Title:
半導体ウェーハおよびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009028399
Kind Code:
A1
Abstract:
直径４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハを高歩留まりでかつ安価に作製する。母材基板となる直径４５０ｍｍ以上の円形の石英ガラス板に、複数枚の矩形の小片シリコンウェーハをアニール等によって貼り付ける。接合後、ポリシリコンをＣＶＤにより被着して小片シリコンウェーハ間の隙間を埋め、さらにこれらの小片シリコンウェーハの表面を研磨してデバイス形成面とする。または、これらの小片シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成してデバイス面とする。
More Like This:
| WO/2020/182903 | APPARATUS FOR FORMING A HOMOGENEOUS INTENSITY DISTRIBUTION WITH BRIGHT OR DARK EDGES |
| JPH07265826 | METHOD AND DEVICE FOR CLEANING VACUUM VESSEL |
| JP2014195026 | COMPOSITE SUBSTRATE |
Inventors:
Kazunari Takaishi
Seiji Sugimoto
Seiji Sugimoto
Application Number:
JP2009530076A
Publication Date:
December 02, 2010
Filing Date:
August 21, 2008
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/02; H01L21/322; H01L27/12
Attorney, Agent or Firm:
Ichiro Abe