本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管阵列基板 及其制造方法和显示装 置。 背景技术

目前，在薄膜晶体管（ TFT )阵列基板上使用传统的氮化硅工艺（ SiNx PA ) 制作绝缘层， 不会出现接触孔的问题， 如图 1所示。 但是， 在 TFT阵列基板 上使用树脂工艺 （Resin PA )制作绝缘层， 如图 2所示， 就会出现许多像像 素点一样的接触孔 1 , 在后续的取向液例如 PI液 2涂覆时， PI液 2会流到这 些接触孔中， 引起固化后的取向膜厚度减少。

一般地， 接触孔容量的大小以及数量的多少和聚酰亚胺 (PI)膜厚度的减 少成正比， 即， 接触孔越多， 接触孔越大， PI膜厚度减少的越多， 而接触孔 的数量正比于像素的数量， 在 60-120PPI的普通分辨率下， 接触孔引起的 PI 膜厚度的减少还不明显， 不会造成明显的缺点； 但是， 在大于 1700PPI的高 分辨率下， 例如 1.5μπι深的接触孔会引起 PI膜厚度较大的减少， 如从 800Α 减少到 450Α, 过薄的 ΡΙ膜会引起液晶器件显示的图像出现残像， 以及图像 对比度减少问题。

为了避免 ΡΙ膜厚度减少的问题， 现有技术中的方法一般为增加 ΡΙ液中 ΡΙ的比例 ,例如：在 FFS TFT基板中涂覆的 ΡΙ液中 ΡΙ的比例一般在 5%-6.5%, 稍高于在 TN TFT基板中涂覆的 ΡΙ液中的比例， 但是， 一般 ΡΙ液的比例很 难高于 6.5%, 如果 ΡΙ液中 ΡΙ的比例太高， ΡΙ液过于粘稠， 会引起 ΡΙ液涂 覆不均匀的问题。 因此， 现有的这种做法对于高分辨率的 TFT基板， 并不能 有效地避免 ΡΙ层厚度的减少而带来的问题。 发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板 及其制造方法和显示装 置， 用以解决现有技术中接触孔引起取向膜厚度减 少， 引起图像出现残像以 及图像对比度减少的问题。

本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制 作方法， 包括：

在形成有薄膜晶体管阵列的基板上形成树脂层 ；

利用构图工艺对所述树脂层进行构图， 形成隔垫物和接触孔填充层； 所 述接触孔填充层用于填充所述薄膜晶体管阵列 基板上的接触孔；

在形成有所述隔垫物和所述接触孔填充层的基 板上形成取向膜。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管阵列基 板， 包括薄膜晶体管阵列 和取向膜， 还包括：

位于所述薄膜晶体管阵列上的隔垫物； 以及

填充在所述薄膜晶体管阵列基板上的接触孔内 的接触孔填充层； 所述取向膜形成在所述接触孔填充层和所述薄 膜晶体管阵列上。

本发明实施例还提供了一种显示装置， 包括本发明实施提供的薄膜晶体 管阵列基板。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。

图 1为现有技术中在 TFT阵列基板上使用 SiNx PA制作绝缘层时形成取 向膜后的结构示意图；

图 2为现有技术中在 TFT阵列基板上使用 Resin PA制作绝缘层时形成 取向膜后的结构示意图；

图 3为本发明实施例提供的 TFT阵列基板的制造方法的流程图； 图 4为本发明实施例提供的 TFT阵列基板上形成树脂层后的结构示意 图；

图 5为本发明实施例提供的使用双色调掩膜板对� �脂层进行曝光处理的 示意图；

图 6为本发明实施例提供的显影后的 TFT阵列基板的的结构示意图； 图 7为本发明实施例提供的 TFT阵列基板的结构示意图。 具体实施方式

为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案 进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提 下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

除非另作定义， 此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发 明所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本发明专利申请说明书以及权 利要求书中使用的 "第一" 、 "第二" 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成 部分。同样， "一个 "或者 "一" 等类似词语也不表示数量限制， 而是表示存在至少一个。 "连接" 或者 "相 连" 等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连 接， 而是可以包括电性的 连接， 不管是直接的还是间接的。 "上" 、 "下" 、 "左" 、 "右" 等仅用 于表示相对位置关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系 也相应地改变。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板 的制作方法，如图 3所示， 包括以下几个步骤：

步骤 S301、 在形成有薄膜晶体管阵列的基板上形成树脂层 。

如图 4所示， 形成的树脂层 3的厚度会大于薄膜晶体管阵列基板上的接 触孔 4的孔深， 即树脂层 3将会填满接触孔 4;

