Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007116470
Kind Code:
A1
Abstract:
シリコン基板２６上に、ＨｆＳｉＯ膜３６を形成する工程と、ＨｆＳｉＯ膜３６をＮＨ３ガスに曝すことにより、ＨｆＳｉＯ膜３６を窒化し、ＨｆＳｉＯＮ膜３８を形成する工程と、ＨｆＳｉＯＮ膜３８上に、ＨｆＳｉＯ膜４０を形成する工程と、ＨｆＳｉＯ膜４０の表面にＡｌを付着させることにより、ＨｆＳｉＯ膜４０の表面にＡｌ付着層５８を形成する工程と、Ａｌ付着層５８が表面に形成されたＨｆＳｉＯ膜４０上に、ポリシリコン膜４２を形成する工程とを有している。
More Like This:
Inventors:
Masaomi Yamaguchi
Yasuyoshi Mishima
Yasuyoshi Mishima
Application Number:
JP2008509621A
Publication Date:
August 20, 2009
Filing Date:
March 31, 2006
Export Citation:
Assignee:
富士通株式会社
International Classes:
H01L29/78; H01L21/283; H01L21/316; H01L21/8238; H01L27/092
Domestic Patent References:
| JP2004342775A | 2004-12-02 | |||
| JP2004265973A | 2004-09-24 | |||
| JP2004247474A | 2004-09-02 | |||
| JPH04306882A | 1992-10-29 | |||
| JP2003158262A | 2003-05-30 |
Other References:
HYUNG-SEOK JUNG ET AL.: "Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielect", 2002 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING TECHNICAL DIGEST(IEDM'02), JPN6009045587, 2002, pages 853 - 856, XP010626173, ISSN: 0002120993, DOI: 10.1109/IEDM.2002.1175971
Attorney, Agent or Firm:
Yoshito Kitano
Haruhiko Mimura
Haruhiko Mimura