Title:
マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法及び２つの小ビーム間の距離を測定するための方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015517734
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法に関する。装置には、荷電粒子エネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられている。変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との２Ｄパターンが設けられたセンサ表面領域が設けられている。本方法は、複数の測定をすることと、測定によって生成された２Ｄ画像に基づいて２Ｄパターンに対する小ビームの位置を測定することとを具備する。各測定は、小ビームで２Ｄパターンの一部分上にフィーチャを露光することを含み、フィーチャ位置は各測定で異なる。各測定はまた、非遮断領域を透過された光を受光することと、受光された光を光強度値に変換して、測定がされた位置に光強度値を割り当てることとを含む。
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Inventors:
Shepherds, Paul Emelt
Application Number:
JP2015512021A
Publication Date:
June 22, 2015
Filing Date:
May 14, 2013
Export Citation:
Assignee:
Mapper Lithography IPB.V.
International Classes:
H01L21/027; G03F7/20; H01J37/305
Domestic Patent References:
| JP2009509328A | 2009-03-05 | |||
| JP2000208079A | 2000-07-28 | |||
| JP2006245096A | 2006-09-14 | |||
| JP2005347054A | 2005-12-15 | |||
| JPH01227087A | 1989-09-11 | |||
| JP2005032508A | 2005-02-03 | |||
| JPS5570024A | 1980-05-27 | |||
| JPS5468149A | 1979-06-01 | |||
| JP2004111422A | 2004-04-08 |
Foreign References:
| US6353231B1 | 2002-03-05 | |||
| US20060197453A1 | 2006-09-07 | |||
| US20070057204A1 | 2007-03-15 | |||
| US20110253900A1 | 2011-10-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Nobuhisa Nogawa
Takashi Mine
Naoki Kono
Katsu Sunagawa
Tatsushi Sato
Takashi Okada
Mihoko Horiuchi
Nobuhisa Nogawa
Takashi Mine
Naoki Kono
Katsu Sunagawa
Tatsushi Sato
Takashi Okada
Mihoko Horiuchi