Title:
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005008785
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の薄膜トランジスタは、半導体層（４）と、該半導体層に相互に分離して設けられたソース領域（５）とドレーン領域（６）とゲート領域（２）とを有する薄膜トランジスタ（１００）であって、前記半導体層が複合材料で構成されており、前記複合材料が、有機物半導体材料の内部に少なくとも１種類の無機物材料の粒子が複数分散された複合材料である。
Inventors:
Takayuki Takeuchi
Toshinari Nanai
Toshinari Nanai
Application Number:
JP2005511904A
Publication Date:
September 07, 2006
Filing Date:
July 15, 2004
Export Citation:
Assignee:
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
International Classes:
H01L29/786; H01L21/336; H01L51/00; H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40
Attorney, Agent or Firm:
Yoshihiro Tsunoda
Yasu Furukawa
Toshio Nishitani
Keiji width
Yasu Furukawa
Toshio Nishitani
Keiji width