Title:
増大したチャネル領域有効幅を有する不揮発性メモリセル及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016507908
Kind Code:
A
Abstract:
離間した平行な分離領域（１２８）を有するメモリデバイスアレイであって、隣接する分離領域のそれぞれの対の間に活性領域のあるメモリデバイスアレイが、半導体基板（１２）内に形成される。それぞれの分離領域は、基板表面の中へと形成されたトレンチと、トレンチ内に形成された絶縁材とを含む。絶縁材の上面の一部は、基板の表面の下に窪んでいる。それぞれの活性領域は、チャネル領域（１８）を介して離間した第１及び第２の領域（１６）と、第１のチャネル領域部分の上にある浮遊ゲート（２２）と、第２のチャネル領域部分の上にある選択ゲート（２０）と、をそれぞれ有するメモリセルの列を含む。選択ゲートは、分離領域と垂直に延在し、メモリセルの１つの行のための選択ゲートをそれぞれ形成する、連続的なワード線として形成される。それぞれのワード線の部分は、トレンチの中へと下方に延在する。
Inventors:
Donan
Tran Hugh Van
Suu Chen-Shen
Tuntas Sud Pratip
Tran Hugh Van
Suu Chen-Shen
Tuntas Sud Pratip
Application Number:
JP2015559319A
Publication Date:
March 10, 2016
Filing Date:
March 03, 2014
Export Citation:
Assignee:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
International Classes:
H01L21/336; H01L21/8247; H01L27/115; H01L29/788; H01L29/792
Domestic Patent References:
| JP2006041354A | 2006-02-09 | |||
| JP2009044164A | 2009-02-26 |
Foreign References:
| US20040065917A1 | 2004-04-08 |
Attorney, Agent or Firm:
Takaki Nishijima
Disciple Maru Ken
Shinichiro Tanaka
Fumiaki Otsuka
Hiroyuki Suda
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Disciple Maru Ken
Shinichiro Tanaka
Fumiaki Otsuka
Hiroyuki Suda
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo