Title:
ダイヤモンド層と、ダイヤモンドおよび炭化ケイ素を含み、かつ任意にケイ素を含む複合層とを備える基材
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017508699
Kind Code:
A
Abstract:
多層基材は、複合層上にＣＶＤ成長されたダイヤモンド層を含む。前記複合層は、ダイヤモンド粒子および炭化ケイ素粒子を含み、任意にケイ素粒子を含む。前記複合層中でのダイヤモンドの担持レベル（体積基準）は、≧５％、≧２０％、≧４０％、または≧６０％であり得る。前記多層基材は、光学デバイス、放射性粒子または電磁波を検出するための検出器、切断、穿孔、機械加工、粉砕、ラッピング、研磨、コーティング、接合、またはブレイジングのためのデバイス、ブレーキデバイス、シール、熱導体、電磁波伝達デバイス、高腐食条件下、強酸化条件下、強還元条件下、高温下、または極低温条件下での使用のために構成される化学的に不活性なデバイス、または、他のデバイス、ウェハまたはフィルムの研磨または平坦化のためのデバイスとして使用され得る。【選択図】図１
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Inventors:
Shui, Wen-Chin
Eisler, Elgin, Yi.
Liu, Chao
Tanner, Charles, Dee.
Clay Singer, Charles, Jay.
Aha Jian, Michael
Eisler, Elgin, Yi.
Liu, Chao
Tanner, Charles, Dee.
Clay Singer, Charles, Jay.
Aha Jian, Michael
Application Number:
JP2016546083A
Publication Date:
March 30, 2017
Filing Date:
January 21, 2015
Export Citation:
Assignee:
Two-Six Incorporated
International Classes:
C04B41/87; B32B9/00; C04B35/528; C04B35/577; C23C16/27
Domestic Patent References:
| JPH04238884A | 1992-08-26 | |||
| JP2011505532A | 2011-02-24 | |||
| JP2005047004A | 2005-02-24 | |||
| JP2000045072A | 2000-02-15 | |||
| JP2009209028A | 2009-09-17 |
Foreign References:
| WO2007132644A1 | 2007-11-22 |
Attorney, Agent or Firm:
Noboru Fujimoto
Hiroaki Nakatani
Shinji Nitto
Hiroaki Nakatani
Shinji Nitto