Title:
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）ヘテロジャンクションダイオード
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015517221
Kind Code:
A
Abstract:
一の態様では、ダイオードは、第１の側面と前記第１の側面に対して反対側に設けられた第２の側面とを有する半導体層であって、前記半導体層は前記第１の側面と前記第２の側面との間に所定の厚さを有し、当該半導体層の厚さは前記半導体層に放出される電荷キャリアの平均自由行程に基づく半導体層と；前記半導体層の第１の側面上に堆積させた第１の金属層と；前記半導体層の第２の側面上に堆積させた第２の金属層と；を備える。
Inventors:
Rosana fussin
Chen Ishuen
Lee Luo
Chen Ishuen
Lee Luo
Application Number:
JP2015507218A
Publication Date:
June 18, 2015
Filing Date:
April 19, 2013
Export Citation:
Assignee:
CARNEGIE-MELLON UNIVERSITY
International Classes:
H01L21/329; H01L21/28; H01L29/88
Domestic Patent References:
| JP2011176246A | 2011-09-08 | |||
| JP2010239233A | 2010-10-21 | |||
| JP2007311772A | 2007-11-29 | |||
| JP2000243935A | 2000-09-08 | |||
| JP2002008527A | 2002-01-11 | |||
| JP2003045352A | 2003-02-14 | |||
| JP2009509339A | 2009-03-05 | |||
| JPH0541551A | 1993-02-19 | |||
| JPH05322646A | 1993-12-07 |
Foreign References:
| WO2010058569A1 | 2010-05-27 | |||
| WO2009057262A1 | 2009-05-07 |
Attorney, Agent or Firm:
Samejima Mutsumi
Kyousei Tamura
Keiichi
Norihito Yamao
Kyousei Tamura
Keiichi
Norihito Yamao