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Title:
量子ナノ構造半導体レーザ、及び量子ナノ構造アレイ
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003073570
Kind Code:
A1
Abstract:
発振させるレーザ光の光進行方向Ｉｓに対しそれぞれは直交する方向に伸び、互いには光進行方向Ｉｓに沿って平行に並設された複数のＶ溝を有する溝付き半導体基板の当該Ｖ溝のそれぞれの上に、ＩＩＩ−Ｖ化合物選択成長により複数の量子細線（１１）を形成する。これら複数の量子細線（１１）を、互いにはレーザ活性層の媒質内波長の１／４の整数倍の周期で光進行方向Ｉｓに沿って並設され、個々にはそれぞれレーザのストライプ巾に対応する有限長の活性層領域とする。これにより、低閾値化と発振周波数の安定化の少なくとも一方、望ましくは双方を、従来提供されているものに比し、より満足し得る量子ナノ構造半導体レーザを提供する。

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Inventors:
小倉 睦郎
Application Number:
JP2003572142A
Publication Date:
June 23, 2005
Filing Date:
February 24, 2003
Export Citation:
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Assignee:
独立行政法人産業技術総合研究所
独立行政法人科学技術振興機構
International Classes:
H01S5/343; H01L29/12; H01S5/026; H01S5/12; H01S5/34; H01S5/40; H01L21/20; H01L21/205; H01S5/10; H01S5/22
Domestic Patent References:
JPH04314376A1992-11-05
JP2000124441A2000-04-28
JP2001326421A2001-11-22
JPH06275908A1994-09-30
JPH06291423A1994-10-18
JPH0334489A1991-02-14
JPH05145169A1993-06-11
JPH0349283A1991-03-04
JPH11168261A1999-06-22
JPS55151387A1980-11-25
JP2000352614A2000-12-19
Other References:
TAE GEUN KIM, LASERS AND ELECTRO-OPTICS EUROPE, JPN5004010625, 2000, ISSN: 0001178628
CHAN SIK SON, THE 7TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON FEMTOSECOND TECHNOLOGY, JPN5004010626, 2000, pages 196, ISSN: 0001178629
CHAN SIK SON, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. V221 N1/4, JPN5004010627, 2000, pages 201 - 207, ISSN: 0001178630
田沼　保彦, 電子情報通信学会技術研究報告, vol. V98 N385, JPN5004010628, 1998, JP, pages 13 - 18, ISSN: 0001178631
菅谷　武芳, 第４４回応用物理学関連連合講演会予稿集, JPN5004010629, 1997, JP, pages 1332, ISSN: 0001178632
J.K.KIM, APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. V74 N19, JPN5004010630, 1999, pages 2752 - 2754, ISSN: 0001178633



 
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