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Title:
フィン構造を有する半導体装置、およびフィン構造を有する半導体装置を形成する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015517220
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】フィン構造を有する半導体装置、およびフィン構造を有する半導体装置を形成する方法を提供する。【解決手段】基板表面上の少なくとも２つのフィン構造、および少なくとも２つのフィン構造上に存在する機能ゲート構造を含む半導体装置を提供する。機能ゲート構造は、少なくとも２つのフィン構造の側壁と直接接触している少なくとも１つのゲート誘電体、および少なくとも１つのゲート誘電体上の少なくとも１つのゲート導体を含む。ゲート構造の側壁は基板表面の上面にほぼ垂直であり、ゲート構造の側壁により規定される平面および基板表面の上面により規定される平面は、９０?＋／−５?の角度で交差する。エピタキシャル半導体材料は、少なくとも２つのフィン構造と直接接触している。【選択図】図１０

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Inventors:
Adam, Thomas, N.
Chen, Kankoku
Khaki Firth, Ali
Reznicek, Alexander
Application Number:
JP2015507129A
Publication Date:
June 18, 2015
Filing Date:
April 17, 2013
Export Citation:
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Assignee:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
International Classes:
H01L29/786; H01L21/336; H01L29/78
Domestic Patent References:
JP2004128508A2004-04-22
JP2008277416A2008-11-13
JP2004128508A2004-04-22
JP2008277416A2008-11-13
Foreign References:
US20050077553A12005-04-14
US20100207208A12010-08-19
US20110291188A12011-12-01
US20110237046A12011-09-29
US20050077553A12005-04-14
US20100207208A12010-08-19
US20110291188A12011-12-01
Attorney, Agent or Firm:
Takeshi Ueno
Tasaichi Tanae
Fumio Koike



 
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