Title:
半導体発光装置およびそれを用いた光ディスク装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003071642
Kind Code:
A1
Abstract:
ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子（２４）およびＡｌＧａＡｓ系レーザ素子（２６）は、各々のストライプ（２８，３０）が互に平行になるように配置される。レ子（２４）は基板中心線より（０１１）面（２２ｂ）側に、ＡｌＧａＡｓ系レー２ｂ）に向かって（１００）面に対して２度以上１５度以下の範囲の角度（θｏｆｆ）をもって傾斜している。ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子（２４）の光軸Ｌ１は、ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子（２６）の光軸Ｌ２に対して平行、更には０．５度程度の角度で接近する。
Inventors:
阿部 博明
我妻 新一
星 望
鈴木 洋一
我妻 新一
星 望
鈴木 洋一
Application Number:
JP2003570434A
Publication Date:
June 16, 2005
Filing Date:
February 20, 2003
Export Citation:
Assignee:
ソニー株式会社
International Classes:
G11B7/126; H01S5/026; G11B7/125; H01S5/223; H01S5/323; H01S5/40; H01S5/343
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