oberfläche 11 der Leiterplatte 8 ab. Der Hauptbestandteil der organischen Leiterplatte 8 kann beispielsweise Glasfasern und Epoxidharz umfassen. Das
Substrat, welches ähnlich dem in Figur 3 beschriebenen ist, und die organische Leiterplatte 8 weisen beide eine
organische Oberflächenstruktur 2 mit integrierten äußeren Umverdrahtungen 3 auf. Das Substrat, welches ähnlich dem in Figur 3 beschriebenen ist, und die organische Leiterplatte 8 sind über innere Umverdrahtungen 6 und äußere Umverdrahtungen 3 leitend miteinander verbunden. Durch die Einbettung des Substrats in die organische Leiterplatte ist es insbesondere möglich, auf Standardgrößen für keramische Grundkörper 1 und für organische Leiterplatten 8 zurückzugreifen, was die
Fertigung vereinfacht und dadurch die Kosten reduziert, da keine Sondergrößen, beispielsweise für den keramische
Grundkörper 1, angefertigt werden müssen.
Bezugszeichenliste
1 keramischer Grundkörper
2 organische Oberflächenstruktur
3 äußere Umverdrahtung
4 Via
5 Kontakt
6 innere Umverdrahtung
7 Überspannungsschütz
8 organische Leiterplatte
9 erste Außenfläche
10 zweite Außenfläche
11 Oberfläche der organischen Leiterplatte
12 PassivierungsSchicht