具体地， 在形成有薄膜晶体管的阵列基板上形成的树脂 层 3为感光材料 层。

其中， 树脂层 3的材料可以是正性感光材料， 也可是负性感光材料， 树 脂层 3的形成属于现有技术， 在此不再赘述。

以下步骤， 以负性感光材料为例进行说明， 但本发明并不局限于负性感 光材料。

步骤 S302、 利用构图工艺对树脂层进行构图， 形成隔垫物和接触孔填充 层；

所述接触孔填充层用于填充薄膜晶体管阵列基 板上的接触孔；

例如， 形成的接触孔填充层的厚度和接触孔的深度一 致。 例如， 步骤 S302利用构图工艺对树脂层进行构图， 形成隔垫物和接触 孔填充层的过程包括：

在形成有树脂层 3的阵列基板上， 利用双色调掩模板 5对树脂层 3进行 曝光处理， 如图 5所示； 其中， 双色调掩模板 5的完全透光区域对应树脂层 3用于形成隔垫物的区域 6, 双色调掩模板 5的部分透光区域对应树脂层 3 用于形成接触孔填充层的区域 7 , 双色调掩模板 5的完全不透光区域对应树 脂层 5除用于形成隔垫物和接触孔填充层以外的区� �； 进一步的， 双色调掩 模板 5可以是半色调掩模板 ( Half Tone Mask ) , 也可以是灰色调掩模板 ( Gray Tone Mask ) 。

由于树脂层 3为负性感光材料层， 因此， 在经过光照射（图 5中的箭头 所示） 即曝光后， 双色调掩模板 5的完全透光区域对应的树脂层 3用于形成 隔垫物的区域 6会产生光化学反应， 形成所需的隔垫物（PS )； 双色调掩模 板 5的部分透光区域对应的树脂层 3用于形成接触孔填充层的区域 7会有部 分树脂发生光化学反应， 形成接触孔填充层， 填平薄膜晶体管阵列基板上的 接触孔； 而双色调掩模板的完全不透光区域对应的树脂 层 3的区域没有发生 光化学反应， 在后续操作中会被去除掉。

曝光处理后， 对树脂层进行显影处理， 去除掉没有发生光化学反应的树 脂层， 形成隔垫物 8和接触孔填充层 9, 如图 6所示， 形成的隔垫物 8在薄 膜晶体管阵列基板和彩膜基板的对合过程中将 会起到液晶间隙的作用。

例如， 在曝光过程中， 对于树脂层 3用于形成隔垫物的区域 6的曝光量 可以为 100%; 对于树脂层 3用于形成接触孔填充层的区域 7的曝光量可以 为小于 50%。 并且， 曝光时间一般控制在 3-8秒， 这样能够防止过度曝光， 以确保形成在接触孔内的接触孔填充层 9的高度与接触孔的深度一致， 这样 使得接触孔的表面与其他区域齐平。

S303、 在形成有隔垫物 8和接触孔填充层 9的基板上形成取向膜 10。 例如取向膜（PI膜） ， 如图 7所示， 在图中可以看出， 由于接触孔已经 被接触孔填充层 9填平， 因此， 形成在薄膜晶体管阵列基板上的取向液不会 因为流到接触孔中而引起不均匀的情况， 均匀的取向液固化后形成厚度均匀 的取向膜 10, 从而防止了因厚度减少引起的残像及对比度不 均的情况， 由于 取向膜 10的形成工艺为现有技术，可以是印刷工艺或� ��覆工艺，在此不再赘 述。

例如， 形成的取向膜 10的厚度一般在 0.6-0.8μπι。

例如，还可以釆用多次印刷取向液的工艺，来 保证形成的取向膜的厚度。 本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管阵列基 板， 如图 7所示， 包括薄 膜晶体管阵列 11和取向膜 10, 还包括：

位于薄膜晶体管阵列 11上的隔垫物 8; 以及

填充在薄膜晶体管阵列 11基板上的接触孔内的接触孔填充层 9;

其中， 取向膜 10形成在接触孔填充层 9和薄膜晶体管阵列 11上。

例如， 上述薄膜晶体管阵列基板中的隔垫物 8和接触孔填充层 9的材料 为树脂材料， 例如可以为负性感光材料和正性感光材料。

例如， 上述薄膜晶体管阵列基板中的接触孔填充层 9的厚度与接触孔的 深度一致。

例如， 上述薄膜晶体管阵列基板中的取向膜 10的厚度为 0.6~0.8μπι。 本发明实施例还提供了一种显示装置， 包括本发明实施例提供的上述薄 膜晶体管阵列基板。 所述显示装置可以为： 液晶面板、 电子纸、 OLED面板、 液晶电视、 液晶显示器、 数码相框、 手机、 平板电脑等具有任何显示功能的 产品或部件。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板 及其制造方法和显示装 置， 在形成有薄膜晶体管阵列的基板上形成树脂层 ； 利用构图工艺对树脂层 进行构图， 形成隔垫物和接触孔填充层； 该接触孔填充层用于填充薄膜晶体 管阵列基板上的接触孔； 在形成有隔垫物和接触孔填充层的基板上形成 取向 膜。 由于使用接触孔填充层填平阵列基板上的接触 孔，在后续取向液涂覆时， 取向液就不会流到接触孔内， 而引起生成的取向膜厚度的减少， 避免了图像 出现残像以及图像对比度减少的问题。

以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护范 围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。