Title:
半導体試験装置および試験方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2008146451
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体試験装置１００において、電圧源１０は、ＤＵＴ２００に供給すべき電源電圧を生成する。判定処理部３０は、ＤＵＴ２００に所定のテストシーケンスを実行させる。ノイズ発生部２０は、テストシーケンスの実行中、ＤＵＴ２００に供給される電源電圧Ｖｄｄに周期的なパルス状のノイズ電圧Ｖｎを重畳する。ノイズ発生部２０は、ＤＵＴ２００に供給されるクロック信号ＣＫと同期したノイズ電圧Ｖｎを重畳する。
Inventors:
Mitsuo Matsumoto
Application Number:
JP2009516168A
Publication Date:
August 19, 2010
Filing Date:
May 12, 2008
Export Citation:
Assignee:
Advantest Corporation
International Classes:
G01R31/30
Attorney, Agent or Firm:
Sakaki Morishita
Yusuke Murata
Tomoyuki Miki
Masaki Taiki
Yusuke Murata
Tomoyuki Miki
Masaki Taiki